JPS625608A - Voltage depending non-linear resistor ceramic composition - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気から半導体及び回路を保護するところの （ＣａｚＳｒｌ−ｘ）ｙＴｉ０３ （（０，００１−ｘ）ｙＴｉＯ３〔（０．００１≦ｘ≦
０．４）、（０．９６≦ｙ＜１．００）　）　。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention is directed to (CazSrl-x)yTi03 ((0,001 -x)yTiO3 [(0.001≦x≦
0.4), (0.96≦y<1.00)).

（ＢａａＳｒ１＠、　）１）Ｔｉ０３ 〔（○、Ｏ○１≦ａ≦０．４）、（０．９６≦ｂ＜１．
００）　）　。(BaaSr1@, )1) Ti03 [(○, O○1≦a≦0.4), (0.96≦b<1.
00) ).

（ＭｇＣ３ｒ＋　−ｃ　）ｄ’ｒｉ、ｏ３（（０，００
１≦ｃ≦０．４）、（０．９５≦ｄ＜１．００）　）の
うち少なくとも１種類以上を主成分とする電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物に関するものである。(MgC3r+ -c)d'ri, o3((0,00
The present invention relates to a voltage-dependent nonlinear resistor ceramic composition containing at least one of the following as a main component: 1≦c≦0.4) and (0.95≦d<1.00).

従来の技術 従来、各種電気機器、電子機器における異常高電圧の吸
収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために、電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタやＺｎ
Ｏ系バリスタなどが使用されていた。このようなバリス
タの電圧−電流特性は近似的に次式のように表わすこと
ができる。Conventional technology Traditionally, SiC varistors and Zn varistors with voltage-dependent nonlinear resistance characteristics have been used to absorb abnormally high voltages, remove noise, eliminate sparks, and counter static electricity in various electrical and electronic devices.
O-type varistors were used. The voltage-current characteristics of such a varistor can be approximately expressed as follows.

Ｉ−（ｖ／Ｃ）（Ｏｌ ここで、工は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。I-(v/C)(Ol Here, engineering is current, ■ is voltage, C is a constant specific to the varistor, and α is a voltage nonlinear index.

ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが６Ｑにもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く固有の静電容量が小さいため、バリスタ
電圧以下の低い電圧や周波数の高いもの（例えばノイズ
など）の吸収に対してはほとんど効果を示さず、棟だ誘
電損失−δが５〜１０チと大きい。The α of SiC varistors is about 2 to 7, and the α of some ZnO-based varistors is as high as 6Q. Although such varistors have excellent performance in absorbing relatively high voltages, their low dielectric constant and small inherent capacitance prevent them from absorbing low voltages below the varistor voltage or high frequencies (e.g. noise etc.), and the dielectric loss -δ is as large as 5 to 10 inches.

一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見掛けの
誘電率が５　Ｘ　１０’程度で−δが１％前後の半導体
コンデンサが利用されている。しかし、このような半導
体コンデンサはサージなどによシある限度以上の電圧、
電流が印加されると破壊したり、コンデンサとしての機
能を果たさなくなったりする。そこで近年、５ｒＴｉ０
３−を主成分とし、バリスタ特性とコンデンサ特性の両
方の機能を有するものが開発されているが、バリスタ電
圧が低く、αが大きく、誘電率が大きく、サージ耐量が
大きいといった必要とされるすべての特性を満足するも
のは未だ得られていない。On the other hand, semiconductor capacitors with an apparent dielectric constant of about 5 x 10' and -δ of about 1% are used to remove these low voltage noises. However, such semiconductor capacitors are susceptible to voltages exceeding a certain limit due to surges, etc.
If a current is applied to the capacitor, it may be destroyed or no longer function as a capacitor. Therefore, in recent years, 5rTi0
3- has been developed as a main component and has both varistor and capacitor characteristics, but it has all the required features such as low varistor voltage, large α, large dielectric constant, and large surge resistance. A product that satisfies these characteristics has not yet been obtained.

