JPS6256791B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6256791B2
JPS6256791B2 JP58084979A JP8497983A JPS6256791B2 JP S6256791 B2 JPS6256791 B2 JP S6256791B2 JP 58084979 A JP58084979 A JP 58084979A JP 8497983 A JP8497983 A JP 8497983A JP S6256791 B2 JPS6256791 B2 JP S6256791B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
dust
introduction duct
cyclone
exhaust pipe
Prior art date
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Expired
Application number
JP58084979A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59213460A (ja
Inventor
Yoriaki Inoe
Eiichi Sonoda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
Priority to JP8497983A priority Critical patent/JPS59213460A/ja
Publication of JPS59213460A publication Critical patent/JPS59213460A/ja
Publication of JPS6256791B2 publication Critical patent/JPS6256791B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B04CENTRIFUGAL APPARATUS OR MACHINES FOR CARRYING-OUT PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES
    • B04CAPPARATUS USING FREE VORTEX FLOW, e.g. CYCLONES
    • B04C5/00Apparatus in which the axial direction of the vortex is reversed
    • B04C5/02Construction of inlets by which the vortex flow is generated, e.g. tangential admission, the fluid flow being forced to follow a downward path by spirally wound bulkheads, or with slightly downwardly-directed tangential admission
    • B04C5/04Tangential inlets

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Cyclones (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、圧力損失が低く、ダストの堆積やコ
ーテイングがなく、排出されるガス中のダスト濃
度が低い、すなわち分離効率のよい竪型のサイク
ロンに関するものである。
竪型のサイクロンは遠心力を利用してガス中の
ダストを分離、捕集するもので、セメント原料予
熱装置等に多く用いられ、概略第1図および第2
図に示すような構造をしている。
すなわち、従来のサイクロン1では、円筒部2
と、その下端部に連続する逆円錐ホツパ3とを有
し、円筒部2の上部にはガス導入ダクト4が接線
状に、かつ水平に設けられている。また、円筒部
2の上面2aにはガス排出管5が、逆円錐ホツパ
3の下端にはサイクロンで捕集されたダストのダ
スト排出管6が、それぞれ設けられている。これ
ら、ガス排出管5、円筒部2、逆円錐ホツパ3、
ダスト排出管6は、サイクロンの中心軸O,
O′に同心円状に配設されている。
このような構造のもとに、ガス導入ダクト4か
ら供給されるダストを含んだガスが、円筒部2と
ガス排出管5との間に形成される空間部9内に流
入し、この部分に旋回流が生じる。
この旋回流が逆円錐ホツパ3に沿つて旋回半径
を小さくしつつ下降しながら、ガスとダストの分
離が行われる。
ガスは逆円錐ホツパ3の下端部近傍において、
上方に向かつて方向転換し、旋回流の中心を通つ
てガス排出管5へ導かれる。
この間、旋回流による遠心力によつて円筒部2
および逆円錐ホツパ3の内壁面に分離移動したダ
ストは、上記内壁面に沿つて重力により降下し、
ダスト排出管6から排出される。
このような構造を採用すると、とくにセメント
原料予熱装置に使用されるサイクロンでは、ガス
中に含まれるダストの濃度が高く、ガス導入ダク
ト4が円筒部2に、水平に連結されているので、
ガス導入ダクト4の連結部の底面4aにダストが
堆積し、このため、この部分のガス導入ダクト4
の断面積が狭小となつて、ここを通過するガス流
速が増大し、これがために圧力損失が増加すると
ともに、サイクロンに導入されるガスの流れに乱
