JPS6279647A - Thin plate deforming device - Google Patents
Thin plate deforming deviceInfo
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- JPS6279647A JPS6279647A JP60219047A JP21904785A JPS6279647A JP S6279647 A JPS6279647 A JP S6279647A JP 60219047 A JP60219047 A JP 60219047A JP 21904785 A JP21904785 A JP 21904785A JP S6279647 A JPS6279647 A JP S6279647A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はシリコンウニノー、パプルウェノ１、セラミッ
ク基板、グリ／ト基板などの薄板を露光するために平坦
化したシ、あるいは薄板を結像するために凹形状に曲げ
たりするのに好適な薄板整形装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a flattened sheet for exposing a thin plate such as a silicon uni-no, a papuru wa-no-1, a ceramic substrate, a grid/grit substrate, or for imaging a thin plate. The present invention relates to a thin plate shaping device suitable for bending a thin plate into a concave shape.
従来、たとえばＬＳＩなどにおいては、シリコンウェハ
上にレジスト被膜を形成し、このレジスト被膜にマスク
に形成された所要のパターンを転写し、転写された・９
ターンにしたがってエツチング、イオン注入などの処理
をくり返して行なうことにより、所要の回路をもつよう
に製造されている０
前記ＬＳＩにおいては、集積度をより向上させるために
、回路を構成する線の巾が１μｍもしくはそれ以下の微
細な・ぐターンを形成することが要求されている。そし
て、このような要求を満すために、前記・！ターンの転
写に例えば軟Ｘ線を用いることが提案されている。Conventionally, for example in LSI, a resist film is formed on a silicon wafer, and a required pattern formed on a mask is transferred to this resist film.
By repeating processes such as etching and ion implantation according to each turn, the LSI is manufactured to have the required circuit. It is required to form fine patterns with a diameter of 1 μm or less. And, in order to meet such demands, the above-mentioned ! It has been proposed to use, for example, soft X-rays to transfer turns.
例えばこのような軟Ｘ線を用いたＸ線露光装置が特開昭
５７−１６９２４２号公報に記載されているようにいく
つか提案されているが、軟Ｘ線を用いた場合、軟Ｘ線の
発生源からウェノ・上に形成されたレノスト被膜に到達
するまでの間での減衰が大きいことが知られている。For example, several X-ray exposure apparatuses using such soft X-rays have been proposed, as described in Japanese Patent Application Laid-open No. 169242/1982, but when soft X-rays are used, It is known that the attenuation from the source to the Lennost film formed on the weno is large.
このため、Ｘ発生源における軟Ｘ線の発生線量を大きく
したり、マスクを軟Ｘ線が透過し易い材料で形成し、か
つマスクの厚さを極力薄くするなど、多くの改良が行な
われている。For this reason, many improvements have been made, such as increasing the amount of soft X-rays generated at the X-ray source, forming the mask from a material that allows soft X-rays to easily pass through, and making the mask as thin as possible. There is.
マスクを薄くすると、それだけマスクの機械的な強度が
低下するため、大きなマスクを作れなくなる。このため
、ＬＳ１１個〜数個分のマスクを作シ、１個分づつパタ
ーンを転写してはウェノ・を１個分つつ移動させるステ
ップアントリ♂−ト式の転写方法が提案されている。し
かし、マスクが薄くなると、マスク自体を平らにするこ
とは困難である。As masks become thinner, their mechanical strength decreases, making it impossible to make larger masks. For this reason, a step-and-ret type transfer method has been proposed in which masks for 11 to several LSs are created, patterns are transferred one by one, and the patterns are moved one by one. However, as the mask becomes thinner, it is difficult to flatten the mask itself.
