JPS627131A - Dry-etching device - Google Patents
Dry-etching deviceInfo
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- JPS627131A JPS627131A JP14467185A JP14467185A JPS627131A JP S627131 A JPS627131 A JP S627131A JP 14467185 A JP14467185 A JP 14467185A JP 14467185 A JP14467185 A JP 14467185A JP S627131 A JPS627131 A JP S627131A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はドライエツチング装置に係り、特に、゛半導体
基板の微細加工に好適なドライエツチング装置に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a dry etching apparatus, and more particularly to a dry etching apparatus suitable for microfabrication of semiconductor substrates.
ドライエツチングでは、基板に入射するイオンのエネル
ギおよびイオンとラジカルの生成割合がエツチングｉ性
に大きな影響をおよぼす。In dry etching, the energy of ions incident on the substrate and the generation ratio of ions and radicals have a large influence on the etching property.
たとえばＡｔ膜のエツチングを例に説明すると。For example, let us explain the etching of an At film as an example.
Ａｔ膜のエツチング面には、表面に形成したレジストマ
スクによるガスやエツチングガスにより発生した重合膜
が付着している。イオンの衝撃によりこの重合膜が除去
されると、Ａｌは塩素ラジカルと反応して二′ツチング
が進行する。この時、塩素ラジカルの割合が多すぎると
炭素を核とした重合膜の形成が押えられ、エツチングパ
ターンの両サイドもラジカルによりエツチングされる。On the etched surface of the At film, a polymer film generated by the etching gas and the gas from the resist mask formed on the surface is attached. When this polymer film is removed by ion bombardment, Al reacts with chlorine radicals and 2'-cutting progresses. At this time, if the proportion of chlorine radicals is too large, the formation of a polymer film with carbon as the nucleus is suppressed, and both sides of the etching pattern are also etched by the radicals.
そのため微細パターンの加工がＭＬくなる。逆にイオン
の割合が多すぎると、パターン側面に形成される重合膜
は除去されず゛、底面のイオン衝撃を受ける面のみ重合
膜が除去されてエツチングが進行するため、寸法精度の
高いエツチングができる。しかしイオン衝撃の割合が多
くなるため、下地もよくエツチングされて選択比が悪く
なる。このように寸法精度が高く、かつ良好な選択比で
エツチングするためには、イオンとラジカルの割合が重
要な要素となる。Therefore, processing of fine patterns becomes ML. On the other hand, if the proportion of ions is too high, the polymer film formed on the side surfaces of the pattern will not be removed, and the polymer film will be removed only on the bottom surface that receives ion bombardment and etching will progress, making it difficult to achieve etching with high dimensional accuracy. can. However, since the rate of ion bombardment increases, the underlying layer is also often etched, resulting in poor selectivity. In order to perform etching with such high dimensional accuracy and good selectivity, the ratio of ions to radicals is an important factor.
従来の装置では、特開昭５７−９９７４３ 号公報に記
載されているように、エツチング処理室の電極間に外部
磁界を加えることによシ、プラズマ密度を窩＜シて比較
的低圧力条件下で粒子の平均自由行程を長くし、イオン
衝撃によるエツチングの寄与率を高めそ高精度のエツチ
ングをねらったものがある。In the conventional apparatus, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-99743, plasma density is reduced by applying an external magnetic field between electrodes in an etching chamber under relatively low pressure conditions. There is a method that aims at high-precision etching by lengthening the mean free path of particles and increasing the contribution rate of etching due to ion bombardment.
また、２組の電極を持つドライエツチング装置では、ｆ
！＃開昭５９−８４５２８ 号公報に記載されている
ように、反応性イオンエツチングと誘導放電によるプラ
ズマエツチングとを選択的に使用することによシ、それ
ぞれの長所すなわち高精度、高選択比を生かしたエツチ
ングを行ったり。In addition, in a dry etching device with two sets of electrodes, f
! As described in #Kokai No. 59-84528, by selectively using reactive ion etching and plasma etching using induced discharge, the advantages of each, namely high precision and high selectivity, can be utilized. I also did some etching.
