JPS627689B2 - - Google Patents
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- JPS627689B2 JPS627689B2 JP15964378A JP15964378A JPS627689B2 JP S627689 B2 JPS627689 B2 JP S627689B2 JP 15964378 A JP15964378 A JP 15964378A JP 15964378 A JP15964378 A JP 15964378A JP S627689 B2 JPS627689 B2 JP S627689B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子ビームによる露光方法に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an exposure method using an electron beam.
走査露光方式による電子ビーム露光装置は例え
ば特開昭53−48677号に開示されているように一
般に第１図に示す如く構成されている。 An electron beam exposure apparatus using a scanning exposure method is generally constructed as shown in FIG. 1, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 53-48677.
図において、電子銃１より発射された電子ビー
ム２はビームブランキングコイル３をへて第１コ
ンデンサレンズ４、第２コンデンサレンズ５およ
び第３コンデンサレンズ６によつて集束され、フ
アイナルアパーチヤ７をへてウエハー８にいた
る。フアイナルアパーチヤ７の上部あるいは下部
に偏向コイル９がある。 In the figure, an electron beam 2 emitted from an electron gun 1 passes through a beam blanking coil 3, is focused by a first condenser lens 4, a second condenser lens 5, and a third condenser lens 6, and is focused through a final aperture 7. Now we come to wafer 8. A deflection coil 9 is located above or below the final aperture 7.
一方において、入力テープ１０の情報はコンピ
ユータ１１に入力され、その出力はモータ駆動回
路１２を介してパルスモータ１３を駆動すること
によりウエハー８を移動させるとともに、他の出
力は走査制御部１４に印加され、その出力は偏向
増幅回路１５をへて偏向コイル９に偏向情報をあ
たえるとともにブランキング回路１６をへてブラ
ンキングコイル３にブランキング情報をあたえる
ものである。 On the other hand, the information on the input tape 10 is input to the computer 11, and its output moves the wafer 8 by driving the pulse motor 13 via the motor drive circuit 12, while other outputs are applied to the scan controller 14. The output thereof passes through a deflection amplifier circuit 15 to provide deflection information to the deflection coil 9, and also passes through a blanking circuit 16 to provide blanking information to the blanking coil 3.
ウエハー８に達した電子ビームによつてウエハ
ー８の表面に形成されたレジスト層が露光され
る。 The resist layer formed on the surface of the wafer 8 is exposed by the electron beam that reaches the wafer 8.
ところで、このような電子ビーム露光装置にお
いて、例えば２μｍ以下の微細なパターンを、設
計パターン通りに描画すると、設計パターンより
も拡がつたパターンに露光されてしまう。例えば
第２図で示すように実線を設計パターンとし、こ
のパターン通りに電子ビームにより描画すると、
露光したレジスト層の現象処理後のパターンは破
線の如くなつてしまう。そのため、微細パターン
が隣接する場合には隣接パターンがくつついてい
て、欠陥ウエハーとなる。 By the way, in such an electron beam exposure apparatus, if a fine pattern of, for example, 2 μm or less is drawn according to a designed pattern, the pattern will be exposed to a pattern that is wider than the designed pattern. For example, as shown in Fig. 2, if a solid line is used as a design pattern and an electron beam is used to draw according to this pattern,
The pattern of the exposed resist layer after the phenomenon treatment ends up looking like a broken line. Therefore, when fine patterns are adjacent to each other, the adjacent patterns are pinched together, resulting in a defective wafer.
このようなパターンの拡大化は照射電子の後方
散乱に起因するものである。すなわち、20kevと
いう高エネルギーで打込まれた電子ビームがレジ
スト層下の基板の原子によつて散乱され、この散
乱による電子エネルギーがレジスト層に再び供給
され、結果的にこの再供給領域まで露光されたこ
とになるからである。 Such enlargement of the pattern is caused by backscattering of irradiated electrons. In other words, an electron beam implanted with a high energy of 20 keV is scattered by the atoms of the substrate below the resist layer, and the electron energy from this scattering is supplied to the resist layer again, and as a result, this resupply area is exposed. This is because it means something.
