JPS6251694A - ３′，４′−ジデオキシ−３′−フルオロカナマイシンｂおよびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は新規な半合成アミノ配糖体抗生物質である３’
、４’−ジデオキシ−３′−フルオロカナマイシンＢ及
びこれの製造法に関する。この新規化合物は種々なカナ
マイシン感受菌およびカナマイシン耐性菌に対して高い
抗菌活性を示し、抗菌剤として有用である。

（従来の技術及び発明が解決しようとする問題点）カナ
マ・ｆシンＡ、Ｂ及びＣから誘導された半合成アミノ配
糖体抗生物質どして、カナマイシンＡ。

Ｂ、Ｃの種々なデオキシ防導体が知られている。

従来既知の、これらデオキシカナマイシン誘導体は有用
な抗菌活性を有するが、抗菌スはクトルはさまざまな範
囲であり、また新しい耐性菌が出現してこれに無効にな
ることもあるから、より優れた新しい抗菌性化合物を創
製することは常に要望されている。本発明者は、カナマ
イシンＡの３′位ヒドロキシル基をフルオロ基で置き換
えた誘導体、すなわチ３′−フルオｏ−３／−デオキシ
カナマイシンＡを創製できるならば、これはカナマイシ
ン而、を性菌にも有効である化合物であろうと期待し、
これを合成することに成功した。すなわち、本発明者ら
は、先の特願昭５９−１６１０１５号（出願日：昭和５
９年８月２日）に、新規な半合成アミノ配糖体抗生物質
として３′−フルオロ−３′−デオキシカナマイシンＡ
の合成と抗菌スにクトルを記載した〇 更に、本発明者は、３′−フルオロ−３′−デオキシカ
ナマイシンＢの合成の研究を進め、研究の結果、特開昭
５６−６３９９３号公報、参考例２゜米国特許４．３４
’？、６６６号明ＭＢ書及び「日本化学会邊１９８２年
１０号；７０６頁〜１７１２頁にカナマイシンＢのＮ、
Ｏ−保藤誘導体として記載される既知物質、６’−Ｎ　
、　４’−０−ｆｙｋＭ二ｋ　−４’・６’−０−シｐ
ｃｔへ＊シリタン−１，２’、３．３’−テトラ−Ｎ−
１フルカナマイシンＢを使用して、後述する合成ルート
により３′−スルオｏ−３′−デオキシカナマイシンＢ
を合成することに成功し、しかもこの新規化合物が耐性
菌を含めて種々なダラム陽性菌、陰性菌に対して抗菌活
性を有することを認めた（特願昭５９−２６２７００号
明細書参照）。

しかし、この３′−フルオロ−３′−デオキシカナマイ
シンＢは、その４′位にヒドロキシル基を有するので、
この４′−ヒトクキシル基を燐酸化する酵素及び（又は
）アデニル化する酵素を産生ずる耐性菌、９１１えはス
タフイロコカス・アラ【／ウスＡｐＯＩ及びスタフイロ
コカス・エビデルミノス＋０９に対しては抗菌力が低い
ことを認めた。そこで、４′−ヒドロキシル基か脱除さ
れた形の３′。

４′−ノブオキシ−３′−フルオロカナマイシンＢを合
成することができれば、この新しい化合物は上記の種類
の耐性菌にも有効であるとの予想なたてた。そこで本発
明者は３’、４’−ジデオキシ−３フーフルオロカナマ
イシンＢを合成する研究を行い、その合成に今回成功し
た。しかも、この新しい化合物が３１−フルオロ−３′
−デオキシカナマイシンＢよシも一般的に広い種類の細
菌に高い抗菌活性を示すことを知見した。

（問題点を解決するための手段） 従って、本発明によれば、各種の細菌及び耐性菌に有効
な新規な半合成抗生物質として、次式で示される３’、
４’−ノブオキシ−３′−フルオａカナマイシンａ及び
その酸付加塩を提供するものである。

本発明の３’、４’−ノブオキシ−３′−フルオロカナ
マイシンＢは明確な融点を示さない白色粉末であり、後
の実施例に記載される物性を示す塩基性物質である。本
発明の式Ｃｎの新規化合物は通ス遊離塩基または水和物
または炭酸塩として得られるが、通常の方法にエリ任意
の熱害性酸付加塩とすることができる。酸付加塩として
は、例えば塩酸、硫酸、燐酸、硝酸などの無機酸あるい
は酢酸、リンゴ酸、クエン酸、アスコルビン酸、メタン
スルホン酸などの有機酸との塩がある。

本発明の３’、４’−ジチオヤシ−３フーフルオロカナ
マイシンＢ又はこれの酸付加塩は、薬学的に許容できる
液体又は固体状担体と配合して抗菌剤組成物１ｃＰＪ４
合できる。

本発明の３’、４’−ジデオキシ−３′−フルオロカナ
マイシンＢ　（３’　、　４’−ノブオキシ−３’−Ｆ
−ＫＭＢと略記する）（遊離塩基）の抗菌スペクトル（
最低阻止濃度）は次の第１表に示す通りである。比較の
ため、カナマイシンＢ及び３′−フルオロ−３′−デオ
キシカナマイシ＞　Ｂ　（３’　−Ｆ　−ＫＭＢと略記
する）の抗−スベクトルもＭ１表に示す。

（ＩＱ　　　　　　　　　　　（／ｌ　　　　（／ｌ　
　　　２　　　　リσ１　　　　作１　　　　　　　　
　ば）！’−Ｃ−１７’ｌ　　　　　１ｌ）−２鳳　　
　Ｉ−Ｌ１両 上記のように、本発明の３’、４’−ノブオキシ−３フ
ーフルオロカナマイシンＢＨ４’−ヒドロキシル基を燐
酸化又はアデニル化する酵素を有する耐性菌に対して３
′−フルオロ−３′−デオキシカナマイシンＢに比べて
高い。

本発明者らは、カナマイクンＢから出発して３′−フル
オロ−３’−チオキシカナマイシンＢを製造する方法を
開発した際に得られた諸知見と、その製造中に生成され
た中間体化合物を利用して、３′、４′−ジデオキシ−
３′−フルオロカナマイシンＢの製造方法を完成したも
のである。

カナマイシンＢから出発して３′−デオキシ３′−フル
オロカナマイシンＢを合成する方法を開発するに際して
本発明者らはカナマイシンＢのＮ、０−保護銹導体とし
て既知（特開昭５６−６３９９３号公報及び米国特許４
，３４９．６６６号明細書参照）である次式 〔式中、　　Ｔｓ　　はトシル基を示す〕の６′〜Ｎ　
、　４’　−０−カルボニル−４’、６’−０−シクロ
ヘキシリデン−！、２’、３．３’−テトラーＮ−トシ
ルカナマイシンＢ〔化合物（勾という〕を使用し、この
化合物（〜をビリノンの存在上知無水のツメチルスルホ
キシド中で１．５〜５モル比のＮ−アセチルイミグゾー
ルと０〜５０°Ｃの温度で反応させると、化合物（ａ）
の３１−ヒドロキシル基をアセチル化することす＜２′
−ヒｉパロキシ基のみを選択的にアセチル化できること
を知見した。このように生成された６′−Ｎ、Ａ’−０
−カルボニル−４＃、　６１−　ｏ−シクロヘキ７リデ
：’　−２’−０−１セｆルー　１　、２’、　３　。

３′−テトラ−Ｎ−トシルカナマイシンＢ〔化合物（ロ
）といつ］ｉｄ：、　　これをペンシルスルホニルクロ
ライドの如キペンゾルスルホニル化剤、メンルクロライ
ドの如きメシル化剤又はトシルクロライドの如きトンル
比剤と無水ビリノン中で５０°Ｃ以下の温度で反応する
と、化合物（ｌの５−ヒドロキシル基が殆んどスルホニ
ル化されずに３′〜ヒドロキシル基が実質的に選択的に
スルホニル化できること、従って３′−〇−スルホニル
ーｆ、’−Ｎ、４’−０−カルボニル−４’、６’−０
−シクロへギシリデンー！−〇−ア七チル−１，２’、
３．３’−テトラ−Ｎ−トシル−カナマイシンＢ〔化合
物（Ｃ）という〕を生成できること、また化合物（ｂ）
の３′−ヒドロキシル基の選択的スルホニル化にはペン
ノルスルホニル化剤が最も良く適すること、更にメシル
化剤を用いた場合には化合物（υの５−ヒドロキシル基
も部分的にスルホニル化されるが但しそれで生成した３
′、５−シー〇−スルホニル化生成物をクロマトグラフ
ィーの手法で所望のモノ−３′−〇−スルホニル誘導体
、埋ち化合物（ｃ）から分離できることを知見した。更
に、この化合物（Ｃ）は、これをＱ’Ｃないしメタノー
ル、エタノール又はペンノルアルコールの沸点までの反
応温度、５分間〜２時間又はそれ以上の反応時間で、化
合物（ｃ）に対して２〜１０モル比の水酸化ナトリウム
の如き水酸化アルカリ金属を用い、１〜５％（ｆｆｉ！
りの濃度で無水メタノール又は無水エタノール中で、若
しくは無水ベンシルアルコール中で処理すると、化合物
（Ｃ）の７−〇−アセチル基が脱離すると共に、化合物
（Ｌりの３′−スルホニルオキシ基と２１−トシルアミ
ノ基とが反応してアノリジン環の閉成を起し、またこれ
と同時に、化合物（Ｃ）の６′−アミノ基と４′−ヒド
ロキシル基とを架橋していたカルボニル基（ｏ＝ｃ＞の
結合手の一方が４′−ヒドロキシル基から切れてメタノ
ール、エタノール又ハペンノルアルコールと反応し、６
′−アミノＷｉｔメトギシ力ルボニルアミ／へ又はエト
ギシ力ルポニル１ミノ基又ｉベンノルオキン力ルポニル
アミノ基の形に転化し、こうし−０次式 〔式中、　　Ｔｓ　　はトシル基であシ、Ａ’ｒよメト
ギシ力ルボニル基、エトキシカルボニル基又はペンノル
オキシカルボニル基である〕で示される４５６７′″０
−シクロへキシリゾ珊′−デオキシー３′−二ビー２’
、　３’−（Ｎ−）シル）エピミノ−６’−Ｎ−メトキ
シ（又はエトキシ又はペンノルオキシ）カルボニル−１
、３、３＃−トリーＮ−トシルカナマイシンＢ〔化合物
（Φという〕を生成できることを知見した。

