JPS6266257A - マスクのパタ−ン修正方法 - Google Patents
マスクのパタ−ン修正方法Info
- Publication number
- JPS6266257A JPS6266257A JP60207475A JP20747585A JPS6266257A JP S6266257 A JPS6266257 A JP S6266257A JP 60207475 A JP60207475 A JP 60207475A JP 20747585 A JP20747585 A JP 20747585A JP S6266257 A JPS6266257 A JP S6266257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- ion beam
- correction
- defective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要コ
本発明は、マスク面に形成されたパターンの修正方法で
あって、イオンビーム走査によって得られた被修正マス
クのパターン像と基準パターン像とをＣＲＴに合成して
表示して、パターンの修正領域をライトペンによって指
定検出し、その検出データが中央処理装置（ＣＰＵ）に
よって最も適切な修正データを出力することにより、修
正パターン制御装置が作動してマスクのパターン欠陥部
を修正するようにしたものである。
あって、イオンビーム走査によって得られた被修正マス
クのパターン像と基準パターン像とをＣＲＴに合成して
表示して、パターンの修正領域をライトペンによって指
定検出し、その検出データが中央処理装置（ＣＰＵ）に
よって最も適切な修正データを出力することにより、修
正パターン制御装置が作動してマスクのパターン欠陥部
を修正するようにしたものである。
［産業上の利用分野］
本発明は、マスク修正方法に係り、特にマスクパターン
の欠陥部の正確な検出とその修正に関するものである。
の欠陥部の正確な検出とその修正に関するものである。
近時、半導体装置をはじめ多くのデバイスで高精度且つ
緻密なパターンが要求されているが、通常、これらのパ
ターン形成にはバターニングがなされたマスクを用いて
露光が行われる。
緻密なパターンが要求されているが、通常、これらのパ
ターン形成にはバターニングがなされたマスクを用いて
露光が行われる。
従って、マスクのパターンには欠陥のないことが必要で
あり、マスクのパターンに欠陥がある場合には、修正方
法としては、パターンの修正領域に、例工ばイオンビー
ムスポットを投射して、前記のカーボンの遮光膜を形成
や、回折格子の形、成、または遮光膜の溶解を行う等の
最適の修正作業がなされ、その欠陥部に特殊な修正が行
なわれて再生がなされることになる。
あり、マスクのパターンに欠陥がある場合には、修正方
法としては、パターンの修正領域に、例工ばイオンビー
ムスポットを投射して、前記のカーボンの遮光膜を形成
や、回折格子の形、成、または遮光膜の溶解を行う等の
最適の修正作業がなされ、その欠陥部に特殊な修正が行
なわれて再生がなされることになる。
従来、このようにマスクのパターンの欠陥を修正するに
は、目視で欠陥部を検出して適切な修正処理をするか、
またはライトペンを用いて欠陥部分の位置や状態を検知
することがあっても、どのような正確な基準パターンが
不明なために、修正の処置をす・るには、煩雑な判断を
必要とする作業であり、このような理由からマスクの欠
陥を正確に検出して、容易に修正する方法が要望されて
いる。
は、目視で欠陥部を検出して適切な修正処理をするか、
またはライトペンを用いて欠陥部分の位置や状態を検知
することがあっても、どのような正確な基準パターンが
不明なために、修正の処置をす・るには、煩雑な判断を
必要とする作業であり、このような理由からマスクの欠
陥を正確に検出して、容易に修正する方法が要望されて
いる。
［従来の技術］
第３図は、従来のマスクパターンの欠陥部の検出と修正
を行うイオンビーム装置のブロック図である。
を行うイオンビーム装置のブロック図である。
イオンビーム室１内にステージ２があり、その上に修正
がなされるマスク３が載置されている。
がなされるマスク３が載置されている。
マスクの基板は通常ガラスであり、その表面に被膜され
たクロム膜にバターニングがなされているが、マスクの
パターンの表示をするには、マスクのパターン面をイオ
ンビーム源４からのイオンビーム（矢印で示す）を偏向
板５で走査し、発生する二次電子及び反射イオンを検出
装置６で検出してマスクのパターン７をＣＲＴ８に表示
する。
たクロム膜にバターニングがなされているが、マスクの
パターンの表示をするには、マスクのパターン面をイオ