従つて、レジスト層へのエネルギー供給量は、
電子銃１から発射された電子エネルギーと後方散
乱による電子エネルギーとの和となり、一点Ｙに
電子ビームを照射した時、その点から距離ｒ離れ
た点Ｘでのエネルギー吸収量（レジスト層が吸収
する電子ビームのエネルギー量）は、φ（ｒ）
は、距離ｒの関数として、ガウス分布関数の２項
あるいは３項の和として近似できる。即ち、
φ（ｒ）＝c1e-(r/〓1)2
＋c2e-(r/〓2)2 ……(1)
c1，c2，σ１，σ２：レジスト層の厚み、下地
材料等によつて定まる定数。 Therefore, the amount of energy supplied to the resist layer is
It is the sum of the electron energy emitted from the electron gun 1 and the electron energy due to backscatter, and when one point Y is irradiated with an electron beam, the amount of energy absorbed at a point X at a distance r from that point (absorbed by the resist layer) The amount of energy of the electron beam) is φ(r)
can be approximated as a sum of two or three terms of a Gaussian distribution function as a function of distance r. That is, φ(r)=c 1 e -(r/ 〓 1)2
+c 2 e -(r/ 〓 2)2 ...(1) c 1 , c 2 , σ 1 , σ 2 : Constants determined by the thickness of the resist layer, the underlying material, etc.
(1)式の第１項は、電子ビームの直接照射による
エネルギー吸収量であり、第２項は後方散乱によ
るエネルギー吸収量である。この(1)式を照射強度
分布関数と呼ぶ。これにより、ある面積のレジス
ト層が電子ビームによつて照射されたときのある
点における単位面積当たりのエネルギー吸収量は
その照射面積について照射強度分布関数を積分す
ることにより得られる。したがつて、単独のパタ
ーンであつても面積やその形状により影響を受
け、隣接してパターンが存在する場合は、この隣
接パターンによつても影響を受けることが判る。 The first term in equation (1) is the amount of energy absorbed by direct irradiation with the electron beam, and the second term is the amount of energy absorbed by backscattering. This equation (1) is called the irradiation intensity distribution function. Accordingly, when a certain area of the resist layer is irradiated with an electron beam, the amount of energy absorbed per unit area at a certain point can be obtained by integrating the irradiation intensity distribution function over the irradiated area. Therefore, it can be seen that even a single pattern is affected by its area and shape, and when there are adjacent patterns, it is also affected by the adjacent patterns.
この発明はこのような点を考慮して、パターン
の拡がりをなくすことのできる電子ビーム露光方
法を提案するものである。即ち、この発明では露
光すべきパターンとして特に方形状のパターンを
対象とする。そして、この方形パターンを構成す
る各辺の中点におけるレジスト層のエネルギー吸
収量がこのレジスト層の溶解閾値（スレツシヨー
ルドレベル）以上にはならないように、電子ビー
ムの照射強度及びこの電子ビームによつて露光さ
れる描画パターンを決定するようにしたものであ
る。このレジスト層のエネルギー吸収量を求める
に当たつては、２次元積分を用いることなく方形
の直角な２つの辺に対する２つの１次元積分の積
として求める。 The present invention takes these points into consideration and proposes an electron beam exposure method that can eliminate pattern spreading. That is, in this invention, a rectangular pattern is particularly targeted as a pattern to be exposed. The irradiation intensity of the electron beam is adjusted so that the amount of energy absorbed by the resist layer at the midpoint of each side of this rectangular pattern does not exceed the dissolution threshold level of this resist layer. The drawing pattern to be exposed is determined by In determining the energy absorption amount of this resist layer, it is determined as the product of two one-dimensional integrals for two right-angled sides of a rectangle without using two-dimensional integrals.
