JPS6276726A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 マグネトロンの発生するマイクロ波によりプラズマ酸化
を行う半導体装置の製造方法であって、マグネトロンに
対するマグネトロン電源の電力供給を直流的にすること
により、酸化レートの向上とプラズマ酸化膜この劣化の
防止および無駄な電力消費の防止を可ｆｌとする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、更
に詳しく言えばマグネトロンの発生するマイクロ波によ
りプラズマ酸化を行う半導体装置の製造方法に関するも
のである。

〔従来の技術〕

プラズマ酸化法はマグネトロンの発生するマイクロ波を
用いて酸素含有ガスをプラズマ化し、これにより所定の
酸化を行うものであるが、低温下で酸化膜を形成するこ
とができるので、今日多用化されつつある。

第２図はマイクロ波を用いてプラズマ酸化を行う装置の
構成図であり、ｌはマグネトロン電源でマグネトロン２
に対し電力供給する。２はマグネトロン電源１から供給
された電力によりマイクロ波を発生するマグネトロンで
あり、３はマイクロ波を伝播する導波管である。

４は処理室５と導波管３を仕切るマイクロ波透過窓であ
り、６はウェハａ置台、７は酸化すべきウェハである。

また８は酸化ガスを導入するガス導入口であり、９は処
理後のガスを排出するガス排出口である。

従来例によればマグネトロン電ｇｉからマグネトロン２
への電力供給は、交流を半波整流又は余波整流したもの
を用いて行っている（第３図（ａ）〜（Ｃ）参照）。

そこで従来例の方法によれば処理の迅速化のため酸化レ
ートを上げる場合、半波整流又は全波整流のピーク電流
を増やしてマグネトロン２への供給電力を高めることに
なる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、ピーク電流を不当に増加させる場合は、アーク
放電などの原因となり好ましくないだけでなく、マグネ
トロン電源１の寿命の短縮化の原因ともなる。

さらにピーク電流を高くしすぎると、導波管内の接触の
悪いところや真空の処理室（チャンバ）の突起部分など
で放電を起すおそれがあり、またマグネトロン自体もこ
われ易くなる。

本発明はかかる従来例の問題点に鑑みて創作されたもの
であり、マグネトロンから発生するマイクロ波によるプ
ラズマによって酸化を行う処理効率の良好な半導体装置
の製造方法の提供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明はマグネトロンが発生するマイクロ波によって酸
素を含むガスをプラズマ化し、これによりプラズマ酸化
を行う半導体装ｌの製造方法において、前記マグネトロ
ンに対するマグネトロン電源の電力供給は直流的である
ことを特徴とする。

〔作用〕

マグネトロン電源からマグネトロンへの電力供給を直流
的に行う、これにより供給電力の大きさを変えることな
く最高の酸化レートを得ることが可能になる。従って、
また不当なピーク電流の上昇によるプラズマ酸化装置の
劣化やアーク放電の発生の防止および無駄な電力消費の
防止が可能となる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例について説明する０本発明の実施例
方法に用いる装置は第２図の装置と基本的に同じである
が、本発明の実施例に係るマグネトロン電源１はマグネ
トロン２の供給電力を一定にしながら入力波のパルス幅
が可変可能であり。

また直流を出力することも可能である。

発明者は第１図に示す本発明の実施例装置を用いて、マ
グネトロン２への供給電力を一定にしながら、一方、供
給波のデユーティ（パルス幅）を変えてプラズマ酸化を
行った。第２はこの結果を示す図であり、横軸は供給波
のデユーティ（％）を示し、縦軸は形成された酸化膜を
示している。

但し、酸化膜の厚さはデユーティ＝１００％、すなわち
供給波が直流の場合に形成される膜厚によって規格化さ
れている 第２図で示すように、マグネトロン電源１からマグネト
ロン２への供給電力が同じであれば、デユーティが大き
いほど酸化レートが高くなる。

特に直流にすることにより、最高の酸化レートを得るこ
とが可能となる。

このように本発明の実施例によればマグネトロンへの供
給を直流的にすることにより酸化レートを高くすること
が可能となるから、従来例のような装置の劣化やアーク
放電が発生するのを防止することができるとともに、無
駄な電力消費の防止が可能となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によればマグネトロン電源
からマグネトロンへの電力供給を直流的に行うことによ
り、供給電流のピーク値を大きくすることなく高い酸化
レートを得ることが可ス駈となる。またこれによりアー
ク放電や装置の劣化の防止および無駄な電力消費の防止
が可ｆｌとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はプラズマ酸化装置の構成図であり、第２図は本
発明の実施例方法を説明する図でマグネトロンへの供給
電流波のデユーティとプラズマ酸化により形成される酸
化膜厚との関係を示している図である。 第３図は従来例に係るマグネトロン電源からマグネトロ
ンへ電力供給するときの電流波形を示す図である。 ｌ・・・マグネトロン電源 ２・・・マグネトロン ３・・・導波管 ５・・・処理室 ６・・・ウェハａ置台 ７・・・ウェハ ８・・・ガス導入口 ９・・・ガス排出口 ′・　゛、 代理人　弁理士　井桁　貞−：〜。 ’　　　ｊ−７ ：−二′ ベーテイ（％） 本宅５月の１ぐ１へ邑信ツ方ジ敷のｔ占Ｌ−〔０第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. マグネトロンが発生するマイクロ波によって酸素を含む
   ガスをプラズマ化し、これによりプラズマ酸化を行う半
   導体装置の製造方法において、前記マグネトロンに対す
   るマグネトロン電源の電力供給は直流的であることを特
   徴とする半導体装置の製造方法。