JPS6286902A - 超高周波フイルタの構造 - Google Patents

超高周波フイルタの構造

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JPS6286902A
JPS6286902A JP60226939A JP22693985A JPS6286902A JP S6286902 A JPS6286902 A JP S6286902A JP 60226939 A JP60226939 A JP 60226939A JP 22693985 A JP22693985 A JP 22693985A JP S6286902 A JPS6286902 A JP S6286902A
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JP
Japan
Prior art keywords
dielectric substrate
metal plate
hole
strip line
high frequency
Prior art date
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Pending
Application number
JP60226939A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichi Takahashi
裕一 高橋
Masanori Ejima
正憲 江島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Keiki Inc
Original Assignee
Tokyo Keiki Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Keiki Co Ltd filed Critical Tokyo Keiki Co Ltd
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Publication of JPS6286902A publication Critical patent/JPS6286902A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はストリップラインによって形成される超高周波
フィルタの構造に関する。
〔従来の技術〕
し・−グに使用される幅広い周波数帯域のマイクロ波の
受信(ま、このマイクロ波をシフ5波周波数の異なる複
数の超高周波フィルタによって諺彼し、ろ波して得られ
た各周波数のマイクロ波を局部発信器によって中間局e
数に変換するのが一般に行われる方法である。この際、
複数の超高周波フィルタは同一スI・IJ =tプライ
ン平面又りよ同軸ケーブル等によって互いに接続配線さ
れる。
係る超高周波フィルタはストリップラインによって誘電
体基板上に形成されろ。この場合、超高周波フィルタを
構成する容量素子ばス)・リスブラインのパターン幅を
広くすることによって得られ、インダクタンス素子はス
トリップラインのパターン幅を狭くすることによって得
られる。又、直列容量素子は誘電体基板を挾んでストリ
ップラインを重ね合わせろことによって形成されること
ば周知の通りである。。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、ス)・リップラインによって超高周波フィル
タを形成する乙とによって、マイクロ波受信器の小型化
を図ることができるが、上述したように複数の超高周波
フィルタを接続配線使用することによって、マイクロ波
受信器の小型化が難しくなる場合が生じるという問題が
あった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
マイクロ波受信器の小型化を容易にする超高周波フィル
タの構造を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで本発明では、下層金属板と、下層金属板の上方に
下層金属板と所定の間隔を隔てて配置され、下面に下層
ストリップラインによる超高周波フィルタが形成されて
いるとともに、下層ストリップラインの始端部分を臨む
位置に所定の大きさの穴が穿設された下層誘電体基板と
、下層誘電体基板の上方に下層誘電体基板と所定の間隔
を隔てて配置され、下層誘電体基板の穴穿設位置に対応
する位置に下層誘電体基板の穴よりも大きい穴が穿設さ
れた中層金属板と、中層金属板の上方に中層金属板と所
定の間隔を隔てて配置され、上面に上層ストリップライ
ンによる超高周波フィルタが形成されているとともに、
上層ストリップラインの終端部分を臨む位置であって、
下層誘電体基板の穴穿設位置に対応する位置に下層誘電
体基板の穴とほぼ等しい大きさの穴が設けられた上層誘
電体基板と、上層誘電体基板の上方に上層誘電体基板と
所定の間隔を隔てて配置された上層金属板と、上層誘電
体基板の穴、中層金属板の穴及び下層誘電体基板の穴を
介して上層スI−IJ 2)プラインと下層ストリップ
ラインとを接続ずろ中心導体及び中心導体のうち上層誘
電体基板の下面から下B誘電体基板の上面までを中層金
属板の穴を介して被覆し、ており、上層誘電体基板の下
面から中層金属板の上面までの部分が中層金属板の穴に
嵌挿し1辱ない形状で、中層金属板の上面から下層誘電
体基板の上面までの部分が中層金属板の穴に嵌挿し得る
形状の誘電体とから超高周波フィルタの構造を構成する
〔作 用〕
上記構成の超高周波フィルタの構造は、下層金属板、下
層誘電体基板、中層金属板、上層誘電体基板及び上層金
属板を所定の間隔を隔てて積重して配置し、中心導体を
誘電体で被覆した構造の接続部材によって上層ス)−リ
ップラインと下層ストリップラインとを接続する。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明ずろ。
第1図は本発明に係る超高周波フィルタの構造の概略図
である。第1図において、1は下層金属板、2は下層金
属板1の上方に下層金属板工と所定の間隔を隔てて配置
された下層誘電体基板、3(よ下層誘電体基板2の下面
に形成された超高周波フィルタを構成する下層ストリッ
プライン、2aは下層ス1. リップライン3の始端部
分を臨む位置に穿設された所定の大きさの穴、4は下層
誘電体基板2の下面両端部と下層金属板1の上面両端部
との間に介在されたスペーサ、5ば下層誘電体基板2の
上方に下R誘電体基板2と所定の間隔を隔てて配置され
た中層金属板、5alま下層誘電体基板2の穴穿設位置
に対応する位置に穿設された下層誘電体基板2の穴2a
よりも大きい穴、6は中層金属板5の下面両端部と下層
