JPS6257276A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
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- JPS6257276A JPS6257276A JP19793885A JP19793885A JPS6257276A JP S6257276 A JPS6257276 A JP S6257276A JP 19793885 A JP19793885 A JP 19793885A JP 19793885 A JP19793885 A JP 19793885A JP S6257276 A JPS6257276 A JP S6257276A
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- Japan
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- semiconductor laser
- active
- al2o3
- laser array
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は複数の半導体レーザを同一基板上に平行に形成
して高出力化した半導体レーザアレイ装置に関する。
して高出力化した半導体レーザアレイ装置に関する。
〈従来技術〉
半導体レーザの出力は、単体では実用性を考慮すると８
０ｍＷ程度が限界である。そこで、複数の半導体レーザ
を同一基板上に平行に並べて高出力化を図る半導体レー
ザアレイの研究が行なわれている。
０ｍＷ程度が限界である。そこで、複数の半導体レーザ
を同一基板上に平行に並べて高出力化を図る半導体レー
ザアレイの研究が行なわれている。
第５図は半導体レーザアレイにおける導波光の位相波形
を示す。複数の半導体レーザを平行に光学的結合をもた
せて並べた場合、各レーザに均一な利得を与えると、各
レーザ光の位相が同位相で同期する状態すなわち０°位
相モードａより位相力月８０°反転する状態ずなわち１
８０°位相モードｂで発振しやすい。これは、１８ｏ°
位相モードの方がＯ°位相モードよりレーザ光の強度分
布が利得分布とよく一致し、発振に要する利得が少なく
てすむためである。
を示す。複数の半導体レーザを平行に光学的結合をもた
せて並べた場合、各レーザに均一な利得を与えると、各
レーザ光の位相が同位相で同期する状態すなわち０°位
相モードａより位相力月８０°反転する状態ずなわち１
８０°位相モードｂで発振しやすい。これは、１８ｏ°
位相モードの方がＯ°位相モードよりレーザ光の強度分
布が利得分布とよく一致し、発振に要する利得が少なく
てすむためである。
〈発明が解決しようとする問題点〉
第６図と第７図Ｇオ１１４４体レーデアレイに才ｉＪる
放射パターンの遠視野像を示す。０層位相モードでは単
峰性のピークであり、この場合、レーザ光をレンズで単
一・のスポットに集光することができる。一方、１８０
層位相モー１では複峰性のピークになり、レンズで単一
のスポットに集光することができず、この場合、光ディ
スク等の光源としては利用できない。したがって、半導
体レーザアレイからの出射光が同位相であることが望ま
れる。
放射パターンの遠視野像を示す。０層位相モードでは単
峰性のピークであり、この場合、レーザ光をレンズで単
一・のスポットに集光することができる。一方、１８０
層位相モー１では複峰性のピークになり、レンズで単一
のスポットに集光することができず、この場合、光ディ
スク等の光源としては利用できない。したがって、半導
体レーザアレイからの出射光が同位相であることが望ま
れる。
〈問題点を解決する為の手段〉
本発明は、複数の光学的に結合した活性導波路を有する
半導体レーザアレイ装置において、上記複数の活性導波
路の出射端面の各々に膜厚が交互に異なる薄膜を形成し
てなることを特徴とする。
半導体レーザアレイ装置において、上記複数の活性導波
路の出射端面の各々に膜厚が交互に異なる薄膜を形成し
