JPS6264004A - 透明導電膜及びその形成方法 - Google Patents
透明導電膜及びその形成方法Info
- Publication number
- JPS6264004A JPS6264004A JP20474185A JP20474185A JPS6264004A JP S6264004 A JPS6264004 A JP S6264004A JP 20474185 A JP20474185 A JP 20474185A JP 20474185 A JP20474185 A JP 20474185A JP S6264004 A JPS6264004 A JP S6264004A
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- JP
- Japan
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- film
- tin
- oxide
- transparent conductive
- compound
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- Pending
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は透明導電膜及びその形成方法に関する2A−1
ものである。
従来の技術
透明導電膜は、液晶表示などの平面ディスプレイデバイ
スや、太陽電池なとの不可欠な構成材料として需要が大
きいが、最近ではさらに透明タッチスイッチなどの入力
装置の構成材料としても重要となりつつある。特に、マ
イクロコンピュータなど情報機器の家電分野への進出と
共に、複雑なスイッチ機能の簡略化という問題を解決す
る手段としてこの種のスイッチの重要性が高まると予想
され、透明導電膜の需要も今後大きく増加すると思われ
る。
スや、太陽電池なとの不可欠な構成材料として需要が大
きいが、最近ではさらに透明タッチスイッチなどの入力
装置の構成材料としても重要となりつつある。特に、マ
イクロコンピュータなど情報機器の家電分野への進出と
共に、複雑なスイッチ機能の簡略化という問題を解決す
る手段としてこの種のスイッチの重要性が高まると予想
され、透明導電膜の需要も今後大きく増加すると思われ
る。
現在、透明導電膜として最も一般的に使用されている材
料は、酸化インジウムにスズをドープした薄膜(以下、
ITO膜と呼ぶ)であり、製造法としては、スパッタリ
ングや蒸着が主流である。
料は、酸化インジウムにスズをドープした薄膜(以下、
ITO膜と呼ぶ)であり、製造法としては、スパッタリ
ングや蒸着が主流である。
このMは、4〜5 X 10””Ω備の比抵抗を有し、
硬く基板に対する付着力も良好であり、エレクトロニク
ス分野で透明電極として望まれる性能を満足するもので
ある。しかしながら、製造工程中に真3、、−。
硬く基板に対する付着力も良好であり、エレクトロニク
ス分野で透明電極として望まれる性能を満足するもので
ある。しかしながら、製造工程中に真3、、−。
学系を要するため、大面積の基板に均一に形成するのが
難しく、また、このためには、製造コストが高くなると
いう欠点がある。
難しく、また、このためには、製造コストが高くなると
いう欠点がある。
この欠点を解決するため、透明導電膜の形成法として検
討されているものとして、形成用塗布液の塗布、焼成に
よる形成法がある。
討されているものとして、形成用塗布液の塗布、焼成に
よる形成法がある。
発明が解決しようとする問題点
従来、この種の塗布液として、アセチルアセトンに硝酸
インジウムを溶解したものか、その生成物と、アセチル
アセトンと硝酸にスズを溶解したものを、メタノール、
エタノール及びアセトンに溶解した液や、インジウム及
びスズの有機酸塩を、溶媒に溶解したもの、及び塩化イ
ンジウム溶液などが考案されている。しかしながら、上
記塗布液の塗布、焼成による透明導電膜は、抵抗値で実
用に供せるものが得られる反面、ITO膜の基体(主に
ガラス板)に対する付着力に限度があるため、物理的、
化学的な強度が小さいという欠点があり、未だ実用には
至っていない。%に、安価なソーダ石灰ガラス板を基体
とする場合、その変形を防ぐために焼成温度は500’
C〜55o℃以下にするのが望ましいが、これによって
上記欠点−更に大きな問題となる。
インジウムを溶解したものか、その生成物と、アセチル
アセトンと硝酸にスズを溶解したものを、メタノール、
エタノール及びアセトンに溶解した液や、インジウム及
びスズの有機酸塩を、溶媒に溶解したもの、及び塩化イ
ンジウム溶液などが考案されている。しかしながら、上
記塗布液の塗布、焼成による透明導電膜は、抵抗値で実
用に供せるものが得られる反面、ITO膜の基体(主に
ガラス板)に対する付着力に限度があるため、物理的、
化学的な強度が小さいという欠点があり、未だ実用には
至っていない。%に、安価なソーダ石灰ガラス板を基体
とする場合、その変形を防ぐために焼成温度は500’
C〜55o℃以下にするのが望ましいが、これによって
上記欠点−更に大きな問題となる。
本発明は塗布、焼成によって形成する透明導電膜の物理
的、化学的耐久性が小さいという問題点を解決すること
を目的とするものである。
的、化学的耐久性が小さいという問題点を解決すること
を目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
ITO膜は、焼成温度が6o○〜560℃である場合、