米国特許４，４６４，２２３号公報に記載されているよ
うＫ、一方の電極がプラズマの発生を分担し、他の一組
の電極が基板に入射するイオンのエネルギを制御するよ
うにしている。特に後者の場合に′は、基板に入射５す
るイーオンエネルギとイオン量を各電極で個別に制御で
きるといった利点がある。As described in US Pat. No. 4,464,223, one electrode is responsible for generating plasma, and the other set of electrodes controls the energy of ions incident on the substrate. Particularly in the latter case, '' has the advantage that the ion energy and the amount of ions incident on the substrate can be individually controlled at each electrode.
しかし、これらの装置では基板に入射するイオンとラジ
、カルの生成割合を制御す息という点てついては配慮さ
れていなかった。However, these devices did not take into consideration the issue of air, which controls the ratio of ions incident on the substrate to the generation of radicals and cals.
したがって、プラズマ発生手段に印加する高周波電力を
増大してエツチング速度を上げると、基板に入射するイ
オンの割合が増え、ラジカルの生成割合が低下する九゛
め、選択比が低下するといった問題があった。Therefore, if the high-frequency power applied to the plasma generation means is increased to increase the etching rate, the proportion of ions incident on the substrate will increase, which will reduce the proportion of radicals generated, which in turn will reduce the selectivity. Ta.
本発明の目的は、イオンとラジカルの割合を制御し得る
ドライエツチング装置を提供することだある。An object of the present invention is to provide a dry etching device that can control the ratio of ions to radicals.
プラズマを発生させる電極に大電力が印加されるとプラ
ズマと電極間のシースにかかる電圧が高くなり、電子の
加速も大きくなるため、プラズマ中の電子温度が高くな
る。逆に、高周波電力を小さくすると電子温度は低くな
る。このように電子温度が異なると、プラズマ中で発生
するイオンとラジカルの発生割合が変化する。When a large amount of power is applied to the electrode that generates plasma, the voltage applied to the sheath between the plasma and the electrode increases, and the acceleration of electrons also increases, resulting in an increase in the temperature of the electrons in the plasma. Conversely, when the high frequency power is reduced, the electron temperature becomes lower. When the electron temperature differs in this way, the ratio of ions and radicals generated in the plasma changes.
たとえば、電子温度が高いとイオンが多く発生し、低い
とラジカルが多く発生する。For example, when the electron temperature is high, many ions are generated, and when the electron temperature is low, many radicals are generated.
そこで本発明、では、ドライエツチング装置にプラズマ
の電子温度を制御する手段を設け、電子温度を制御して
プラズマ中で発生するイオンとラジカルの発生割合を制
御するようにした。Therefore, in the present invention, a means for controlling the electron temperature of the plasma is provided in the dry etching apparatus, and by controlling the electron temperature, the generation ratio of ions and radicals generated in the plasma is controlled.
以下１本発明の一実施例を図面を参照して説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の第１の実施例に係るドライエツチング
装置の構成図である。第１図において、大気に対して気
密性の保たれた処理室１内に平行平板型電極２と３及び
半円筒型の電極４と５が対向して設置されており、−電
極２上には被処理物でおる半導体基板６が載置される。FIG. 1 is a block diagram of a dry etching apparatus according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, parallel plate electrodes 2 and 3 and semi-cylindrical electrodes 4 and 5 are installed facing each other in a processing chamber 1 that is kept airtight against the atmosphere. A semiconductor substrate 6, which is an object to be processed, is placed thereon.
電極２は、マツチングボックス７を介して高周波電源８
に接続されておシ、電極３はアースに接地されている。The electrode 2 is connected to a high frequency power source 8 via a matching box 7.
The electrode 3 is connected to the ground, and the electrode 3 is grounded.
