JPS6250387A - シツフの塩基を含有する液晶混合物 - Google Patents
シツフの塩基を含有する液晶混合物Info
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- JPS6250387A JPS6250387A JP19989786A JP19989786A JPS6250387A JP S6250387 A JPS6250387 A JP S6250387A JP 19989786 A JP19989786 A JP 19989786A JP 19989786 A JP19989786 A JP 19989786A JP S6250387 A JPS6250387 A JP S6250387A
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/42—Mixtures of liquid crystal compounds covered by two or more of the preceding groups C09K19/06 - C09K19/40
- C09K19/48—Mixtures of liquid crystal compounds covered by two or more of the preceding groups C09K19/06 - C09K19/40 containing Schiff bases
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電界制御複屈折（Ｅ Ｃ Ｂ）効果を利用す
るデバイスに使用可部なネマチック液晶混合物に関する
。
るデバイスに使用可部なネマチック液晶混合物に関する
。
（従来の技術）
液晶デバイスによっては、使用される電気光学効果が電
界制御複屈折効果となっている場合がある。この効果は
、ネマチック誘電異方性Δεを示すネマチック相の電場
作用下での歪に対応しており、Δεは、液晶の分子主軸
に平行な誘電率εａとこの主軸に直角な誘電率εｂとの
差として表わされる。
界制御複屈折効果となっている場合がある。この効果は
、ネマチック誘電異方性Δεを示すネマチック相の電場
作用下での歪に対応しており、Δεは、液晶の分子主軸
に平行な誘電率εａとこの主軸に直角な誘電率εｂとの
差として表わされる。
また、液晶デバイスにおいては，情報レベルの高い表示
を可能とするために、ネマチックな物質の中でもハイレ
ベルな多重化を行えるもの、すなわち、電気的にアドレ
ス化自在なスクリーンラインを多数とれるものを用いる
必要がある．多重化のレベルには，デバイス端子への印
加電圧（Ｖ）と液晶の遷移（ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）
閾電圧（Ｖｓ）との関数として次式により表わされる。
を可能とするために、ネマチックな物質の中でもハイレ
ベルな多重化を行えるもの、すなわち、電気的にアドレ
ス化自在なスクリーンラインを多数とれるものを用いる
必要がある．多重化のレベルには，デバイス端子への印
加電圧（Ｖ）と液晶の遷移（ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）
閾電圧（Ｖｓ）との関数として次式により表わされる。
所与の多重化レベルに対しては、電場作用下で液晶が示
す黒白二つの状態間のコントラストを最良となすべく，
出来るだけ大きなセルの中心部で分子のチルト角（φＭ
）を得ることが必要である。
す黒白二つの状態間のコントラストを最良となすべく，
出来るだけ大きなセルの中心部で分子のチルト角（φＭ
）を得ることが必要である。
