JPS6263465A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6263465A JPS6263465A JP60203844A JP20384485A JPS6263465A JP S6263465 A JPS6263465 A JP S6263465A JP 60203844 A JP60203844 A JP 60203844A JP 20384485 A JP20384485 A JP 20384485A JP S6263465 A JPS6263465 A JP S6263465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- signal line
- noise
- semiconductor integrated
- constant pitch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路において、信号線間のカップリ
ングノイズにより引き起さnてい九回路誤1!h作を防
止する。
ングノイズにより引き起さnてい九回路誤1!h作を防
止する。
従来、半導体集積回路装置1’lPいては、第7図Oよ
うに通常の信号Ii!は、1本のみでおり、また。
うに通常の信号Ii!は、1本のみでおり、また。
差電圧金板っている一対の信号線、例えば、MO8ダイ
ナミックRAM OIObusラインなどは、2本平行
に走っていた。
ナミックRAM OIObusラインなどは、2本平行
に走っていた。
上述したよ5な従来の信号@O走らせ方では、信号線間
に存在するカップリング容量により、隣接する信号線か
らノイズが入ってくる。数10rnVの電圧を処理して
いる回路においては、特にこの種のノイズにより誤動作
が引き起こされるという欠点があり、従来はそのような
信号のそばには自由に他の信号線管おけなかりた。第7
.8図は、その例でおり、信号線1から、信号線2ヘノ
イズが伝わり、信号線2にレベル変動が表われている。
に存在するカップリング容量により、隣接する信号線か
らノイズが入ってくる。数10rnVの電圧を処理して
いる回路においては、特にこの種のノイズにより誤動作
が引き起こされるという欠点があり、従来はそのような
信号のそばには自由に他の信号線管おけなかりた。第7
.8図は、その例でおり、信号線1から、信号線2ヘノ
イズが伝わり、信号線2にレベル変動が表われている。
第9,10図も、その例でおる。差電圧を処理している
信号線1.20パターン形状が対称で、容量3.4が等
しくなっていても、隣接する信号線3との容量が、信号
線1と信号線2で異る几め、カップリングノイズも異り
、対称性がぐずnる几め差電圧としてもノイズが入って
しまい、誤動作の原因となる。
信号線1.20パターン形状が対称で、容量3.4が等
しくなっていても、隣接する信号線3との容量が、信号
線1と信号線2で異る几め、カップリングノイズも異り
、対称性がぐずnる几め差電圧としてもノイズが入って
しまい、誤動作の原因となる。
本発明によれは、
L %定の信号線から発生するノイズ管なくす几めに、
その信号線から、相補形の信号綴金発生させ、その2本
を対称にしくパターン形状、容易値など)かつ、2本管
一定ピッチでツイストさせて走らす。
その信号線から、相補形の信号綴金発生させ、その2本
を対称にしくパターン形状、容易値など)かつ、2本管
一定ピッチでツイストさせて走らす。
2一対の信号線に対して、回路上差電圧を取り扱ってい
る場合について、その2本管対称にしくバター/形状、
容量値など)かつ、一定のピッチでツイストさせて走ら
す。
る場合について、その2本管対称にしくバター/形状、
容量値など)かつ、一定のピッチでツイストさせて走ら
す。
ことを有し、特定の信号線からのカップリングの影響を
他の信号線に与えないことを特徴とする〇〔発明の効果
〕 以上説明した手段により、 1、おる特定の信号から、相補形の信号を発生させ、そ
の両者2本を対称にし、かつ一定のピッチでツイストさ
せて走すことにより隣接信号とのカップリング容量も対
称となり、隣接信号へのノイズは互いに打ち消し合うよ
うになり、隣接信号へのノイズを消す効果が生ずる。
他の信号線に与えないことを特徴とする〇〔発明の効果
〕 以上説明した手段により、 1、おる特定の信号から、相補形の信号を発生させ、そ
の両者2本を対称にし、かつ一定のピッチでツイストさ
せて走すことにより隣接信号とのカップリング容量も対
称となり、隣接信号へのノイズは互いに打ち消し合うよ
うになり、隣接信号へのノイズを消す効果が生ずる。
2 差電圧を取シ扱りている一対の信号線t%完全に対
称とし、かつ一定のピッチでツイストさせて走らすこと
により、隣接信号からのカップリングノイズを等しくで
き、こnにより、差電圧としてノイズの影響を消すこと
ができる。
称とし、かつ一定のピッチでツイストさせて走らすこと
により、隣接信号からのカップリングノイズを等しくで
き、こnにより、差電圧としてノイズの影響を消すこと
ができる。
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1.2図は%信号線1をもとにして、相補的な関係に
るる信号線2,3を作り、こnを一定のピッチでツイス
トさせた例である。容量1と2゜3と4はまったく等し
いため、信号線4へのカップルノイズは、第2図のカッ
プルノイズ1,2のようにまりtく逆相でめ9、相殺さ