てなることを特徴とする。
〈原理〉
本発明では、半導体レーザアレイの出射端面に薄膜を形
成し、１８０層位相モードで導波するレーザ光を同位相
で出射するレーザ光に変換する。
成し、１８０層位相モードで導波するレーザ光を同位相
で出射するレーザ光に変換する。
第２図は複数の活性導波路の出射端面に薄膜を形成した
半導体レーザアレイ装置の模式的な構成を示し、互いに
光学的に結合して平行に並んだ複数の活性導波路４，５
，６，７．８の出射端面９にこの活性！ａｌｌｉ４．
５．・・・、８の各々について膜厚が交互に異なる薄膜
１が形成されている。活性導波路４，５．・・・、８の
各々に均一な利得を与えることにより、１８０層位相モ
ー１ｂのレーザ光が導波する。
半導体レーザアレイ装置の模式的な構成を示し、互いに
光学的に結合して平行に並んだ複数の活性導波路４，５
，６，７．８の出射端面９にこの活性！ａｌｌｉ４．
５．・・・、８の各々について膜厚が交互に異なる薄膜
１が形成されている。活性導波路４，５．・・・、８の
各々に均一な利得を与えることにより、１８０層位相モ
ー１ｂのレーザ光が導波する。
いま、真空中でのレーザ光の波長をλ０、薄膜１の屈折
率をｎ、薄膜１の小さい方の膜厚をｄ、、大きい方の膜
厚をｄ、 十ｄ２とすると、次式を満足する。
率をｎ、薄膜１の小さい方の膜厚をｄ、、大きい方の膜
厚をｄ、 十ｄ２とすると、次式を満足する。
Ｏ
（ただし、ｐ−１＋ ３．５． ・・・）−−−（＋
１これは、１８０層位相モードのレーザ光が薄膜ｌを伝
ｊｕｌｌすることにより、隣接したレーザ光の位相差が
１８０°の奇数倍だけ変化し、薄膜ｌの出射端面１０に
おいて同位相のレーザ光が出射するための条件となる。
１これは、１８０層位相モードのレーザ光が薄膜ｌを伝
ｊｕｌｌすることにより、隣接したレーザ光の位相差が
１８０°の奇数倍だけ変化し、薄膜ｌの出射端面１０に
おいて同位相のレーザ光が出射するための条件となる。
さらに、レーザ光が薄膜１を伝搬して薄膜ｌの膜厚が大
きい方の端面１１と膜厚が小さい方の端面１２でそれぞ
れ反射して端面９に戻ったときに隣接した導波路間のレ
ーザ光の位相差がレーザ光のＷＪ１９１への入射時の位
相差と一致して安定してレーザ発振するための条件は次
式７式％ （ただし、ｑ＝１．２．３・・・） −（２１上述の
式（１）． （２１より、Ｕ＊１の屈折率ｎが満足する
条件は、 ｎ・ （ｑ−ｐ）−ｑ（ただし、ｑ＞ｐ）−・−（３）
となる。
きい方の端面１１と膜厚が小さい方の端面１２でそれぞ
れ反射して端面９に戻ったときに隣接した導波路間のレ
ーザ光の位相差がレーザ光のＷＪ１９１への入射時の位
相差と一致して安定してレーザ発振するための条件は次
式７式％ （ただし、ｑ＝１．２．３・・・） −（２１上述の
式（１）． （２１より、Ｕ＊１の屈折率ｎが満足する
条件は、 ｎ・ （ｑ−ｐ）−ｑ（ただし、ｑ＞ｐ）−・−（３）
となる。
以上の条件を満足するように、薄膜１の屈折率ｎと膜厚
ａｌ、ａ２を設定すると、１８０層位相モードで導波す
るレーザ光を同位相で出射するレーザ光に変換すること
ができる。
ａｌ、ａ２を設定すると、１８０層位相モードで導波す
るレーザ光を同位相で出射するレーザ光に変換すること
ができる。
第３図に示す半導体レーザアレイ装置は、複数の活性導
波路４．５．・・・、８の出射端面９に複数の層からな
る薄膜と単一の層からなる薄膜が活性導波路４，５．・
・・、８の各々について交互に形成されている。薄膜２
は活性導波路４，５．・・・、８の各々について膜厚が
交互に異なり、この薄膜２の活性導波路４，６．８と対
向する端面にさらに薄膜３が形成されている。薄膜２と
薄膜３とは、屈折率が異なる。
波路４．５．・・・、８の出射端面９に複数の層からな
る薄膜と単一の層からなる薄膜が活性導波路４，５．・
・・、８の各々について交互に形成されている。薄膜２
は活性導波路４，５．・・・、８の各々について膜厚が
交互に異なり、この薄膜２の活性導波路４，６．８と対
向する端面にさらに薄膜３が形成されている。薄膜２と
薄膜３とは、屈折率が異なる。