誘電体基板2の上面両端部との間に介在されたスペーサ
、7は中層金属板5の上方に中層金属板5と所定の間隔
を隔てて配置された上層誘電体基板、8は上層誘電体基
板7の上面に形成された超高周波フィルタを構成する上
層ストリップライン、ハは上層ストリップライン8の終
端部分を臨む位置であって、下層誘電体基板2の穴穿設
位首に対応する位置に穿設された下層誘電体基板2の穴
2aと同じ大きさの穴、9は上層誘電体基板7の下面両
端部と中層金属板5の上面両端部との間に介在されたス
ペーサ、10は上層誘電体基板7の」ニガに上層′A誘
電体基板と所定の間隔を隔てて配置された上層金属板、
11は上層誘電体基板7の上面両端部と上層金属板10
との間に介在されたスペーサ、12は上層ストリップラ
イン8と下層ストリップライン3とを接続する接続部材
である。接続部材12は第2図に示すように、上層スト
リップライン8と下層ストリップライン3とを接続する
中心導体12aと中心導体12aを被覆している誘電体
+2bとから構成されている。中心導体12aは上層誘
電体基板7の穴7a、中層金属板5の穴5a及び下層誘
電体基板2の穴2aに嵌挿されており、上端部が上層ス
)・リップライン8に、下端部が下層ストリップライン
3にそれぞれ接続されている。又、誘電体12bは中心
導体12aのうち上層誘電体基板7の下面から下層誘電
体基板2の上面までの部分を被覆しており、上層誘電体
基板7の下面から中層金属板5の上面までの部分が中層
金属板5の穴よりも径が大きい円柱形状で、中層金属板
5の上面から下層誘電体基板2の上面までの部分が中層
金属板5の穴5aに嵌挿し得る形状になっている。 ス
トリップライン8を伝搬されてきたマイクロ波はス)・
リップライン8の終端部分から中心導体12aを介して
ストリップライン3の始端部分に伝搬され、さらにスト
リップライン3を伝搬されていくことになる。
なお、上層ス!・リップライン8と中心導体12aとの
接続及び下層ストリップライン3と中心導体+2aとの
接続はハンダ付は等によってなされている。又、誘電体
12bの材料としてはテフロン等を用いる。
なお、本実施例では2層構造の超高周波フィルタについ
て説明したが、これに限らず3層以上の超高周波フィル
タを構成するようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、下層金属板、下M
誘電体基板、中層金属板、上層誘電体基板及び上層金属
板を所定の間隔を隔てて積層して配置し、上層誘電体基
板の穴、中層金属板の穴及び下層誘電体基板の穴に嵌挿
されており、上層ストリップライン及び下層ストリップ
ラインとに接続されている中心導体、この中心導体を被
覆しており、上層誘電体基板の下面から中層金属板の上
面までの部分が中層金属板の穴に嵌挿し得ない形状で、
中層金属板の上面から下層誘電体基板の上面までの部分
が中層金属板の穴に嵌挿し得ろ形状の誘電体から構成さ
れた接続部材によって上層ストリップラインと下層スト
リップラインとを接続ずろことによって、積み重ねた超
高層dYフィルタの構造が得られるので、かかる超高周
波フィルタの構造を使用するマイクロ波受信器の小型化
を実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る超高周波フィルタの構造の概略図
、第2図は第1図に示した部材の↑ミ)親図である。 1−下層金属板、2 下IFI誘電体基板、4,6゜9
.11 スペーサ、3,8 ストリップライン、5 中
層金属板、7 上層誘電体基板、IO上層金属板、12
  接続部材。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下層金属板と、前記下層金属板の上方に該下層金
    属板と所定の間隔を隔てて配置され、下面に下層ストリ
    ップラインによる超高周波フィルタが形成されていると
    ともに、該下層ストリップラインの始端部分を臨む位置
    に所定の大きさの穴が穿設された下層誘電体基板と、前
    記下層誘電体基板の上方に該下層誘電体基板と所定の間
    隔を隔てて配置され、該下層誘電体基板の穴穿設位置に
    対応する位置に所定の大きさの穴が穿設された中層金属
    板と、前記中層金属板の上方に該中層金属板と所定の間
    隔を隔てて配置され、上面に上層ストリップラインによ
    る超高周波フィルタが形成されているとともに、該上層
    ストリップラインの終端部分を臨む位置であって、前記
    下層誘電体基板の穴穿設位置に対応する位置に所定の大
    きさの穴が設けられた上層誘電体基板と、前記上層誘電
    体基板の上方に該上層誘電体基板と所定の間隔を隔てて
    配置された上層金属板と、前記上層誘電体基板の穴、前
    記中層金属板の穴及び前記下層誘電体基板の穴を介して
    前記上層ストリップラインと前記下層ストリップライン
    とを接続する中心導体及び前記中心導体のうち前記上層
    誘電体基板の下面から前記下層誘電体基板の上面までを
    前記中層金属板の穴を介して被覆しており、該上層誘電
    体基板の下面から該中層金属板の上面までの部分が該中
    層金属板の穴に嵌挿し得ない形状で、該中層金属板の上
    面から該下層誘電体基板の上面までの部分が該中層金属
    板の穴に嵌挿し得る形状の誘電体とから構成された接続
    部材とを備えたことを特徴とする超高周波フィルタの構
    造。
  2. (2)下層誘電体基板は、該下層誘電体基板の下面両端
    部と前記下層金属板の上面両端部との間に介在されたス
    ペーサ、中層金属板は該中層金属板の下面両端部と前記
    下層誘電体基板の上面両端部との間に介在されたスペー
    サ、上層誘電体基板は該上層誘電体基板の下面両端部と
    前記中層金属板の上面両端部との間に介在されたスペー
    サ及び上層金属板は該上層金属板の下面両端部と前記上
    層誘電体基板の上面両端部との間に介在されたスペーサ
    によって、それぞれ前記間隔が保持されている特許請求
    の範囲第1項記載の超高周波フィルタの構造。
JP60226939A 1985-10-14 1985-10-14 超高周波フイルタの構造 Pending JPS6286902A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016158095A (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 日立金属株式会社 アンテナ装置

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