発明が解決しようとする問題点 このようなことから、半導体及び回路をノイズ。The problem that the invention aims to solve This causes noise in semiconductors and circuits.

静電気から保護するだめにはバリスタ電圧が低く、α、
誘電率、サージ耐量が大きく、ノイズ減衰特性の優れた
素子が必要である。The varistor voltage is low to protect against static electricity, α,
Elements with high dielectric constant, high surge resistance, and excellent noise attenuation characteristics are required.

本発明はこのような必要とする特性すべてを同時に満足
させる磁器組成物を提供しようとするものである。The present invention seeks to provide a porcelain composition that simultaneously satisfies all of these required properties.

問題点を解決するだめの手段 上記の問題点を解決するために本発明では、（Ｃａ）（
Ｓｒ１−ｘ）ｙＴｉ０３ （（ｏ、ｏｏ１−ｘ）ｙＴｉＯ３〔（０．００１≦ｘ≦
０．４　）　、　（０．９６≦ｙ＜１．００）〕、（Ｂ
ａａＳｒ１，ｏＯ））。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, in the present invention, (Ca)(
Sr1-x)yTi03 ((o,oo1-x)yTiO3 [(0.001≦x≦
0.4), (0.96≦y<1.00)], (B
aaSr1,oO)).

（ＢａｚＳｒｌｌ　）　１）’Ｉ’ｉ０５〔（０，００
１≦ａ≦０．４）、（０．９６≦ｂ＜１．００））。(BazSrll) 1)'I'i05 [(0,00
1≦a≦0.4), (0.96≦b<1.00)).

（ＭｇＣ３ｒ＋−ｃ）ｄＴｉｏｓ （（０，ｏｏ１≦ｃ≦０．４）、（０．９６≦ｄ＜１．
００））のうち少なくとも１種類以上を主成分とし、Ｓ
ｃ　、　Ｙ　、　Ｌａ　、　Ｃｅ　、　Ｐｒ　、　Ｎｄ
　、　Ｐｍ　、　Ｓｍ　、　Ｅｕ　、　Ｇｄ　、　Ｔｂ
　。(MgC3r+-c)dTios ((0,oo1≦c≦0.4), (0.96≦d<1.
00)) as a main component, and S
c, Y, La, Ce, Pr, Nd
, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb
.

Ｄｙ　、　Ｈｏ　、　Ｅｒ　、　Ｔｍ　、　Ｙｂ　、　
Ｌｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｗノア　ッ化物を少な
くとも１種類以上を０．００１〜１０．Ｑ○○ｍｏｄ％
添加してなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物、さら
に上記の組成にＳｉＯ２をｏ、　ｏｏ　１〜１ｏ、　ｏ
ｏｏ　ｍｏｌｓ添加してなる電圧依存性非直線抵抗体磁
器組成物、さらにその上にＦｅ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、Ｎ
ｉＯ、ＭｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ３。Dy, Ho, Er, Tm, Yb,
At least one kind of Lu, Nb, Ta, W no-a-dide is added in an amount of 0.001 to 10. Q○○mod%
A voltage-dependent nonlinear resistor ceramic composition obtained by adding SiO2 to the above composition, o, oo 1 to 1o, o
Voltage-dependent non-linear resistor ceramic composition made by adding oo mols, furthermore Fe2O3, Co2O3, N
iO, MnO2, Cr2O3.

Ａｇ２Ｏ、ＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＢｅＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ
２Ｏ、ＺｒＯ２、ＰｂＯ。Ag2O, CuO, MoO3, BeO, Li2O, Na
2O, ZrO2, PbO.

ＺｎＯ、Ｐ２Ｏ５、５ｂ２０５　、　Ｖ２Ｏ５、Ｂｉ２
Ｏ３、Ａ７Ｉ２０３　＋　Ｔｌ２Ｏ。ZnO, P2O5, 5b205, V2O5, Bi2
O3, A7I203 + Tl2O.