ンビーム源４からのイオンビーム（矢印で示す）を偏向
板５で走査し、発生する二次電子及び反射イオンを検出
装置６で検出してマスクのパターン７をＣＲＴ８に表示
する。
表示されたマスクパターン７を目視によって検査し、例
えばパターンに欠陥部りがあると、この部分をライトペ
ン９によってアドレスして読出しを行ない、得られた位
置情報やパターンの欠陥の状態をＣ’ＰＵＩＯに入力し
て、この欠陥部を修正するためのビーム制御回路１１と
ステージ制御装置１２によって、マスクパターンの欠陥
部とビーム照射の位置合わせが行われ、しかる後にイオ
ンビームの適切な制御によりパターン欠陥部の修正がな
されていた。
えばパターンに欠陥部りがあると、この部分をライトペ
ン９によってアドレスして読出しを行ない、得られた位
置情報やパターンの欠陥の状態をＣ’ＰＵＩＯに入力し
て、この欠陥部を修正するためのビーム制御回路１１と
ステージ制御装置１２によって、マスクパターンの欠陥
部とビーム照射の位置合わせが行われ、しかる後にイオ
ンビームの適切な制御によりパターン欠陥部の修正がな
されていた。
従来のパターンの欠陥部の修正方法として、例えばマス
クのパターンを形成する遮光膜の一部に欠陥部が存在す
る時には、その部分に有機物を被着した後、その有機物
にイオンビームを投射して加熱し、有機物を炭化してカ
ーボン膜を形成して遮光膜の代用にする方法や、或いは
その欠陥部分のある基板にイオンビームを投射して、そ
の欠陥部に回折格子を形成し、露光光線は透過はするが
回折するために、ウェハ表面には投影されないという方
法も採用されている。
クのパターンを形成する遮光膜の一部に欠陥部が存在す
る時には、その部分に有機物を被着した後、その有機物
にイオンビームを投射して加熱し、有機物を炭化してカ
ーボン膜を形成して遮光膜の代用にする方法や、或いは
その欠陥部分のある基板にイオンビームを投射して、そ
の欠陥部に回折格子を形成し、露光光線は透過はするが
回折するために、ウェハ表面には投影されないという方
法も採用されている。
反対に、マスク面の光透過領域に遮光膜が余分に被着し
ている場合には、その遮光膜にイオンビームを投射し、
遮光膜を溶解して除去する方法が採用される。
ている場合には、その遮光膜にイオンビームを投射し、
遮光膜を溶解して除去する方法が採用される。
然しなから、従来の修正方法は、マスクのパターンの欠
陥を検出しても、基準のパターンとの比較が不明である
ために、欠陥部をライトペンで検出する際には、標準パ
ターンに近似させる判断が必要になり、また修正方法に
ついては、その欠陥の状態を観察して判断するものであ
るために、修正工程が煩雑であり、また修正作業の精度
がよくないという欠点がある。
陥を検出しても、基準のパターンとの比較が不明である
ために、欠陥部をライトペンで検出する際には、標準パ
ターンに近似させる判断が必要になり、また修正方法に
ついては、その欠陥の状態を観察して判断するものであ
るために、修正工程が煩雑であり、また修正作業の精度
がよくないという欠点がある。
［発明が解決しようとする問題点〕
従来の、マスクの修正方法では、マスクのパターンの欠
陥を目視で行い、修正方法はその欠陥を観察して最適修
正方法を判断するのて、修正工程の煩雑性と高精度の修
正が困難であることが問題点である。
陥を目視で行い、修正方法はその欠陥を観察して最適修
正方法を判断するのて、修正工程の煩雑性と高精度の修
正が困難であることが問題点である。
Ｅ問題点を解決するための手段］
本発明は、上記問題点を解決するためのマスクの修正方
法を提供するもので、その解決の手段は、マスク（１１
）面のパターンと、メモリ回路（１９）からの基準パタ
ーンとを表示装置（１４）面に合成して表示し、その表
示されたパターン（１５）で明瞭になった要修正領域を
ライトペン（１７）でアドレスして指定し、その検出信
号から中央処理装置が、必要な修正データとして例えば
修正を要する欠陥領域の位置や修正の種類を出力し、そ
の出力データにより修正パターン制御装置が修正用のイ
オンビーム装置を操作してマスクの欠陥部領域を修正す
るようにしたものである。
法を提供するもので、その解決の手段は、マスク（１１
）面のパターンと、メモリ回路（１９）からの基準パタ
ーンとを表示装置（１４）面に合成して表示し、その表
示されたパターン（１５）で明瞭になった要修正領域を
ライトペン（１７）でアドレスして指定し、その検出信
号から中央処理装置が、必要な修正データとして例えば
修正を要する欠陥領域の位置や修正の種類を出力し、そ
の出力データにより修正パターン制御装置が修正用のイ
オンビーム装置を操作してマスクの欠陥部領域を修正す
るようにしたものである。