チルト角が小さい場合、φＭは、液晶の曲がり弾性定数
に３３と広がり弾性定数Ｋｌ１との比及び遷移閾電圧Ｖ
ｓに直接関係する．つまり、φＭは次式により与えられ
る。
に３３と広がり弾性定数Ｋｌ１との比及び遷移閾電圧Ｖ
ｓに直接関係する．つまり、φＭは次式により与えられ
る。
なお上式中、φはφＭとφ φＭ ＣｏｓπＺ ／ ｅ
な０関係にあり、また、ｎｅ及びｎＱは液晶の異常光お
よび常光についての屈折率、ｅはセル中での液晶の厚さ
、そしてＺはその位置を示す。
な０関係にあり、また、ｎｅ及びｎＱは液晶の異常光お
よび常光についての屈折率、ｅはセル中での液晶の厚さ
、そしてＺはその位置を示す。
交差する二つの偏光子間の液晶デバイスを透過する光の
相対強度は次の関係式により与えられる。
相対強度は次の関係式により与えられる。
但し、Δｎはｎｅ−ｎｏに等しく、また、入はデバイス
を照射するビーム光の波長を示す。
を照射するビーム光の波長を示す。
かくて、前記の如き物質にとっての最重要パラメーター
として、液晶状態温度Ｔの範囲の外に３３／Ｋｌ＋．Δ
ｎ及びΔε、を挙げることができる．これらのパラメー
タのうちでも、Ｋ ３３ ／ Ｋ 。
として、液晶状態温度Ｔの範囲の外に３３／Ｋｌ＋．Δ
ｎ及びΔε、を挙げることができる．これらのパラメー
タのうちでも、Ｋ ３３ ／ Ｋ 。
の比の値は、これが、使用物質の電気光学的転移曲線の
勾配の大きさ、延いてはその多重化性を決定することか
ら、特に重要である．尚、この比の値はできるだけ大き
くとる必要がある．′Δｎ及びΔεの値も亦、所望のレ
ベルの多重化性を得る上でｔ要である。この点、一般的
には、これらの値の間で最適化を図ることになる。
勾配の大きさ、延いてはその多重化性を決定することか
ら、特に重要である．尚、この比の値はできるだけ大き
くとる必要がある．′Δｎ及びΔεの値も亦、所望のレ
ベルの多重化性を得る上でｔ要である。この点、一般的
には、これらの値の間で最適化を図ることになる。
（発明が解決しようとする問題点）
電界制御複屈折効果を利用した液晶デバイスに現在使用
されているネマチック液晶は、通常、Ｋコ３ ／ Ｋ
ｏの比の値が約１−１．２で、多重化性は約１／２５０
となっている。この点、同じコントラスト性及び視認角
度を与えつつもより良好な多重化性を有する物質、ある
いは、より低い電圧１例えば実効値４０Ｖ以下で同等な
多重化性が得られる物質を得ることは興味深いことと言
える。
されているネマチック液晶は、通常、Ｋコ３ ／ Ｋ
ｏの比の値が約１−１．２で、多重化性は約１／２５０
となっている。この点、同じコントラスト性及び視認角
度を与えつつもより良好な多重化性を有する物質、ある
いは、より低い電圧１例えば実効値４０Ｖ以下で同等な
多重化性が得られる物質を得ることは興味深いことと言
える。
そこで、本発明は、斯かる点で特性の改良された液晶混
合物を提供することをその課題としている。
合物を提供することをその課題としている。
（問題点を解決するための手段）
上記課題を達成すべく、本発明は、ネマチック液晶の混
合物に於いて、下式（Ｈに係る少なくとも１つのシラ５
−一と、 （式中、Ｒ１及びＲ２は炭素原子を１乃至７個備えた同
一の若しくは異ったアルキル基である）次のａ）、ｂ）
、ｃ） 、ｄ）の化合物の中から選ばれた少なくとも
１つの化合物とからなり：ａ）下式（ＩＩ ）のアルキ
ルフルオロ２エニルアルキルビシクロオクタン力ルポキ
シレート（式中、Ｒ３及びＲ４は炭素原子を１乃至７個
備えた同一の若しくは異ったアルキル基である）；ｂ）
下式（ｍ）のビフェニルビシクロヘキシルジアルキル （式中、Ｒ５及びＲｅは炭素原子を１乃至７個備えた同
一の若しくは異ったアルキル基である）；Ｃ）下式（Ｉ