いま、第１層目の薄膜２の屈折率をｎｌ、薄膜２の小さ
い方の膜厚をｄｌ、大きい方の膜厚をｄｉ十ｄ２、第２
層目のＷＩｉ−膜３の屈折率をｎ２、薄膜３の膜厚をｄ
３とする。ただし、２層の薄膜２゜３は、屈折率の差が
比較的小さいものを選ぶ。この場合、１８０層位相モー
ドのレーザ光を薄膜２゜３の出射端面１３において同位
相の出射光とするための条件は、 ＝ｐ−ｎ ・−（４）と
なる。さらに、レーザ光が薄膜２，３を伝搬して薄膜２
，３の端面１４，１５でそれぞれ反射して端面９に戻っ
たときに隣接した導波路間のレーザ光の位相差がレーザ
光の薄膜２への入射時の位相差と一致して安定したレー
ザ発振が行なわれるための条件は、次式で表わされる。
い方の膜厚をｄｌ、大きい方の膜厚をｄｉ十ｄ２、第２
層目のＷＩｉ−膜３の屈折率をｎ２、薄膜３の膜厚をｄ
３とする。ただし、２層の薄膜２゜３は、屈折率の差が
比較的小さいものを選ぶ。この場合、１８０層位相モー
ドのレーザ光を薄膜２゜３の出射端面１３において同位
相の出射光とするための条件は、 ＝ｐ−ｎ ・−（４）と
なる。さらに、レーザ光が薄膜２，３を伝搬して薄膜２
，３の端面１４，１５でそれぞれ反射して端面９に戻っ
たときに隣接した導波路間のレーザ光の位相差がレーザ
光の薄膜２への入射時の位相差と一致して安定したレー
ザ発振が行なわれるための条件は、次式で表わされる。
Ａ Ｃ＋
上述の式（４）、 ｆｆ１ｌから膜厚（１２，（１３は
次の連立方程式を解くことにより求められる。
次の連立方程式を解くことにより求められる。
＝〜 （６）
ｎｌ ・ｄ２ ＋ｎ２− ｄ３ ＝ −−−−−λ０し
たがって、薄膜２，３の屈折率ｎ１ｌｎ２が定まると、
適当な変数ｐ、ｑを定めることにより、膜厚ａ２．ｄ３
が定まる。
たがって、薄膜２，３の屈折率ｎ１ｌｎ２が定まると、
適当な変数ｐ、ｑを定めることにより、膜厚ａ２．ｄ３
が定まる。
一般に、薄膜の層数あるいは各層の膜厚、屈折率が各々
の活性導波路について交互に周期的に異なるような薄膜
を形成することにより、１）１８０”位相モードの導波
光を同位相の出射光に変換する ｉｉ）薄膜を付加しても安定なレーザ発振を行なうの２
つの条件を満足するように薄膜の膜厚を設定すると、１
８０°位相モードで発振するレーザ光を出射端面で同位
相の出射光に変換することができる。
の活性導波路について交互に周期的に異なるような薄膜
を形成することにより、１）１８０”位相モードの導波
光を同位相の出射光に変換する ｉｉ）薄膜を付加しても安定なレーザ発振を行なうの２
つの条件を満足するように薄膜の膜厚を設定すると、１
８０°位相モードで発振するレーザ光を出射端面で同位
相の出射光に変換することができる。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例として、半導体レーザにＶ −
ｃｈａｎｎｅｌｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ １ｎｎｅｒ
５ｔｒｉｐｅ レーザ（ＶＳＩＳレーザ）を適用す
るとともに、導波路の出射端面にＡｌ２Ｏ３と５ｉ０２
からなる薄膜を形成してなる半導体レーザアレイ装置に
ついて説明する。
ｃｈａｎｎｅｌｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ １ｎｎｅｒ
５ｔｒｉｐｅ レーザ（ＶＳＩＳレーザ）を適用す
るとともに、導波路の出射端面にＡｌ２Ｏ３と５ｉ０２
からなる薄膜を形成してなる半導体レーザアレイ装置に
ついて説明する。
第４図は半導体レーザアレイの断面構造を示す。
この半導体レーザアレイの製法は、まず、ｐ−ＧａＡｓ
基板１６上に液相エピタキシャル成長法（１，Ｐ Ｅ法
）などの結晶成長法により、逆極性接合となるｎ−Ｇａ
Ａｓ電流■電流層１止る。次に、フォトリソグラフィと
エツチング技術により、５本の平行ストライプを形成す
る■字形溝１８をそれぞれ電流阻止層１７の表面から基
板１６内へ達する深さまで形成する。この■字形溝１８
を形成することにより、基板１６−１−から電流阻止層
