JPS6276628A - Dry etching device - Google Patents
Dry etching deviceInfo
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- JPS6276628A JPS6276628A JP21649685A JP21649685A JPS6276628A JP S6276628 A JPS6276628 A JP S6276628A JP 21649685 A JP21649685 A JP 21649685A JP 21649685 A JP21649685 A JP 21649685A JP S6276628 A JPS6276628 A JP S6276628A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、マグネトロン放電を利用したドライエツチン
グ装置の改良に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an improvement in a dry etching apparatus using magnetron discharge.
近年、集積回路は１ｊＩＩＩＩＩｌ化の一途を辿り、最
近では最小寸法が１〜２［μｍ］の超ＬＳＩも試作され
るに至っている。このような微細加工には、平行平板電
極を有する真空容器内に反応性ガスを導入し、試料載置
の電極に高周波電力を印加することによりグロー放電を
生起し、プラズマ中の正イオンを陰極（高周波電力印加
の電極）面上に生じる陰極降下電圧によって加速して、
このイオンを試料に垂直に入射させて該試料を物理・化
学反応によりエツチングする、所謂反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が用いられている。ＲｆＥは、バッチ型
と一枚処理型に大別され、前者はスループットが高く、
後者はエツチングの均一性が高い等の長所を有する。し
かし、今後ウェハが８インチ或いは１２インチと大口径
化するに伴い、バッチ型の装置では、装置自体が巨大化
するため、一枚処理型のｉ置が主流になると考えられて
いる。In recent years, the number of integrated circuits has been steadily increasing, and recently, ultra-LSIs with a minimum size of 1 to 2 [μm] have been prototyped. For such microfabrication, a reactive gas is introduced into a vacuum container with parallel plate electrodes, and a glow discharge is generated by applying high frequency power to the electrode on which the sample is placed, and positive ions in the plasma are transferred to the cathode. Accelerated by the cathode drop voltage generated on the (electrode for applying high-frequency power) surface,
So-called reactive ion etching (RIE) is used in which these ions are perpendicularly incident on a sample to etch the sample through physical and chemical reactions. RfE is broadly divided into batch type and single-sheet processing type, with the former having high throughput;
The latter has advantages such as high etching uniformity. However, as the diameter of wafers increases to 8 inches or 12 inches in the future, batch-type devices will become larger in size, and it is thought that single-wafer processing type i-type devices will become mainstream.
一枚処理型ドライエツチング装置では、高いエツチング
速度を得ることが最大の課題である。高いエツチング速
度を実現するための一つの方法として、磁場の利用が考
えられている（ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｏｙ、２５，１６６（１９８２） 、両町等）。In a single-sheet processing type dry etching apparatus, the greatest challenge is to obtain a high etching speed. The use of magnetic fields is considered as one method to achieve high etching rates (SolidState Techno
Looy, 25, 166 (1982), Ryomachi et al.).
この方式の原理を第６図及び第７図に示す。平行平板電
極５１．５２のうち、ウェハ５５が載置され高周波電力
５６が印加される陰極５２の下に磁場発生器５７を備え
る。イオンシース６１を横切る電場６２と磁場６３の直
交する領域において、電子がサイクロイド運動を行い、
密なプラズマ６４が形成される。その結果、１［μｍ／
ｆｆ１ｉｎ ］程度の高いエツチング速度が得られる。The principle of this system is shown in FIGS. 6 and 7. A magnetic field generator 57 is provided below the cathode 52 of the parallel plate electrodes 51 and 52 on which the wafer 55 is placed and to which the high frequency power 56 is applied. In the region where the electric field 62 and magnetic field 63 that cross the ion sheath 61 are perpendicular to each other, electrons perform cycloidal motion,
A dense plasma 64 is formed. As a result, 1 [μm/
A high etching rate of about ff1in] can be obtained.
また、ウェハ５５を全面に亙って均一にエツチングする
ために、磁場発生器５７を往復運動させる方式となって
いる。Further, in order to uniformly etch the entire surface of the wafer 55, the magnetic field generator 57 is moved back and forth.