［作用］
本発明は、被修正マスクのパターンとメモリされている
基準パターンとを合成して表示することにより、被修正
マスクのパターンの欠陥部と完全なパターンである基準
パターンとが比較されるために、その欠陥部領域の形状
や性質が極めて明瞭になるために、その欠陥領域をライ
トペンでアドレスすることにより、正確な検出データが
ＣＰＵに出力されることになり、ＣＰＵではそのデータ
に基づいて通切な修正指示データをビーム制御装置とス
テージ制御装置に出力して、マスクパターンの欠陥部を
守勢するものである。
基準パターンとを合成して表示することにより、被修正
マスクのパターンの欠陥部と完全なパターンである基準
パターンとが比較されるために、その欠陥部領域の形状
や性質が極めて明瞭になるために、その欠陥領域をライ
トペンでアドレスすることにより、正確な検出データが
ＣＰＵに出力されることになり、ＣＰＵではそのデータ
に基づいて通切な修正指示データをビーム制御装置とス
テージ制御装置に出力して、マスクパターンの欠陥部を
守勢するものである。
［実施例］
第１図はマスクの欠陥領域を修正するイオンビーム装置
とブロック図である。
とブロック図である。
イオンビーム室２１内のステージ２２に載置された被修
正用のマスク２３があり、イオンビーム源２４からイオ
ンビームが矢印のように投射されるものとし、そのイオ
ンビームは偏向板２５によって偏向されるようになって
いる。
正用のマスク２３があり、イオンビーム源２４からイオ
ンビームが矢印のように投射されるものとし、そのイオ
ンビームは偏向板２５によって偏向されるようになって
いる。
外部にはＣＰＵ２６があり、このＣＰＵ２６からの出力
信号によって、イオンビーム偏向制御回路２７とステー
ジ制御回路２８が作動して、マスクパターンの欠陥部を
修正することができる。
信号によって、イオンビーム偏向制御回路２７とステー
ジ制御回路２８が作動して、マスクパターンの欠陥部を
修正することができる。
被修正用のマスクのパターンは、従来と同様に、マスク
のパターン面をイオンビーム源２１からのイオンビーム
で走査し、発生する二次電子及び反射イオンを検出装置
２９で検出してマスクのパターン３０をＣＲＴ３１に表
示するが、パターンには欠陥部りがあるものとする。
のパターン面をイオンビーム源２１からのイオンビーム
で走査し、発生する二次電子及び反射イオンを検出装置
２９で検出してマスクのパターン３０をＣＲＴ３１に表
示するが、パターンには欠陥部りがあるものとする。
またＣＰＵ２６には、パターンの欠陥部の位置等が明確
にされた（第２図で説明する）基準パターンがメモリさ
れていて、このメモリの出力が基準パターン３２をＣＲ
Ｔ３３に表示する。
にされた（第２図で説明する）基準パターンがメモリさ
れていて、このメモリの出力が基準パターン３２をＣＲ
Ｔ３３に表示する。
ＣＲＴ３４は、欠陥部のあるパターン３ｏと基準パター
ン３２の合成パターン３５を表示したものであるが、合
成パターンでは欠陥部が基準パターンと合成されている
ために、欠陥領域Ｄ′が明確に表示されるために、欠陥
部を修正する際には、ライトペン３６をその欠陥部のあ
る領域のみを正確にアドレスすればよく、同等判断を必
要としない。
ン３２の合成パターン３５を表示したものであるが、合
成パターンでは欠陥部が基準パターンと合成されている
ために、欠陥領域Ｄ′が明確に表示されるために、欠陥
部を修正する際には、ライトペン３６をその欠陥部のあ
る領域のみを正確にアドレスすればよく、同等判断を必
要としない。
従って、あとはＣＰＵが、修正に必要なデータのみを抽
出して出力させ、それによってイオンビーム装置のイオ
ンビーム偏向制御回路２７とステージ制御回路２８が作
動して、マスクの欠陥部に前記のカーボンの形成、回折
格子の形成、または遮光膜の熔解等の適切な／ＩＩ’正
が行なわれる。
出して出力させ、それによってイオンビーム装置のイオ
ンビーム偏向制御回路２７とステージ制御回路２８が作
動して、マスクの欠陥部に前記のカーボンの形成、回折
格子の形成、または遮光膜の熔解等の適切な／ＩＩ’正
が行なわれる。
第２図は、ＣＰＵに入力される基準マスクのデータを作
成する方法を示すブロック図である。
成する方法を示すブロック図である。
マスク検査台４１上に、マスク４２が載置され、そのマ
スクのパターンを、テレビカメラ４３で撮像して、ＣＲ
Ｔ４４上にマスクのパターン４５が表示されると共に、
このパターンは比較回路４６に入力される。
スクのパターンを、テレビカメラ４３で撮像して、ＣＲ
Ｔ４４上にマスクのパターン４５が表示されると共に、
このパターンは比較回路４６に入力される。
一方、マスクの基準パターンを格納しであるメモリ回路