一方、軟Ｘ線は、発生源から放射状に広がりながら直進
する。また、軟Ｘ線の発生源は、対陰極に照射される電
子ビームの径に対応する大きさを持っている。このため
、発生源からマスクを通りウェハ上のレノスト被膜に達
する軟Ｘ線の到達位置に、発生源の大きさに対応する差
を生じ、ぼけを生じたり、マスク・ぐり一ンの直下から
若干ズした位置を照射するシフトラ生じる。On the other hand, soft X-rays travel straight from the source while spreading radially. Further, the soft X-ray generation source has a size corresponding to the diameter of the electron beam irradiated to the anticathode. For this reason, the arrival position of the soft X-rays from the source through the mask to the Lennost coating on the wafer varies depending on the size of the source, resulting in blurring or a slight deviation from just below the mask/grid. A shifter that illuminates the shifted position is generated.
一方、マスクには、マスク製作上の誤差、露光時の温度
上昇による歪、くシ返し使用するマスクでは、その経時
変化による歪、マスクを露光装置に取付ける際のチャッ
キングによる変形マスクの自重による歪、マスクの上下
面に加わる気圧の差による歪など、多くの好ましくない
影響が与えられる。また、ウェハにも、ウェハ製作上の
変形、露光装置に取付ける際のチャッキングによる変形
、エツチング、イオン注入等のプロセス中に発生する変
形など、多くの好ましくない影響が与えられる。On the other hand, masks are subject to distortion due to errors in mask manufacturing, temperature rise during exposure, distortion due to changes over time in masks that are folded, and deformation due to the mask's own weight due to chucking when attaching the mask to the exposure equipment. There are many undesirable effects such as distortion and distortion due to the difference in air pressure applied to the upper and lower surfaces of the mask. Further, wafers are also subject to many undesirable effects, such as deformation during wafer fabrication, deformation due to chucking during attachment to an exposure apparatus, and deformation occurring during processes such as etching and ion implantation.
したがって、１μｍもしくはそれより狭い巾の回路・！
ターンを転写を行なうには、露光する部分のウェハの表
面を、マスクから投写される／’Ｐターンが最も良い状
態で受光し得るように変形させることが必要である。Therefore, a circuit with a width of 1 μm or narrower!
In order to transfer the turns, it is necessary to deform the exposed portion of the wafer surface so that the /'P turn projected from the mask can receive light in the best condition.
このような要求に応える装置としてはたとえばアイビー
エム テクニカル ディスクロッサーパルレテン（？ル
１５ナンノ９１０マーチ１９７３ ） （ＩＢＭＴ’ｅ
ｅｈｎｉｃａｌ Ｄｌｓｃｌｏｇｕｒｅ Ｂｕｌｌ＠ｔ
ｉｎ（Ｖｏｌ １５ ＡＩＯ１９７３）ニ［フラットネ
スズ コンドロールド ウェハクランピング （デスタ
ルＪ （ＦＬＡＴＮＥＳＳ Ｃ０ＮＴ−ＲＯＬＬＥＤ
ＷＡＦＥＲＣＬＡＭＰＩＮＧ ＰＥＤＥＳＴＡＬＪが提
案されている。すなわち、真空吸着用の穴を形成した台
にピエゾ素子を配置したものである。そして前記台上に
ウェハを載せて真空吸着した状態でその表面の複数の点
の高さをセンサで検出し、その結果に基づいて前記ピエ
ゾ素子に所要の電圧を ０印加して、ウェハの裏面を押
上げてその表面を水平にするように構成されている。An example of a device that meets these demands is the IBM Technical Disclosser Palleten (?le 15 Nanno 910 March 1973) (IBMT'e
ehnical Dlsclogure Bull@t
in (Vol 15 AIO1973)
WAFERCLAMPING PEDESTALJ is proposed. That is, a piezo element is placed on a stand with holes for vacuum suction. Then, with the wafer placed on the table and vacuum-adsorbed, the heights of multiple points on the surface of the wafer are detected by a sensor, and based on the results, a required voltage of 0 is applied to the piezo element, and the back surface of the wafer is It is configured to push up and level the surface.