焼結性が充分でなく、多孔質あるいは層状構造であると
考えられる。その証拠として、酸素や水蒸気と相互作用
しやすく、それによって抵抗値が大きく変化する事実が
挙げられる。このような構造が、耐久性の小さい原因と
なっているのは明らかであるため、本発明では、ITO
膜の構造をより緻密にすることによって、この問題を解
決しようとした。
焼結性が充分でなく、多孔質あるいは層状構造であると
考えられる。その証拠として、酸素や水蒸気と相互作用
しやすく、それによって抵抗値が大きく変化する事実が
挙げられる。このような構造が、耐久性の小さい原因と
なっているのは明らかであるため、本発明では、ITO
膜の構造をより緻密にすることによって、この問題を解
決しようとした。
このため、500〜550℃での焼成で緻密な膜を形成
するような化合物で、ITO膜の表面を覆えばよい。こ
のような化合物は、前記の性質だけでなく、光透過率が
よく、ITO層の表面抵抗6ベー。
するような化合物で、ITO膜の表面を覆えばよい。こ
のような化合物は、前記の性質だけでなく、光透過率が
よく、ITO層の表面抵抗6ベー。
に悪影響を及ぼさないことが要求される。
本発明では、この化合物として、酸化スズと酸化亜鉛の
混合物を用いた。
混合物を用いた。
作 用
酸化スズと酸化亜鉛の混合物は、スズ及び亜鉛の化合物
を溶媒に混合して溶解し、この液を基体上に塗布後、大
気中で焼成すると容易に得られる。
を溶媒に混合して溶解し、この液を基体上に塗布後、大
気中で焼成すると容易に得られる。
この際、焼成温度は5o○℃でも充分に強固な薄膜とな
る。生成した膜は、厚みが大きくなると灰黒色に着色す
るが、本発明の目的のために設ける程度の膜厚であれば
、その光透過率に悪影響はない。また、この下に設けで
あるITO透明導電層の導電率にも悪影響は及ぼさない
。
る。生成した膜は、厚みが大きくなると灰黒色に着色す
るが、本発明の目的のために設ける程度の膜厚であれば
、その光透過率に悪影響はない。また、この下に設けで
あるITO透明導電層の導電率にも悪影響は及ぼさない
。
また、スズと亜鉛の混合物溶液の塗布時に、この液がI
TO膜中に浸透すると考えられるので、その緻密化に有
効である。
TO膜中に浸透すると考えられるので、その緻密化に有
効である。
実施例
以下に、実施例を挙げて本発明を説明する。
表1〜表3に示すような組成で各塗布液を調製し、アル
カリ性洗剤で洗浄、純水すすぎを行った6ヘー/ サンプル試片(市販ソーダ石灰ガラス板、30mm×3
0肋、t=1.1喘)に、−まずITO膜形成用塗布液
を300Or、p、m 、 20SeCで、スピンコー
ドする。なおこの塗布液は、すべてスズ濃度が6.6a
t%である。常温〜80℃(溶媒の種類によって適当に
変える)で、乾燥後、500’Cの電気炉中で60分間
加熱した後、王水によるエツチングで段差を設け、膜厚
を測定する。本実施例中で用いた塗布液では、最小の膜
厚が約600Aで、最大の膜厚が約900人であった。
カリ性洗剤で洗浄、純水すすぎを行った6ヘー/ サンプル試片(市販ソーダ石灰ガラス板、30mm×3
0肋、t=1.1喘)に、−まずITO膜形成用塗布液
を300Or、p、m 、 20SeCで、スピンコー
ドする。なおこの塗布液は、すべてスズ濃度が6.6a
t%である。常温〜80℃(溶媒の種類によって適当に
変える)で、乾燥後、500’Cの電気炉中で60分間
加熱した後、王水によるエツチングで段差を設け、膜厚
を測定する。本実施例中で用いた塗布液では、最小の膜
厚が約600Aで、最大の膜厚が約900人であった。
この後、酸化スズと酸化亜鉛の混合物形成用塗布液を、
200Or、p、m 、 20覧でスピンコードする。
200Or、p、m 、 20覧でスピンコードする。
同様に乾燥後、500℃の電気炉中で30分間加熱する
。この層の厚みは、最初にITO膜をエツチングで落と
した部分に形成された膜を、王水でエツチングすること
により段差を設けて測定した。本実施例中で用いた塗布
液では、最小の膜厚が約300人で、最大の膜厚が約6
00人であった0 このようにして得たサンプルに対し、その強度を評価し
た。物理的強度は、荷重5〃のダイヤモンドチップによ
る引掻きで膜が切断する丑での回数で表わした。寸た、
化学的強度は、常温において16%の王水に浸漬した際
の、膜の溶解時間(溶解または剥離によって膜がなくな
るまでの時間)で表わした。
。この層の厚みは、最初にITO膜をエツチングで落と
した部分に形成された膜を、王水でエツチングすること
により段差を設けて測定した。本実施例中で用いた塗布
液では、最小の膜厚が約300人で、最大の膜厚が約6
00人であった0 このようにして得たサンプルに対し、その強度を評価し
た。物理的強度は、荷重5〃のダイヤモンドチップによ
る引掻きで膜が切断する丑での回数で表わした。寸た、
化学的強度は、常温において16%の王水に浸漬した際
の、膜の溶解時間(溶解または剥離によって膜がなくな
るまでの時間)で表わした。
この結果を、表1〜表3に示す。表1は、酸化スズと酸
化亜鉛の混合比が、モル比で2:1となる塗布液を用い
たものであり、表29表3は、それぞれ1:1および1
:2となる塗布液を用いたものである。これらの表から
、本発明のように、ITO膜の上に酸化スズと酸化亜鉛
の混合物薄膜を設ける構造とした透明導電膜(サンプル
流1〜6、@1o−21)は、従来+7)ITO膜一層
構造の透明導電膜(サンプル流7〜9)に比較して、物
理的、化学的強度が大きく向上していることが分る。ま
た、その比抵抗は、従来のものとほとんど変らない。
