JPS6263465A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6263465A JPS6263465A JP60203844A JP20384485A JPS6263465A JP S6263465 A JPS6263465 A JP S6263465A JP 60203844 A JP60203844 A JP 60203844A JP 20384485 A JP20384485 A JP 20384485A JP S6263465 A JPS6263465 A JP S6263465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- signal line
- noise
- semiconductor integrated
- constant pitch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路において、信号線間のカップリ
ングノイズにより引き起さｎてい九回路誤１！ｈ作を防
止する。
ングノイズにより引き起さｎてい九回路誤１！ｈ作を防
止する。
従来、半導体集積回路装置１’ｌＰいては、第７図Ｏよ
うに通常の信号Ｉｉ！は、１本のみでおり、また。
うに通常の信号Ｉｉ！は、１本のみでおり、また。
差電圧金板っている一対の信号線、例えば、ＭＯ８ダイ
ナミックＲＡＭ ＯＩＯｂｕｓラインなどは、２本平行
に走っていた。
ナミックＲＡＭ ＯＩＯｂｕｓラインなどは、２本平行
に走っていた。
上述したよ５な従来の信号＠Ｏ走らせ方では、信号線間
に存在するカップリング容量により、隣接する信号線か
らノイズが入ってくる。数１０ｒｎＶの電圧を処理して
いる回路においては、特にこの種のノイズにより誤動作
が引き起こされるという欠点があり、従来はそのような
信号のそばには自由に他の信号線管おけなかりた。第７
．８図は、その例でおり、信号線１から、信号線２ヘノ
イズが伝わり、信号線２にレベル変動が表われている。
に存在するカップリング容量により、隣接する信号線か
らノイズが入ってくる。数１０ｒｎＶの電圧を処理して
いる回路においては、特にこの種のノイズにより誤動作
が引き起こされるという欠点があり、従来はそのような
信号のそばには自由に他の信号線管おけなかりた。第７
．８図は、その例でおり、信号線１から、信号線２ヘノ
イズが伝わり、信号線２にレベル変動が表われている。
第９，１０図も、その例でおる。差電圧を処理している
信号線１．２０パターン形状が対称で、容量３．４が等
しくなっていても、隣接する信号線３との容量が、信号
線１と信号線２で異る几め、カップリングノイズも異り
、対称性がぐずｎる几め差電圧としてもノイズが入って
しまい、誤動作の原因となる。
信号線１．２０パターン形状が対称で、容量３．４が等
しくなっていても、隣接する信号線３との容量が、信号
線１と信号線２で異る几め、カップリングノイズも異り
、対称性がぐずｎる几め差電圧としてもノイズが入って
しまい、誤動作の原因となる。
本発明によれは、
Ｌ ％定の信号線から発生するノイズ管なくす几めに、
その信号線から、相補形の信号綴金発生させ、その２本
を対称にしくパターン形状、容易値など）かつ、２本管
一定ピッチでツイストさせて走らす。
その信号線から、相補形の信号綴金発生させ、その２本
を対称にしくパターン形状、容易値など）かつ、２本管
一定ピッチでツイストさせて走らす。
２一対の信号線に対して、回路上差電圧を取り扱ってい
る場合について、その２本管対称にしくバター／形状、
容量値など）かつ、一定のピッチでツイストさせて走ら
す。
る場合について、その２本管対称にしくバター／形状、
容量値など）かつ、一定のピッチでツイストさせて走ら
す。
ことを有し、特定の信号線からのカップリングの影響を
他の信号線に与えないことを特徴とする〇〔発明の効果
〕 以上説明した手段により、 １、おる特定の信号から、相補形の信号を発生させ、そ
の両者２本を対称にし、かつ一定のピッチでツイストさ
せて走すことにより隣接信号とのカップリング容量も対
称となり、隣接信号へのノイズは互いに打ち消し合うよ
うになり、隣接信号へのノイズを消す効果が生ずる。
他の信号線に与えないことを特徴とする〇〔発明の効果
〕 以上説明した手段により、 １、おる特定の信号から、相補形の信号を発生させ、そ
の両者２本を対称にし、かつ一定のピッチでツイストさ
せて走すことにより隣接信号とのカップリング容量も対
称となり、隣接信号へのノイズは互いに打ち消し合うよ
うになり、隣接信号へのノイズを消す効果が生ずる。
２ 差電圧を取シ扱りている一対の信号線ｔ％完全に対
称とし、かつ一定のピッチでツイストさせて走らすこと
により、隣接信号からのカップリングノイズを等しくで
き、こｎにより、差電圧としてノイズの影響を消すこと
ができる。
称とし、かつ一定のピッチでツイストさせて走らすこと
により、隣接信号からのカップリングノイズを等しくで
き、こｎにより、差電圧としてノイズの影響を消すこと
ができる。
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１．２図は％信号線１をもとにして、相補的な関係に
るる信号線２，３を作り、こｎを一定のピッチでツイス
トさせた例である。容量１と２゜３と４はまったく等し
いため、信号線４へのカップルノイズは、第２図のカッ
プルノイズ１，２のようにまりｔく逆相でめ９、相殺さ