露光したレジスト層の現象処理によつて或る点
のレジスト層が除去されるか否かは、その点での
エネルギー吸収量がレジスト層のスレツシヨール
ドレベル以上に供給されるか否かによつて判断す
ることができるので、ある点でのエネルギー吸収
量が判れば、このデータから、パターンの各辺の
中点におけるエネルギー吸収量がスレツシヨール
ドレベル以上にならないようにエネルギー照射強
度及び描画パターンの大きさを修正する。例えば
第３図に示すように、テープ２０に記録された設
計時点における図形処理プログラムを補正用コン
ピユータ２１に供給して補正プログラムによりパ
ターンの各辺の中点におけるエネルギー吸収量が
スレツシヨールドレベル以上にはならないように
エネルギー照射強度及び描画パターンを決定し、
このデータをテープに記録し、この記録データを
露光装置コントロール用のコンピユータ１１に入
力する。 Whether or not the resist layer at a certain point is removed by processing the exposed resist layer depends on whether the amount of energy absorbed at that point is supplied above the threshold level of the resist layer. Therefore, if the amount of energy absorbed at a certain point is known, from this data the energy irradiation intensity and the amount of energy absorbed at the midpoint of each side of the pattern do not exceed the threshold level. Correct the size of the drawing pattern. For example, as shown in FIG. 3, the graphic processing program recorded on the tape 20 at the time of design is supplied to the correction computer 21, and the correction program adjusts the energy absorption amount at the midpoint of each side of the pattern to the threshold level. The energy irradiation intensity and drawing pattern are determined so as not to exceed the
This data is recorded on a tape, and the recorded data is input to a computer 11 for controlling the exposure apparatus.
ここで上述したコンピユータ２１から修正され
たビームの照射強度及び修正されたパターンの大
きさの各情報を出力する方法について説明する。 Here, a method for outputting information such as the corrected beam irradiation intensity and the corrected pattern size from the computer 21 will be described.
まず、照射強度は描画パターンの大きさ及びパ
ターン配置関係に応じて所定の倍率で与えられ
る。例えば照射強度を不連続にしか変化できない
電子ビーム露光装置を用いる場合では、Ｒn（ｎ
＝−２，−１，０，１，２，３）なる倍率で与え
られる。ここで、例えば、Ｒ＝1.414とすると、
パターンの大きさに対応して、大パターンでは１
倍の強度、中パターンでは1.414倍の強度、そし
て小パターンでは２倍の強度という様に倍率が出
力される。もつとも、この倍率は採用する電子ビ
ーム露光装置よつて異なる場合がある。 First, the irradiation intensity is given at a predetermined magnification depending on the size of the drawn pattern and the pattern arrangement relationship. For example, when using an electron beam exposure device that can only change the irradiation intensity discontinuously, R n (n
= -2, -1, 0, 1, 2, 3). Here, for example, if R=1.414,
1 for large patterns, corresponding to the size of the pattern.
The magnification is output as 1.414 times the intensity for the medium pattern, 2 times the intensity for the small pattern, and so on. However, this magnification may differ depending on the electron beam exposure apparatus employed.
また、描画パターンに関して、設計パターンの
各辺からの縮小変数をΔX1，ΔX2，ΔX3，ΔX4
としたときに、その設計パターンの座標、及びそ
の縮小変数の夫々に対して一定の初期値を与えて
おき、現像処理された後のレジストのパターンの
各辺の中点が設計どおりの大きさとなるように、
上述したエネルギー吸収量とスレツシヨールドレ
ベルとの関係から照射強度と描画パターンの座標
を出力する。 Also, regarding the drawing pattern, the reduction variables from each side of the design pattern are ΔX 1 , ΔX 2 , ΔX 3 , ΔX 4
By giving certain initial values to the coordinates of the design pattern and its reduction variables, we can determine that the midpoint of each side of the resist pattern after development is the size as designed. So that
The irradiation intensity and the coordinates of the drawing pattern are output from the relationship between the energy absorption amount and the threshold level described above.
次に描画パターンの大きさを求める方法を設計
パターンが第６図の実線で示すA1，A2，A3であ
る場合を例に、パターンA1について説明する。 Next, a method for determining the size of a drawn pattern will be described for pattern A1, taking as an example the case where the design patterns are A1 , A2 , and A3 shown by solid lines in FIG. 6.