更に本発明者は研究の結果、化合物（ψは、無水ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミドの如き極性有機
溶媒を度広媒質として用いて、ｆヒ合物（山をナトリウ
ム水素〕弗化物又はカリウム水素ノ弗化物と加熱下に、
例えば１２０〜２００’Ｃの温度で例えば約１０分間〜
約２０時間の反応時間で反応させると、２’、３’−ア
ノリジン環が開環し且つ３′位が弗素化されること、従
って４’、　６’−０−シクロヘキシリデン−３’　−
チオキシ−３′−フルオロ−６′−Ｎ−メトキシ（又は
エトキソ又１まペン−）ｋオｄＰ’／　）　ｆ）ｓｔＭ
二に−１、２’＋　３　、３’−ｆ　）ラーＮ−）ジル
カナマイシンＢ〔化合’吻（ｅ）という〕が生成される
ことを発見した。このようにアノリジン環の開環に伴っ
て、前記のアルカリ金員水ぶソ弗化物によりカナマイシ
ンＢ化合物の３′位が弗素化されることは、本発明者の
知る限りではアミノ配糖体抗生物質を含む糖類化学にお
いて初めての知見である。

前記の化合物（ｅ）は、これの６′−アミノ基及び１＋
、　　２’−、３−及び３−アミノ基におけるアミノ保
護基、ならびに４１位、６１位のヒドロキシル基の保護
基（シクロ、キシリデン基）を脱離させる公知の脱保饅
法で処理すると、３′−フ゛ルオロー３′−デオキシカ
ナマイシンＢ幹牛舎吻呻叫を生成した易更に、化合物（
山の６′−アミノ基上のアミノ保護基（メトキシカルボ
ニル基又はメトキシカルボニル基又はベンジルオキシカ
ルボニル基）、ならびに４’−及Ｕ６１−ヒドロヤシル
基上のヒトクキシル保護基（シクロヘキシリデン基）を
化合物（山がら脱離し、こうして得られた３′−デオキ
シ−３′−エピ−２’、　３’−（Ｎ−）シル）エビミ
ノ−１，３゜３′−トリーＮ−）ジルカナマイシンＢの
遊離の６′−アミノ基に、改めてアルカノイル基の如き
別檜のアミノ保護基（但しスルホニル基型のものでない
保護基としてアルカロイル基又はアロイル基の型のもの
）を導入し、こうして得られたＮ−保護−３′−デオキ
シ′−３′−エビ−２’、　３’−エピミノ−カナマイ
シンＢを前述と同様の手法でアルカリ金属水素ノル化物
で処理する場合にも、望ましいＮ−保１１１−３’−デ
オキシー３′−フルオロカナマイシンＢ化合物を生成で
きることを認めた。

前述した合成ルートで用いた出発化合物（ａ）では、１
　＋、　　２’−、３−及び３′−アミノ基を保護する
アミン保護基はトシル基であシ且つ４Ｉ−及び６１−ヒ
ドロキシル基を保護するヒドロキシル保護基はシクロヘ
キシリデン基であったが、アミノ保頗用のトシル基は均
等的に働く他のスルホニル基型の公知のアミノ保役基に
取代え且つ４′−及び６Ｉ−位のシクロへキシリデン基
は他の公知のヒドロキシル保護基で取代えて得られるよ
うな、化合物（ａ）の均等な保護誘導体を用いても、前
述と同様な反応工程を施すことによって、化合物（山と
均等な４１．６１−ノー〇−保ｎ−＋、３．３１−トリ
ーＮ−スルホニル化保＠−３′−デオ中シー３′−エピ
−（、’−Ｎ−メトキシ（又はエトキシ又はペンノルオ
キシ）カルボニル−２’、３’−（Ｎ−スルホニル化保
護）エビミノ−カナマイシンＢを調製できることを認め
た。

従って、本発明者は前述した諸知見に基づいて、一般的
には、次の一般式 〔式中、Ａ′はスルホニル基型のアミン保護基以外のア
ミノ保護基、又は水素原子であシ、Ｂはアルキルスルホ
ニル２＋５：、アラルキルスルホニルを又Ｕアリ・−ル
スルホニル基型であるアミノ保護基であり、Ｑｔｆアル
キルスルホニル基、アラルキルスルホニル基又はアリー
ルスルホニル基であ）、Ｘ及びＹは夫々に水素原子又は
１価のヒトクキシル保護基であり、あるいＶｉｘ及びＹ
は共同して１個の２価のヒトクキシル保護基を形成する
〕で示される３′−デオキシ−３′−二一−２’、３’
−エビミノ−カナマイシンＢの保設計導体を次式 ％式％（） 〔式中、Ｍｅ　はアルカリ金属原子である〕のアルカリ
金属水素ノル化物と有機溶媒中で加熱下に反応させると
、次の一般式 〔式中、Ａ、Ｉ］、Ｑ、Ｘ及びＹは前記と同じ意味であ
る〕で示される３′−デオキシ−３′−フルオロ−カナ
マイシンＢ保護誘導体を生成させることができ、さらに
式（ロ）の化合物中にアミノ保護基（Ａ。

Ｂ）及び（又は）ヒトミキシル保護基（Ｘ、Ｙ）が残留
する場合には、これら保護基およびスルホニル基（２）
を公知方法で脱離することによって、次式 で示される３′−デオキシ−３′−フルオロカナマイシ
ンＢを製造法できることを認めたのである（特願昭５９
−２６２７００号明細書参照）。

本発明者は　３１．４１−ジデオキシ−３′−フルオロ
カナマイシンＢを合成する意図の下に、中間体として得
られ元前記の式（ロ）の３′−デオキシ−３′−フルオ
ロカナマイシンＢｉ護誘導体を利用することを今回、更
に研究し、研究の結果、式＠の化合物の２′−ヒドロキ
シル基は、これをピリジンの存在下に無水のゾメチルス
ルホΦシト中で１．５〜５モル比ＯＮ−アセチルイミダ
ゾール又はＮ−ペンゾイルイミゾール又はベンゾイルク
ロライドと０〜５０°Ｃの温度で反応させると、化合物
＠の３′−ヒドロキシル基をアセチル化又はベンゾイル
化すると、！ｌ＜２’−ヒドロキシ基のみを選択的にア
セチル化又はベンゾイル化することによシ保護できるこ
とを知見した。このようにして生成された４’、　６’
−０−保設−２＃−０−アセチル−又はベンゾイル−１
、２’、　３　、３’、　６’−ベンターＮ−保護−３
’−７’オキシ−３′−フルオロカナマイシンｎ（化合
物θ）という〕は、これをベンノルスルホニルクロライ
ドの如きインジルスルホニル化剤、メシルクロライドの
如きメシル化剤又はトシルクロライドの如きトシル化剤
と無水ピリジンを含む溶媒中で５０６Ｃ以下の温度で反
ろすると、化合物（ｊ）の５−ヒドロキシル基が殆んど
スルホニル化さレスに４′−ヒドロキシル基が実質的に
選択的にスルホニル化できること、従って４′−〇−ス
ルホニルー４’、　６’−０−保護−２′−〇−アセチ
ル又はペンシイルート２’、　３　、３’、　６’−イ
ンターＮ−保護一３′−デオキシ−３１−フルオロカナ
マイシンＢ（化合物（ロ）という〕を生成できることを
知見したこうして得られた４′−〇−スルホニル化生成
物■に対してアルカリ金属又は他の金属の臭化物又は沃
化物を作用させると、後者の金属ハライドの反応剤濃度
を３〜５０ｓにしても３０分〜約２時間で４′−ツロム
又はヨード置換反応が実質的に終了できること、またア
ルカリ金属又は他の金属の塩化物を用いて３′−クロロ
化も可能であることを知見した。

このように化合物■から得られた４′−ハロ化化合物（
化合物（ねという）の４′−ノ１０基は、これを還元的
に処理すると脱離することができ、結局、カナ７４７２
８分子の４′−ヒドロキシル基の脱離すなわち４′−デ
オキシ化が行われることが知見された０この際、化合物
（４）の３′−フルオロ基は脱離されないことも見出さ
れた。なお、同様な手法によるカナマイクンＢの３′−
ヒドロキシル基のスルホニル化、それに次ぐ３′−ハク
化、さらに３′−へ口塞の還元でカナマイクンＢから３
１−デオキシカナマイシンＢを合成する方法は特開昭５
６−６３９９３号明細′Ｊ４（特願昭５４−１３９２６
２号）に記載されである。