しかしながら、この種の方式では磁場の走査方向とこれ
に直交する方向とで加工形状が異なると云う問題がある
。即ち、磁場の走査方向に平行なパターンでは第８図（
ａ＞に示す如く被エツチング物７つをマスク７２に沿っ
て垂直にエツチングできるが、磁場の走査方向と直交す
るパターンでは同図（ｂ）に示す如く凹んだエツチング
形状となる。これは、磁場と電場とが直交する領域で生
じた密なプラズマ領域とそれ以外のｉ［との間に電位差
を生じ、その電位勾配に沿ってイオンが曲げられること
に起因する。However, this type of method has a problem in that the machined shape differs between the scanning direction of the magnetic field and the direction orthogonal thereto. That is, in a pattern parallel to the scanning direction of the magnetic field, the pattern shown in Fig. 8 (
Although the seven objects to be etched can be etched vertically along the mask 72 as shown in FIG. 7A, a pattern perpendicular to the scanning direction of the magnetic field results in a concave etching shape as shown in FIG. This is because a potential difference is generated between the dense plasma region generated in the region where the magnetic field and the electric field are perpendicular to each other and the other i[, and the ions are bent along the potential gradient.
（発明の目的）
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、ウェハの加工形状のバラツキをなくす
ことができ、パターン加工精度の向上をはかり得るドラ
イエツチング装置を提供することにある。(Object of the Invention) The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to provide a dry etching apparatus that can eliminate variations in the processed shape of wafers and improve pattern processing accuracy. It is about providing.
〔発明の緊要］
本発明の骨子は、ウェハのオリエンテーションフラット
を磁場の走査方向に対し傾けることにある。[Essentials of the Invention] The gist of the present invention is to tilt the orientation flat of the wafer with respect to the scanning direction of the magnetic field.
従来装置では、前記第７図に示す如くウェハを陰極上に
載置する際、ウェハのオリエンテーションフラットが磁
場の走査方向と直交するようになっている。一般に、集
積回路のパターンは直交パターンであり、ステッパによ
るパターンのレジス１〜への焼付は段階でオリエンテー
ションフラットが基準になるため、オリエンテーション
フラットに対して平行か直交するパターンになってしま
う。In the conventional apparatus, as shown in FIG. 7, when the wafer is placed on the cathode, the orientation flat of the wafer is perpendicular to the scanning direction of the magnetic field. Generally, the pattern of an integrated circuit is an orthogonal pattern, and since the stepper prints the pattern onto the resistors 1 to 1 using the orientation flat as a reference in stages, the pattern ends up being parallel or perpendicular to the orientation flat.
このようなパターンをエツチングの段階で第７図に示す
如く置くため、全てのパターンはＩａ場の走査方向に対
し、平行か直交する方向となってしまう。このため、一
方向は磁場が原因となって生じるイオンの曲がりの影響
を強く受けるが、他方向は全くその影響を受けないこと
になり、結果として第８図に示す如く加工形状が大幅に
異なることになる。Since such patterns are placed as shown in FIG. 7 at the etching stage, all the patterns are oriented parallel or perpendicular to the scanning direction of the Ia field. For this reason, one direction is strongly affected by the bending of ions caused by the magnetic field, but the other direction is not affected at all, and as a result, the processed shape is significantly different as shown in Figure 8. It turns out.
そこで本発明では、ウェハのオリエンテーションフラッ
トが磁場走査方向に対して４５度傾くように、ウェハを
陰極上に載置することにより、オリエンテーションフラ
ットに平行及び直交する各パターンの磁場による影響を
等しくしている。これにより、オリエンテーションフラ
ットに平行及び直交する各パターンの加工形状を揃え、
且つ垂直に近付けることが可能となる。Therefore, in the present invention, by placing the wafer on the cathode so that the orientation flat of the wafer is inclined at 45 degrees with respect to the magnetic field scanning direction, the influence of the magnetic field of each pattern parallel and perpendicular to the orientation flat is equalized. There is. As a result, the processed shapes of each pattern parallel and orthogonal to the orientation flat are aligned,
In addition, it becomes possible to make it close to vertical.