また、半円筒型電極４と５は、マツチングボックス９を
介して高周波パワーアンプＩＯＫ接続されておシ、標準
信号発生器！】の信号は変調信号発生器１２からの信号
に従い、ＡＭ変調器１３でＡＭ変調されて高周波パワー
アンプ１０に供給され、電極４と５の間には第２図に示
すような、ＡＭ変調された高周波電力が印加される。電
極３にはエツチングガス１４の供給口１５が設けられて
おり、処理室１には排気口１６が設けられ、真空雰囲気
中の処理室１内に所定の ゛圧力でエツチングガ
ス１４が供給される構造を有している。尚、１７は絶縁
体である。In addition, the semi-cylindrical electrodes 4 and 5 are connected to a high frequency power amplifier IOK via a matching box 9, and a standard signal generator! ] is AM-modulated by an AM modulator 13 in accordance with a signal from a modulation signal generator 12, and then supplied to a high-frequency power amplifier 10, and an AM-modulated signal as shown in FIG. high frequency power is applied. The electrode 3 is provided with a supply port 15 for an etching gas 14, the processing chamber 1 is provided with an exhaust port 16, and the etching gas 14 is supplied at a predetermined pressure into the processing chamber 1 in a vacuum atmosphere. It has a structure. Note that 17 is an insulator.
前述のような構成において、半導体基板６をエツチング
する場合の作用について以下に説明する。In the above structure, the operation when etching the semiconductor substrate 6 will be explained below.
真空雰囲気中に設置された一対の電極間にエツチングガ
スを導入し、電極２に高周波電力を印加した時に形成さ
れるプラズマの電子温度が高いとイオンが多く生成され
、電子温度が低いとラジカルが多く生成される。一対の
電極に通常の高周波電力（正弦１波電圧）を印加する場
合は、電子温度は第３図の破線Ａで示すような単一の分
布を示す。エツチングの高速化を図って高周波電圧を増
加させると、電子温度分布Ａは電子温度の高い方へ移行
してイオンの生成割合が増大し、ラジカルの生成割合が
減少する。この雰囲気中で半導体基板６をエツチングす
れば。Etching gas is introduced between a pair of electrodes installed in a vacuum atmosphere, and high frequency power is applied to electrode 2. When the electron temperature of the plasma formed is high, many ions are generated, and when the electron temperature is low, radicals are generated. A lot is generated. When normal high frequency power (single wave voltage) is applied to a pair of electrodes, the electron temperature exhibits a single distribution as shown by the broken line A in FIG. When the high frequency voltage is increased in order to speed up etching, the electron temperature distribution A shifts to the higher electron temperature side, the rate of ion generation increases, and the rate of radical generation decreases. If the semiconductor substrate 6 is etched in this atmosphere.
イオン衝撃の割合が増大するため選択比が低下する。The selectivity ratio decreases because the rate of ion bombardment increases.
次に、本実施例によるＡＭ変調をかけた高周波電圧を印
加する場合について説明する。Next, a case will be described in which a high frequency voltage subjected to AM modulation according to this embodiment is applied.
第２図において、変調された高周波電圧の振れ幅がｒ、
の時にはシースの電界強度が大きいので電極４，５から
プラズマへ供給される電子のエネルギが大きくなり、プ
ラズマ中の電子温度は全体的に高くなる。したがって、
この時のプラズマ中の電子温度分布は、第３図における
実線Ｂで示す分布のように電子温度の高い領域に現われ
る。また、第２図において、高周波電圧の振れ幅がＶ、
１０時には、逆圧電極４．５からプラズマへ供給される
一電子のエネルギが小さくなるので、プラズマ中の電子
温度分布は、第３図の実線Ｃで示すように電子温度の低
い領域に現われる。しかも、この電子温度分布の山Ｂと
Ｃは、高周波電圧の変調の周期を短か゛にすると。In Figure 2, the amplitude of the modulated high-frequency voltage is r,
When , the electric field strength of the sheath is large, so the energy of the electrons supplied from the electrodes 4 and 5 to the plasma becomes large, and the overall electron temperature in the plasma becomes high. therefore,
The electron temperature distribution in the plasma at this time appears in a region where the electron temperature is high, as shown by the solid line B in FIG. In addition, in Fig. 2, the swing amplitude of the high frequency voltage is V,
At 10 o'clock, the energy of one electron supplied from the reverse pressure electrode 4.5 to the plasma becomes small, so that the electron temperature distribution in the plasma appears in a region where the electron temperature is low, as shown by the solid line C in FIG. Moreover, the peaks B and C of the electron temperature distribution are obtained by shortening the period of modulation of the high frequency voltage.