１７の除去された部分が電流の通路となる。
基板１６上に液相エピタキシャル成長法（１，Ｐ Ｅ法
）などの結晶成長法により、逆極性接合となるｎ−Ｇａ
Ａｓ電流■電流層１止る。次に、フォトリソグラフィと
エツチング技術により、５本の平行ストライプを形成す
る■字形溝１８をそれぞれ電流阻止層１７の表面から基
板１６内へ達する深さまで形成する。この■字形溝１８
を形成することにより、基板１６−１−から電流阻止層
１７の除去された部分が電流の通路となる。
再びＬＰＥ法を用いて、電流阻１に１層１７および満１
８の上にｐ−Ａ Ｉ ｘＧａ（ −ｘＡｓクラッド層１
９、ｐまたはｎ−ＡＩｙＧａ＋ −ｙＡｓ活性層２０、
ｎ−Ａ Ｉ ｘＧａｌ−ＸＡＳクラッドｆｆ１２１を順
次成長させ、ダブルへテロ接合を介した活性層２０を得
る。なお、ｘ＞ｙである。さらに、この上にｎ”ＧａＡ
ｓキャンプ層２２を連続的に成長させて、レーザ動作用
の多層結晶構造を構成し、基板１６側にｐ形抵抗性電極
２３を形成し、成長層側すなわちキャンプ層２２」二に
ｎ形抵抗性電極２４を形成した後、共振器長が２００〜
３００μｍとなるように、レーザ面ミラーをストライプ
と直角方向にへき開法で形成する。
８の上にｐ−Ａ Ｉ ｘＧａ（ −ｘＡｓクラッド層１
９、ｐまたはｎ−ＡＩｙＧａ＋ −ｙＡｓ活性層２０、
ｎ−Ａ Ｉ ｘＧａｌ−ＸＡＳクラッドｆｆ１２１を順
次成長させ、ダブルへテロ接合を介した活性層２０を得
る。なお、ｘ＞ｙである。さらに、この上にｎ”ＧａＡ
ｓキャンプ層２２を連続的に成長させて、レーザ動作用
の多層結晶構造を構成し、基板１６側にｐ形抵抗性電極
２３を形成し、成長層側すなわちキャンプ層２２」二に
ｎ形抵抗性電極２４を形成した後、共振器長が２００〜
３００μｍとなるように、レーザ面ミラーをストライプ
と直角方向にへき開法で形成する。
上述の方法で製作した半導体レーザアレイからなる共振
器の両端面に、まず、Ａｌ２Ｏ３の薄膜をこの半導体レ
ーザアレイの発振波長λｅの半波長に等しい厚さくｄ＋
＝０．３４λｅ）に形成した。なお、この半導体レー
ザアレイの発振波長λｅは７８０ｎｍであり、このとき
のＡｌ２Ｏ３の屈折率ｎ１は１．７６である。そして、
このＡｌ２Ｏ３の薄膜を形成した共振器をＣｕブロック
上にマウントし、共振器に電流注入を行なってレーザ発
振させ、このときの放射パターンの遠視野像を観察する
と、出力が１５０ｍＷ付近まで第７図に示す複峰性のパ
ターンをもつ１８０°位相モードによる単一モード発振
が得られた。
器の両端面に、まず、Ａｌ２Ｏ３の薄膜をこの半導体レ
ーザアレイの発振波長λｅの半波長に等しい厚さくｄ＋
＝０．３４λｅ）に形成した。なお、この半導体レー
ザアレイの発振波長λｅは７８０ｎｍであり、このとき
のＡｌ２Ｏ３の屈折率ｎ１は１．７６である。そして、
このＡｌ２Ｏ３の薄膜を形成した共振器をＣｕブロック
上にマウントし、共振器に電流注入を行なってレーザ発
振させ、このときの放射パターンの遠視野像を観察する
と、出力が１５０ｍＷ付近まで第７図に示す複峰性のパ
ターンをもつ１８０°位相モードによる単一モード発振
が得られた。
第１図は半導体レーザアレイ装置の斜視構造を示す。上
述のように半導体レーザアレイからなる共振器０の端面
に形成したＡｌ２Ｏ３の薄膜２ａの上の共振器０の５本
のレーザストライプ４，５。
述のように半導体レーザアレイからなる共振器０の端面
に形成したＡｌ２Ｏ３の薄膜２ａの上の共振器０の５本
のレーザストライプ４，５。
６、７．８の中の両端と中央のレーザストライプ４、６
．８の活性層２０とクラッド層１９．２１に対向する部
分に、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストの窓開
げを行なった。次に、−に述の薄膜の膜厚を決定する式
（６１，＋７１にレーザアレイの発振波長λｅが７８０
ｎｍのときのＡｌ２Ｏ３の屈折率ｒｚ ＝１．７６と５
１０２の屈折率ｎ２＝１．４５を代入して、Ａｌ２Ｏ３
の薄膜２ｂの膜厚ｄ２と５ｉ０２の薄膜３の膜厚ｄ３を