本発明はこのような点に看目し、高周波電力が印加され
ると共にその表面側にウェハが載置される陰極及び該陰
極の表面側に対向配置された陽極を備えた真空容器と、
この真空容器内に反応性ガスを導入する手段と、前記陰
極の表面側に磁場を印加し、且つこの磁場を前記高周波
電力による電界印加方向と直交する方向に走査する手段
とを備えたドライエツチング装置において、前記ウェハ
をそのオリエンテーションフラットが前記磁場の走査方
向に対し略４５度傾くように前記陰極の表面に載置する
ようにしたものである。The present invention takes into account these points, and includes a vacuum container comprising a cathode to which high-frequency power is applied and a wafer placed on the surface thereof, and an anode disposed opposite to the surface of the cathode;
Dry etching comprising means for introducing a reactive gas into the vacuum container, and means for applying a magnetic field to the surface side of the cathode and scanning the magnetic field in a direction perpendicular to the direction in which the electric field is applied by the high-frequency power. In the apparatus, the wafer is placed on the surface of the cathode so that its orientation flat is inclined at approximately 45 degrees with respect to the scanning direction of the magnetic field.
本発明によれば、ウェハのオリエンテーションフラット
が磁場走査方向に対し４５度傾いている。According to the present invention, the orientation flat of the wafer is inclined at 45 degrees with respect to the magnetic field scanning direction.
先にも述べたように、ＬＳＩのパターンはオリエンテー
ションフラットに対して平行か直交しているので、この
ような方向でウェハを載置すると、全てのパターンが磁
場の走査方向に対し４５度傾くことになる。このため、
前記第８図で示したようなオリエンテーションフラット
と平行或いは直交するパターンで加工形状が大きく異な
ると云う現象はなくなり、加工形状を揃えることができ
る。As mentioned earlier, the LSI patterns are parallel or perpendicular to the orientation flat, so if the wafer is placed in this direction, all the patterns will be tilted 45 degrees to the scanning direction of the magnetic field. become. For this reason,
The phenomenon that the machining shape differs greatly depending on the pattern parallel to or perpendicular to the orientation flat as shown in FIG. 8 is eliminated, and the machining shape can be made uniform.
また、Ｓｌの場合ＲＩＥによるエツチング率は、イオン
入射角度の余弦関数となる。従って、オリエンテーショ
ンフラットを磁場の走査方向に対し４５度傾けた場合、
磁場が原因となって曲げられたイオンによって側壁がエ
ツチングされる量も、第７図の配置に比較して１／Ｊ２
に減少する。Further, in the case of Sl, the etching rate by RIE is a cosine function of the ion incidence angle. Therefore, if the orientation flat is tilted 45 degrees with respect to the scanning direction of the magnetic field,
The amount of sidewall etching caused by ions bent by the magnetic field is also 1/J2 compared to the arrangement shown in Figure 7.
decreases to
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。 Hereinafter, details of the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.
第１図は本発明の一実施例に係わるドライエツチング装
置を示す概略構成図である。図中１１は真空容器であり
、この容器１１内には平行平板電極の一方となる陰極１
２が真空容器１１を上下に分割する如く配置されている
。真空容器１１内の陰極１２上のエツチング室にはガス
導入口１３を介して反応性ガスが導入される。そして、
エツチング空白のガスは、ガス排気口１４を介して排気
されるものとなっている。FIG. 1 is a schematic diagram showing a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, 11 is a vacuum container, and inside this container 11 is a cathode 1 which is one of the parallel plate electrodes.
2 are arranged so as to divide the vacuum container 11 into upper and lower parts. A reactive gas is introduced into the etching chamber above the cathode 12 in the vacuum container 11 through a gas inlet 13. and,
The etching blank gas is exhausted through a gas exhaust port 14.
陰極１２の上部には、被エツチング試料であるウェハ１
５が載置される。また、陰極１２には、高周波電源１６
から高周波電力が印加される。なお、Ｉｌｌ極１２に対
するｊ１極１１ａは真空容器１１の土壁で形成され、こ
の陽極１１ａは接地されている。また、陰極１２の下部
には、棒状マグネットを複数個配列してなる磁場発生器
１７が配置されており、この磁場発生器１７は矢印Ｐ方
向に走査される。ここで、上記棒状マグネットをその長
手方向と直交する方向に離間して配列され、磁場発生器
１７の走査方向はマグネットの配列方向と平行な方向と
なっている。A wafer 1, which is a sample to be etched, is placed above the cathode 12.
5 is placed. In addition, a high frequency power source 16 is connected to the cathode 12.