Ｈｆｏ２　のうち少なくとも１種類以上を　０．００１
〜７、０００　ｎｏ　１％　添加してなる電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物を得ることによシ、上記の問題点
を解決しようとするものである。At least one type of Hfo2 0.001
It is an attempt to solve the above problems by obtaining a voltage-dependent nonlinear resistor ceramic composition in which 7,000 no. 1% is added.

作用 一般に、５ｒＴｉ０５を半導体化させるには半導体化促
進剤を添加し還元焼成するが、これだけでは半導体化促
進剤の種類によってばあ４ｐ半導体化が進まず、粒成長
も抑制されるため還元焼成後の比抵抗は数Ω・（７）と
高く、バリスタ電圧を高くしたシ、誘電率を下げたシ、
サージ耐量を下げたシするというように電気的特性に悪
影響を及ぼす。Action Generally, to convert 5rTi05 into a semiconductor, a semiconductor conversion accelerator is added and reduction firing is performed, but depending on the type of semiconductor conversion accelerator, 4p semiconductor formation may not progress and grain growth may also be suppressed, so it is necessary to add a semiconductor conversion promoter after reduction firing. The specific resistance of is as high as several Ω・(7), and the resistivity is as high as several Ω・(7).
This has an adverse effect on the electrical characteristics by reducing the surge resistance.

従って、半導体化と粒成長が同時に起こる必要がある。Therefore, semiconductor formation and grain growth must occur simultaneously.

そのためには主原料自体を比較的半導体化しやすくする
ことが必要である。For this purpose, it is necessary to make the main raw material itself relatively easy to convert into a semiconductor.

ここで、ＳｒをＣａ　、　Ｂａ　、　Ｍｇで置換すると
イオン半径や反応性の違いから欠陥を生じやすくなり、
半導体化促進剤との反応性が高まシ、半導体化が進み比
抵抗を下げることができる。また、同時に発生した欠陥
に起因して物質移動が生じるため、粒子の焼結が進行し
、粒成長が促進される。Here, if Sr is replaced with Ca, Ba, or Mg, defects are likely to occur due to differences in ionic radius and reactivity,
The reactivity with the semiconducting accelerator increases, the semiconducting progresses, and the specific resistance can be lowered. In addition, since mass transfer occurs due to defects that occur at the same time, sintering of particles progresses and grain growth is promoted.

ところで、半導体化促進剤には酸化物を・用いる場合が
多いが、一般に酸化物は塩類を高温で熱処理して製造さ
れるため熱的に安定で、酸素と金属元素は共有結合性の
高い結合をしていることによシ、他の物質との反応が比
較的おこ夛にくい。また、酸化物が解離して５ｒＴｉ０
３と反応したとじても、解離した酸素自体が活性に富む
ため半導体化を抑制する方向に働く。By the way, oxides are often used as semiconductor accelerators, but oxides are generally thermally stable because they are produced by heat-treating salts at high temperatures, and oxygen and metal elements form highly covalent bonds. Because of this, reactions with other substances are relatively unlikely to occur. In addition, the oxide dissociates and 5rTi0
Even if it reacts with 3, the dissociated oxygen itself is highly active, so it works in the direction of suppressing semiconductor formation.

従って、ＳｒＴ工０５をよシ効率的に半導体化させるた
めには半導体的促進剤が活性に富み、しかも酸化物でな
いことが必要である。この目的に最も合致するのがフッ
化物であり、酸化物に比べ数倍の活性を示す。Therefore, in order to convert SrT process 05 into a semiconductor more efficiently, it is necessary that the semiconducting promoter be highly active and not an oxide. Fluoride is the most suitable for this purpose, and exhibits several times the activity compared to oxides.