上記の４′−ハロ化化合物（０から４′ニハロ基）Ｒ元
凶脱除で得られた４′−デオキシ化合物（化合物（ｍ）
という）は、これに残留しているアミン保護基（Ａ、Ｂ
、Ｑ）及び２１−、　４１−及び６′−ヒドロキシル基
土の保護基（アセチル基又はベンゾイル基、ならびにＸ
及びＹ）を有している。これら保ｆＩＩ１１基を化合物
（ｍ）から公知の脱保護法で脱離させると、所期の３’
、４’−ジデオキシ−３′−フルオロカナマイシンＢを
収得できることが今回知見された。

このようにして、本発明者の今回の研究を介して、前記
の特定な化合物（ａ）を出発原料として用い、あるいは
この化合物（ロ）のアミノ保護基（トシル基。

等）及びヒドロキシル保ａ基（シクロヘキシリデン基）
を他の種類の保護基と取代えて得られた化合物（ａ）の
均等的な保設誘尋体を出発原料として用いると、化合物
（鴨、化合物（ｃ）、化合物（山、化合物（ｅ）、化合
物（０、化合物■、化合物ｑ）、化合物■、化合物ωを
紅る合成ルート、あるいはこルと均等的な合成ルートを
通ることによって、新規化合物３’、４’−−）チオキ
シ−３′−フルオロ−カナマイシンＢを合成できること
が本発明者らにより見出されたものである。

従って、第２の本発明によると、次の一般式〔式中、Ｒ
Ｖｉアルキル基、アラルキル基又はアリール基であり、
Ａはメトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基又
けペンゾルオキシカルボニキルスルホニル基、アラルキ
ルスルホニル基又はアリールスルホニル基型のアミノ保
護基でアリ、Ｘ及びＹは夫々に水素原子又は１価のヒド
ロキシル保諌基であるか、あるいはＸ及びＹは共同して
１個の２価ヒドロキシル保獲基を形成し、ＱはＢト同ジ
アルキルスルホニル基、アラルキルスルホニル基又はア
リールスルホニル基でｓす、ｖｕヒドロキシル保２１基
である］で示される３’、４’−ジデオキシ−３′−フ
ルオロ−４′−Ｏ−スルホニルカナマイシンＢ誘導体を
次式 ％式％（） 〔式中、Ｍは金５４．Ｄｔまｃｔ、　　Ｂｒ　　又はＩ
−ｃある〕の金属ハライドと作用させて次式 Ｃ式中、Ａ、Ｂ、Ｑ、Ｖ、Ｘ、Ｙ及びＤは前記と同じ意
味を有する〕で示される４′〜ハロゲン化生成物を生成
し、次いでこれを還元して４′位八〇基（Ｄ）を水素で
置換することにより３’、４’−ジデオキシ−３′−フ
ルオロカナマイ７ンＢ保護誘導体を生成し、さらに残留
のアミン保護基（Ａ　、　Ｂ　、　Ｑ）。

ならびにヒドロキシル保護基ＣＶ、Ｘ、Ｙ）を公知の脱
保護法で脱離することを特徴とする特許で示される３’
、４’−ジデオキシ−３′−フルオロカナマイシンＢの
製造法が提供される。

第２の本発明の方法において、一般式（■）の３’、４
’−ジデオキシ−３′−フルオロ−４′−〇−スルホニ
ル力ナヤイ７ンＢ保獲訪導体におけるアミン保護基Ａは
反応に関与しない何れか既知のアミン保護基、例えばア
セチル基、トリフルオロメチル基の如きアルカノイル基
、ベンゾイル基の如きアロイル基などのアシル基、さら
にメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブト
キシカルボニル基の如キアルコキシ力ルボニル基；ヘン
シルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル
基の如キアラルキルオキシ力ルボニル基。

又ハフエノキシカルボニル基又はメトキシフェノスルホ
ニル基の如キアルキルスルホニル基、ペンノルスルホニ
ル基の如キアラルキルスルホニル基。

トシル基の如きアリールスルホニル基であることができ
る。化合物（ＩＦ）における基（Ａ）　Ｆｉ水素原子で
あることもできるが、化合物（Ｉ［）の６′−アミノ基
は保護されであるのが好ましい。

一般式（ＩＩ）の化合物における１−２３−及び３β−
アミノ基はメシル基又はトリフルオロメチルスル１ｊ−
ニル基の如キアルキルスルホニル基、ペンノルスルホニ
ル基の如キアラルキルスルホニル基；トシル基の如きア
リールスルホニル基の型のアミノ保護基（Ｂ）で保ねさ
れる。

化合物（ＩＩ）の２−アミノ基に結合するスルホニル基
Ｑは、化合物（１１）の調製過程で用いたスルホニル化
剤の種類に応じてＢと異なることもできるが、通常はＢ
と同じスルホニル基であるのがよい。

化合物（■）における４′−ヒドロキシル基及び６′−
ヒド０ギシル基を保護する保護基（Ｘ、Ｙ）ｉ”！低級
アル、ヤル基、フェニル基の如きアリール基ニアセチル
基の如きアルカメイル基、又はベンゾイル基の如きアロ
イル基を含めて、何れか既知の１価ヒトＯ＄シル保護基
であることができる。しかし、Ｘ及びＹは共同してイン
ゾロビリデン基の如き低級アルキリデン基、ベンジリデ
ン基の如きアラルキリデン基、シクロへキシリデン基の
如きシクロアルギリデン基、又はテトラヒドロピラニリ
していることができる０これらアミノ保護基及び４ｔ−
，６１位のヒドロキシル保護基をカナマイシンＢ化合物
に導入することは、例えば特開昭５５−１０５６９９号
、英国特許第２０４３６３４８号；特開昭５６−６８６
９８号、米国特許第４３５７４６６号：特開昭５６　１
５２４９７号、米国特＆！ｌ：第４゜３５’？、５７２
号明細書に記載される如き方法で行われる。

化合物ｃｉｉ）における２２−ヒドロギア基の保護基（
Ｖ）はアセチル基の如き低級アルカノイル基、又はベン
ゾイル基の如きアロイル基である。この保護基＜ｖ＞は
、２１−ヒドロキシル基にＮ−アセチルノンの存在下に
無水のツメチルスルホキシド中で反応させることにより
導入できる。

第２の本発明の方法においては、式（■）のｆヒ合物に
式（１１１）の金属ハライド（ＭＤ）　　を作用せしめ
る。

ハロダンＤとしてはＣＩ、　　Ｂｒ、又は工が適当であ
り、弗素は使用できない。金、ＡＭとしてはアルカリ金
属、アルカリ土類金属、さらに重金属も使用できるが実
用的には塩化リチウム、臭化リチウム、沃化リチウム、
沃化ナトリウム等が適する。金属ハライドの使用モル数
は式（旧の化合物に対し数モル−１００モルが適当であ
る。使用する溶媚としては出発物質７反応剤をともに浴
ｊＨｆろものが望−ましいのでツメチルホルムアミド、
ヘキサメチルフォスホリンクトリアミド、ツメチルスル
ホキシド等がよく、あるいは上記溶媒と通常の前述のア
ゲロティツクな中性溶媒との混合物が望ましい。

４′−ハロ置換の反応温度ｉｆ　Ｏ〜Ｉ　５　Ｑ’Ｃが
最適であり、反応時間は３０分〜約２時間が適当である
。

かくして得られた式（ＩＶ）の４′−ハロ化化合物を、
水素化トリブチルスズ等のハロダン還元法又はラネーニ
ッケル触媒の存在下の接触水素添加で公知の方法により
還元すると、４′−へ口塞は脱除されテ、３’、４’−
ノデオキシー３′−フルオロカナマイシンＢ保護誘導体
が得られる。

この３’、４’−ノブオキシ−３′−フルオロカナマイ
シンＢ保護誘導体の採取は反応液を酢酸エチルの如き適
当な有機溶媒で抽出し、さらにシリカゾル・カラムクロ
マトグラフィーで分離、精製することによシ行いうる。

これに残留するアミノ保護基及び（又Ｖｉ）ヒドロヤシ
ル保護基を脱離する脱保護工程は、用いた保護基の種類
に応じて、段階に分けて、常用される脱保護法で公知手
法で行われる。例えば前記の３’、４’−ノデオギシ３
′−フルオロカナマイシンＢ保＠誘導体を特開昭５２−
７１４４６号又は英国特許第１５５５６６１号明細書に
記載された公知方法で液体アンモニア中金属で処理する
ことにエリアミノ保護基としてのスルホニル基（Ｂ、Ｑ
、また場合によＪ）Ａ）を除去し、また酸加水分解及び
（又は）加水分解により６′−Ｎ−保護基（Ａ）、なら
びに４ｇ、ｂｌ−〇−保護基（アルキリデン基、シクロ
アルキリデン基又はアラルキリデン基）及び２１−０−
保護基を脱離すれば目的とする式（［）の３’、４．’
−ジデオヤシー３′−フルオロカナマイシンＢを生成す
る。

この脱保護反応で得られた反応液を濃縮し、固体残渣を
水に溶解しＣＭ−セファデックスＣ−２５０カラムに通
しアンモニア水で展開することＶこより、単離、精製す
ると、目的の３’、４’−ジデオキシ−３′−フルオロ
カナマイシンＢ〔化合物（Ｉ）　）が収得できる。

さらに、第３の本発明の要旨によれば、次の一般式 〔式中、Ｂはアル中ルスルホニル基、アラルキルスルホ
ニル基又はアリールスルホニル法域のアミノ保＠基であ
シ、Ｘ及びＹは夫々に水素原子又は１価のヒトｏ４シル
保護基であるか、あるいはＸ及びＹは共同して１個の２
価ヒドロキシル保護基を形成し、ＱはＢと同じアルキル
スルホニル基。