しかし、このような装置においては、ピエゾ素子でウェ
ハを押し上げると、台とウェハの間にギャップが形成さ
れ、真空によるウェハの保持力が弱くなると共に、前記
ギヤソゲを流れる気流によってウェハに滑りが発生し易
いなどの欠点がある。However, in such devices, when the piezo element pushes up the wafer, a gap is formed between the table and the wafer, weakening the vacuum's ability to hold the wafer, and causing the wafer to slip due to the airflow flowing through the gear saw. There are disadvantages such as being easy to use.
また、ピエゾ素子をウェハ全面に均一に配置しなければ
ウェハを水平もしくは所要の形状に変形させることがで
きない。このため、たとえば、４インチウェハの全面に
１０＋ｍ間隔でピエゾ素子を配置する場合には、１０５
個のピエゾ素子が、５インチウェハでは１４９個のピエ
ゾ素子が必要になる。同様に、ピエゾ素子の駆動手段も
、ピエゾ素子と同じ数だけ必要になる。そして、前記駆
動手段は、通常ピエゾ素子にθ〜６５０ｖまでの電圧を
印加する必要があシ、小形化が技術的に困難である。し
たがって、多数の駆動手段を露光装置に装備することも
技術的に困難であり、装置が必要以上に大形化するだけ
でなく、高価になるなどの欠点がある。Furthermore, unless the piezo elements are uniformly arranged over the entire surface of the wafer, the wafer cannot be deformed horizontally or into a desired shape. Therefore, for example, when piezo elements are arranged at intervals of 10+m over the entire surface of a 4-inch wafer, 105
For a 5-inch wafer, 149 piezo elements are required. Similarly, the same number of drive means for the piezo elements as the number of piezo elements are required. The driving means usually needs to apply a voltage of θ to 650 V to the piezo element, and it is technically difficult to miniaturize the piezo element. Therefore, it is technically difficult to equip an exposure apparatus with a large number of driving means, and there are disadvantages such as not only making the apparatus larger than necessary but also making it expensive.
本発明は前記従来の問題点を解決し、マスクとウェハと
の間隙を均一に保持し、かつ変形用の上下駆動素子の配
列密度を低減してコストの低減および軽量化を可能とす
る薄板整形装置を提供することにある。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, maintains a uniform gap between a mask and a wafer, and reduces the arrangement density of vertical drive elements for deformation, thereby reducing cost and weight. The goal is to provide equipment.
本発明は前記の目的を達成するため、ウェハなどの薄へ
を表面に保持するチャック板を設け、このチャック板の
裏面に該チャック板を複数個の三角形状金した要素に分
割し、この分割付近を折れ線として要素が弾性変形しう
るように形成されたス’）ソトｆｌｔを設け、かつ上記
各要素を上下方向に変形させて上記薄板を平坦状あるい
は曲面状に整形する複数個の上下機構を設けたことを特
徴とするものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a chuck plate for holding a thin film such as a wafer on its surface, and divides the chuck plate into a plurality of triangular metal elements on the back surface of the chuck plate. A plurality of vertical mechanisms are provided that are formed so that the elements can be elastically deformed with a polygonal line in the vicinity, and that deform each of the elements in the vertical direction to shape the thin plate into a flat or curved shape. It is characterized by having the following.