Ｖ）のジシアノアルコキシフェニルアルキルシクロへキ
シルカルボキシレート（式中 Ｒ７及びＲ８は炭素原子
を１乃至７個備えた同一の若しくは異ったアルキル基で
ある）；ｄ）下式（Ｖ）のビシクロへキシルカーポニト
リルジアルキル （式中、Ｒ９及びＲＩＧは炭素原子を１乃至７個備えた
同一の若しくは異なるアルキル又はアルキレン基である
）、 前記シックの塩基を重量パーセントで３０〜９０％、前
記アルキルフルオロフェニルアルキルビシクロオクタン
カルボキシレートをｏ〜６０％、前記ビフェニルビシク
ロへキシルシアルギルを０〜１２％、前記ジシアノアル
コキシフェニルアルキルシクロへキシルカルボキシレー
トを０〜１２％、前記ビシクロへキシルカルボニトリル
シアル午ルを０〜４０％含有していることを特徴とする
液晶混合物を提供する。
合物に於いて、下式（Ｈに係る少なくとも１つのシラ５
−一と、 （式中、Ｒ１及びＲ２は炭素原子を１乃至７個備えた同
一の若しくは異ったアルキル基である）次のａ）、ｂ）
、ｃ） 、ｄ）の化合物の中から選ばれた少なくとも
１つの化合物とからなり：ａ）下式（ＩＩ ）のアルキ
ルフルオロ２エニルアルキルビシクロオクタン力ルポキ
シレート（式中、Ｒ３及びＲ４は炭素原子を１乃至７個
備えた同一の若しくは異ったアルキル基である）；ｂ）
下式（ｍ）のビフェニルビシクロヘキシルジアルキル （式中、Ｒ５及びＲｅは炭素原子を１乃至７個備えた同
一の若しくは異ったアルキル基である）；Ｃ）下式（Ｉ
Ｖ）のジシアノアルコキシフェニルアルキルシクロへキ
シルカルボキシレート（式中 Ｒ７及びＲ８は炭素原子
を１乃至７個備えた同一の若しくは異ったアルキル基で
ある）；ｄ）下式（Ｖ）のビシクロへキシルカーポニト
リルジアルキル （式中、Ｒ９及びＲＩＧは炭素原子を１乃至７個備えた
同一の若しくは異なるアルキル又はアルキレン基である
）、 前記シックの塩基を重量パーセントで３０〜９０％、前
記アルキルフルオロフェニルアルキルビシクロオクタン
カルボキシレートをｏ〜６０％、前記ビフェニルビシク
ロへキシルシアルギルを０〜１２％、前記ジシアノアル
コキシフェニルアルキルシクロへキシルカルボキシレー
トを０〜１２％、前記ビシクロへキシルカルボニトリル
シアル午ルを０〜４０％含有していることを特徴とする
液晶混合物を提供する。
以上において、前記シッフの塩基は、例えば、Ｈ−ケル
カー（Ｈ，Ｋ ｅｌｋｅｒ）とＢ−シェルル（Ｓｃｈｅ
ｕｒｌｅ）によりＡｎｇｅｗ、Ｃｈｅｍ、 （応用化学
）のＩｎｔｅｒｎａｔ、Ｅｄｉｔ、 （国際版） 、
Ｖｏｌ、８（１９８９年）、Ｎｏ、＋１ 、第８１１
１４−８８５頁に示された方法を用いて調整することが
できる０本発明で利用可能なシックの塩基としては、例
えば、下式（■）：の構造を有するｐ−メトキシベンジ
リデン。
カー（Ｈ，Ｋ ｅｌｋｅｒ）とＢ−シェルル（Ｓｃｈｅ
ｕｒｌｅ）によりＡｎｇｅｗ、Ｃｈｅｍ、 （応用化学
）のＩｎｔｅｒｎａｔ、Ｅｄｉｔ、 （国際版） 、
Ｖｏｌ、８（１９８９年）、Ｎｏ、＋１ 、第８１１
１４−８８５頁に示された方法を用いて調整することが
できる０本発明で利用可能なシックの塩基としては、例
えば、下式（■）：の構造を有するｐ−メトキシベンジ
リデン。
ｐ′−ブチルアニリン（ＭＢＢＡ）及び、下式（）：
の構造を有するｐ−エトキシベンジリデン。
ｐ′−ブチルアニリン（ＥＢＢＡ）があり、これらは共
に上述の文献に記載されている。
に上述の文献に記載されている。
一方、アルキルフルオロフェニルアルキルビシクロオク
タンカルボキシレートは、 Ｃ，Ｗ、グレイ（Ｇｒｅｙ
）とＳ、Ｍ、ケリー（Ｋｅｌｌｙ）によりＭｏ１． Ｃ
ｒｅｓｔ。
タンカルボキシレートは、 Ｃ，Ｗ、グレイ（Ｇｒｅｙ
