JPS6267843A - 半導体冷却装置 - Google Patents

半導体冷却装置

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Publication number
JPS6267843A
JPS6267843A JP20651585A JP20651585A JPS6267843A JP S6267843 A JPS6267843 A JP S6267843A JP 20651585 A JP20651585 A JP 20651585A JP 20651585 A JP20651585 A JP 20651585A JP S6267843 A JPS6267843 A JP S6267843A
Authority
JP
Japan
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thin plates
semiconductor
holes
long holes
laminated
Prior art date
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Pending
Application number
JP20651585A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Itahana
板鼻 博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6267843A publication Critical patent/JPS6267843A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体冷却装置に係り、特に、量産に好適な半
導体冷却装置に関する。
〔発明の背景〕
従来の半導体冷却装置は、特願昭57−178407号
明細書に記載のように伝熱壁面(放熱面)に複数層の空
洞群を設け、さらに各層の空洞群間および空洞群と外部
とを開口部により連通させた冷却片を用いて半導体を冷
却する。しかし、この構造では冷却片の空洞成形部材の
形状が複雑なため、安価な量産化が望まれていた。
従来の一実施例を第2図に示す。1は半導体又は半導体
用冷却片(以下冷却片と言う)の一部を示し、半導体で
発生した熱は面2および面2に付けられた仕切壁31.
31’ を介して放熱される。
これらの仕切壁は空洞群32.32’ を構成しており
、仕切壁31,31’には開口部33.33’が設けら
れ、開口部33により空洞群32.33’間が、又、開
口部33′により空洞群32′と外部とが連通されてい
る。
半導体の冷却に際しては、この空洞群および開口部の寸
法を放熱量に応じて適切な値(0,1〜1m)にするこ
とにより冷媒の沸騰を促進し、優れた冷却性能が得られ
る。
この仕切壁31.31’の空洞部32.32’は機械的
な切削加工や溝付きロールなどによる塑性加工、化学腐
食加工などの方法が提案されている。
しかし、仕切壁31.31’の空洞群32゜32′に当
る微細な溝は仕切壁31.31’ を貫通しておらず、
薄板の中間までの深さとなっているため、製作に当って
工程が複雑となり、管理も厳しいものとなり、結局、高
価なものとなっていた。更に仕切壁には微細な開口部3
3.33’の加工が上記外に加わるため、更に費用が嵩
む原因となっていた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、冷却性能の優れた半導体冷却装置を提
供することにある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図、第3図ないし第6図
により説明する。1は冷却片の一部を示し、半導体で発
生した熱は面21面2に接合した薄板3,4および6の
表面から冷媒に放熱される。
薄板3,4には幅B、長さAの長孔があり、複数枚積層
されている。第1図では、薄板3と4は長孔の方向が直
交している。更にこの薄板3,4問および最外層には長
穴より小さな多数の***7をもつ薄板6を積層している
。従って、第2図に見られた空洞群32.32’に相当
する部分は第1図のA部に当り、従来例、第2図の開口
部33゜33′に相当する部分は第1図の薄板6に設け
た小孔7が相当することになる。尚、薄板3,4の長孔
、薄板6の小孔は互いに連通しており、第1図のE側か
らこの積層体をみろと、薄板6の小孔7から薄板3,4
の長孔5を通し、冷却片1の面2を見ることができる。
本発明は従来例と形状は異なるが、複数の空洞群がある
こと。各層の空洞群間および空洞群と外部とが薄板6の
小孔を通じて連通していることは本発明に於いても全く
同じであり、従来例とほぼ同一の冷却性能を得られる。
構造の具体例を第3図ないし、第6図に示す。
第3図の21は熱伝導性の良好な薄板に多数の長孔22
を設けたものであり、第4図も同様に長孔24を設けた
薄板23を示している。(第4図は第3図を90’回転
したものでも良い)第5図の25は熱伝導性の良好な薄
板に多数の小孔26を設けたものを示している。この小
孔26の位置は薄板21.23を積層したとき、長孔2
2,24が重った位置にあるものとする。
第6図は冷却片の放熱部1に薄板25,21゜23を積
層した状態を示している。実施には、これら1,25,
21.23は拡散接合等の方法によって金属的に接合し
、熱伝導を良好にする。
薄板25; 21,23の加工は第3図ないし第5図に
示すようにすべて貫通孔となるため、加工に時間を要す
る薄板の切削加工が不要で、抜型等による短時間加工が
可能となる。又、化学腐食加工等に於いても加工深さの
管理が不要となるので、安価に製作する事ができる。又
、第1図に示した長孔の幅Bが板厚に比較して狭くなる
と、抜型による加工が難しくなるが、このような場合に
は、長穴の幅Bに比して薄い板を使用し、必要に応じ薄
板を積層すれば良く、加工は更に容易となる。
尚、薄板21.23に設けた長孔の方向が交互に直交す
るように説明したが、これは必ずしも直交する必要はな
く、必要な空洞層と開口部をより安価に製作することが
肝心である。
本実施例によれば、空洞層、開口部の形成が容易となり
、安価に量産できる半導体冷却装置を提供することがで
きる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、半導体冷却用の沸騰冷却装置において
、沸騰を促進するための空洞層、開口部を短時間に製作
する事ができるため、量産に適し、安価に装置を提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の斜視図、第2図は従来の斜
視図、第:3図ないし第6図は本発明構成要素の一部を
示す図である。 1・・・半導体又は半導体用冷却片の一部、3,4゜6
.21,23.25・・・薄板、5・・・長穴、7・・
・***。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体又は半導体用冷却片の放熱面に冷媒を接触さ
    せ、前記冷媒の沸騰、凝縮作用を利用して前記半導体を
    冷却する半導体冷却装置において、複数の長孔をもつ熱
    伝導性の良好な薄板を前記長孔が同一位置に連続して重
    ならないように複数枚積層し、更に、前記薄板間に前記
    長孔より小さな多数の***を有する薄板を長孔と小孔の
    位置が重なるように積層し、これらを結合し、これを前
    記半導体又は前記半導体用冷却片の放熱面としたことを
    特徴とする半導体冷却装置。 2、特許請求の範囲第1項の冷却装置において、長孔の
    方向が一個又は複数個毎に交互に直交するように積層し
    た放熱面を設けたことを特徴とする半導体冷却装置。
JP20651585A 1985-09-20 1985-09-20 半導体冷却装置 Pending JPS6267843A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0447835A2 (en) * 1990-03-21 1991-09-25 International Business Machines Corporation Heat removal apparatus for liquid cooled semiconductor modules
WO2009037928A1 (ja) * 2007-09-20 2009-03-26 Sony Corporation 相変化型ヒートスプレッダ、流路構造体、電子機器及び相変化型ヒートスプレッダの製造方法

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