まず、設計パターンが比較的大きい場合には縮
小変数ΔX1，ΔX2，ΔX3，ΔX4は各辺ごとに個
別に求める。例えばΔX1については、中点P1に
関する上述の設計パターンの座標、及びその縮小
変数の初期値より、中点P1に関するそれぞれの描
画パターンAi（ｉ＝１〜３）の座標x1，x2，y1，
y2を求め、それぞれのパターンAiに関する中点P1
のエネルギー吸収量p1を後述する方法により演算
する。中点P1の場合、エネルギー吸収量Ep1は、
パターンA1のみならず、このパターンA1に近い
パターンA2，A3からの影響をも考慮して、それ
ぞれのパターンAiに関しての演算結果を累算す
ることにより求められる。このエネルギー吸収量
Ep1とスレツシヨールドレベルとを比較し、これ
を越えた場合には、縮小変数ΔX1だけ大きくし
て再度エネルギー吸収量Ep1を求め最終的にスレ
ツシヨールドレベルを越えるΔX1を求めて描画
パターンを決定する。 First, when the design pattern is relatively large, the reduction variables ΔX 1 , ΔX 2 , ΔX 3 , and ΔX 4 are determined individually for each side. For example, for ΔX 1 , from the coordinates of the above-mentioned design pattern regarding the midpoint P 1 and the initial value of its reduction variable, the coordinates x 1 , x of each drawing pattern Ai (i = 1 to 3) regarding the midpoint P 1 2 , y1 ,
Find y 2 and find the midpoint P 1 for each pattern Ai
The energy absorption amount p 1 is calculated by the method described later. In the case of midpoint P 1 , the energy absorption amount Ep 1 is
It is determined by summing up the calculation results for each pattern Ai, taking into account not only the influence of pattern A 1 but also the influences of patterns A 2 and A 3 that are close to pattern A 1 . This energy absorption amount
Compare Ep 1 with the threshold level, and if it exceeds this, increase the reduction variable ΔX 1 , calculate the energy absorption amount Ep 1 again, and finally find ΔX 1 that exceeds the threshold level. and determine the drawing pattern.
設計パターンが比較的小さい場合には、中点P1
のエネルギー吸収量Ep1は縮小変数ΔX1だけでな
く、縮小変数ΔX2，ΔX3，ΔX4にも依存するか
ら、設計パターンの各辺の中点P2〜P4におけるエ
ネルギー吸収量Ep2〜Ep4を、スレツシヨールド
を越えないように縮小変数ΔX1〜ΔX4を決める
４元連立方程式として解く。しかし中点P1のエネ
ルギー吸収量Ep1は隣接パターンA2，A3の大きさ
にも依存するため、この連立方程式の計算は繰り
返し計算となる。 If the design pattern is relatively small, the midpoint P 1
Since the energy absorption amount Ep 1 depends not only on the reduction variable ΔX 1 but also on the reduction variables ΔX 2 , ΔX 3 , and ΔX 4 , the energy absorption amount Ep 2 at the midpoints P 2 to P 4 of each side of the design pattern ~Ep 4 is solved as a four-dimensional simultaneous equation that determines the reduction variables ΔX 1 to ΔX 4 so as not to exceed the threshold. However, since the energy absorption amount Ep 1 at the midpoint P 1 also depends on the sizes of the adjacent patterns A 2 and A 3 , the calculation of this simultaneous equation becomes an iterative calculation.
また、設計パターンの大きさに関係なく縮小変
数ΔXi（ｉ＝１〜４）がある値より大きくなつ
たときには、照射強度を１段階下げるような照射
強度の修正を行う。 Furthermore, when the reduction variable ΔXi (i=1 to 4) becomes larger than a certain value regardless of the size of the design pattern, the irradiation intensity is modified to lower the irradiation intensity by one level.
次にエネルギー吸収量を求める方法について説
明する。 Next, a method for determining the energy absorption amount will be explained.