４７があり、ここから基準パターンのデータが比較回路
４６に同様に入力されて、双方のパターンが比較照合さ
れ、例えばマスクパターン４５に、パターンの欠陥部り
があるとすると、比較回路ではパターン欠陥部がパター
ン全体のどの位置に発生しているか、それらの欠陥の大
小、欠陥の種類が判別され、これらの結果は欠陥部検出
装置４８に入力され、更にそれらのデータはメモリ媒体
４９に格納された後、第１図のＣＰＵ２６に入力される
ことになる。
４７があり、ここから基準パターンのデータが比較回路
４６に同様に入力されて、双方のパターンが比較照合さ
れ、例えばマスクパターン４５に、パターンの欠陥部り
があるとすると、比較回路ではパターン欠陥部がパター
ン全体のどの位置に発生しているか、それらの欠陥の大
小、欠陥の種類が判別され、これらの結果は欠陥部検出
装置４８に入力され、更にそれらのデータはメモリ媒体
４９に格納された後、第１図のＣＰＵ２６に入力される
ことになる。
従ってマスクを修正する際には、このメモリ媒体４９の
データに基づき、欠陥位置が極めて迅速に検出され、直
ちに修正作業にかかることができ、効率化を計ることが
できる。
データに基づき、欠陥位置が極めて迅速に検出され、直
ちに修正作業にかかることができ、効率化を計ることが
できる。
［発明の効果］
以上、詳細に説明したように、本発明によるマスクの修
正方法は、パターンの欠陥の修正が正確且つ容易になさ
れるため、高性能のマスクが実現でき、このマスクによ
って露光されたデバイスのパターンは極めて高精度にな
るという効果大なるものがある。
正方法は、パターンの欠陥の修正が正確且つ容易になさ
れるため、高性能のマスクが実現でき、このマスクによ
って露光されたデバイスのパターンは極めて高精度にな
るという効果大なるものがある。
第１図は、本発明のマスクの修正方法を示すブロック図
、 第２図は、基準マスクのデータを作成する方法を示すブ
ロック図、 第３図は、従来のマスクの修正方法を示すブロック図、 図において、 ２１はイオンビーム室、２２はステージ、２３ハマスク
、２４はイオンビーム源、２５は偏向板、
２６はＣＰＵ。 ２７はイオンビーム偏向制御回路、 ２日はステージ制御回路、２９は検出装置、３０はマス
クのパターン、３１はＣＲＴ。 ３２は基準パターン、 ３３はＣＲＴ。 ３４はＣＲＴ、 ４１はマスク検査台、４２
はマスク、 ４３はテレビカメラ、４４はＣ
ＲＴ、 ４５はパターン、４６は比較回路
、 ４７はメモリ回路、４８は欠陥部検出装置、
４９ばメモリ媒体、をそれぞれ示している。 滞発ｇ耳ｎマス７／ｌ＃正づ１話を水Ｔ１０ッ７圓第
１ 図 ＪＥ４？Ｚ７ｓデ″−７ｅｆ′Ｐ八’Ｔ３７ｊ３ｋＧｔ
ｆ−７７”０−７（５り第 ２−
、 第２図は、基準マスクのデータを作成する方法を示すブ
ロック図、 第３図は、従来のマスクの修正方法を示すブロック図、 図において、 ２１はイオンビーム室、２２はステージ、２３ハマスク
、２４はイオンビーム源、２５は偏向板、
２６はＣＰＵ。 ２７はイオンビーム偏向制御回路、 ２日はステージ制御回路、２９は検出装置、３０はマス
クのパターン、３１はＣＲＴ。 ３２は基準パターン、 ３３はＣＲＴ。 ３４はＣＲＴ、 ４１はマスク検査台、４２
はマスク、 ４３はテレビカメラ、４４はＣ
ＲＴ、 ４５はパターン、４６は比較回路
、 ４７はメモリ回路、４８は欠陥部検出装置、
４９ばメモリ媒体、をそれぞれ示している。 滞発ｇ耳ｎマス７／ｌ＃正づ１話を水Ｔ１０ッ７圓第
１ 図 ＪＥ４？Ｚ７ｓデ″−７ｅｆ′Ｐ八’Ｔ３７ｊ３ｋＧｔ
ｆ−７７”０−７（５り第 ２−
Claims (1)
- マスク（２３）面に形成されたパターンと、メモリ媒体
（４９）に格納された基準パターンとを合成して表示装
置（３４）に表示し、その表示されたパターン（３５）
の欠陥部領域をライトペン（３６）で指定検出し、その
検出信号を中央処理装置（２６）に入力することにより
、該中央処理装置（２６）からマスクのパターン修正に
必要な修正データが出力され、その修正データによりイ
オンビーム偏向制御回路（２７）とステージ制御装置（
２８）が制御されて、該パターン欠陥部領域を修正する
ことを特徴とするマスクのパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207475A JPS6266257A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | マスクのパタ−ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207475A JPS6266257A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | マスクのパタ−ン修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266257A true JPS6266257A (ja) | 1987-03-25 |