求めると、変数ｐ＝１．ｑ＝３のとき、 ｄ２＝ｏ、＋ｅλｅ、 ｄ３＝ｏ、８４λｅとなる
。Ａｌ２Ｏ３と５ｉ０２の膜厚をこのように設定して、
レジスｌ−面−１二にＡｌ２Ｏ３と５ｉ０２の薄膜を順
次に形成した。そして、不用な部分の薄膜をアセトンで
除去した。この結果、第１図に示すように、Ａｌ２Ｏ３
の薄膜２ａの上にＡｌ２Ｏ３の薄膜２ｂと５ｉ０２の薄
膜３からなる２層の薄膜が活性導波路４，６．８に対向
する部分に形成され、活性導波路４，５．６，７．８の
出射端面に薄Ｍ＊２ａだけの単一層とＦＪＩＩ！２ａ、
２ｂと薄膜３からなる複数層の薄膜が交互に周期的に形
成された構造になる。
．８の活性層２０とクラッド層１９．２１に対向する部
分に、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストの窓開
げを行なった。次に、−に述の薄膜の膜厚を決定する式
（６１，＋７１にレーザアレイの発振波長λｅが７８０
ｎｍのときのＡｌ２Ｏ３の屈折率ｒｚ ＝１．７６と５
１０２の屈折率ｎ２＝１．４５を代入して、Ａｌ２Ｏ３
の薄膜２ｂの膜厚ｄ２と５ｉ０２の薄膜３の膜厚ｄ３を
求めると、変数ｐ＝１．ｑ＝３のとき、 ｄ２＝ｏ、＋ｅλｅ、 ｄ３＝ｏ、８４λｅとなる
。Ａｌ２Ｏ３と５ｉ０２の膜厚をこのように設定して、
レジスｌ−面−１二にＡｌ２Ｏ３と５ｉ０２の薄膜を順
次に形成した。そして、不用な部分の薄膜をアセトンで
除去した。この結果、第１図に示すように、Ａｌ２Ｏ３
の薄膜２ａの上にＡｌ２Ｏ３の薄膜２ｂと５ｉ０２の薄
膜３からなる２層の薄膜が活性導波路４，６．８に対向
する部分に形成され、活性導波路４，５．６，７．８の
出射端面に薄Ｍ＊２ａだけの単一層とＦＪＩＩ！２ａ、
２ｂと薄膜３からなる複数層の薄膜が交互に周期的に形
成された構造になる。
上述のようにして構成した半導体レーザアレイ装置をＣ
ｕブロック上にマウントし、共振器０に電流注入を行な
ってレーザ発振を起こすと、放射パターンの遠視野像が
第６図に示ず単峰性ピークをもつ小−モード発振が出力
１５０ｍＷ付近まで得られた。このように、レーザアレ
イで導波するレーザ光が薄膜の出射端面で同位相で出射
するレーザ光に変換され、しかも、安定なレーザ発振が
可能になる。
ｕブロック上にマウントし、共振器０に電流注入を行な
ってレーザ発振を起こすと、放射パターンの遠視野像が
第６図に示ず単峰性ピークをもつ小−モード発振が出力
１５０ｍＷ付近まで得られた。このように、レーザアレ
イで導波するレーザ光が薄膜の出射端面で同位相で出射
するレーザ光に変換され、しかも、安定なレーザ発振が
可能になる。
なお、この実施例では、半導体レーザアレイの出射端面
に形成する薄膜としてＡｌ２Ｏ３と５ｉ０２を用いると
ともに、半導体レーザアレイの材料としてＧａＡｓ−Ｇ
ａＡｌＡｓ系を用いたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、薄膜として′Ｉ’ｉ０２やその他の材料お
よび半導体レーザアレイとしてＩｎＰ−ｒｎＧａＡｓＰ
系やその伯の種々の材料を用いてもよいことはいうまで
もない。
に形成する薄膜としてＡｌ２Ｏ３と５ｉ０２を用いると
ともに、半導体レーザアレイの材料としてＧａＡｓ−Ｇ
ａＡｌＡｓ系を用いたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、薄膜として′Ｉ’ｉ０２やその他の材料お
よび半導体レーザアレイとしてＩｎＰ−ｒｎＧａＡｓＰ
系やその伯の種々の材料を用いてもよいことはいうまで
もない。
さらに、半導体レーザアレイのストライプ構造は、ＶＳ
ＴＳ構造以外に他の内部ストライプ構造やその他の素子
構造のものを適用することもできる。
ＴＳ構造以外に他の内部ストライプ構造やその他の素子
構造のものを適用することもできる。
〈効果〉
以上説明したように、本発明においては、複数の活性導
波路の出射端面に膜厚が交互に異なる薄膜を形成したこ
とにより、１８０°位相モードの導波光を同位相で出射
するレーザ光に変換して単峰性の遠視野像をもつ放射パ
ターンで高出力まで安定した単一モード発振が可能とな
