JPS6265428A - Structure for lift-off - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To prevent film remains existing at the stepped section of a foundation of the film by forming a two-layer structure in which a thin resist is used as a lower layer and an Al film, a Cu film or an SiO2 film shaped through a vacuum thin-film forming method as an upper layer. CONSTITUTION:A resist as a lower layer is formed onto a pattern with stepped sections in 4mum, 8mum and 12mum thickness through a spinner spin coating method. Film thickness at that time is brought to approximately 3mum in a flat section. An Al, Cu or SiO2 upper layer film is shaped through a vacuum thin-film forming method. The resist is applied on a flat surface in approximately 0.3mum, and the upper layer and the lower layer are etched through RIE, thus forming a pattern for a lift-off. Consequently, a pattern forming process for the lift-off is completed. A resist pattern for etching the upper layer is removed approximately on the etching of the upper layer. Film thickness can be made approximately the same as thickness in the flat section even at the stepped sections in the pattern for a lift-off method shaped through such a forming method.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、下層にレジスト膜、上層に真空薄膜形成法に
より形成したＣＵ膜あるｉはＡＪ瞑ある−は８ｉ０ｘ　
　Ｋからなる２層リフトオフ用パターン構造に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention has a resist film as a lower layer and a CU film formed as an upper layer by a vacuum thin film forming method.
This invention relates to a two-layer lift-off pattern structure made of K.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、リフトオフ用パターン構造において下層に薄
く塗布したレジスト！Ｉを形成し、上層に真空薄膜形成
法によりムｊ膜６るめは０％膜あるｖｈは８ｊＯｍ　Ｉ
ｔ−形成し、段差部下部とモ担部のり７オ７用パターン
膜厚ｔはぼ等しく形成し、このパターンを用−て形成し
九膜の段差部での膜残りがなくなるようにしたものであ
り、リフトオフは下層レジスト膜で行われるため、従来
のリフトオツ同様簡単に行うことができる。The present invention is a resist applied thinly to the lower layer in a lift-off pattern structure! I is formed on the upper layer by vacuum thin film formation method, and vh is 0% film, and vh is 8jOm I.
The pattern film thickness t for the lower part of the stepped part and the adhesive part of the support part 7 is formed to be approximately equal, and this pattern is used to form the film so that there is no remaining film at the stepped part of the 9 films. Since the lift-off is performed on the lower resist film, it can be performed easily like a conventional lift-off.

゛〔従来の技術〕 従来リフトオフ法によるａ甑形成用パターンは主として
スピンナーによる回転塗布法により形成されたレジスト
膜が利用される。[Prior Art] Conventionally, a resist film formed by a spin coating method using a spinner is mainly used as a pattern for forming an a-layer by a lift-off method.

〔発明が解決しようとする間１点〕 しかし前述の従来技術では、下地に段差部が存在する場
合、段着下部にレジストがたまり下部での厚さが他のフ
ラットな部分に比べ隠端に厚くなりてしまう、このよう
なパターンを用いてｌＩｔ形既すると下地段差部でＷＸ
３図、第４図の如くリフトオフ後膜残りが生じてしまり
という問題がめりた。[One point while the invention is trying to solve it] However, in the above-mentioned conventional technology, when there is a step part in the base layer, the resist accumulates at the bottom of the step, and the thickness at the bottom becomes hidden edge compared to other flat parts. If you use a pattern like this, it will become thicker, and if you use a pattern like this, it will become thicker.
As shown in FIGS. 3 and 4, a problem arose in that a film remained after lift-off.

本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的と
するところは、嬉１図、第２図に示すようにリフトオフ
用パターンに２層構造を用いｒ＠成した膜の下地段差部
での膜残りが生じないような均−換厚す７トオフ用構造
を提供することにある。The present invention is intended to solve these problems, and its purpose is to use a two-layer structure for the lift-off pattern to eliminate the step part on the base of the film, as shown in Figures 1 and 2. An object of the present invention is to provide a structure for removing a uniform thickness so that no film remains.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明のり７トオフ用パターン構造は、下層にＷＩいレ
ジスト、上層に真空薄膜形成法により形成した金属＠ま
たは無！＆膜を用いた２層構造としたことを特数とする
。The pattern structure for glue-off of the present invention has a lower layer of WI resist and an upper layer of metal (or no metal) formed by a vacuum thin film formation method. The special feature is that it has a two-layer structure using & membrane.

本発明に使用する真空薄膜形成法により形成する上層は
ムＪ換あるいはＣ，＠あるｖｈはｓｈｏ、　　膜のめず
れかである。The upper layer formed by the vacuum thin film forming method used in the present invention is either MUJ or C, @a vh is sho, or a film.

〔作用〕[Effect]

本発明の作用を述べれば、下層に薄＾レジスト峡、上層
膜を真空薄膜形成法により形成したため、下地に段差部
があっても全面はぼ膜厚均一のパターンを形成でき、こ
のパターンを利用して形成したＦｉｉ＆ｔ−リフトオフ
する際、段差部で膜残りが起こることがな匹、またリフ
トオフも従来のリフトオフと同様簡単に行うことができ
る。To describe the effects of the present invention, since the lower layer is formed with a thin resist layer and the upper layer is formed using a vacuum thin film formation method, a pattern with uniform membrane thickness can be formed on the entire surface even if there is a stepped portion on the underlying layer, and this pattern can be used. During lift-off, no film remains on the stepped portion, and lift-off can be performed easily in the same way as conventional lift-off.

〔実Ｍ例〕[Actual M example]

以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples.