れが生じる。
この乱れたガス流の中にガス導入ダクトの底面
に堆積した多量のダストが同伴され、そのまま、
この含塵ガスがガス排出管5にシヨートパスし、
排ガス中のダストの濃度を増加させる原因とな
る。
また、ガス導入ダクト4から水平に導入された
含塵ガスは、前述したように、旋回しつつガスと
ダストに分離されるが、この流入角度が水平であ
るために、ガスおよびダストの旋回下降する角度
は小さくなる。
したがつて、サイクロン内でのガスおよびダス
トの旋回数が多くなり、ガスの下降流と上昇流と
の摩擦抵抗が増大する。その結果、圧力損失が増
加するとともに、ダストの降下時間が長くなり、
必然的にサイクロン内部に保持されるダスト量が
増加する。その結果、ガス排出管5から同伴され
るダスト量も増加して、サイクロンの分離効率が
低下する。
さらに、ガス導入ダクト4は円筒部2に水平に
接続されているため、この接続部近傍、すなわ
ち、第1図の符号2bで示す部分は、流入するガ
スとサイクロン内部における旋回ガスとが、ほぼ
直交するようにして衝突・合流する。このため圧
力損失が増加するとともに、この部分のガス流が
乱れ、前述したことと同様な含塵ガスのシヨート
パスによつて排ガス中のダスト濃度が増大する。
また、円筒部2と、ガス排出管5との間に形成
される空間部9は、ガス排出管5に対して円筒部
2の後半は、同心円上に設けられているので、空
間部9の軸方向断面積に大きな差はなく、したが
つて、この空間部を旋回するガス速度はほぼ等し
くなり、軸方向への分速度が与えられにくい。
その結果、ガスおよびダストの旋回数が多くな
り、前述と同様に圧力損失が高く、分離効率も悪
い。
本発明は以上のような従来の欠点を除去するた
めになされたものであり、圧力損失が小さく、ダ
ストの堆積やコーテイングが生じず、排ガス中の
ダスト濃度の少ないサイクロンを提供することを
目的としたものである。
第3図および第4図は、本発明の実施例を説明
するものである。各図中、第1図、第2図と同一
部分には同一符号を付し、その説明は詳略する。
本実施例において、円筒部2はサイクロンの軸
心O,O′と同心円状の円筒部20と、渦巻状の
円筒部21からなつている。
この渦巻状の円筒部21は、サイクロンの軸心
O,O′と同一軸心ではなく、第3図、第4図か
らも明らかなように、ガス導入ダクト4が外側に
渦巻状に張出した張出し部7で接線状に接してお
り、この張出し部7から次第に半径が短くなるよ
うに縮小し、渦巻状の円筒部21の終端部8へと
連続している。
ガス排出管5には、その下部に第3図および第
4図に示すような膨出部5aを設けている。この
膨出部5aの仮想直径は、ガス排出管5の直径と
同等もしくは、それ以上の直径で、ガス排出管5
の側壁に膨出させ、その周壁を円滑に接続してい
る。
この膨出部5aは、ガス導入ダクト4の上面4
bと円筒部2の上面2aとが合一する面(第3図
においてO―Xの位置:XOX′はガス導入ダクト
に平行な軸線)から下流側、望ましくはY′OX′の
間(YOY′はXOX′に直交)に、その最大突出部
を配設する。
ガス導入ダクト4は長方形状で、第4図に示す
ように、サイクロン円筒部2に向つて水平面より
もθ角度だけ下方に傾斜しており、かつ、このガ
ス導入ダクト4の傾斜部分の範囲は、第3図にお
いてサイクロンの全円周の4分の1以上にわた
り、その上面4bの終端を円筒部の上面2aの
OX線上で合一させている。
本発明は以上のように構成されているので、ダ
ストを含んだガスは、下向きに傾斜した長方形状
のガス導入ダクトに沿つてサイクロン内に導かれ
円筒部2とガス排出管5との間に形成される空間
部9に流入し、この空間部9内を流れる含塵ガス
流に強制的に下向きの分速度を与える。
また、傾斜したガス導入ダクト4は、その終端
が渦巻状の円筒部21の上面2aと合一するまで
は、ガス導入ダクト4の上部がダクトの内側壁に
よつて、サイクロン内部と隔絶されるため、ガス
導入ダクト内の含塵ガス流は、ガス排出管5にシ
ヨートパスすることもなく、サイクロン内のガス
流からも影響を受けることが少ない。
さらに、渦巻状の円筒部21の側壁は、その半
径が次第に小さくなり、また、排出管5は膨出部
5aをそなえているので、円筒部2の周壁と排出
管5の側壁で形成される空間部9の含塵ガスの流
路は次第に狭小となり、含塵ガスは、排出管5の
挿入されていない、より抵抗の少ない逆円錐ホツ
パ3の方向へ流れる。
このため、ガスよりも質量の重いダストは、旋
回による遠心力によつて円筒部周壁に押しつけら
れると同時に、強制的に下方への降下を促進さ
れ、ガスとダストは速やかに分離され、逆円錐ホ
ツパ3の下部に降下してきたダストは、速やかに
ダスト排出管6から排出され、逆円錐ホツパ3の
下部でのダストの再飛散も、より一層少くなる。
さらに、ガス排出管5と渦巻状の円筒部21で
形成される空間部9を流れる含塵ガス流は、とく
に、その内側流においてガス排出管5の膨出部5
aの側壁により、渦巻状の円筒部21の周壁に押
しやられる作用を受ける。
その結果、質量の重いダストは、より一層、円
筒部21の周壁への移動を助長される。
また、ダストを分離した清浄なガスは、排出管
5の周壁をおおう形となつて、ガス排出管5の周
辺のダストが、ガス排出管から逸出するのを防止
する効果を示し、このため、ガス排出管5からは
非常にダスト濃度の低いガスが排出される。
一方、空間部9内の含塵ガス流は、前述したよ
うに旋回を続けながらダストを分離し、清浄なガ