以下、本発明の実施例を示す第１図乃至第５図について
述べる。第１図は本発明の実施例を示すウェハ平坦化装
置の断面側面図、第２図はそのスリット溝接続部の拡大
断面側面図にして、その（ａ）はスリット溝接続部を口
形状に形成した場合、その（ｂ）はスリット溝接続部を
Ｖ形状に形成した場合を示し、第３図はそのチャック板
の裏面図、第４図はウェハ平坦化の作動説明図にして、
その（、）はウェハをチャック板上に真空吸着した状態
、その（ｂ）はウェハを平坦化した状態を示す。同図に
おいて、１はウェハ、２はチャック板にして、平板状に
形成され、その裏面には第３図に示す如く、該チャック
板２を複数個の三角形状をした要素６に分割するため、
上方先端部を第２図（、）に示す如く口形状にあるいは
第２図（ｂ）に示す如く口形状に形成サレタスリット溝
５を穿設し、このスリット溝５付近を折れ線として上記
各要素６が弾性変形しうるように形成されている。また
上記チャック板２はその表面の上記スリット溝５０対向
位置に上記ウェハｌを該チャック板２に真空吸着するた
めの空気挿入溝７を穿設し、かっこの空気挿入溝７に接
続する位置に上下方向に貫通する如く空気通路穴８を穿
設している。４はハウソングにして、断面を口形状をし
た円筒形にて形成され、上端面に上記チャック板２の裏
面周辺部を支持したときその内部室４ａが密閉される如
くしておシ、その内部室４ａに上記チャック板２の各要
素６の裏面角付近の位置Ａに位置する如く複数個の上下
機構３を内蔵している。上記上下機構３については具体
的構成を省略しているが、本発明の場合、駆動ストロー
クが２０〜３０μｍ程度、分解能が０．１μｍ程度必要
であるので、たとえばピエゾ素子などが使用される。し
かしこのピエゾ素子については一般に使用されているの
で、詳細な説明を省略する。９．１０は真空供給穴にし
て、夫々上記ハウジング４の内外周面を水平方向に貫通
する如く穿設され、その外周開口部を真空供給源（図示
せず）に接続し、一方の真空供給穴９の内周開口部を・
やイブ１１を介して上記空気通路穴８に接続し、他方の
真空供給穴１０の内周開口部をハウソング４の内部室４
ａに接続している。１２はウェハの平坦度高さ測定器に
して、レーデ干渉縞装置あるいは静電容量センサなどに
て形成され、上記ウェハ１の上方位置に対向する如く配
置され、上記ウェハ１をチャック板２に真空吸着したと
きのウェハｌの表面の平坦度高さを測定する如くしてい
る。１３は演算回路にして、上記ウェハの平坦度高さ測
定器１２による測定結果を演算する如くしている。１４
は駆動回路にして、上記演算回路１３による演算結果に
基づき、上記所定の上下機構３を駆動してその上端部位
置を調整する如くしている。上記の構成であるから、そ
の作動について第４図によシ述べる。先づ第４図（＆）
に示す如く、厚さの不均一なウェハ１をチャック板２の
表面に搭載したのち、真空供給源よりの真空空気を一方
の真空供給穴９、バイア’ｌｌおよび空気通路穴８を通
って空気挿入溝７内に供給すると、空気挿入溝７内の真
空空気の吸引圧力によってウェハ１がチャック板２の表
面に吸着する。この状態で上方のウェハ１の平坦度高さ
測定器１２によりウェハ１の平坦度の高さを測定し、そ
の結果を演算回路１３で演算する。その演算結果に基づ
き駆動回路１４が駆動して所定の上下機構３の上端部位
置を調整して、ウェハ１の上下方向の位置ズレを押える
。ついで第４図（ｂ）に示す如く真空供給源からの真空
空気を他方の真空供給穴１０を通って７・ウノング４の
内部室４ａに供給すると、内部室４ａ内の真空空気の吸
引圧力によってチャック板２およびウェハ１が下方に変
形してチャック板２の裏面が上下機構３の上端部に支持
されるとともにチャック板２を介してウェハ１が平坦化
された状態に位置決めされる。なお、上記実施例はウェ
ハ１の平坦化装置について記載されているが、本発明は
これに限定されるものでなくたとえば薄板をＸ線露光装
置等のようにマスクとウェハの間隙を均一にするために
曲面状に整形する場合にも適用されることは云うまでも
ない。1 to 5 showing embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a cross-sectional side view of a wafer flattening apparatus showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional side view of the slit groove connection part. (b) shows the case where the slit groove connection part is formed in a V shape, FIG. 3 is a back view of the chuck plate, and FIG. 4 is an explanatory diagram of the operation of flattening the wafer.