今、描画すべきパターンが多数存在するとき
に、ｉ番目のパターンAiを照射すると、この照
射点Ｙからｒだけ離れた点Ｘのエネルギー吸収量
Ｅ（〓，ｉ）は(1)式のｉ番目のパターン内で面積
積分することによつて求めることができる。従つ
て、
Ｅ（〓，ｉ）＝〓φ（ｒ）・dAi ……(2)
但し、ｒ＝｜〓−〓｜
従来、(2)式の二重積分はメツシユに細分化し、
これらを加算して求めたり、モンテ・カルロ法よ
り求めたりしているが、大規模なICパターンの
場合に、これらの方法で二重積分を解くには非常
に計算時間がかかる。これに対し、以下のように
求めれば計算時間を大幅に短縮することができ
る。 Now, when there are many patterns to be drawn, if the i-th pattern Ai is irradiated, the energy absorption amount E(〓,i) at a point It can be obtained by integrating the area within the th pattern. Therefore, E(〓,i)=〓φ(r)・dAi ……(2) However, r=｜〓−〓｜ Conventionally, the double integral in equation (2) is subdivided into meshes,
These can be found by adding them together or using the Monte Carlo method, but in the case of large IC patterns, solving double integrals using these methods takes a very long calculation time. On the other hand, if the calculation is performed as follows, the calculation time can be significantly reduced.
今、第４図に示すような描画パターンAiにつ
いて積分することを考える。点〓でのエネルギー
吸収量Ｅ（〓，ｉ）は
説明の都合上、(4)式の第１項のみを考え、このと
きの吸収量をE1（〓，ｉ）とすると、
(5)式から明らかなように、描画パターンが方形
（長方形、正方形）であり、照射強度分布関数が
(1)式で示されるようなガウスの分布関数で表され
る場合には、２重積分を２つの１次元積分の積と
して求めることができる。 Now, let us consider integrating a drawing pattern Ai as shown in FIG. The energy absorption amount E(〓,i) at the point 〓 is For convenience of explanation, consider only the first term of equation (4), and let the absorption amount at this time be E 1 (〓,i), As is clear from equation (5), the drawing pattern is rectangular (rectangular, square), and the irradiation intensity distribution function is
When expressed by a Gaussian distribution function as shown in equation (1), a double integral can be obtained as a product of two one-dimensional integrals.
ここで、１次元積分は、プログラムでは次のよ
うにして計算することができる。 Here, the one-dimensional integral can be calculated in the program as follows.
今、エラー関数を次のように定義する。 Now, define the error function as follows.
(6)式を関数としてテーブルを作り（第５図参
照）、これをストアする。同じく、ｙの関数とし
てのテーブルも作り、これをストアする。従つ
て、(5)式の１番目の積分は、ｘに関するテーブル
のx2の値ERF（x2，σ１）からx1の値ERF（x1，
σ１）を引くことにより得られ、同じく２番目の
積分は、ｙに関するテーブルのy2の値ERF（y2，
σ１）からy1の値ERF（y1，σ１）を引くことに
より得られるから結局、(5)式の二重積分は
E1（〓，ｉ）＝
c1｛ERF（x2，σ１）−ERF（x1，σ１）｝
×｛ERF（y2，σ１）−ERF（y1，σ１）｝
……(7)
となり、２回の減算と２回の乗算の演算により求
めることができる。そして同様の演算を(4)式の第
２項についても行い、夫々の和｛E1（〓σ１）＋
E2（〓，σ２）｝をとることによつて、最終的に
点Ｘでのエネルギー吸収量E1（〓，σ）を知る
ことができる。 Create a table using equation (6) as a function (see Figure 5) and store it. Similarly, create a table as a function of y and store it. Therefore, the first integral in equation (5) is calculated from the x 2 value ERF (x 2 , σ 1 ) in the x table to the x 1 value ERF (x 1 , σ 1 ).
The second integral is also obtained by subtracting the value ERF(y 2 ,
Since it can be obtained by subtracting the value of y 1 ERF (y 1 , σ 1 ) from σ 1 ), the double integral in equation (5) is E 1 (〓, i) = c 1 {ERF (x 2 , σ 1 ) − ERF (x 1 , σ 1 )} × {ERF (y 2 , σ 1 ) − ERF (y 1 , σ 1 )} ...(7), which is the result of two subtractions and two multiplications. It can be determined by calculation. Then, the same operation is performed on the second term of equation (4), and the sum of each {E 1 (〓σ 1 ) +
E 2 (〓, σ 2 )}, the energy absorption amount E 1 (〓, σ) at point X can finally be found.