あたかも同時に存在するかのような様相を呈する。その
ため、電極４．５に印加する高周波電圧を変調すること
により、イオンの生成に参与する電子温度分布Ｂとラジ
カルの生成に寄与する電子温度分布Ｃをほぼ同時に得る
ことができる。また、これら２つの分布の山ＢとＣは、
第２図におけるｒｌとｒ、の大きさによって分布の山の
ピークの位置を制御することができ、第２図におけるｔ
ｌとｔ、の比率によって分布の山のピークの大きさを制
御することができる。このように、ＡＭ変調の制御によ
って、プラズマ中の電子温度分布の２つの山のピニクの
位置と大きさを制御することができるので、この電子温
度分布の形状に対応して、プラズマ中６イオンとラジカ
ルの生成割合を制御することができる。It appears as if they exist at the same time. Therefore, by modulating the high frequency voltage applied to the electrode 4.5, the electron temperature distribution B that participates in the generation of ions and the electron temperature distribution C that contributes to the generation of radicals can be obtained almost simultaneously. Also, the peaks B and C of these two distributions are
The position of the peak of the distribution can be controlled by the sizes of rl and r in Figure 2, and t in Figure 2
The size of the peak of the distribution can be controlled by the ratio of l and t. In this way, by controlling the AM modulation, it is possible to control the position and size of the two peaks of the electron temperature distribution in the plasma. and the generation rate of radicals can be controlled.
本発明の第１の実施例においては、半円筒型電極４と５
に印加する高周波電力にＡＭ変調をかけることにより、
プラズマ中のイオンの量とラジカルの量を制御しており
、イオンはさらに高周波電力の印加される平行平板電極
２．３のシース関電位差によって制御され、半導体基板
６上に垂直に加速入射される。したがって本実施例によ
れば高速エツチングにおいても、プラズマ中のイオンと
ラジカルの生成割合を、高周波電源８からの供給電力と
は独立に１エツチングに最適な割合に制御することがで
きるので、選択比とパターン寸法精度、エツチング速度
との両立を図ることができる。In the first embodiment of the invention, semi-cylindrical electrodes 4 and 5
By applying AM modulation to the high frequency power applied to the
The amount of ions and radicals in the plasma are controlled, and the ions are further controlled by the potential difference between the sheaths of the parallel plate electrodes 2.3 to which high-frequency power is applied, and are accelerated and incident vertically onto the semiconductor substrate 6. . Therefore, according to this embodiment, even in high-speed etching, the generation ratio of ions and radicals in the plasma can be controlled to the optimal ratio for one etching independently of the power supplied from the high frequency power supply 8, so that the selection ratio It is possible to achieve both pattern dimensional accuracy and etching speed.
第４図は、本発明による！２の実施例を示したもので、
プラズマ中のイオンとラジカルの生成割合を制御するた
めに１．！１図における半円筒型電極４と５に代わって
、処理室外周に同軸コイル１８を設置し、これに印加す
る高周波電力にＡＭ変調をかけたものである。本実施例
の場合にも、同軸コイル１８に印加する高周波電力を第
２図に示すようにＡＭ変調をかけてプラズマの電子温度
分布を制御するものであシ、前記第１の実施例と同じ効
果を達成することができる。FIG. 4 is according to the present invention! This shows an example of 2.
To control the generation ratio of ions and radicals in plasma, 1. ! In place of the semi-cylindrical electrodes 4 and 5 in FIG. 1, a coaxial coil 18 is installed around the outer periphery of the processing chamber, and the high frequency power applied thereto is subjected to AM modulation. In the case of this embodiment as well, the high frequency power applied to the coaxial coil 18 is subjected to AM modulation as shown in FIG. 2 to control the electron temperature distribution of the plasma, which is the same as in the first embodiment. effect can be achieved.
尚、第１．第２の実施例では、プラズマ発生手段を静電
容量型の電極で構成する場合と同軸コイルで構成する場
合について説明したが、本発明はこれに限定されるもの
では危く、高周波電力やマイクロ波などによりプラズマ
を発生させる手段であればよく、その高周波電力やマイ
クロ波に変調をかけ′る構成であればよいことは明らか
である。また変調波形は第２図に示されるような形に限
定されるものではなく、プラズマ中の電子温度分布によ
シ、イオンとラジカルの生成割合を制御できるものであ
ればよい。In addition, 1st. In the second embodiment, explanations have been given of cases in which the plasma generation means is composed of capacitance type electrodes and coaxial coils, but the present invention is not limited to these. It is clear that any means that generates plasma using waves or the like is sufficient, and any configuration that modulates the high frequency power or microwaves is sufficient. Further, the modulation waveform is not limited to the shape shown in FIG. 2, but may be any shape as long as it can control the generation ratio of ions and radicals depending on the electron temperature distribution in the plasma.