Family
ID=16540366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60207475A Pending JPS6266257A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | マスクのパタ−ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6266257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005517996A (ja) * | 2002-02-20 | 2005-06-16 | ユーシーエルティ リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60207475A patent/JPS6266257A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005517996A (ja) * | 2002-02-20 | 2005-06-16 | ユーシーエルティ リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
| JP4711251B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2011-06-29 | カールツァイス エスエムエス リミテッド | 欠陥フォトマスクを修理するための方法およびシステム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4647510B2 (ja) | 基板の欠陥検査方法及びプログラム | |
| JPS6144429A (ja) | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 | |
| JPH06105169B2 (ja) | 反復微細パターンの差異検出方法 | |
| JPH07118440B2 (ja) | 電子ビ−ム描画装置 | |
| JPH05249656A (ja) | マスク検査装置 | |
| US3971936A (en) | Corpuscular beam microscope, particularly electron microscope, with adjusting means for changing the position of the object to be imaged or the image of the object | |
| JPS6266257A (ja) | マスクのパタ−ン修正方法 | |
| US4097142A (en) | Optical pattern tracer | |
| JPH0345527B2 (ja) | ||
| KR20010053094A (ko) | 포토마스크 수정장치 | |
| JPH1097983A (ja) | 位置検出方法 | |
| JP2016126302A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
| JP3070870B2 (ja) | マスク修正方法 | |
| JPH11183139A (ja) | 断面及び３次元形状測定装置 | |
| JP2001281160A (ja) | 検査装置および検査方法、マスクの製造方法 | |
| JPH09139337A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JPH06124866A (ja) | パターン認識装置 | |
| JPH04278555A (ja) | 微少寸法測定装置 | |
| JP4207689B2 (ja) | 位置ずれ測定装置 | |
| JP2755354B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH0373451U (ja) | ||
| JP2795682B2 (ja) | 薄膜修正加工装置 | |
| JPS59189628A (ja) | 電子線描画装置 | |
| KR900002121Y1 (ko) | 칼라 수상관용 로테이션 조정 장치 | |
| JPH0375649A (ja) | フォトマスク修正装置 |