このようにして、半導体化促進剤としてフッ化物を用い
ることにより、ＳｒをＣａ　、　Ｂａ　、　Ｍｇで置換
して半導体化しやすくなった主原料をさらに半導体化す
ることができる。In this way, by using fluoride as a semiconducting accelerator, it is possible to further semiconduct the main raw material, which has become easier to semiconduct by replacing Sr with Ca, Ba, or Mg.

さらに、ＳｉＯ２を添加すると粒界に偏析し、粒界を高
抵抗化するのに有効で、非直線性を大きくすることがで
きる。Furthermore, when SiO2 is added, it segregates at grain boundaries, is effective in making the grain boundaries high in resistance, and can increase nonlinearity.

またさらに、Ｆｅ　、　Ｇｏ　、　Ｎｉ　、　Ｍｎ　、
　Ｏｒ　、　Ａｇ　、　Ｃｕ　。Furthermore, Fe, Go, Ni, Mn,
Or, Ag, Cu.

Ｍｏ　、　Ｂｅ　、　Ｌｉ　、　Ｎａ　、　Ｚｒ　、　
Ｐｂ　、　Ｚｎ　、　Ｐ　、　Ｓｂ　、　Ｖ　、　Ｂｉ
　。Mo, Be, Li, Na, Zr,
Pb, Zn, P, Sb, V, Bi
.

Ａ５．　ＴＩ、Ｈｆｆ添加すると、粒界をさらに効率よ
く高抵抗化できるため、非直線性がさらに大きくなシ、
サージ耐量も強くなる。A5. By adding TI and Hff, grain boundaries can be more efficiently made to have higher resistance, so the nonlinearity is even greater.
It also has stronger surge resistance.

実施例 以下に本発明を実施例をあげて具体的に説明する。Example The present invention will be specifically explained below by giving examples.

５ｒＣＯ５、（ａｃＯ５、ＢａＣ０，５、ＭｇＣＯ３、
ＴｉＯ２を下記の第１表に示す組成比になるように秤量
し、ボールミルなどで６０時間混合し、乾燥した後、１
０００℃で１ｏ時間仮焼する。こうして得られた仮焼物
を下記の第１表の組成比になるように秤量し、ボールミ
ルなどで２４時間混合し、乾燥した後、ポリビニルアル
コールなどのバインダー全１０ｗｔ％添加して造粒した
後、’　ｔ／／ｃＡのプレス圧力で１０φｍｙＸ１ｔｍ
ｍの円板状に成形する。この成形体を１０００℃で２時
間仮焼し、脱バインダーを行った後、Ｎ２＝Ｈ２＝９：
１　　の混合ガス中で１５００℃・３時間焼成する。さ
らに、空気中で１２００℃・６時間焼成し、こうして得
られた第１図、第２図に示す焼結体１の両平面に外周を
残すようにしてＡｇなどの導電性ペーストをスクリーン
印刷し、６００℃・６分焼成し、電極２，３を形成する
。5rCO5, (acO5, BaC0,5, MgCO3,
TiO2 was weighed to have the composition ratio shown in Table 1 below, mixed in a ball mill etc. for 60 hours, dried, and then
Calcinate at 000°C for 1 hour. The calcined product thus obtained was weighed to have the composition ratio shown in Table 1 below, mixed for 24 hours using a ball mill, etc., dried, and then granulated by adding a total of 10 wt % of a binder such as polyvinyl alcohol. '10φmyX1tm with press pressure of t//cA
Form into a disk shape of m. After calcining this molded body at 1000°C for 2 hours and removing the binder, N2=H2=9:
1 in a mixed gas at 1500°C for 3 hours. Furthermore, the sintered body 1 shown in FIGS. 1 and 2 was fired in air for 6 hours at 1200°C, and a conductive paste such as Ag was screen printed on both surfaces of the sintered body 1, leaving the outer periphery. , and baked at 600° C. for 6 minutes to form electrodes 2 and 3.

次に、半田などにより　’Ｊ−ド線を取付け、エボキン
などの樹脂塗装を行う。Next, attach the 'J-do wire with solder, etc., and paint with resin such as Evokin.