化亜鉛の混合比が、モル比で2:1となる塗布液を用い
たものであり、表29表3は、それぞれ1:1および1
:2となる塗布液を用いたものである。これらの表から
、本発明のように、ITO膜の上に酸化スズと酸化亜鉛
の混合物薄膜を設ける構造とした透明導電膜(サンプル
流1〜6、@1o−21)は、従来+7)ITO膜一層
構造の透明導電膜(サンプル流7〜9)に比較して、物
理的、化学的強度が大きく向上していることが分る。ま
た、その比抵抗は、従来のものとほとんど変らない。
さらに、同様なザンプルに、耐久性試験として40℃、
90%RHの条件で耐湿試験を施した時の膜抵抗の変化
を図に示す。図中、各曲線の番号は、表1〜3のサンプ
ル扁に同じである。この図からは、本発明のような構造
にすることによって、透明導電膜の耐久性が向」二して
いることか分る。
90%RHの条件で耐湿試験を施した時の膜抵抗の変化
を図に示す。図中、各曲線の番号は、表1〜3のサンプ
ル扁に同じである。この図からは、本発明のような構造
にすることによって、透明導電膜の耐久性が向」二して
いることか分る。
々お、本実施例及び比較例で用いたもの以外のスズ化合
物、亜鉛化合物、及びインジウム化合物でも、適当な溶
媒に溶解し、焼成によって膜の得られるものであれば、
本発明の目的に使用することができる。寸だ、酸化スズ
と酸化亜鉛の混合比は、任意に変えてもよいが、あ捷り
酸化亜鉛の含有量を多くするのは好ましくない。
物、亜鉛化合物、及びインジウム化合物でも、適当な溶
媒に溶解し、焼成によって膜の得られるものであれば、
本発明の目的に使用することができる。寸だ、酸化スズ
と酸化亜鉛の混合比は、任意に変えてもよいが、あ捷り
酸化亜鉛の含有量を多くするのは好ましくない。
(以下摩、白)
12ベーノ
発明の効果
以上のように本発明は、基体上にITO膜を、インジウ
ム化合物の混合溶液の塗布、560℃以下での焼成によ
って設け、この上に酸化スズと酸化亜鉛の混合物薄膜を
、スズ化合物と亜鉛化合物の混合溶液の塗布、650℃
以下での焼成によって設けるものであり、大面積の基体
に耐久性の良い透明導電膜を形成することができる。
ム化合物の混合溶液の塗布、560℃以下での焼成によ
って設け、この上に酸化スズと酸化亜鉛の混合物薄膜を
、スズ化合物と亜鉛化合物の混合溶液の塗布、650℃
以下での焼成によって設けるものであり、大面積の基体
に耐久性の良い透明導電膜を形成することができる。
図は本発明の実施例及び比較例で行った耐湿試験の結果
を示す特性図である。
を示す特性図である。
Claims (3)
- (1)基体上にスズをドープした酸化インジウム膜を設
け、その膜上に酸化スズと酸化亜鉛の混合物からなる膜
を設けたことを特徴とする透明導電膜。 - (2)インジウム化合物とスズ化合物を溶媒に溶解した
液を基体上に塗布し、大気中で焼成してスズをドープし
た酸化インジウム膜を設けた後、この上に、スズ化合物
と亜鉛化合物を溶媒に溶解した液を塗布し、さらに大気
中で焼成して酸化スズと酸化亜鉛の混合物からなる膜を
設けることを特徴とする透明導電膜の形成方法。 - (3)焼成の温度が550℃以下であることを特徴とす
る特許請求の範囲第2項に記載の透明導電膜の形成方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20474185A JPS6264004A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20474185A JPS6264004A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6264004A true JPS6264004A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16495550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20474185A Pending JPS6264004A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 透明導電膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6264004A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01236525A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
JP2016091900A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 旭硝子株式会社 | 積層膜付き基板 |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP20474185A patent/JPS6264004A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01236525A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
JP2016091900A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 旭硝子株式会社 | 積層膜付き基板 |
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