第５図は、本発明のｆｉｒ、５の実施例に係るエツチン
グ装置の構成図であシ、第１図に示す装置と同一装置に
は同一符号を付してその説明を省略し、・異なる部分に
ついてのみ説明する。。FIG. 5 is a configuration diagram of an etching apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, in which the same devices as those shown in FIG. Only parts will be explained. .
本実施例では、処理室１の外周に同軸コイル１９が設置
され、直流電源加から第６図に示すような周期的に変化
′する直流電圧がコイル１９に印加されるようになって
いる。本実施例の作用について説明する前に、その原理
について述べる。In this embodiment, a coaxial coil 19 is installed around the outer periphery of the processing chamber 1, and a DC voltage that changes periodically as shown in FIG. 6 is applied to the coil 19 from a DC power source. Before explaining the operation of this embodiment, its principle will be described.
一対の平行平板電極間に生じたプラズマに電界と平行な
方向に磁界を形成すると、プラズマ内の荷電粒子は磁界
の回わりにサイクロトロン運動を行う。磁界強度が大き
くなるとサイクロトロン運動のラーモア半径は小さくな
〕、径方向の拡散損失が磁界に抑えられてプラズマ密度
が高くなる。したがりて、グツズＶのインピーダンスが
小さくなりてシース電界が減少するので、プラズマの電
子温度は低くなる。逆に、磁界強度が小さくなると、径
方向の拡散損失が大きくなりてプラズマのインピーダン
スが大きくなるので、シース電界が増大してプラズマの
電子温度は高くなる。When a magnetic field is applied to the plasma generated between a pair of parallel plate electrodes in a direction parallel to the electric field, the charged particles within the plasma perform cyclotron motion around the magnetic field. As the magnetic field strength increases, the Larmor radius of cyclotron motion becomes smaller], and the radial diffusion loss is suppressed by the magnetic field, increasing the plasma density. Therefore, the impedance of the guts V becomes smaller and the sheath electric field decreases, so the electron temperature of the plasma becomes lower. Conversely, when the magnetic field strength decreases, the radial diffusion loss increases and the impedance of the plasma increases, so the sheath electric field increases and the electron temperature of the plasma increases.
この電子温度分布の山ＢとＣは、第６図におけるｒ、と
ｒ、の大きさによって分布の山のピークの位置を変える
ことができ、第６図におけるＴＩとＴ、の比率によって
分布の山のピークの大きさを変えることができ−る。The positions of the peaks B and C of the electron temperature distribution can be changed depending on the sizes of r and r in FIG. 6, and the positions of the peaks of the distribution can be changed depending on the ratio of TI and T in FIG. You can change the size of the mountain peak.
このように、同軸コイル１９に印加する直流電圧のｒ、
とＶ！の大きさおよびＴ１とＴｔＯ比によって、プラズ
マの電子温度分布の２つの山のピークの位置とその大き
さを変えることができるので。In this way, r of the DC voltage applied to the coaxial coil 19,
and V! This is because the positions and sizes of the two peaks of the plasma electron temperature distribution can be changed depending on the size of , and the ratio between T1 and TtO.
この電子温度分布の形状に対応して、プラズマ内のイオ
ンとラジカルの生成割合を制御することができる。Corresponding to the shape of this electron temperature distribution, the generation ratio of ions and radicals in the plasma can be controlled.
本発明によれば、プラズマ中のラジカルとイオンの生成
割合を最適な値に制御することができるので、選択比と
パターン寸法精度を両立させながら高速エツチングを達
成することができ、生産性向上、製品の品質向上に効果
がある。According to the present invention, since the generation ratio of radicals and ions in plasma can be controlled to an optimal value, high-speed etching can be achieved while achieving both selectivity and pattern dimensional accuracy, improving productivity and Effective in improving product quality.