る。
波路の出射端面に膜厚が交互に異なる薄膜を形成したこ
とにより、１８０°位相モードの導波光を同位相で出射
するレーザ光に変換して単峰性の遠視野像をもつ放射パ
ターンで高出力まで安定した単一モード発振が可能とな
る。
第１図は本発明実施例の半導体レーザアレイ装置の模式
的な斜視構造を示す図、第２図と第３図は本発明実施例
の模式的な平面構成を示す図、第４図は本発明実施例の
半導体レーザアレイの模式的な断面構造を示す図、第５
図は半導体レーザアレイの導波光の位相波形を示す図、
第６図と第７図は半導体レーザアレイの放射パターンの
遠視野像を示すグラフである。 １．２．２ａ、２ｂ、３・＝薄膜 ４、 ５． ６． ７． ８・・・活性導波路９・・・
出射端面 １１．１２，１４．１５・・・端面 第１図 第２図 第３図 第６図
的な斜視構造を示す図、第２図と第３図は本発明実施例
の模式的な平面構成を示す図、第４図は本発明実施例の
半導体レーザアレイの模式的な断面構造を示す図、第５
図は半導体レーザアレイの導波光の位相波形を示す図、
第６図と第７図は半導体レーザアレイの放射パターンの
遠視野像を示すグラフである。 １．２．２ａ、２ｂ、３・＝薄膜 ４、 ５． ６． ７． ８・・・活性導波路９・・・
出射端面 １１．１２，１４．１５・・・端面 第１図 第２図 第３図 第６図
Claims (3)
- （１）複数の光学的に結合した活性導波路を有する半導
体レーザアレイ装置において、上記複数の活性導波路の
出射端面の各々に膜厚が交互に異なる薄膜を形成してな
ることを特徴とする半導体レーザアレイ装置。 - （２）上記複数の活性導波路の出射端面の各々について
上記薄膜は層数と屈折率が交互に異なる特許請求の範囲
第１項記載の半導体レーザアレイ装置。 - （３）隣接した上記活性導波路から出射するレーザ光の
位相差が１８０°変化し上記薄膜の端面で反射したレー
ザ光が上記活性導波路に戻るときに隣接した上記活性導
波路間のレーザ光の位相差がレーザ光の上記薄膜への入
射時の位相差と一致する特許請求の範囲第１項および第
２項記載の半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19793885A JPS6257276A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19793885A JPS6257276A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6257276A true JPS6257276A (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16382790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19793885A Pending JPS6257276A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6257276A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62147790A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-01 | Hitachi Ltd | フエ−ズロツクアレ−半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP19793885A patent/JPS6257276A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62147790A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-01 | Hitachi Ltd | フエ−ズロツクアレ−半導体レ−ザ |
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