第６図１点鎖線のパターンが、以上の手法で求
められた破線パターンどおりに描画したときに得
られる現像後のパターンであり、設計パターンに
もつとも近似したパターンが得られる。 The pattern indicated by the one-dot chain line in FIG. 6 is the developed pattern obtained when drawn according to the broken line pattern determined by the above method, and a pattern that is similar to the designed pattern is obtained.
第７図Ａは、設計パターンとして、例えば
「78」という数字に類似したパターンを仮定した
場合に、その描画パターンを設計パターンどおり
に選んだときの現象後のパターンを示し、同図Ｂ
はこの発明により修正されたパターンで描画した
ときの現像後のパターンを示す。なお、第７図の
例では、設計パターンを長方形の複数領域に分割
し、各領域における電子ビームの照射強度の倍率
を第７図Ｂに示されたように設定する。 FIG. 7A shows the pattern after the phenomenon occurs when the drawing pattern is selected according to the design pattern, assuming a pattern similar to the number "78", for example, as the design pattern, and FIG.
shows a pattern after development when drawn with a pattern modified according to the present invention. In the example of FIG. 7, the design pattern is divided into a plurality of rectangular regions, and the magnification of the electron beam irradiation intensity in each region is set as shown in FIG. 7B.
基板に大規模なICパターンを描画する場合に
は、コンピユータ２１のメモリー容量を少なく
し、計算時間を短縮するため、IC基板上を、例
えば、５μぐらいの分割幅で縦と横のマトリツク
ス状に複数の領域に分割し、上述した修正操作を
各領域ごとに順次行えばよい。この場合一つの分
割領域に配置されるパターン数は高々数個であ
る。ある一つの分割領域に配置されるパターンの
修正量を計算するには、その同一分割領域に配置
されるためパターンからの影響とその分割領域を
取り囲む周りの分割領域（例えば８つの分割領
域）からの影響のみを考慮すればよい。基板上の
全パターンの数をＮとし、Ｃを一つの分割領域及
びその周辺領域に配置されるパターンの数の平均
値とすると、分割方式によるときの計算時間と非
分割方式によるときの計算時間の比はN2：Ｎ・
Ｃとなり、（Ｃ＜Ｎ）計算時間は大幅に縮小され
る。 When drawing a large-scale IC pattern on a board, in order to reduce the memory capacity of the computer 21 and shorten calculation time, the IC board is divided into vertical and horizontal matrices with a division width of about 5 μm, for example. It is sufficient to divide the image into a plurality of areas and perform the above-mentioned correction operation sequentially for each area. In this case, the number of patterns arranged in one divided area is several at most. To calculate the amount of correction for a pattern placed in one divided area, we need to calculate the influence from the pattern since it is placed in the same divided area, and the influence from the surrounding divided areas (e.g. eight divided areas). It is only necessary to consider the influence of If the total number of patterns on the board is N, and C is the average value of the number of patterns arranged in one divided area and its surrounding area, then the calculation time when using the dividing method and the calculation time when using the non-dividing method. The ratio is N 2 :N・
(C<N), and the calculation time is significantly reduced.
なお、上述した実施例では、各パターンの辺が
他のパターンの辺と並行なものについて考察した
が、不並行な方形パターンでも特に問題はない。 In addition, in the above-mentioned embodiment, the case where the sides of each pattern are parallel to the sides of other patterns was considered, but there is no particular problem with non-parallel rectangular patterns.
以上説明したように、この発明によれば、方形
パターンを構成する各辺の中点におけるエネルギ
ー吸収量がレジスト層のスレツシヨールドレベル
以上にはならないように照射強度及び実際に描画
するパターンを決定するので、少なくともパター
ンを構成する各辺の中点の寸法が設計パターンの
寸法通りになるような露光がなされ、たとえ２μ
ｍ以下の微細なパターンでも、現像後のパターン
が設計時よりも大幅に拡大するようなことがなく
なる。従つて、微細パターンが多数存在するLSI
パターンの電子ビーム露光方法に適用して極めて
好適である。 As explained above, according to the present invention, the irradiation intensity and the pattern to be actually drawn are adjusted so that the amount of energy absorbed at the midpoint of each side of the rectangular pattern does not exceed the threshold level of the resist layer. Therefore, exposure is performed such that at least the dimension of the midpoint of each side composing the pattern is the same as the dimension of the designed pattern, even if it is 2μ
Even with a fine pattern of less than m, the pattern after development will not be significantly enlarged compared to when it was designed. Therefore, LSIs with many fine patterns
It is extremely suitable for application to a pattern electron beam exposure method.