ｎ％倍信号４へはノイズが表わ１．ない。また、第３，
４図は、第１図の相補信号発生回路の例である。
るる信号線２，３を作り、こｎを一定のピッチでツイス
トさせた例である。容量１と２゜３と４はまったく等し
いため、信号線４へのカップルノイズは、第２図のカッ
プルノイズ１，２のようにまりｔく逆相でめ９、相殺さ
ｎ％倍信号４へはノイズが表わ１．ない。また、第３，
４図は、第１図の相補信号発生回路の例である。
第５，６図は、信号線３からのノイズ管ｃｕｔするため
に、信号線１，２ｔ−ツイストする。容量３．４だけで
なく、容量１，２も等しくなシ、信号線３からのノイズ
も等しくなり、信号線１．２の差電圧はノイズの影響を
受けない。
に、信号線１，２ｔ−ツイストする。容量３．４だけで
なく、容量１，２も等しくなシ、信号線３からのノイズ
も等しくなり、信号線１．２の差電圧はノイズの影響を
受けない。
第１図は、信号線１について、相補関係にめる信号線２
，３を作シ、信号線４へのノイズをなくした実施例であ
る。第２図Ｆｉ、第１図のタイミングチャートである。 第３図は、第１図中の相補信号発生回路の構成例でるる
。第４図は、第３図のタイミングチャートである。第５
図は、信号線１゜２ｔ−ツイストさせて、信号線３から
のノイズの影響をなくした実施例でおる。第６図は％第
５図のタイミングチャートである。第７図は、第１図に
対する従来技術を示す図である。第８図は、第７図のタ
イミングチャートである。第９図は、第３図に対する従
来技術を示す図である。第１０図は、第９図のタイミン
グチャートである。 ｃｃＳ 社 １−一 貴 ム％ｈ ギ ５ 田 第 ６ 図 、序 ７ 図 丼 ３ 図
，３を作シ、信号線４へのノイズをなくした実施例であ
る。第２図Ｆｉ、第１図のタイミングチャートである。 第３図は、第１図中の相補信号発生回路の構成例でるる
。第４図は、第３図のタイミングチャートである。第５
図は、信号線１゜２ｔ−ツイストさせて、信号線３から
のノイズの影響をなくした実施例でおる。第６図は％第
５図のタイミングチャートである。第７図は、第１図に
対する従来技術を示す図である。第８図は、第７図のタ
イミングチャートである。第９図は、第３図に対する従
来技術を示す図である。第１０図は、第９図のタイミン
グチャートである。 ｃｃＳ 社 １−一 貴 ム％ｈ ギ ５ 田 第 ６ 図 、序 ７ 図 丼 ３ 図
Claims (2)
- （１）特定の信号から相補形の波形を発生し、前記信号
、後期信号を伝達する信号線において、両者のパターン
形状を対称にし、かつ一定ピッチで交叉させた導体配線
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。 - （２）差電圧を取り扱う一対の信号を伝達する信号線に
おいて、両者のパターン形状を対称にし、かつ一定のピ
ッチで交叉させた導体配線を有することを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203844A JPS6263465A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203844A JPS6263465A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6263465A true JPS6263465A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16480631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60203844A Pending JPS6263465A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6263465A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281751A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Nec Corp | 半導体メモリ |
| JPH02146769A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 配線構造を有する半導体記憶装置 |
| US6118708A (en) * | 1998-05-14 | 2000-09-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP60203844A patent/JPS6263465A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281751A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Nec Corp | 半導体メモリ |
| JPH02146769A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 配線構造を有する半導体記憶装置 |
| US6118708A (en) * | 1998-05-14 | 2000-09-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device |
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