アラルキルスルホニル基又ハアリールスルホニル基であ
り、２はＱと同じ又は異なるアルキルスルホニル基、ア
ラルギルスルホニル基又はアリールスルホニル基であシ
、Ｖ′はヒドロキシル保護基又は水素原子である〕で示
される３′−〇−スルホニルー６’−Ｎ、４’−０−カ
ルボニル−カナマイシンＢの保護誘導体をメタノール又
はエタノール又はベンノルアルコールの存在下に水酸化
アルカリ金属と反応させて次の一般式 〔式中、Ｂ、Ｘ、Ｙ、Ｑ及びＶ′は前記と同じ意味をも
ち％　Ａ’はメトキシカルボニル基又はエトキシカルボ
ニル基又はベンジルオキシカルボニル基の形のアミノ保
３１基である〕で示される３′−デオキシ−３′−二一
−２’、３’−エピミノ−６′−Ｎ−アルコ印シー又は
アラルキルオギシー力ルポニルーカナマイシンＢの保護
誘導体を生成し、次に式（Ｖｌ）の化合物を次式 ％式％（） 〔式中、Ｍｅ　はアルカリ金属原子である〕のアルカリ
金属水素ノル化物と有機溶媒中で加熱下に反応させて次
の一般式 〔式中、Ａ′はメトキシカルボニル基又はエトキシカル
ボニル基又はベンジルオキシカルボニル基の形の７ミノ
保護基であシ、Ｂは前記と同じアミノ保護基であシ、ｖ
、Ｘ及びＹは前記と同じ意味を、もつ〕で示される３′
−デオキシ−３′−フルオロカナマイシンａｌｌ導体を
生成させ、さらに式（ｖｌりの化合物中のＶ′が水素原
子である場合にはこのＶ′をヒドロキシル保膿基に転換
し、その後に次式％式％（） 〔式中、Ｒはアルキル基、アラルキル基又はアリール基
であシ、Ｄ′は塩素又ｒ、ｔ　ＪＩ８素又は沃素である
〕のスルホ２１ｍ文ハライド、あるいはこれに対応する
式 ％式％（） 〔式中、Ｒは前記と同じ意味をもつ〕のスルホン酸無水
物を反応させて１次式 〔式中、Ｒはアルキル基、アラルギル基又はアリール基
であり、Ａ′はメトキシカルボニル基又はエトキシカル
ボニル基又はベンジルオキシカルボニル基の形のアミノ
保護基であり、Ｂはアルキルスルホニル基、アラルキル
スルホニル基又はアリールスルホニル基凰のアミノ保護
基であり、Ｘ及びＹは夫々に水素原子又は１価のヒトク
キシル保護基であるか、あるいはＸ及びＹは共同して１
個の２価ヒト０Φシル保獲基を形成し、ＱはＢと同じア
ルキルスルホニル基、アラルキルスルホニル基又はアリ
ールスルホニル基であり、Ｖｉｊヒトｅｔ＄シル保換基
である〕で示される３′−デオキシ−３′−フルオロ−
４’−０−スルホニルカナマイシンＢ誘導体を生成させ
、次にこの式（■）の化合物を次式 ％式％） 〔式中、Ｍは金属、ＤはＣｌ、　　Ｂｒ　　又はｌであ
る〕の金属ハライドと作用させて次式 〔式中、Ａ、Ｂ、Ｑ、Ｖ、Ｘ、Ｙ及びＤは前記と同じ意
味な有する〕で示される４′−ハロケ゛ン化−生成物を
生成し、次いでこれを還元して４′位八口基（Ｄ）を水
素で置換することにより３’、４’−ジデオキシ−３′
〜フルオロオキシカナマイシンＢ　［［導体を生成し、
さらに残留のアミノ保護基（Ａ′。

１１、Ｑ）、ならびにビトロキシル保ｆｆ１ｉｊｓ（Ｖ
　、　Ｘ。

Ｙ）を公知の脱保護法で脱離することを特徴とする、次
式 で示される３’、４’−ジデオキシ−３′−フルオロカ
ナマイシンＢの製造法が提供される。

第３の本発明の方法において、出発化合物として用いる
一般式（Ｖ）の３′−〇−スルホニルー６′〜Ｎ、４’
−０−カルボニル−カナマイシンａ４ｉ１ｉＭ導体にお
けるアミノ保護基Ｂ、ならびにヒドロキシル保護基ｖ’
、ｘ及びＹは、夫々に、第２の本発明の方法で出発化合
物として用いた一般式（ＩＩ）の３′−デオ印シー３１
−フルオロ−４′−〇−スルホニルカナマイシンＢ保護
誘導体におけるアミノ保護基Ｂ、ならびにヒドロキシル
保護基ｖ、Ｘ及びＹと夫々に同じものでよい。但しＶ′
は水素原子でもよい、即ち２１−ヒドロキシル基は保護
していないでもよい。３′−〇−スルホニル基（Ｚ）は
炭素数１〜４のアルキルスルホニル基２例えばメタンス
ルホニル基（メシル基）、エタンスルホニル基：アラル
キルスルホ二ルＬ例、ｌ：ペンジルメルホニル基；アリ
ールスルホニル基１例えばトシル基でアシウるが、ベン
ジルスルホニル基であるのが好ましい。

−ｆｆ式（Ｖ）の３′−〇−スルホニルーカナマイシン
Ｂｖ！ｊ導体とメタノール又はエタノール又は々ンジル
アルコールの存在下に水酸化ナトリウムの如き水酸化ア
ルカリ金属との反応は無水条件下で行われる。水酸化ア
ルカリ金属はカナマイクンＢ化合物（ｖ）の１モル当り
に２〜１０モル比で且つ反応媒質中で１〜５重量−の濃
度で用いるのが好ましい。反応温度はＯｏｃないし反応
媒質の還流温度までの範囲であシうる０反石時間は５分
間以上おればよく、時間が長剣いても、１′ましくない
副生物は余シ生じないけれども、所望の２’、３’−エ
ビミノ化生成物（Ｖｌ）の６′−アミノ基に結合したメ
トキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基１等（Ａ
′）が脱離しない程度の反応条件を用いるのが工いＯ 第３の本発明の方法において、中間体として生成した一
般式（■Ｉ）の２’、３’−エビミノ化生成物と式（ｖ
Ｈ）のアルカリ金属水素ゾ弗化物とを反応する工程を次
に行う。この工程で用いるべきアルカリ金属水素ジ弗化
物（ＩＩＩ）はＮａＨＦ、、、　ＫＨＦ２又はｔ、１Ｈ
Ｆ２であυうるが、ＫＩＩＦ２　　が好ましい。この反
応は、反応に適当な乾燥した有機溶媒中で行いうるが。

ツメチルホルムアミド、ツメチルアセトアミド。

アセトニトリル又はスルホランの如き極性有機溶媒中で
行うのが好ましい。ツメチルホルムアミドが最も適する
。使用する有機溶媒の種類によっては、所望の反応が進
まないことがある。反応は加熱下に行われ、反応温度は
１２０〜２００°Ｃの範囲が適当である。１５０〜１６
０°Ｃの範囲内であるのが好ましい。

上記の反応によって式（■）の３′−デオキシ−３１−
フルオａカナマイシンＢ保＠誘導体が生成される。これ
の採取は反応液を酢酸エチルの如き適当な有機溶媒で抽
出し、さらにシリカグル・カラムクロマトグラフィーで
分離、精製して行われる。

得られた式（ｖＩ）の化合物の２１−ヒドロキシル基が
未保護である場合（すなわちｖ’＝水素の場合）には、
ピリノンの存在下に無水のツメチルスルホドロキシル基
をアセチル化又はベンゾイル化することなく　２’−ヒ
ドロキシ基のみを選択的にアセチル化又はベンゾイル化
することにより　２’−ヒドロキル基を保護できる（ヒ
ドロキシル保護基ｒの導工程ヶ行う。　　　　　　　　
　　　　　　　　ｌ’４．＞これには、式（１１）の３
′−デオキシ−３′−フルオａカナマイシンＢ保護物質
をビリノン等の有機溶媒に溶解し、式（ＩＸ）のスルホ
ン酸ノーライドＲ３Ｏ□Ｄ′特にアリールスルホン酸ハ
ライド又はこれに対応する式（■りのスルホン酸無水物
、特にアリールスルホン酸無水物を作用せＬ７めると、
４′位水酸基の選択的スルホニル化が行われ、式（ＩＩ
）の物質が得られる。この選択的４′−〇−スルホニル
化反応の溶媒としてはビリノンが最適であるが、一般的
にハヒコリン、Ｎ−アル中ルモルホリン、トリエチルア
ミン等の有機塩基性物質を含む溶媒たとえばメチルホル
ムアｉド、ジメチルアセトアミド、ツメチルスルホキシ
ド、テトラヒドロフラン、ノオキサン、エーテル、クロ
ロホルム、ベンゼン、スルホラン等原料物質を溶解乃至
部分的に溶解せ［７めるアブロティツクな中性溶媒なら
何れも使用できる。上記のスルホン酸ハライド又は対応
の酸無水物の使用ｔＦｉカナマイシンＢＭ導体に対して
１〜５モル比が適当である。

使用される具体的なスルホニル化試薬としては塩化トシ
ル、トシルｍｍ水物、　塩化ベンシルスルホニル、塩化
メタンスルホニル等であるのが好・マしい。４′−〇−
スルホニル化の反♂温度は一４００Ｃ〜１ｏｏ０Ｃの範
囲であるが一２００Ｃ〜２５°Ｃが通常は最たである。