High frequency power is applied from Note that the j1 pole 11a for the Ill pole 12 is formed of the earthen wall of the vacuum container 11, and this anode 11a is grounded. Further, a magnetic field generator 17 formed by arranging a plurality of rod-shaped magnets is arranged below the cathode 12, and this magnetic field generator 17 is scanned in the direction of arrow P. Here, the rod-shaped magnets are arranged in a spaced manner in a direction orthogonal to their longitudinal direction, and the scanning direction of the magnetic field generator 17 is parallel to the direction in which the magnets are arranged.
一方、真空容器１１の左方には、ゲートバルブ１８を介
してウェハ傾き調整機構２０及びウェハカセット３０が
設けられている。ウェハ傾き調整機構２０は第２図に示
す如くウェハ１５を載置するトレー２１、トレー２１上
に設けられた２個の回転子２２、これらの回転子２２に
直結されたモータ２３及びトレー２１の水平方向傾きを
調整する回動部２４等から形成されている。ここで、回
転子２２の配置位置は第３図に示す如くトレー２１の片
隅であり、回転子２２の配列方向は矩形状のトレー２１
の対角線と平行な関係になっている。On the other hand, on the left side of the vacuum container 11, a wafer tilt adjustment mechanism 20 and a wafer cassette 30 are provided via a gate valve 18. The wafer tilt adjustment mechanism 20, as shown in FIG. It is formed from a rotating part 24 etc. that adjusts the horizontal direction inclination. Here, the rotor 22 is arranged at one corner of the tray 21 as shown in FIG.
is parallel to the diagonal of
また、回勅部２４の回動軸は上記対角線と平行な関係に
なっており、トレー２１は回転子２２の配置側が下がる
ように傾けられるものとなっている。Further, the rotation axis of the rotary portion 24 is parallel to the diagonal line, and the tray 21 is tilted so that the side on which the rotor 22 is arranged is lowered.
次に、上記構成された本装置の作用について、第９図に
示す現行のウェハローディングシステムと比較して説明
する。従来のウェハローディングシステムでは、カセッ
ト３０から出たウェハ１２は、第９図（ａ）に示す如く
プリセット用のトレー２１上に乗る。このトレー２１の
一辺側にはモータ２３に直結した回転子２２が取付けら
れており、ウェハ１５がトレー２１上に乗ると、第９図
（ｂ）に示す如く、回転子２２が取付けられた一辺側が
下となるようにトレー２１が傾斜する。そして、回転子
２２を回転させると、回転子２２の位置にウェハ１５の
オリエンテーションフラット１５ａがくるようになる。Next, the operation of this apparatus configured as described above will be explained in comparison with the current wafer loading system shown in FIG. In the conventional wafer loading system, the wafer 12 taken out from the cassette 30 is placed on a presetting tray 21 as shown in FIG. 9(a). A rotor 22 directly connected to a motor 23 is attached to one side of this tray 21, and when the wafer 15 is placed on the tray 21, as shown in FIG. The tray 21 is tilted so that the side is facing down. Then, when the rotor 22 is rotated, the orientation flat 15a of the wafer 15 comes to be at the position of the rotor 22.
この状態でウェハ１５が陰極１２上に搬送されるので、
ウェハ１５のオリエンテーションフラット１５ａが磁場
走査方向と直交することになる。Since the wafer 15 is transferred onto the cathode 12 in this state,
The orientation flat 15a of the wafer 15 is perpendicular to the magnetic field scanning direction.
これに対し本実施例では、先にも説明したように、前記
第３図に示す如く回転子２２及びモータ２３の位置を４
５度ずらし、且つトレー２１の傾斜方向も４５度ずらし
ている。この場合、ウェハ１５のオリエンテーションフ
ラット１５ａは従来と４５度傾いたことになる。そして
、この状態で第４図に示す如くウェハ１５を陰！ｆ１１
２上に搬送すると、ウェハ１５のオリエンテーションフ
ラット１５ａは磁場走査方向Ｐに対し４５度傾くことに
なる。On the other hand, in this embodiment, as described above, the rotor 22 and motor 23 are positioned at four positions as shown in FIG.
It is shifted by 5 degrees, and the inclination direction of the tray 21 is also shifted by 45 degrees. In this case, the orientation flat 15a of the wafer 15 is inclined by 45 degrees compared to the conventional one. In this state, the wafer 15 is placed in the shade as shown in FIG. f11
2, the orientation flat 15a of the wafer 15 is inclined at 45 degrees with respect to the magnetic field scanning direction P.