(,) shows the state in which the wafer is vacuum-adsorbed onto the chuck plate, and (b) shows the state in which the wafer is flattened. In the figure, 1 is a wafer, 2 is a chuck plate, which is formed into a flat plate shape, and on the back side, as shown in FIG. ,
The upper tip part is formed into a mouth shape as shown in FIG. 2(a) or a mouth shape as shown in FIG. 6 is formed to be elastically deformable. Further, the chuck plate 2 has an air insertion groove 7 formed on its surface at a position opposite to the slit groove 50 for vacuum suction of the wafer l onto the chuck plate 2, and a position connected to the air insertion groove 7 of the bracket. Air passage holes 8 are bored so as to penetrate in the vertical direction. Reference numeral 4 is a hose song, which is formed into a cylindrical shape with a mouth-shaped cross section, and has an internal chamber 4a that is sealed when the back side of the chuck plate 2 is supported on its upper end surface. A plurality of up and down mechanisms 3 are housed in the chamber 4a so as to be located at position A near the back corner of each element 6 of the chuck plate 2. Although the specific structure of the vertical mechanism 3 is omitted, in the case of the present invention, a drive stroke of about 20 to 30 μm and a resolution of about 0.1 μm are required, so a piezo element or the like is used, for example. However, since this piezo element is commonly used, detailed explanation will be omitted. Reference numerals 9 and 10 designate vacuum supply holes, which are bored horizontally through the inner and outer peripheral surfaces of the housing 4, and whose outer peripheral openings are connected to a vacuum supply source (not shown). Inner opening of hole 9.
The inner circumferential opening of the other vacuum supply hole 10 is connected to the air passage hole 8 through the vacuum tube 11 and the inner chamber 4 of the housing song 4.
Connected to a. Reference numeral 12 denotes a wafer flatness height measuring device, which is formed by a Radhe interference fringe device or a capacitance sensor, and is placed so as to face above the wafer 1. The height of flatness of the surface of the wafer 1 when it is sucked is measured. Reference numeral 13 denotes an arithmetic circuit, which calculates the results of measurement by the wafer flatness height measuring device 12. 14
is a drive circuit, and based on the calculation results of the calculation circuit 13, the predetermined vertical mechanism 3 is driven to adjust the position of its upper end. Since the configuration is as described above, its operation will be described with reference to FIG. First, Figure 4 (&)
As shown in the figure, after a wafer 1 with a non-uniform thickness is mounted on the surface of a chuck plate 2, vacuum air from a vacuum supply source is passed through one vacuum supply hole 9, via 'll and air passage hole 8. When the wafer 1 is supplied into the insertion groove 7 , the wafer 1 is attracted to the surface of the chuck plate 2 by the suction pressure of the vacuum air in the air insertion groove 7 . In this state, the flatness height of the wafer 1 is measured by the flatness height measuring device 12 of the upper wafer 1, and the result is calculated by the calculation circuit 13. Based on the calculation result, the drive circuit 14 is driven to adjust the upper end position of the predetermined vertical mechanism 3, thereby suppressing vertical positional deviation of the wafer 1. Next, as shown in FIG. 4(b), when vacuum air from the vacuum supply source is supplied to the internal chamber 4a of the 7-unong 4 through the other vacuum supply hole 10, the suction pressure of the vacuum air in the internal chamber 4a causes The chuck plate 2 and the wafer 1 are deformed downward so that the back surface of the chuck plate 2 is supported by the upper end of the vertical mechanism 3, and the wafer 1 is positioned in a flattened state via the chuck plate 2. Although the above embodiment is described with respect to an apparatus for flattening a wafer 1, the present invention is not limited thereto. For example, the present invention is not limited to this. Needless to say, this method is also applied when shaping a curved surface.