スは、逆円錐ホツパ3の下端部近傍において上方
に方向転換し、旋回流の中心を通つてガス排出管
5から排出されるが、旋回下降するガスは傾斜し
たガス導入ダクト4と、次第に狭小化された空間
部9とにより下向きの分速度を与えられるので、
旋回数が少ない。したがつて、旋回下降するガス
流と、旋回上昇するガス流との摩擦も少くなり、
これによる圧力損失も低下する。
また、空間部9を旋回するガス流は、ガス導入
ダクト4が傾斜し、かつ、渦巻状の円筒部21の
旋回半径が次第に小さくなつているので、渦巻状
の円筒部21の終端部近傍2bにおいて、ガス導
入ダクト4から流入する含塵ガス流と、渦巻状の
円筒部21内の旋回流とのほぼ直交するような衝
突、合流の割合が減少する。
逆円錐ホツパ3の下端部近傍において方向転換
した上昇ガス流は、ガス排出管5を通つて排出さ
れるが、前述したように、ガス排出管5の下部は
膨出部5aをそなえた拡大された排ガス通路断面
を有しているだけでなく、その断面形状が、だ円
形状または鶏卵形状であるので、この部分を通過
する排ガスは旋回力を弱められ、これによつて圧
力損失を低下させることができる。
第5図a,bは本発明の実施例による集塵効率
および圧力損失を混合比に対して示したものであ
る。
本発明の実施例の結果を実線で表わし、従来型
サイクロンによる結果を破線で表わしている。
この比較において、本実施例のものの効果は従
来のものより優れていることが明白である。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、長方形状のガス導入ダクトを円筒部に向かつ
て低くなるように傾斜させ、ガス導入ダクトの上
面が円筒部の上面よりも高い位置にあるようにし
て、長方形状のガス導入ダクトを円筒部の上面に
傾斜漸近して合一するようにし、かつ、円筒部の
一部を渦巻状にし、ガス排出管の下部に、その開
口面が、だ円形状または鶏卵形状の膨出部を設
け、円筒部の周壁と、ガス排出管の周壁との間に
形成される空間部を次第に狭小化させて、サイク
ロン内のガス流に下向きの分速度を強制的に与え
ることによつて、圧力損失が低く、分離効率の高
い、優れたサイクロンを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の構造を示す平面図、第2図は第
1図の正面図、第3図は本発明の実施例の構造を
示す平面図、第4図は第3図の正面図、第5図
a,bは本発明の実施例のサイクロンと従来型サ
イクロンとの実験結果を示すものであり、aは集
塵(分離)効率を混合比に対して示した線図、b
は圧力損失を混合比に対して示した線図である。 1はサイクロン、2は円筒部、2aは円筒部の
上面、2bはガス導入ダクトと円筒状の胴体との
接続部近傍におけるガスの合流部、20は同心円
状の円筒部、21は渦巻状の円筒部、3は逆円錐
ホツパ、4はガス導入ダクト、4aはガス導入ダ
クトの底面、4bはガス導入ダクトの上面、5は
ガス排出管、5aはガス排出管下部の膨出部、6
はダスト排出管、7はガス導入ダクトが渦巻状に
張出した張出し部、8は渦巻状の胴体の終端部、
9はガス排出管と円筒状の胴体とで形成される空
間部である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 下部に逆円錐ホツパ、さらに逆円錐ホツパの
    下端部にダスト排出管を形成し、逆円錐ホツパの
    上端部に連続して円筒状の胴体を配設し、この円
    筒状の胴体に接線方向または円周方向から含塵ガ
    スを導入するガス導入ダクトを設け、円筒状の胴
    体の上蓋部に清浄ガスを排出するガス排出管を設
    けたサイクロンにおいて、ガス導入ダクトを円筒
    部に向かつて低くなるように傾斜させ、かつ、上
    記傾斜したガス導入ダクトの上面が円筒部上面よ
    り高い位置にあるようにし、ガス導入ダクトを円
    筒部上面に傾斜漸近させて設け、このガス導入ダ
    クトと接続される渦巻状にした胴体の終端部を、
    ガス導入ダクトの内側壁部においてサイクロン胴
    体の真円径の内部寄りに設け、前記ガス排出管の
    下部側壁に、ガス排出管の直径と同等、もしく
    は、それ以上の直径の円筒部分を円滑に接続し
    て、ガス排出管の下部の水平断面形状を、だ円形
    状または鶏卵形状となるようにしたことを特徴と
    するサイクロン。
JP8497983A 1983-05-17 1983-05-17 サイクロン Granted JPS59213460A (ja)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4801989A (en) * 1986-02-20 1989-01-31 Fujitsu Limited Dynamic random access memory having trench capacitor with polysilicon lined lower electrode
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JPS53143078A (en) * 1977-05-18 1978-12-13 Nippon Pneumatic Mfg Classifier by wind

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