そして、(6)式に関するテーブルを作り、これを
利用して演算すれば二重積分を行わないで、(4)式
のエネルギー吸収量を求めることができるので、
計算時間が数時間というオーダに大幅に短縮され
る。 Then, by creating a table related to equation (6) and performing calculations using this table, it is possible to find the energy absorption amount in equation (4) without performing double integration.
Computation time is significantly reduced to the order of several hours.
第１図及び第３図は夫々この発明の説明に供す
る電子ビーム露光装置の一例を示す構成図、第２
図は電子ビーム露光によるパターン拡大化の説明
図、第４図〜第６図はこの発明の説明に供する線
図、第７図Ａは従来方法によつて得られたパター
ン、同図Ｂはこの発明の方法によつて得られたパ
ターンである。
２は電子ビーム、８はウエハー、１１，２１は
コンピユータである。
FIG. 1 and FIG. 3 are a configuration diagram showing an example of an electron beam exposure apparatus used for explaining the present invention, and FIG.
The figure is an explanatory diagram of pattern enlargement by electron beam exposure, Figures 4 to 6 are line diagrams used to explain the present invention, Figure 7A is a pattern obtained by the conventional method, and Figure B is the pattern obtained by the conventional method. This is a pattern obtained by the method of the invention. 2 is an electron beam, 8 is a wafer, and 11 and 21 are computers.
Claims (1)
パターンに従つて露光して所望の方形パターンを
形成する電子ビーム露光方法において、方形の設
計パターンを構成する各辺の中点における上記レ
ジスト層のエネルギー吸収量を、上記設計パター
ンを修正して得られた上記設計パターンよりも小
さい描画パターンの各辺の１次元積分の積を用い
て求め、求められたエネルギー吸収量が上記レジ
スト層の溶解閾値以上にはならないように、上記
電子ビームの照射強度及び上記描画パターンを決
定するようにしたことを特徴とする電子ビーム露
光方法。1 In an electron beam exposure method in which a resist layer on a substrate is exposed with an electron beam according to a drawn pattern to form a desired rectangular pattern, energy absorption of the resist layer at the midpoint of each side constituting the rectangular designed pattern The amount of energy absorbed is determined by using the product of one-dimensional integrals of each side of a drawing pattern smaller than the design pattern obtained by modifying the design pattern, and the amount of energy absorbed is equal to or higher than the dissolution threshold of the resist layer. An electron beam exposure method characterized in that the irradiation intensity of the electron beam and the drawing pattern are determined so that the irradiation intensity of the electron beam does not occur.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15964378A JPS5583234A (en) | 1978-12-20 | 1978-12-20 | Electron beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15964378A JPS5583234A (en) | 1978-12-20 | 1978-12-20 | Electron beam exposure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5583234A JPS5583234A (en) | 1980-06-23 |
| JPS627689B2 true JPS627689B2 (en) | 1987-02-18 |
Family
ID=15698188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15964378A Granted JPS5583234A (en) | 1978-12-20 | 1978-12-20 | Electron beam exposure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5583234A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585062B2 (en) * | 1988-08-10 | 1993-12-06 | Tamura Electric Works Ltd | |
| JPH0585063B2 (en) * | 1988-08-10 | 1993-12-06 | Tamura Electric Works Ltd |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843516A (en) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Fujitsu Ltd | Exposure of electron beam |
| JPS5861628A (en) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correction of proximity effect at electron beam exposure |
| JPS59112621A (en) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure |
| JPS59172233A (en) * | 1983-03-19 | 1984-09-28 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure |
-
1978
- 1978-12-20 JP JP15964378A patent/JPS5583234A/en active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585062B2 (en) * | 1988-08-10 | 1993-12-06 | Tamura Electric Works Ltd | |
| JPH0585063B2 (en) * | 1988-08-10 | 1993-12-06 | Tamura Electric Works Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5583234A (en) | 1980-06-23 |
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