本発明は以上述べたる如くであるから、ウェハの平坦化
に実施した場合ウェハ表面を±０．５μｍ以内に平坦化
することができ、かつウェハの厚さムラを除去すること
ができるので、半導体露光装置によるサブミクロン精度
のパターン転写を行なうことができ、とくにＸ線露光装
置のようにマスクとウェハとの間隙に均一に保持するこ
とが必要な場合に好適な効果がある。またウェノ１を曲
面状に整形するのに実施した場合ウェノ・をチャック板
のスリット溝付近を折れ線として変形するので、変形用
の上下機構の配列密度を従来に比較して約２に低減する
ことができ、これによって装置のコスト低減および軽量
化をはかることができる効果がある。As described above, when the present invention is applied to flatten a wafer, the wafer surface can be flattened to within ±0.5 μm, and unevenness in the thickness of the wafer can be removed. It is possible to perform pattern transfer with submicron precision using an exposure device, and this is particularly advantageous when it is necessary to hold the mask uniformly in the gap between the mask and the wafer, such as in an X-ray exposure device. In addition, when shaping the weno 1 into a curved surface, the weno is deformed as a polygonal line near the slit groove of the chuck plate, so the arrangement density of the up and down mechanisms for deformation can be reduced to about 2 compared to conventional methods. This has the effect of reducing the cost and weight of the device.
第１図は本発明の実施例を示すウェハ平坦化装置の断面
側面図、第２図はそのスリット溝接続部の拡大断面側面
図にして、その（、）はスリット溝接続部をＵ形状に形
成した場合、その（ｂ）はスリット溝接続部をＶ形状に
形成した場合を示し、第３図はそのチャック板の裏面図
、第４図はウェノ・平坦化の作動説明図にして、その（
、）はウェノ・をチャック板上に真空吸着した状態、そ
の（ｂ）はウェハを平坦化した状態を示す。
１・・・ウェハ、２・・・チャック板、３・・・上下機
構、４・・・ハウジング、５・・・スリット溝、６・・
・要素、７・・・空気挿入溝、８・・空気通路穴、９，
１０・・・真空供給穴、１１・り母イグ、１２・・・ウ
ェハの平坦度高さ測定器、１３・・・演算回路、１４・
・・駆動回路。
代理人 弁理士 秋 本 正 実
第１図
第２図
第３図Fig. 1 is a cross-sectional side view of a wafer flattening apparatus showing an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is an enlarged cross-sectional side view of the slit groove connection part. (b) shows the case where the slit groove connection part is formed in a V shape, FIG. 3 is a back view of the chuck plate, and FIG. (
,) shows the state in which the wafer is vacuum-adsorbed onto the chuck plate, and (b) shows the state in which the wafer is flattened. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Wafer, 2... Chuck plate, 3... Vertical mechanism, 4... Housing, 5... Slit groove, 6...
・Element, 7...Air insertion groove, 8...Air passage hole, 9,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Vacuum supply hole, 11. Mother ig, 12... Wafer flatness height measuring device, 13... Arithmetic circuit, 14.
...Drive circuit. Agent Patent Attorney Tadashi Akimoto Figure 1 Figure 2 Figure 3
Claims (1)
チャック板の裏面に該チャック板を複数個の三角形状を
した要素に分割し、この分割付近を折れ線として各要素
が夫々弾性変形しうるように形成されたスリット溝と、
上記各要素を夫々上下方向に移動させて上記薄板を所定
の形状に変形させる複数個の上下機構とを設けたことを
特徴とする薄板変形装置。 ２、前記スリット溝はその先端部をＵ形状もしくはＶ形
状に構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の薄板変形装置。 ３、薄板を表面に真空吸着するチャック板と、このチャ
ック板の裏面に該チャック板を複数個の三角形状をした
要素に分割し、この分割付近を折れ線として各要素が夫
々弾性変形しうるように形成されたスリット溝と、上記
各要素を夫々上下方向に移動させて上記薄板を所定の形
状に変形させる複数個の上下移動機構とからなる薄板変
形装置を設け、パターンを有する薄板とパターンを転写
される薄板との間隙を均一に保持するように構成したこ
とを特徴とする露光装置。[Claims] 1. A chuck plate is provided that vacuum-chucks a thin plate onto its surface, and on the back side of this chuck plate, the chuck plate is divided into a plurality of triangular elements, and the vicinity of the division is used as a polygonal line to form each element. a slit groove formed so that each can be elastically deformed;
A thin plate deforming device comprising a plurality of vertical mechanisms for moving each of the above elements in the vertical direction to deform the thin plate into a predetermined shape. 2. The thin plate deforming device according to claim 1, wherein the slit groove has a U-shaped or V-shaped tip. 3. A chuck plate that vacuum-adsorbs a thin plate onto its surface, and a chuck plate that is divided into a plurality of triangular elements on the back side of the chuck plate, and each element can be elastically deformed by using a polygonal line near the division. A thin plate deforming device including a slit groove formed in a pattern and a plurality of vertical movement mechanisms that move each of the above elements vertically to transform the thin plate into a predetermined shape is provided. 1. An exposure device characterized in that the exposure device is configured to maintain a uniform gap between the thin plate and the thin plate to be transferred.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219047A JPH0642508B2 (en) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | Thin plate deforming device and proximity exposure device |