このようにして得られた素子の特性を以下の第２表に示
す。The characteristics of the device thus obtained are shown in Table 2 below.

なお、誘電率はＩ　ＫＨｚでの静電容量から計算したも
のであり、サージ耐量はパルス性の電流を印加した後の
ｖ１ｍム（１ｍＡの電流を通した時の電圧）の変化が±
１０係以内である時の最大のパルス性電流値によシ評価
している。Note that the dielectric constant is calculated from the capacitance at I KHz, and the surge resistance is the change in v1mm (voltage when 1mA of current is passed) after applying a pulsed current.
The evaluation is based on the maximum pulse-like current value when it is within a factor of 10.

（以　下余白） 発明の効果 以上に述べたように、Ｓｒの一部を０１Ｌ、　Ｂａ　、
　Ｍｇで置換し、さらに陽イオンと陰イオンの比率を陰
イオン過剰（Ｔｉ過剰）にすることにより、半導体化が
促進されると共に粒成長が促進される。そのためバリス
タ電圧の低下、誘電率の増加が実現できる。(Left below) Effects of the invention As stated above, a part of Sr was converted into 01L, Ba,
By substituting with Mg and further increasing the ratio of cations and anions to anion excess (Ti excess), semiconductor formation and grain growth are promoted. Therefore, it is possible to reduce the varistor voltage and increase the dielectric constant.

このような効果を示すのは、Ｓｒの置換量が０．００１
〜０．４までであり、ｏ、４を越えるとバリスタ電圧が
高くなシ、誘電率が小さくなると共にサージ耐量が小さ
くなる。This effect is shown when the Sr substitution amount is 0.001
~0.4, and if it exceeds o,4, the varistor voltage becomes high, the dielectric constant becomes small, and the surge resistance becomes small.

まだ、陽イオンと陰イオンの比率は陰イオン過剰で、０
．９５までであわ、０．９５を越えると誘電率が減少し
、サージ耐量が小さくなる。Still, the ratio of cations to anions is in excess of anions and is 0.
．． If it exceeds 0.95, the dielectric constant decreases and the surge resistance becomes small.

そして、半導体化促進剤にフッ化物を用いることにより
、酸化物を用いた場合よりも半導体化が促進されるため
、バリスタ電圧の低下、誘電率の増加をもたらす。まだ
、半導体化促進剤は１種類を単独で用いても２種類以上
を同時に添加しても有効であるが、添加量が１０．００
０ｍ（Ｒ１％　　を越えると、一部が未反応のまま粒界
に偏析して粒界の高抵抗化を阻害するため、非直線性が
悪くなると共にサージ耐量が悪くなる。By using a fluoride as a semiconducting accelerator, semiconducting is promoted more than when an oxide is used, resulting in a decrease in varistor voltage and an increase in dielectric constant. Still, it is effective to use one type of semiconducting accelerator alone or to add two or more types at the same time, but when the amount of addition is 10.00
If it exceeds 0m (R1%), a part of it remains unreacted and segregates at the grain boundaries, inhibiting the increase in resistance of the grain boundaries, resulting in poor nonlinearity and poor surge resistance.

また、ＳｉＯ２は粒成長を促進するためバリスタ電圧の
低下に有効であり、誘電率が大きくなるが、添加量が１
０．０００　ｍｏｌ係を越えるとバリスタ電圧が大きく
なり、誘電率が激減し、サージ耐量も小さくなる。In addition, SiO2 promotes grain growth, which is effective in lowering the varistor voltage, and increases the dielectric constant.
When it exceeds 0.000 mol ratio, the varistor voltage increases, the dielectric constant decreases drastically, and the surge resistance also decreases.

さらに、Ｆｅ　、　Ｇｏ　、　Ｎｉ　、　Ｍｎ　、　Ｏ
ｒ　、　Ａｇ　、　Ｃｕ　、　Ｍｏ　。Furthermore, Fe, Go, Ni, Mn, O
r, Ag, Cu, Mo.