この状態で、エツチングを行ったところ、オリエンテー
ションフラット１５ａに対し平行なパターンは、第５図
（ａ）に示す如く被エツチング物５１がマスク５２に沿
って略垂直にエツチングされた。さらに、オリエンテー
ションフラット１５ａに直交するパターンは、第５図（
ｂ）に示す如く同図（ａ）と同様のエツチング形状とな
った。When etching was performed in this state, a pattern parallel to the orientation flat 15a was etched substantially perpendicularly to the object 51 along the mask 52, as shown in FIG. 5(a). Furthermore, the pattern perpendicular to the orientation flat 15a is shown in FIG.
As shown in (b), the etched shape was similar to that shown in (a) of the same figure.
つまり、いずれのパターンにあってもエツチング形状に
大きな曲がりが生じることはなく、それぞれのパターン
の加工形状を揃えることができた。In other words, no major bending occurred in the etched shape for any of the patterns, and the processed shapes of each pattern could be made uniform.
このように本実施例によれば、ウェハ１５のオリエンテ
ーションフラット１５ａが磁場走査方向と４５度傾くよ
うに、ウェハ１５を陰極１２上にｕ置することによって
、ウェハ１５の各パターンの加工形状を揃えることがで
き、加工精度の向上をはかり得る。ここで、ウェハ１５
上に形成するパターンは通常、オリエンテーションフラ
ット１５ａに対し平行或いは直交するパターンが大半で
あり、これ以外のパターンは殆どない。従って、オリエ
ンテーションフラット１５ａに平行なパターンと直交す
るパターンとの加工形状を揃える効果は絶大であり、超
ＬＳＩの製造に穫めて有効である。また、従来装置に比
しても、ウェハ傾き調整機構２０を改良するのみで簡易
に実現し得る等の利点がある。As described above, according to this embodiment, the processed shapes of each pattern on the wafer 15 are aligned by placing the wafer 15 on the cathode 12 so that the orientation flat 15a of the wafer 15 is inclined by 45 degrees with respect to the magnetic field scanning direction. It is possible to improve machining accuracy. Here, wafer 15
Most of the patterns formed thereon are usually parallel or perpendicular to the orientation flat 15a, and there are almost no other patterns. Therefore, the effect of aligning the processed shapes of the pattern parallel to the orientation flat 15a and the pattern perpendicular to the orientation flat 15a is tremendous, and is very effective in manufacturing VLSIs. Further, compared to the conventional apparatus, there is an advantage that it can be easily realized by simply improving the wafer tilt adjustment mechanism 20.
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記ウェハ傾き調整数構は第２図に同等限
定されるものではなく、オリエンテーションフラットの
位置を所定の位置に設定できるものであればよい。また
、磁場の走査は往復に限るものではなく、前記マグネッ
トを無限軌道上（例えば閉ループをなすよう）に配置し
、これらを一方向に連続移動させるようにしてもよい。Note that the present invention is not limited to the embodiments described above. For example, the number of wafer tilt adjustment mechanisms is not limited to the one shown in FIG. 2, but may be any mechanism that can set the orientation flat position to a predetermined position. Further, the scanning of the magnetic field is not limited to reciprocation, and the magnets may be arranged on endless tracks (for example, in a closed loop) and moved continuously in one direction.