| KR1019860002815A KR900001241B1 (en) | 1985-04-17 | 1986-04-14 | Light exposure apparatus |
| US06/852,729 US4666291A (en) | 1985-04-17 | 1986-04-16 | Light-exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219047A JPH0642508B2 (en) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | Thin plate deforming device and proximity exposure device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279647A true JPS6279647A (en) | 1987-04-13 |
| JPH0642508B2 JPH0642508B2 (en) | 1994-06-01 |
Family
ID=16729424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219047A Expired - Fee Related JPH0642508B2 (en) | 1985-04-17 | 1985-10-03 | Thin plate deforming device and proximity exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642508B2 (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471638A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Seiko Kk | Vacuum chuck |
| JPH01220440A (en) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Method and apparatus for controlling flatness of wafer |
| JPH08181054A (en) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nikon Corp | Stage apparatus and controlling method therefor |
| JP2007175817A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Ushio Inc | Planarization processing apparatus and supporting method of plane stage processed with the same |
| WO2007135998A1 (en) * | 2006-05-24 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | Holding device and exposure device |
| JP2013135218A (en) * | 2011-12-23 | 2013-07-08 | Asml Netherlands Bv | Support, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JPWO2012081234A1 (en) * | 2010-12-14 | 2014-05-22 | 株式会社ニコン | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2015053360A (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | リンテック株式会社 | Sheet sticking device, and sheet sticking method |
| CN114769885A (en) * | 2022-03-31 | 2022-07-22 | 南京萃智激光应用技术研究院有限公司 | Laser precision etching equipment |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP60219047A patent/JPH0642508B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471638A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Seiko Kk | Vacuum chuck |
| JPH01220440A (en) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Method and apparatus for controlling flatness of wafer |
| JPH08181054A (en) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nikon Corp | Stage apparatus and controlling method therefor |
| JP2007175817A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Ushio Inc | Planarization processing apparatus and supporting method of plane stage processed with the same |
| WO2007135998A1 (en) * | 2006-05-24 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | Holding device and exposure device |
| JPWO2007135998A1 (en) * | 2006-05-24 | 2009-10-01 | 株式会社ニコン | Holding apparatus and exposure apparatus |
| KR101539153B1 (en) * | 2010-12-14 | 2015-07-23 | 가부시키가이샤 니콘 | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JPWO2012081234A1 (en) * | 2010-12-14 | 2014-05-22 | 株式会社ニコン | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9575417B2 (en) | 2010-12-14 | 2017-02-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including a mask holding device which holds a periphery area of a pattern area of the mask from above |
| JP2013135218A (en) * | 2011-12-23 | 2013-07-08 | Asml Netherlands Bv | Support, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9470969B2 (en) | 2011-12-23 | 2016-10-18 | Asml Netherlands B.V. | Support, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2015053360A (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | リンテック株式会社 | Sheet sticking device, and sheet sticking method |
| CN114769885A (en) * | 2022-03-31 | 2022-07-22 | 南京萃智激光应用技术研究院有限公司 | Laser precision etching equipment |
| CN114769885B (en) * | 2022-03-31 | 2022-11-01 | 南京萃智激光应用技术研究院有限公司 | Laser precision etching equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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