Ｂｅ　、　Ｌｉ　、　Ｎａ　、　Ｚｒ　、　Ｐｂ　、　
Ｚｎ　、　Ｐ　、　Ｓｂ　、　Ｖ　、　Ｂｉ　。Be, Li, Na, Zr, Pb,
Zn, P, Sb, V, Bi.

Ｔｌ　、　Ｈｆを添加すると、粒界に偏析して粒界の高
抵抗化に有効に作用する。このだめ非直線性が向上する
と共にサージ耐量を改善することができる。When Tl and Hf are added, they segregate at the grain boundaries and effectively act to increase the resistance of the grain boundaries. As a result, the nonlinearity is improved, and the surge resistance can be improved.

このような効果を示すのは添加量が７．０００ｍｏｂ％
以下であり、７．ｏｏｏｍｏｌ％　を越えるとバリスタ
電圧が高くなシ、誘電率の低下、サージ耐量の劣化をも
たらす。This effect is shown when the amount added is 7.000 mob%.
7. If it exceeds oomol%, the varistor voltage will not be high, the dielectric constant will decrease, and the surge resistance will deteriorate.

また、これらの添加物は複数種類を同時に添加しても有
効であシ、サージ耐量の改善に有効であることを確認し
た。Furthermore, it was confirmed that it is effective even when a plurality of these additives are added at the same time, and that they are effective in improving surge resistance.

このようにして得られた素子に所定のノイズ入力を加え
たところ、従来のノイズフィルタと同程度のノイズ減衰
率を示した。When a predetermined noise input was applied to the element thus obtained, it showed a noise attenuation rate comparable to that of conventional noise filters.