飢５図は本発明の実施例を工程順に示す図である。まず
第５図（α）の如く、厚み４μｍ、８μｍ　、　１２Ｉ
Ｊｍ段差パターン上に下層のレジストをスピンナー回転
塗布法により形成する。このときの膜厚はフラット部で
約３踊である。その後、第５図（６）に示すように真空
薄膜形成法により、ム！あるいはｃ−ｇある−はｓｈｏ
！　　上層＃ｊＸを形成する１次に第５図（ｃ）に示す
ようにレジストをフラット面で約０．３１ｋｍ塗布し、
その後上層、下層をＲ工Ｅによりエツチングすることに
よりリフトオフ用パターンを形成する０以上により、リ
フトオフ用パターン形成工程を終了する。Figure 5 is a diagram showing an example of the present invention in the order of steps. First, as shown in Fig. 5 (α), the thickness is 4 μm, 8 μm, 12I.
A lower resist layer is formed on the Jm step pattern by a spinner rotation coating method. At this time, the film thickness at the flat portion is about 3 dia. Thereafter, as shown in FIG. 5 (6), a vacuum thin film formation method is used to form a MU! Or c-g is sho
! As shown in FIG. 5(c), resist is applied on a flat surface for a distance of about 0.31 km to form the upper layer #jX.
Thereafter, a lift-off pattern is formed by etching the upper layer and the lower layer by R etching.The step of forming a lift-off pattern is then completed.

、ここで上層エツチング用レジストパターンは、上層エ
ツチング時にほとんどなくなってしまう。, here, the resist pattern for upper layer etching is almost completely lost during upper layer etching.

このような形成法により作られたリフトオフ法用パター
ンは、段差部においても膜厚は、フラット部における厚
さにほぼ等しくできた。In the lift-off pattern formed by such a formation method, the film thickness at the step portion was almost equal to the thickness at the flat portion.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述の如く本発明のパターン形成方法によればその膜厚
は、フラット部・段差部にかかわらず、はぼ一定に形成
することができ、このパターンを用いて形成した換に膜
残りは生じない、しかも下層に薄いレジストを使用して
いるため、リフトオフも従来通りの方法で簡単にできる
。As described above, according to the pattern forming method of the present invention, the film thickness can be formed to be approximately constant regardless of whether it is a flat part or a stepped part, and no film remains when formed using this pattern. Moreover, since a thin resist is used as the underlying layer, lift-off can be easily performed using conventional methods.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明によるす７トオ７用パターン形状の断面
図。 第２図−）（ｂ）は本発明による段差パターン下部での
リフトオフ工程図 第３図は従来技術によるリフトオフ用パターン形状断面
図 第４図−）（６）は従来技術による段差パターン下部で
のリフトオフ工程図 第５図＆）　（ｂ）　（ｃ）は本発明によるリフトオフ
用パターン形成工程図 １０１・・基板 １０２・・段差パターン １０３・・レジスト １０４・・リフトオフ用パターン層 ２０１・Ｏ基板 ２０２・・レジスト ２０３・参り７トオフ用パターン ２０４・・形成膜 ３０１・φ基板 ３０２−一段差パターン ３０３・・リフトオフ用レジストパターン４０１φ・基
板 ４０２・・段差パターン ４０３・・形成膜 ５０１・・基板 ５０２・・段差パターン ５０３・・レジスト ５０４６番リフトオフ用パターン ５０５・・レジスト ９７１１７重Ｉぐラーン−１（゛υ口 第１図 倉女天）ぐラーン１七やで１クリ１ト才７　ニオｔｔ１
１第２凶 ａｌｔｔａ：、より’１７）ｒ７）ｆｌパ’ｌ−”／寥
側僅口Ｓ第３図 勿〔釆＆ψによ６ｆｔ蒐パシ／下卯τ゛貞リフトオプエ
刺１幻−・＾−Ａ　　　試τ１FIG. 1 is a cross-sectional view of a pattern shape for 7 to 7 according to the present invention. Fig. 2-) (b) is a lift-off process diagram at the bottom of the step pattern according to the present invention. Fig. 3 is a sectional view of the shape of the lift-off pattern according to the prior art. Lift-off process diagram (FIG. 5 &) (b) (c) is a lift-off pattern forming process diagram 101 according to the present invention...Substrate 102...Step pattern 103...Resist 104...Lift-off pattern layer 201...O substrate 202...・Resist 203 ・Pattern 204 for lift-off 7-off pattern 204 ・Formation film 301 ・φ substrate 302 - one-step pattern 303 ・・Resist pattern 401 φ for lift-off ・Substrate 402 ・・Step pattern 403 ・・Formation film 501 ・・Substrate 502 ・・Step pattern 503...Resist No. 5046 Lift-off pattern 505...Resist 97117 Heavy I G-Lan-1 (゛υ口 1图kura-n-ten) G-Lan 1 7-yade 1 chest 1-sai 7 Niott1
1 2nd evil altta:, from '17) r7) fl pa'l-"/backside slight mouth S 3rd figure of course [button & ψ 6ft 蒐PASI/lower rabbit τ゛Tei lift ope stab 1 phantom-・^ -A Trial τ1

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）下層に薄いレジスト、上層に真空薄膜形成法によ
り形成した金属膜であるかまたは絶縁膜からなる２層構
造としたことを特徴とするリフトオフ用構造。(1) A lift-off structure characterized by having a two-layer structure consisting of a thin resist as a lower layer and a metal film or an insulating film formed by a vacuum thin film forming method as an upper layer. （２）前記金属膜がＡｌ、Ｃｕのいずれかであるかまた
は絶縁膜がＳｉＯ＿２である特許請求の範囲第１項記載
のリフトオフ用構造。(2) The lift-off structure according to claim 1, wherein the metal film is either Al or Cu, or the insulating film is SiO_2.