反応時間は３０分〜２日が適当でおる。

第３の本発明の方法に？かいて、こうして中間体と１．
て生成した式（Ｉｆ）の４′−〇−スルホニル化生成物
と式（ｍ）の金属ハライＰとの反応工程、さらに４′位
八口基の還元的脱除工程、ならびに、その後に、行われ
る脱保護工程は第２の本発明の方法における対応の工程
と同じ要領で実施できる。

次に不発明を参考例及び実施例について説明する。これ
らの４ｅＡｌで示された式において、ＡＣはアセチルＭ
、　　Ｂｚ　　はベンゾイル基、Ｃｂｍｑメトキシカル
ボカル＆、Ｚｔ−１ペンノルオキシカルボニル基。

１’Ｂｔｄト’／ルｇ、Ｂｅ５ｔベンノルスルホニル基
。

Ｔ　ｆ　ｔはトリフルオロメタンスルホニル’１４．　
Ｍｉ　　ｉｊメシル基を表わす。

実施例１ （Ａ）２’−０−アセチル−４’−０，６’−Ｎ−カル
ボニル−４’１６’−０−ンクロヘキシリデン−１、３
、２’　、　３’−テトラ−Ｎ−）ジルカナマイシンＢ
〔前出の化合物（ｂ）〕の生成 化合物（６） ６’−Ｎ　、　４’−０−カルボニｂ　−４’、　６’
−Ｑ　−シクロヘキシリデン−１，２’、３．３＃−テ
トラ−Ｎ−トシルカナマイシンＢ〔すなわち、前出の化
合物（ｍｌ〕の１．５８ｇを無水ジメチルスルホキシド
とピリシンとの混液（９：ｌ）７．９ｍに溶解し、Ｎ−
アセチルイミダゾール（）−ＣＯＣＨｓ　）　ＯＯ−５
８ｇを加え、室温にて２４時間放置して２′−ヒトミキ
シル基をアセチル化した。反応液を飽和炭酸水素ナトリ
ウム液！６０−に投入し、析出した沈澱なｒ取、水洗後
に乾燥すると、表題化合物（ｂ）の１．６　ｆｉを得た
。

（榎　２Ｉ−０−ア＋チルー３′−〇−ベンジルスルホ
ニル−４’−０、６’−Ｎ−カルボニル−４＃、　６＃
−０−シクロヘキシリデン−１，３，２’、３＃−テト
ラ−Ｎ−トシルカナマイシンＢ〔化合物（ｃ−Ｆ、）と
いう〕の生成 前項（２）で得た化合物（ｂ）の１１５岬を無水ピリノ
ン２−に溶解し、塩化ペンノルスルホニル２７アηを加
え、−２０’Ｃにて５時間反応せしめて３′−Ｏ−ペン
シルスルホニル化した。少量の水（０，０２−）を加え
て後、反応液を濃縮し残渣を大量の水で洗滌後に乾燥す
ると、無色固体として表題化合物（凸−１）の１２５岬
を得た。

（Ｑ　　４’、　６１−０−シクロヘキシリデン−３′
−デオキシ−３′−エビ−６′−Ｎ−メトキシカルボニ
ル−１、３、３’−トリーＮ−トシル−２’、　３’−
（Ｎ−）シル）エビミノカナマイクンＢ〔化合物（ｄ −１）という〕の生成 化合物（ｄ−１） 前項（騰で得られた化合物（ｃ−ｌ）の１４０９を０．
５Ｍ水酸化ナトリウムを含む無水メタノールの３．２−
に溶解し、室温に″Ｃ，３時間反応せしめた。

反応液を中性まで１Ｍ塩酸で中和後に濃縮し、残渣を大
量の水で水洗し乾燥すると、無色固体として表題化合物
（ｄ−１）の１１７”％Ｔを得た。

（Ｄ）　　４’、　６’−０−シクロへキシリデン−３
′−デオキシ−３′−フルオロ−６’−Ｎ−メトキシカ
ルボニル−１，３，２’、３’−テトラ−Ｎ−トシルカ
ナマイシンＢ 〔化合物（ｅ−１）という〕の生成 ０Ｈ 化合物（ｅ−１） 前項０で得られた化合物（ｄ−１）のｌ＋６．４ｑをツ
メチルホルムアミド２．３ｄＫ溶解し、フン化水素カリ
ウム（ＫＨＦ２）の３７１９を加え、１５００Ｃで２時
間攪拌下に反応した。反応液を冷却し、飽和炭酸水素す
）　ＩＪウム液４７−にあけ、沈澱なｉｉ取し、水洗（
、た◇これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ワ
コーク９ルＣ−２００６ｇ、　　クロロホルム−メタノ
ール（３０：ｌ）で展開）にかけ化合物（ｅ−ｌ）を主
成分とに含む淡黄色固体として粗製の化合物（ｅ−１）
の７５．７Ｗを得た。

本物質は夫々の混成成分に分離できなかったが。

その　Ｆ−ＮＭＲスペクトル（！ピリジン内部　ＣＦ’
ＣＩ。

内部標準）において−１９３，４ｐＨ１ｍに３′−Ｆに
由来する明瞭なダブルトリプレット（Ｊ　　　　５５　
Ｈ２・Ｆ、Ｈ−５ ’Ｆ　、Ｈ−２二ＪＦ、Ｆｌ−４＝　１２　Ｈ２）を認
めた。

（Ｅ）２’−０−アセチル−４＃、　６’−０−シクロ
ヘキシリデン−３′−デオキシ−３１−フルオａ−６’
−Ｎ−メトキシカルボニル−１，３，２’、３’−テト
ラ−Ｎ−トシルカナマイシンＢ〔化合物＜　ｊ−１）と
いう〕の生成 前項０で得られた化合物（ｅ−１）の２４４ｑ（０，１
９７ミリモル）を無水ツメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ
）−ピリシン（９：ｌ）の混液の１．２２−ニ溶解し、
Ｎ−アセチルイミダゾールＢ６．６ｗｐ（０，７８６ミ
ＩＪモル）を加え室温で７２時間反応させた０反応液に
水０．０７ｗＬｔを加えて反応を停止させた後、反応液
を飽和重曹水＋２０−に加え、生じた白色沈澱をｐ取、
水洗し、減圧乾燥後にエーテル洗浄し、減圧乾燥すると
２５０．３■の淡黄色固体として化合物（ｊ−１）を得
た（収率９９優）。

’Ｈ−ＮＭＲ（＋ぞリジン−ｄ５中）：　　５．２０　
（ｄｔ、ＩＨ。

ＪＨ−５’、Ｆ　　５２・　　Ｊ５’、４’＝　Ｊ６ｒ
、　２ｔ　＝　（１，２Ｈｚ。

Ｈ−３’）。

（Ｆ）　２’−０−アセチル−４’、　６’−０−７り
ａヘキシリデン−３′−デオキシ−３′−フルｔｃｆｆ
−６’−Ｎ−メトキシカルボニル−１，３，２’、３’
−テトラ−Ｎ−トシル−４’−０−トリプルオロメチル
スルホニルカナマイシンＢ［化合物（ｋ −１）という〕の生成 化合物（ｋ−１） 前項（Ｅ）で得られた化合物＜ｊ−１）の２５０．３■
（０，１９５ミリモル）を無水ジクロルメタン５−に溶
解し、無水ビリノン０．１２−を加え、−２００Ｃで攪
拌下に無水トリフルオロメタンスルホン酸０．１３ｍ（
化合物（ｊ−１）ＶＣ対（−で４モル比）を加えた。２
．５時間後、反応液に水０．０’ｌηｌを加えて反応を
停止させ、クロロホルム２ｏ−を加え、得られた溶液を
順次に飽和重曹水譚チ重硫酸カリラム水、水で洗浄し、
芒硝で乾燥後、酋縮乾固すると２１ＥＬ３ηの不安定な
固体として表題化合物（ｋ−１）を得た。

（Ｇ）　２１−０−アセチル−４１，６’−０−シクロ
ヘキシリデン−３’、４’−ノブオキシ。

−４′−エピ−クロロ−３′−フルオロ−６′−Ｎ−メ
トキシカルボニル−１，３゜２’、３’−テトラ−Ｎ−
トシルカナマイシンＢ〔化合“吻ＣＬ−ｉ）という〕の
生成Ｏ Ａｅ 前項（Ｆ３で得られた化合物（ｋ−１）の２ｇ８　、８
〜を無水ツメチルホルムアミド（ＤＭＦ）５．８ｍｊに
溶解し、塩化リチウム８６．５■（化合物（ｋ−Ｉ）に
対して１０モル比）を加え、５０°Ｃで５分間攪拌した
。反応液を水１１６艷に投入し、生じた淡黄色沈澱をｒ
取、水洗し、減圧乾燥し、２５２岬の固体として表題化
合物（ｔ−１）の粗製物を得た。この物質はこれ以上は
精製せずに次段の反応工程で用いた。

（Ｈ）２＃−０−アセチル−４＃、６＃−０−シクロへ
キシリデン−３’　、　４’−ジデオキシ−３′−フル
オ０−６’−Ｎ−メトキシカルボニル−１，３，２’、
３’−テトラ−Ｎ−）ジルカナマイシンＢ〔化合１勿（
＋ｏ−１）という〕の生成 化合物（ｍ−１） 前項（Ｇ）で得られた化合物＜１−＋）の粗製物７２．
４岬をジオキサン１．４５４に溶解し、α、α′−アゾ
ピスイソゾチロニトリル４．５■（化合物（ｔ−１）に
対し０．５モル比）、トリブチル錫ハイドライド３１１
９（５モル比）を加え、窒素下にｇｏ’ｃで攪拌した。