このことから従来は複数種類の部品を組合わせていたノ
イズフィルタを単一素子でもって同じ効果が得られ、さ
らにサージに対してもある程度の耐久性を有することか
ら、部品の小型化、コスト低下に極めて有効であり、実
用上の効果は極めて大きい。Therefore, the same effect can be obtained with a single element instead of the conventional noise filter that combines multiple types of parts, and it also has a certain degree of durability against surges, resulting in smaller parts and lower costs. It is extremely effective, and its practical effects are extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図、第２図は本発明の一実施例による電圧依存性非
直線抵抗体素子を示す平面図と正面図である。 １・・・・・・焼結体、２・３・・・・・・電極。FIGS. 1 and 2 are a plan view and a front view showing a voltage-dependent nonlinear resistor element according to an embodiment of the present invention. 1... Sintered body, 2, 3... Electrode.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）（Ｃａ＿ｘＳｒ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＴｉＯ＿３〔
（０．００１≦ｘ≦０．４）、（０．９５≦ｙ＜１．０
０）〕、（Ｂａ＿ａＳｒ＿１＿−＿ａ）＿ｂＴｉＯ＿３
〔（０．００１≦ａ≦０．４）、（０．９６≦ｂ＜１．
００）〕、（Ｍｇ＿ｃＳｒ＿１＿ｃ）＿ｄＴｉＯ＿３ 〔（０．００１≦ｃ≦０．４）、（０．９５≦ｄ＜１．
００）〕のうち少なくとも１種類以上を主成分とし、Ｓ
ｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗのフッ化物を少なくとも１種類以上を０．
００１〜１０．０００ｍｏｌ％添加してなる電圧依存性
非直線抵抗体磁器組成物。(1) (Ca_xSr_1_-_x)_yTiO_3 [
(0.001≦x≦0.4), (0.95≦y<1.0
0)], (Ba_aSr_1_-_a)_bTiO_3
[(0.001≦a≦0.4), (0.96≦b<1.
00)], (Mg_cSr_1_c)_dTiO_3 [(0.001≦c≦0.4), (0.95≦d<1.
00)] as a main component, and S
c, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu,
Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, N
At least one kind of fluoride of b, Ta, and W is added to 0.
A voltage-dependent nonlinear resistor ceramic composition containing 0.001 to 10.000 mol%. （２）（Ｃａ＿ｘＳｒ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＴｉＯ＿３〔
（０．００１≦ｘ≦０．４）、（０．９５≦ｙ＜１．０
０）〕、（Ｂａ＿ａＳｒ＿１＿−＿ａ）＿ｂＴｉＯ＿３
〔（０．００１≦ａ≦０．４）、（０．９５≦ｂ＜１．
００）〕、（Ｍｇ＿ｃＳｒ＿１＿−＿ｃ）＿ｄＴｉＯ＿
３〔（０．００１≦０≦０．４）、（０．９５≦ｄ＜１
．００）〕のうち少なくとも１種類以上を主成分とし、
Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ
、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｗのフッ化物を少なくとも１種類以上を０
．００１〜１０．０００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２を０．０
０１〜１０．０００ｍｏｌ％添加してなる電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物。(2) (Ca_xSr_1_-_x)_yTiO_3 [
(0.001≦x≦0.4), (0.95≦y<1.0
0)], (Ba_aSr_1_-_a)_bTiO_3
[(0.001≦a≦0.4), (0.95≦b<1.
00)], (Mg_cSr_1_-_c)_dTiO_
3 [(0.001≦0≦0.4), (0.95≦d<1
．． 00)] as a main component,
Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu
, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu,
At least one type of fluoride of Nb, Ta, W is 0
．． 001-10.000 mol%, SiO_2 0.0
A voltage-dependent nonlinear resistor ceramic composition containing 01 to 10.000 mol%. （３）（Ｃａ＿ｘＳｒ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＴｉＯ＿３〔
（０．００１≦ｘ≦０．４）、（０．９５≦ｙ＜１．０
０）〕、（Ｂａ＿ａＳｒ＿１＿−＿ａ）＿ｂＴｉＯ＿３
〔（０．００１≦ａ≦０．４）、（０．９５≦ｂ＜１．
００）〕、（Ｍｇ＿ｃＳｒ＿１＿−＿ｃ）＿ｄＴｉＯ＿
３〔（０．００１≦ｃ≦０．４）、（０．９５≦ｄ＜１
．００）〕のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜
１０．０００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２を０．００１〜１０
．０００ｍｏｌ％、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、Ｃｏ＿２Ｏ＿３、
ＮｉＯ、ＭｎＯ＿２、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、Ａｇ＿２Ｏ、Ｃ
ｕＯ、ＭｏＯ＿３、ＢｅＯ、Ｌｉ＿２、Ｎａ＿２Ｏ、Ｚ
ｒＯ＿２、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｐ＿２Ｏ＿５、Ｓｂ＿２Ｏ
＿３、Ｖ＿２Ｏ＿５、Ｂｉ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３
、Ｔｌ＿２Ｏ、ＨｆＯ＿２のうち少なくとも１種類以上
を０．００１〜７．０００ｍｏｌ％添加してなる電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物。(3) (Ca_xSr_1_-_x)_yTiO_3 [
(0.001≦x≦0.4), (0.95≦y<1.0
0)], (Ba_aSr_1_-_a)_bTiO_3
[(0.001≦a≦0.4), (0.95≦b<1.
00)], (Mg_cSr_1_-_c)_dTiO_
3 [(0.001≦c≦0.4), (0.95≦d<1
．． 00)] at least one type from 0.001 to
10.000 mol%, 0.001 to 10 SiO_2
．． 000mol%, Fe_2O_3, Co_2O_3,
NiO, MnO_2, Cr_2O_3, Ag_2O, C
uO, MoO_3, BeO, Li_2, Na_2O, Z
rO_2, PbO, ZnO, P_2O_5, Sb_2O
_3, V_2O_5, Bi_2O_3, Al_2O_3
, Tl_2O, and HfO_2 in an amount of 0.001 to 7.000 mol %.