さらに、磁場発生器は永久磁石に限るものではなく、電
磁石であってもよい。また、磁場走査方向に対するオリ
エンテーションフラットの傾きは正確に４５度である必
要はなく、４５度に近い値であれば十分な効果が得られ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。Furthermore, the magnetic field generator is not limited to a permanent magnet, but may also be an electromagnet. Further, the inclination of the orientation flat with respect to the magnetic field scanning direction does not need to be exactly 45 degrees, and a sufficient effect can be obtained as long as it is close to 45 degrees. In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
第１図は本発明の一実施例に係わるドライエツチング装
置を示す概略構成図、第２図は上記装置に用いたウェハ
傾き調整機構を示す側面図、第３図は一ヒ記つェハ傾き
調整機構を示す平面図、第４図はウェハ傾き調整ｍｓか
ら陰極へのウェハ搬送状態を示す平面図、第５図は上記
実施例によるエツチング加工形状を示す断面図、第６図
及び第７図はマグネトロン放電利用のＲＩＥの原理を説
明するための模式図、第８図は従来装置によるエツチン
グ加工形状を示す断面図、第９図は現行のウェハローデ
ィングシステムを説明するための模式１１・・・真空容
器、１２・・・陰極、１３・・・ガス導入口、１４・・
・ガス排気口、１５・・・ウェハ、１５ａ・・・オリエ
ンテーションフラット、１６・・・高周波電源、１７・
・・磁場発生器、１８・・・ゲートバルブ、２０・・・
ウェハ傾き調整１構、２１・・・トレー、２２・・・回
転子、２３・・・モータ、２４・・・回動部、３０・・
・ウェハカセット。
第２図
第 ４ 図
（ａ） （ｂ）第５図
第６図
第７図
（ａ） （ｂ）第８図
第９図FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view showing a wafer tilt adjustment mechanism used in the above apparatus, and FIG. FIG. 4 is a plan view showing the adjustment mechanism, FIG. 4 is a plan view showing the wafer transfer state from the wafer tilt adjustment ms to the cathode, FIG. 5 is a cross-sectional view showing the etched shape according to the above embodiment, and FIGS. 6 and 7. 8 is a schematic diagram for explaining the principle of RIE using magnetron discharge, FIG. 8 is a sectional view showing the etching shape by a conventional device, and FIG. 9 is a schematic diagram 11 for explaining the current wafer loading system. Vacuum container, 12... cathode, 13... gas inlet, 14...
・Gas exhaust port, 15... Wafer, 15a... Orientation flat, 16... High frequency power supply, 17.
...Magnetic field generator, 18...Gate valve, 20...
Wafer tilt adjustment 1 structure, 21...Tray, 22...Rotor, 23...Motor, 24...Rotating part, 30...
・Wafer cassette. Figure 2 Figure 4 (a) (b) Figure 5 Figure 6 Figure 7 (a) (b) Figure 8 Figure 9
Claims (3)
ハが載置される陰極及び該陰極の表面側に対向配置され
た陽極を備えた真空容器と、この真空容器内に反応性ガ
スを導入する手段と、前記陰極の表面側に磁場を印加し
、且つこの磁場を前記高周波電力による電界印加方向と
直交する方向に走査する手段と、前記ウェハをそのオリ
エンテーションフラットが前記磁場の走査方向に対し略
４５度傾くように前記陰極の表面に載置する手段とを具
備してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のドライエッチング装置。(1) A vacuum container equipped with a cathode to which high-frequency power is applied and a wafer placed on the surface thereof, and an anode placed opposite to the surface of the cathode, and a reactive gas introduced into the vacuum container. means for applying a magnetic field to the surface side of the cathode and scanning the magnetic field in a direction perpendicular to the direction in which the electric field is applied by the high-frequency power; The dry etching apparatus according to claim 1, further comprising means for placing the cathode on the surface of the cathode so as to be inclined at approximately 45 degrees.
長手方向と直交する方向に沿つて配列された複数の棒状
マグネットと、これらのマグネツトをその配列方向に走
査するマグネット走査機構とからなるものであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッチン
グ装置。(2) The magnetic field applying/scanning means includes a plurality of rod-shaped magnets arranged on the back side of the cathode along a direction perpendicular to the longitudinal direction, and a magnet scanning mechanism that scans these magnets in the arrangement direction. A dry etching apparatus according to claim 1, characterized in that:
配置された電磁石からなるものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のドライエッチング装置。(3) The dry etching apparatus according to claim 1, wherein the magnetic field applying/scanning means comprises an electromagnet arranged on the back side of the cathode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21649685A JPS6276628A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Dry etching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21649685A JPS6276628A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Dry etching device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276628A true JPS6276628A (en) | 1987-04-08 |
Family
ID=16689340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21649685A Pending JPS6276628A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Dry etching device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276628A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991007773A1 (en) * | 1989-11-14 | 1991-05-30 | Anelva Corporation | Method of vacuum-processing substrate and device thereof |
| US5660671A (en) * | 1990-09-29 | 1997-08-26 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus and processing method |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21649685A patent/JPS6276628A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991007773A1 (en) * | 1989-11-14 | 1991-05-30 | Anelva Corporation | Method of vacuum-processing substrate and device thereof |
| US5660671A (en) * | 1990-09-29 | 1997-08-26 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus and processing method |
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