１１１図は本発明の第１の実施例に係るドライエツチン
グ装置の構成図、第２図はＡＭ変調された高周波電力波
形図、第３図はプラズマの電子温度分布を示す図、第４
図は本発明の第２の実施例に係るドライエツチング装置
の構成図、ａＳ図は本発明の第５の実施例に係るドライ
エツチング装置の構成図、第６図は直流電圧波形図であ
る。
１、・、処理室 ２，３，４．５・・・電極
６・・・半導体基板
７．９・・・マツチングボックス
８・・・高周波電源
１Ｇ・・・高周波パワーアンプ
ｌト・・標準信号発生器’ １２・・・変調信号発生
器１３・・・ＡＭ変調器 １７・・・絶縁体１８
・・・同軸コイル １９・・・同軸コイル加・・
・直流電源FIG. 111 is a block diagram of a dry etching apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an AM-modulated high-frequency power waveform diagram, FIG. 3 is a diagram showing the plasma electron temperature distribution, and FIG. 4 is a diagram showing the plasma electron temperature distribution.
The figure is a block diagram of a dry etching apparatus according to a second embodiment of the present invention, the aS diagram is a block diagram of a dry etching apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a DC voltage waveform diagram. 1,... Processing chamber 2, 3, 4.5... Electrode 6... Semiconductor substrate 7.9... Matching box 8... High frequency power supply 1G... High frequency power amplifier l... Standard Signal generator' 12... Modulation signal generator 13... AM modulator 17... Insulator 18
...Coaxial coil 19...Coaxial coil addition...
・DC power supply
Claims (1)
高周波電力が印加される陰極と陽極とから成る平行平板
型電極構造を備えたドライエッチング装置において、前
記陽極と陰極との間に生じるプラズマの電子温度を制御
する電子温度制御手段を設けたことを特徴とするドライ
エッチング装置。 ２、前記電子温度制御手段は、前記高周波電力とは別の
高周波電力を振幅変調してプラズマに供給することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッチング
装置。 ３、前記電子温度制御手段は、前記プラズマ内の磁界強
度の強弱を周期的に変化することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のドライエッチング装置。[Claims] 1. A substrate to be etched is placed in a vacuum processing chamber,
In a dry etching apparatus equipped with a parallel plate electrode structure consisting of a cathode and an anode to which high-frequency power is applied, an electron temperature control means is provided to control the electron temperature of plasma generated between the anode and the cathode. Characteristic dry etching equipment. 2. The dry etching apparatus according to claim 1, wherein the electron temperature control means amplitude modulates a high frequency power different from the high frequency power and supplies the same to the plasma. 3. The dry etching apparatus according to claim 1, wherein the electron temperature control means periodically changes the intensity of the magnetic field within the plasma.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14467185A JPS627131A (en) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | Dry-etching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14467185A JPS627131A (en) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | Dry-etching device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627131A true JPS627131A (en) | 1987-01-14 |
Family
ID=15367528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14467185A Pending JPS627131A (en) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | Dry-etching device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627131A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473620A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma applying device |
| CN100437901C (en) * | 2003-10-08 | 2008-11-26 | 东京毅力科创株式会社 | Particle sticking prevention apparatus and plasma processing apparatus |
| US7785486B2 (en) | 2001-09-14 | 2010-08-31 | Robert Bosch Gmbh | Method of etching structures into an etching body using a plasma |
| US8608422B2 (en) | 2003-10-08 | 2013-12-17 | Tokyo Electron Limited | Particle sticking prevention apparatus and plasma processing apparatus |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP14467185A patent/JPS627131A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473620A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma applying device |
| US7785486B2 (en) | 2001-09-14 | 2010-08-31 | Robert Bosch Gmbh | Method of etching structures into an etching body using a plasma |
| CN100437901C (en) * | 2003-10-08 | 2008-11-26 | 东京毅力科创株式会社 | Particle sticking prevention apparatus and plasma processing apparatus |
| US8608422B2 (en) | 2003-10-08 | 2013-12-17 | Tokyo Electron Limited | Particle sticking prevention apparatus and plasma processing apparatus |
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