n%倍信号4へはノイズが表わ1.ない。また、第3,
4図は、第1図の相補信号発生回路の例である。
るる信号線2,3を作り、こnを一定のピッチでツイス
トさせた例である。容量1と2゜3と4はまったく等し
いため、信号線4へのカップルノイズは、第2図のカッ
プルノイズ1,2のようにまりtく逆相でめ9、相殺さ
n%倍信号4へはノイズが表わ1.ない。また、第3,
4図は、第1図の相補信号発生回路の例である。
第5,6図は、信号線3からのノイズ管cutするため
に、信号線1,2t−ツイストする。容量3.4だけで
なく、容量1,2も等しくなシ、信号線3からのノイズ
も等しくなり、信号線1.2の差電圧はノイズの影響を
受けない。
に、信号線1,2t−ツイストする。容量3.4だけで
なく、容量1,2も等しくなシ、信号線3からのノイズ
も等しくなり、信号線1.2の差電圧はノイズの影響を
受けない。
第1図は、信号線1について、相補関係にめる信号線2
,3を作シ、信号線4へのノイズをなくした実施例であ
る。第2図Fi、第1図のタイミングチャートである。 第3図は、第1図中の相補信号発生回路の構成例でるる
。第4図は、第3図のタイミングチャートである。第5
図は、信号線1゜2t−ツイストさせて、信号線3から
のノイズの影響をなくした実施例でおる。第6図は%第
5図のタイミングチャートである。第7図は、第1図に
対する従来技術を示す図である。第8図は、第7図のタ
イミングチャートである。第9図は、第3図に対する従
来技術を示す図である。第10図は、第9図のタイミン
グチャートである。 ccS 社 1−一 貴 ム%h ギ 5 田 第 6 図 、序 7 図 丼 3 図
,3を作シ、信号線4へのノイズをなくした実施例であ
る。第2図Fi、第1図のタイミングチャートである。 第3図は、第1図中の相補信号発生回路の構成例でるる
。第4図は、第3図のタイミングチャートである。第5
図は、信号線1゜2t−ツイストさせて、信号線3から
のノイズの影響をなくした実施例でおる。第6図は%第
5図のタイミングチャートである。第7図は、第1図に
対する従来技術を示す図である。第8図は、第7図のタ
イミングチャートである。第9図は、第3図に対する従
来技術を示す図である。第10図は、第9図のタイミン
グチャートである。 ccS 社 1−一 貴 ム%h ギ 5 田 第 6 図 、序 7 図 丼 3 図
Claims (2)
- (1)特定の信号から相補形の波形を発生し、前記信号
、後期信号を伝達する信号線において、両者のパターン
形状を対称にし、かつ一定ピッチで交叉させた導体配線
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。 - (2)差電圧を取り扱う一対の信号を伝達する信号線に
おいて、両者のパターン形状を対称にし、かつ一定のピ
ッチで交叉させた導体配線を有することを特徴とする特
許請求の範囲第(1)項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60203844A JPS6263465A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60203844A JPS6263465A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6263465A true JPS6263465A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16480631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60203844A Pending JPS6263465A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6263465A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6281751A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Nec Corp | 半導体メモリ |
JPH02146769A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 配線構造を有する半導体記憶装置 |
US6118708A (en) * | 1998-05-14 | 2000-09-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP60203844A patent/JPS6263465A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6281751A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Nec Corp | 半導体メモリ |
JPH02146769A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 配線構造を有する半導体記憶装置 |
US6118708A (en) * | 1998-05-14 | 2000-09-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device |
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