５分後にα、α′−アゾピスイソグチロニトリル４．５
Ｍｇ、　　ｌ’リプチル錫ハイドライド８１ＭＩを追加
して還元反志を行った。４０分後反応液を減圧濃縮し、
シリカガル（ツコーグルＣ−２００）３．６．！ｊのカ
ラムにチャーゾし、カラムをクロロホルム１１０−で洗
浄後、クロロホルム−アセトン（２：Ｉ）で溶出した。

相当するフラクションを減圧濃縮し、５９．８１グの粗
生成物を得た。この粗生成物をクロロホルム−アセトン
（２：１）の混液にとかし、ワコーグルＣ−Ｃ−２００
（３のカラムにかけ、クロロホルム−アセトン（２：ｌ
）で溶出して精製した。溶出液の溶出量３．５−目から
９−目までの部分を取り、減圧下に濃縮乾固すると、４
８．５１１ｆｌｌの白色固体として表題化合物（ｍ−１
）が得られた。化合物（ｋ−１）からの収率６６チ。

’　ｌ（−ＮＭＲ（ピリジン−ｄ　中）：　δ３．６１
　Ｌ　　ｓ、　　３Ｈ。

ＣＨ３０・ＣＯ）。

５．１５　（ｍ、　Ｉｎ。

Ｈ−３’）。

（Ｉ）　　３’　、　４’−ノブオキシ−３１−フルオ
ロカナマイシンＢ〔化合物（１）〕の生成 前項（Ｈ）で得られた化合物（ｍ−１）、すなわちＮ、
Ｏ−保護された３′−フルオロ−３’、４’−ジデオキ
シカナマイシンＢを、後記の相継ぐ脱保護段階にかけた
。すなわち、化合物（ｍ−ｌ）の４８．５ηを無水テト
ラヒドロ７ラン（ＴＨＦ　）＆Ｃとかした溶液を、金属
ナトリウム約ｇｏｑを溶解、含有する液体アンモニア約
１５ｄ（−５０°Ｃ’に冷却）に攪拌下に加え、−５０
°Ｃで１０分間反応させることによって化合物（ｍ−１
）がらトシル基を脱離させた。その反応液にメタノール
を加えて、ナトリウム・ラジカルを消去し、混合物を室
温に戻してアンモニアを蒸発させ、得られたシロップ状
残留物を濃縮乾固すると、２’−０−アセチル−４’、
　６’−０−シクロヘキシリデン−３’、４’−ジデオ
キシ−３′−フルオロ−６′−Ｎ−メトヤシカルボニル
カナマイシンＢから主としてなる白色固体が得られた。

この白色固体に水３．５−を加えると、残留した水酸化
ナトリウムのため強アルカリ性の水浴液が得られる。こ
れを８０でに加温しで２時間加水分解反応を起させると
、上記の化合物からメトキシカルボニル基（Ｃｂｍ　）
及びアセチル＆　ｃ　Ａ（！　）が脱離される。こうし
て部分脱保護体として生成されたｋｌ、　６＃−０−シ
クロヘキシリデン−３’、４’−ジデオキシ−３′−フ
ルオロカナマイシンＢを含む反応液を室温に冷却し、酸
性のイオン交換樹脂ダウエックス（Ｄｏｗｅｘ　）　５
０　Ｗ　ｘ　２　（Ｉ（型２００〜４０Ｑメツ、クユ）
の６−を加えて前記の部分脱保護体を樹脂に吸着させた
。これに工って、ＮｊＬ　　イデン基が脱離されて３’
、４’−ジデオキシ−３′−フルオロカナマイシンＢを
生成する。この目的生成物を吸着、含有している樹脂ご
と同一の樹脂２−のカラムの上部に加え、水（４０１ｒ
Ｌｔ）で洗った後、ＩＭ−アンモニア水にて溶出し、ニ
ンヒドリン陽性部分を集め濃縮乾固した。得られた粗生
成物（２３，２＃　）を水（１０ｔ／）Ｋとが［、、サ
ラニｃＭ−セファデックスＣ−２５（Ｎ１１４型）のｌ
Ｏ−カラムにチャージ後、カラムを水洗（５０＋ｄ）Ｌ
、０．０５Ｈ→Ｏ，１５Ｍアンモニア水によシグラジェ
ント溶出し、ニンヒドリン陽性フラクションを合わせで
濃縮乾固し１０．４１１９の淡黄色固体として式％式％ シンＢを得た（−炭酸塩として収率５１％）。

〔α］２４＋　＋　２３°（ｃｌ、水）Ｑ１Ｈ−ＮＩｄ
Ｒ（２ｉ　ＮＤ３含有Ｄ２０）：　　δ　１．５８（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ。

ＩＨ，Ｈ−４’ａｘ３，２．２１　（ｍ、　ＩＨ，Ｈ−
４’ｅｑ）。

４．７３　（ｄｄｔ、　Ｉｔｌ、　）ｌ−３’　）、　
５．３７　（ｔ、　ＩＨ。

）Ｌ−１’　）　：　Ｊ　　ｔ＝　４．ＪＨ−ｓｌ、ｆ
１１＝　５１．５Ｈ−１，Ｉｉ’ ｚ０ 本化合物のＩ（−ＮＭＲチャートは添付図面の第１図に
示す。

実施例２ 囚　４１．６１−　ｏ−イソノロピリデシ−６′−Ｎ−
ベンジルオキシカルボニル−１゜ ３．２′・３′−テトラ−Ｎ−ベンノルスルホニル−３
’　−ｆオキシ−３′−フルオロカナマイシンＢ〔化合
物（ｅ−２） という〕の生生 成’−０−ヘ＞　＞’ルｘルホニル−４’−０＊　６’
−Ｎ−カルボニル−４’、６’−０−イソゾａビリデン
−１，３・２’、３’−テトラ−Ｎ−ベンソルスルホニ
ルカナマイシνＢ〔化合物（ｃ−２）という〕をペンノ
ルアルコールの存在下に水酸化ナトリウムで処理して生
成されて且つ下記の式 化合物（ｄ−２） で示される６’−Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−１，
３，３’−）リード−ベンジルスルホニル−２′・３’
−（Ｎ−ヘンシルスルホニル）エビミノ−３′−デオキ
シ−３′−エピ−４’、　６’−０−イングａビリデン
−カナマイシンＢ〔化合物（ｄ−２）という〕の８０η
をジメチルホルムアミド１．５−に浴ル゛−し、フッ化
水素カリウム（ＫｆｌＦ　　）　　Ｑｉ）　２５　ｙ１
！ＩＩを加え、１５０加２時間洗打１〜て反応Ｅまた。

反応液を以後、実施例１（Ｄ）と同様に処理すると、表
題化合物（ｏ−２）の粗製物４４ｒ９を得た。

（均　２′−〇−ベンゾイルー６′−Ｎ−ベンジルオキ
シカルボニル−１，３，２’、３’−？　＋−ラーＮ−
ペンシルスルホニルー３′−デオキシ−３′−フルオロ
−４’、　６′−〇−イノグロピリデンカナマイシン Ｂ〔化合物（ｊ−２）という〕の生成 ＯＢｚ　　　　　化合物（ｊ−１ 前項囚で得た化合物（ｅ−２）の６ｏｏａｖを無水ピリ
ジシン１．５−に溶解し、ベンゾイルクロライド１４．
３岬な加え、室温で一夜放置した。反応液に水０．０２
−を加え゛ＣＣ後部飽和重曹水５０−中投入し生じ之沈
澱なｐ取し乾燥した。この固体を展開系クロロホルムに
よりシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し２、
固体とし、て表題化合物の８２．２岬（７６％）を得喪
。

（Ｃ）　３’　、　４’−ジデオキシ−３′−フルオロ
カナマイシンＢの生成 前項ＣＢ）で得られた化合物（ｊ−２）の粗製物の１２
０＃ｌｌｌを、°無水ジクａｒ！メタン３−＆て？’Ｂ
　ｆ”！ｌ　ｔ、、無水ピリシン０．０６＃＋ｔを加え
、−２０°Ｃにて無水トリフロロメタンスル１（ンＶ０
．０６−をカロえた０以下実施例１（Ｆ）と同機に処理
すると、相当する不安定な４’−０−トリフロロメチル
スホニル体（粗製物）の１２３岬が得られた。これを無
水ＤＭＦ２．５−に浴解し、塩化リチウム３５ｑを加え
、実施例１　（Ｇ）と同様に処理すると、相当する４′
−エピクａ口体く粗製物）１０５■が得られた。これを
ジオキサ２２ｍＫ溶解し、α、α′−アゾピスイソグチ
ロニトリル７１１ｆ、）リッチルチンハイドライド２１
０ｍ１Ｐを加え、実施例１　（ＩＩ）と同様に処理する
と、相当する４′−デオキシ体６９ｍ９を得た。

これを−５０６Ｃに冷却した液体アンモニア約１５−中
ナトリウム約８０ｑで処理して脱トリフルオロメチルス
ルホニル化する。以下、実施例１（Ｉ）と全く同様に処
理すると、目的生成物の３’、４’−ノブオキシ−３′
−フルオロカナマイシンＢの１１．０岬を得た。−炭酸
塩として化合物（ｊ−２）が「）の収率２４％。

実施例３ （Ａ）　　４１．６’−０−シクロヘキシリデン−６′
−Ｎ−メトキシカルボニル−１，３゜ ２’、３’−テトラ−Ｎ−トリフルオロメタンスルホニ
ル−３’　−ｆ　オキシ−３′−フルオロカナマイシン
Ｂ（化合物（ｅ −３）という〕の生成 ３′−〇−ベンジルスルホニルー４’−０，６’−Ｎ−
カルボニル−４１，６１−Ｑ−シクロへキシリデン−１
，３，２’、３’−テトラ−Ｎ−トリフルオロメタンス
ルホニルカナマイシンＢ（化合物（ｃ　−３）という〕
を無水メタノール中水酸化ナトリウムで処理して生成さ
れて且つ下記の式 ％式％） で示される４＃、　６’−０−シクロヘキシリデン−３
′−デオキシ−３′−エピ−６′−Ｎ−メトキシカルボ
ニル−１、３、３’−トリーＮ−）リフルオロメタンス
ルホニル−２’、　３’−（Ｎ−ト’Ｊフルオロメタン
スルホニル）エビミノカナマイシンＢＣ化合物（ｄ−３
）といつ〕の１１０ηをツメチルホルムアミド２．５−
に溶解する。この溶液にフッ化水素カリウム４０’Ｆを
加え１５０’ｃで２時間攪拌して反応させた。反応液を
以後、実施例１（Ｄ）と同様に処理すると、表題化合物
（ｅ−３）の粗製物７２ηを得た。

（Ｂ）　２’−０−アセチル−４’、　６’−０−シク
ロヘキシリチン−６′−Ｎ−メトキシカルボニル−１，
３，グ　３１−テトラ−Ｎ　−トＩＪフルオロメチルス
ルホニル−３′−デオ＃ｙ−３’−フルオロカナマイシ
ンＢ〔化合物（ｊ−３Ｊという〕の 生成 前項（Ａ）で得た化合物（ｅ−３）の１２０１りをｍ水
ＤＭｓｏ　−ヒＩＪ　−）＞　（９：　ｌ　’）　０．
６＋ｄｌＣ？Ｇ解Ｌ、Ｎ−アセチルイミダゾール５０■
を加え、実施例１（Ｅ）と同様に処理すると表題化合物
（ｊ−３）の１１９■が得られた。

（Ｃ）　３’　、　４’−ノブオキシ−３フーフルオロ
カナマイシンＢの生成 前項（Ｂ）で得られた化合物（ｊ−３）の粗製物のｌ　
ｌ　Ｑｑをピリジン１−５ｄＫ溶解し、メタンスルホニ
ルクロライド０．０２８５−を加え、室温にて一夜放置
した。以下、実施例１（Ｆ）と同様に処理すると、相当
する４′−〇−メシル体１１２キが１尋られた。これを
０ＭＦ２．５−に溶解し、塩化リチウム３０”９を加え
、７０°Ｃで３時間反応せしめた。

以後実施例１（Ｇ）と同様に処匪後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィー（展開系クロロホルム−メタノール
＝７：Ｉ）で精製すると、相当する４′−エピクロ０体
５２ｑが得られた。これをジオキサン１．５ｄＫ溶解し
、α、α′−アゾビスインブチロニトリル５１９．）リ
ッチルチンハイドライド１００■を加え、実施例１　（
Ｉｔ）と同様に処理すると、相当する４′−デオキシ体
３１ｙダが得られた。

これを実施例１（Ｉ）と同様に脱保護処理すると、目的
の３’、４’−ノブオキシ−３′−フルオロカナマイシ
ンＢの６．１ηが得られた。−炭酸塩として化金物（ｊ
−３）からの収率１２．５　％を得た。

実施例４ （Ａ）　　４’、６”−０−ペンノリデンーｂｌ　−Ｎ
−エトキシカルボニル−３１−デオキシ−３′−フルオ
ロ−１，３゜２’、３’−テトラ−Ｎ−メシルカナマイ
シンＢ（化合 物（ｅ−４）という〕の生成 ３′−〇−ベンジルスルホニルー４’−０、０’−Ｎ−
カルボニル−４’＋　６’−０−ペンノリデンー１゜３
　、２’、　３＃−テトラ−Ｎ−メシルカナマイシンＢ
〔化合物（ｃ−４）という〕を無水エタノール中水酸化
カリウムで処理して生成されて且つ下記の式 ％式％（４） で示されるｉ、Ｉ、　６１−　Ｑ−ペンノリチン−３′
〜デオキシ−３′−エピ−６′−Ｎ−エトキシカルボニ
ル−１，３，３’−トリーＮ−メシル−２’、　３’−
（Ｎ　−メシル）エビミノカナマイシンＢ〔化合物ｄ−
４）という〕の４５１ｑをジメチルホルムアミドの１．
１−に溶解し、フン化水素カリウム１ｌｌＮＪを加え、
１５０°Ｃで２時間攪拌して反応させた。その反応液を
以後、実施例１（Ｄ）と同様に処理すると、表題化合物
（ｅ−４）の粗製物の２８９を得た。

（Ｂ）　２’−０−アセチル−４＃、　６＃−０−ベン
ジリデン−６′−Ｎ−エトキシカルボニル−１，３，２
’、３’−テトラ−Ｎ−メシル−３′−チオヤシ−３′
−フルオロカナマイシンＢ〔化合物（ｊ−４）とい う〕の土生 成項（Ａ）で得た１′ヒ合物（ｅ−４）の１２０ηを無
水ＤＭＳ　Ｏ−ピリジン（９：１）０．６１！ｌｅに１
ｌ−７Ｎ−アセチルイミダゾール５０岬を加え、実施例
１（Ｅ）と同様に処理すると表題比８′；勿（ｊ−４）
の１０７ηが得られた。

（Ｃ）　３’、　４’−ゾデオギシー３′−フルオロカ
ナマイシンＢの生成 前項（８）で得られた化合物（ｊ−４）の粗製物の１０
０〜を無水ジクロルメタンとビリノン（１０：１）の混
液７＠ｅに加え、つぎＶこ無ホトリフルオロメタンスル
ホン酸ｏ、０８−を加え、０°Ｃで２時間攪拌し反応せ
しめた。水０．０３　ｍｌを加えて後クロロホルム１５
−を加え、溶液を順次５チ硫酸水素カリウム水、飽和重
げ水、さらに水で洗浄１〜、芒硝で乾燥後、濃縮乾固す
ると、不安定＆　４’　−０−トリフルオロメチルスル
ホニル体の７３η（Ｔ１１製ＶｌｔＪ）を得た。こ九を
無水ＤＶＬＦ１．５＋、、ｔに店！、￥し、塩化リチウ
ム２３■を加え、実施し１１１　（Ｑｌと同様に処理す
ると、相当する４′−エピクロロ体の６１■（粗製物）
を得た。こルをソオキサノ１．５ｔＪにＬ解し、α、（
χ′−丁ゾビスイソブチロニトリル５ｑ、トリグチルチ
ンハイドライド１２０ｑを加え、実施ｆ！ｊｌｌ　ｌ　
（Ｈ）と同様に処理すると、相当する４′−デオキシ体
４４１Ｈｉが得られた。これを実施例１０と同様に脱保
護処理すると、目的の３’　、　４’−ジデオキシ−３
′−フルオロカナマイシンＢの７．０ＩＩＰが得られた
。−炭酸塩として化合物（ｊ−４）からの収率１３．２
チ。

実施例５ 囚　２１−０−アセチル−４’、　６’−０−シクロへ
キシリチン−６′−Ｎ−メトキシカルボニル−４′−〇
−メシルー１，３゜２）という〕の生成 Ａｃ 化合物（ｋ−２） 実施例１（Ｅ）で得られた化合物（ｊ−Ｉ）の２７■を
無水ノクロルメタン０．５−に溶解し、無水ピリノン０
．０１４４とメシルフロラ−ｆ　）’　０．００６５　
−を加え室温にて一夜放置した。以下、実施例１（Ｆ）
と同様に処理すると、表題化合物（ｋ−２）の固体２６
．５　ＩＩＦを得た〇 ＣＢ）　２’−０−アセチル−４’、　６’−０−７ク
ロヘキシリデンー６′−Ｎ−メトキシカルボニル−１，
３・２’、３＃−テトラ−Ｎ−トシル−３’、４’−ジ
デオキシ−４′７９０モ −エピ１７Ｘ１７−７フルオローカナマイシンＢ〔化合
物（ｔ−２）という〕の生成 前項囚で得られた化合物（ｋ−２）の３０．ＯＮを無水
ＤＭＦ０．６１１１／に溶解し、臭化リチウム１９〜を
加え５０’Ｃで一夜反応せしめた。反応液を水１０−に
投入し、生じた沈澱を実施例＋　（Ｇ）と同様に処理後
シリカダル力ラムうロマトグラフイー（展開系クロロホ
ルムをアセトン（２：ｌ））で精製すると、固体として
表題化合物（ｔ−２３の１７．３岬を得た。

（Ｃ）　２’−０−アセチル−４’、　６＃−０−シク
ロヘキシリデン−６′−Ｎ−メトキシカルボニル−１，
３，２’、３’−テトラ−Ｎｌ−シル−３’、４’−ジ
デオキシ−３′−フルオロカナマイシンＢ（化合物（ ｍ−Ｉ）］の生成 前項ＣＢ）で得られた化合物（Ｌ−２）の３５キ（粗製
物）を、ノオキサン１−に溶解し、α、α′−アゾピス
イングチロニトリル２．３１ｉ１９．　　トリグチルチ
ンハイドライド４０ｑを加え、以下、実施例１（■）と
同様に処理し、化合物（ｔ−２）の１４，３ηを得た。

化合物（ｋ−２）からの収率４３’１ｌｒｎ（Ｄ）　３
’、　４’−ノブオキシ−３１−ツルオロカナマイシν
Ｂの生成 前項（Ｃ）で得た化合物（ｍ−１）を実施例１（■）と
同様く脱保護のため処理すると、目的の表題化合物が得
られた。

実施例６ （５）　２＃−〇−アセチルー４’、　６’−０−シク
ロヘキシリチン−６′−Ｎ−メトキシカルボニル−４’
−０−）シル−１，３゜２’、３’−テトラ−Ｎ−）シ
ル−３′−デオキシ−３′−フルオロカナマイシンＢ〔
化合物（ｋ−３＞という〕の生成 実施例１（Ｅ）で得られた化合物（ｊ−１）の２６．５
Ｗをピリノン０．５−に溶解し、トシルクａライト；１
９．７Ｍｇを加え、５０°Ｃにて一夜放置した。

以下、実施例１（Ｆ）と同様に処理すると表題化合物（
ｋ−３）の固体２７．０■を得た。

（Ｂ）　２＃−０−アセチル−４１，ｂｌ−Ｑ−シクロ
ヘキシリデン−６′−Ｎ−メトキシカルボニル−１，３
，２’、３’−テトラ−Ｎ−）シル−３’　、　４’−
ジデオキシ−４′−エピ−ヨード−３′−フルオロカナ
マイクンＢ〔化合物ＣＬ−３）という〕 の生成 前項（Ａ）で得られた化合物（ｋ−３）の３５キを無水
Ｄ　Ｍ　Ｆ　Ｏ，６−に溶解し、沃化ナトリウム＋ｏｏ
ｑを加え５０ｏＣで１０時間反応せしめた。

反応液を水１０−に投入し、生じた沈澱を実施例１（Ｇ
）と同様に処理後、シリカデルカラムクロマトグラフィ
ー（展開系クロロホルム−アセトン（２：Ｉ）で精製す
ると、表題化合物（Ｌ−３）の固体１３．９９を得た。

（Ｃ）　２’−０−γセチルー４′、６“−０−シクロ
ヘキシリデン−６′−Ｎ−メトキシカルボニル−１，３
，２’、３’−テトラ−Ｎ−トシル−３’、４’−ノデ
オキンー３′−フルオロカナマイシンＢ〔化合物（ ｍ−１））り生成 前項（Ｂ）で得られた化合物（ｔ−３）の４０町（粗製
物）を、ジオキサン１ゴに溶）・イし、α、α′−アゾ
ビスインブチロニトリル２．３ｔｙｉ、トリブチルチン
ハイドライド３５ηを加え、以下、実施例１（Ｈ）と同
様に処理すると、表題化合物（ｍ−１）の１６．４ｍ９
を得た。化合物（ｋ−３）からの収率ＣＤ）　３’、　
４’−ノブオキシ−３′−フルオａカナマイシンＢの生
成 前項（Ｃ）で得た化合物（ｍ−１）を実施例１（■）と
同様に脱保穫のため処理すると、［」的の表題化金物が
得られたつ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の３１　、４１−　・ジデオキシ−３′
−フルオロカナマイシンＢの水素核磁気共鳴スペクトル
（’Ｈ−ＮＭＲＩ図を示す。 手続補正書（自発） 昭和６１年子月句日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） で示される３′，４′−ジデオキシ−３′−フルオロカ
   ナマイシンＢ及びその酸付加塩。 ２、次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ｒはアルキル基、アラルキル基又はアリール基
   であり、Ａはメトキシカルボニル基又はエトキシカルボ
   ニル基又はベンジルオキシカルボニル基の形のアミノ保
   護基あるいはアルカノイル基又はアロイル基の形のアミ
   ノ保護基若しくはスルホニル基型のアミノ保護基であり
   、Ｂはアルキルスルホニル基、アラルキルスルホニル基
   又はアリールスルホニル基型のアミノ保護基であり、Ｘ
   及びＹは夫々に水素原子又は１価のヒドロキシル保護基
   であるか、あるいはＸ及びＹは共同して１個の２価ヒド
   ロキシル保護基を形成し、ＱはＢと同じアルキルスルホ
   ニル基、アラルキルスルホニル基又はアリールスルホニ
   ル基であり、Ｖはヒドロキシル保護基である〕で示され
   る３′−デオキシ−３′−フルオロ−４′−Ｏ−スルホ
   ニルカナマイシンＢ誘導体を次式 ＭＤ　（III） 〔式中、Ｍは金属、ＤはＣｌ、Ｂｒ又はＩである〕の金
   属ハライドと作用させて次式 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔式中、Ａ、Ｂ、Ｑ、Ｖ、Ｘ、Ｙ及びＤは前記と同じ意
   味を有する〕で示される４′−ハロゲン化生成物を生成
   し、次いでこれを還元して４′位ハロ基（Ｄ）を水素で
   置換することにより３′，４′−ジデオキシ−３′−フ
   ルオロカナマイシンＢ保護誘導体を生成し、さらに残留
   のアミノ保護基（Ａ、Ｂ、Ｑ）、ならびにヒドロキシル
   保護基（Ｖ、Ｘ、Ｙ）を公知の脱保護法で脱離すること
   を特徴とする、次式▲数式、化学式、表等があります▼
   （ I ） で示される３′，４′−ジデオキシ３′−フルオロカナ
   マイシンＢの製造法。 ３、次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） 〔式中、Ｂはアルキルスルホニル基、アラルキルスルホ
   ニル基又はアリールスルホニル基型のアミノ保護基であ
   り、Ｘ及びＹは夫々に水素原子又は１価のヒドロキシル
   保護基であるか、あるいはＸ及びＹは共同して１個の２
   価ヒドロキシル保護基を形成し、ＱはＢと同じアルキル
   スルホニル基、アラルキルスルホニル基又はアリールス
   ルホニル基であり、ＺはＱと同じ又は異なるアルキルス
   ルホニル基、アラルキルスルホニル基又はアリールスル
   ホニル基であり、Ｖ′はヒドロキシル保護基又は水素原
   子である〕で示される３′−Ｏ−スルホニル−６′−Ｎ
   ，４′−Ｏ−カルボニル−カナマイシンＢの保護誘導体
   をメタノール又はエタノール又はベンジルアルコールの
   存在下に水酸化アルカリ金属と反応させて次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） 〔式中、Ｂ、Ｘ、Ｙ、Ｑ及びＶ′は前記と同じ意味をも
   ち、Ａ′はメトキシカルボニル基又はエトキシカルボニ
   ル基又はベンジルオキシカルボニル基の形のアミノ保護
   基である〕で示される３′−デオキシ−３′−エピ−２
   ′，３′−エピミノ−６′−Ｎ−アルコキシ−又はアラ
   ルキルオキシ−カルボニル−カナマイシンＢの保護誘導
   体を生成し、次に式（VI）の化合物を次式 ＭｅＨＦ＿２　（VI） 〔式中、Ｍｅはアルカリ金属原子である〕のアルカリ金
   属水素ジ弗化物と有機溶媒中で加熱下に反応させて次の
   一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII） 〔式中、Ａ′とＢは前記と同じ意味のアミノ保護基であ
   り、Ｖ′、Ｘ及びＹは前記と同じ意味をもつ〕で示され
   る３′−デオキシ−３′−フルオロカナマイシンＢ誘導
   体を生成させ、さらに式（VIII）の化合物中の（Ｖ′）
   が水素原子である場合にはこのＶ′をヒドロキシル保護
   基に転換し、その後に次式 ＲＳＯ＿２Ｄ′（IX） 〔式中、Ｒはアルキル基、アラルキル基又はアリール基
   であり、Ｄ′は塩素又は臭素又は沃素である〕のスルホ
   ン酸ハライド、あるいはこれに対応する次式 （ＲＳＯ＿２）＿２Ｏ　（IX′） 〔式中、Ｒは前記と同じ意味を有する〕のスルホン酸無
   水物を反応させて、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ｒはアルキル基、アラルキル基又はアリール基
   であり、Ａ′はメトキシカルボニル基又はエトキシカル
   ボニル基又はベンジルオキシカルボニル基の形のアミノ
   保護基であり、Ｂはアルキルスルホニル基、アラルキル
   スルホニル基又はアリールスルホニル基型のアミノ保護
   基であり、Ｘ及びＹは夫々に水素原子又は１価のヒドロ
   キシル保護基であるか、あるいはＸ及びＹは共同して１
   個の２価ヒドロキシル保護基を形成し、ＱはＢと同じア
   ルキルスルホニル基、アラルキルスルホニル基又はアリ
   ールスルホニル基であり、Ｖはヒドロキシル保護基であ
   る］で示される３′−デオキシ−３′−フルオロ−４′
   −Ｏ−スルホニルカナマイシンＢ誘導体を生成させ、次
   にこの式（II）の化合物を次式 ＭＤ　（III） 〔式中、Ｍは金属、ＤはＣｌ、Ｂｒ又はＩである〕の金
   属ハライドと作用させて次式 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔式中、Ａ、Ｂ、Ｑ、Ｖ、Ｘ、Ｙ及びＤは前記と同じ意
   味を有する〕で示される４′−ハロゲン化生成物を生成
   し、次いでこれを還元して４′位ハロ基（Ｄ）を水素で
   置換することにより３′，４′−ジデオキシ−３′−フ
   ルオロカナマイシンＢ保護誘導体を生成し、さらに残留
   のアミノ保護基（Ａ′、Ｂ、Ｑ）、ならびにヒドロキシ
   ル保護基（Ｖ、Ｘ、Ｙ）を公知の脱保護法で脱離するこ
   とを特徴とする、次式▲数式、化学式、表等があります
   ▼（ I ） で示される３′，４′−ジデオキシ−３′−フルオロカ
   ナマイシンＢの製造法。