）とＳ、Ｍ、ケリー（Ｋｅｌｌｙ）によりＭｏ１． Ｃ
ｒｅｓｔ。
Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓｔ 、 （分子結晶／液晶） 、
１９８１年Ｖｏ ｌ 、 ７５、第１０９〜１１９頁に
示された方法を用いて調整することができる。この種の
化合物で適用可能なものとしては、例えば、下式（■）
：の構造を有する２−フルオロ−４−ｎ−ペンチルフェ
ニル−４−ｎ−ペンチル−ビシクロオクタンカルボキシ
レート（Ｂ（：０５５Ｆ）や、下式（■）：の構造を有
する２−フルオロ−４−ｎ−ヘプチルフェニル−４−ｎ
−ペンチル−ビシクロオクタンカルボキシレート（ＢＣ
０５７Ｆ）がある。
１９８１年Ｖｏ ｌ 、 ７５、第１０９〜１１９頁に
示された方法を用いて調整することができる。この種の
化合物で適用可能なものとしては、例えば、下式（■）
：の構造を有する２−フルオロ−４−ｎ−ペンチルフェ
ニル−４−ｎ−ペンチル−ビシクロオクタンカルボキシ
レート（Ｂ（：０５５Ｆ）や、下式（■）：の構造を有
する２−フルオロ−４−ｎ−ヘプチルフェニル−４−ｎ
−ペンチル−ビシクロオクタンカルボキシレート（ＢＣ
０５７Ｆ）がある。
又、ビフェニルビシクロヘキシルジアルキルは、Ｒ，ア
イデンシンク（Ｅｉｄｅｎｓｃｈｉｎｋ） 、 Ｄ、ｘ
ルトマン（Ｅｒｄｍａｎｎ） 、 Ｊ、クラウゼ（Ｋｒ
ａｕｓｅ）及びり、ボーＡｚ（Ｐｏｈｌ）によりＡｎｇ
ｅｗ、Ｃｈｅｍ、 （応用化学）、ｖｏｌ、８９、Ｎ
ｏ、 １０３（１９７７年）に示された方法に従って調
整することができ、斯かる化合物の例としては、下式（
Ｘ）： の構造を有する４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシク
ロヘキシル）−４′−（トランス−４−ｎ−プロピルシ
クロヘキシル）−ヒフェニル（ＣＢＣ５３）がある。
イデンシンク（Ｅｉｄｅｎｓｃｈｉｎｋ） 、 Ｄ、ｘ
ルトマン（Ｅｒｄｍａｎｎ） 、 Ｊ、クラウゼ（Ｋｒ
ａｕｓｅ）及びり、ボーＡｚ（Ｐｏｈｌ）によりＡｎｇ
ｅｗ、Ｃｈｅｍ、 （応用化学）、ｖｏｌ、８９、Ｎ
ｏ、 １０３（１９７７年）に示された方法に従って調
整することができ、斯かる化合物の例としては、下式（
Ｘ）： の構造を有する４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシク
ロヘキシル）−４′−（トランス−４−ｎ−プロピルシ
クロヘキシル）−ヒフェニル（ＣＢＣ５３）がある。
更に、ジシアノアルコキシフェニルアルキルシクロへキ
シルカルボキシレートｌｋ、に、ヴ７ッレン７ｘルズ（
Ｗａｌｌｅｒ＋ ｆｅｌｓ） 、 Ｇ、バ＋７ ハ’？
７（Ｂａｃｈｍａｎｎ）、Ｄ、ホフマン（Ｈｏｆｍａ
ｎｎ）及びＲ，ケルン（Ｋｅ ｒｎ）によりＴｅｔｒａ
ｈｅｄｒｏｎ （テトンヘドロン）、１９６５年、Ｖ
ａｌ、２１、第２２３９〜２２５６頁に示された手順に
よって調整することができる。この文献中では、化合物
Ｈ（２２４１頁）： を、シクロへキシルアルキル の酸塩化物で処理して を得、次いで、これを臭化アルキルで処理することによ
り、誘導体 斯かる化合物の例としては、下式（ＸＩ） ：ＮＣＣ
Ｎ の構造を有する４−ｎ−ブトキシ−２，３−ジシアノフ
ェニル−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル−
１−力ルポキシレー） （５ＨＥＮ０４）がある。
シルカルボキシレートｌｋ、に、ヴ７ッレン７ｘルズ（
Ｗａｌｌｅｒ＋ ｆｅｌｓ） 、 Ｇ、バ＋７ ハ’？
７（Ｂａｃｈｍａｎｎ）、Ｄ、ホフマン（Ｈｏｆｍａ
ｎｎ）及びＲ，ケルン（Ｋｅ ｒｎ）によりＴｅｔｒａ
ｈｅｄｒｏｎ （テトンヘドロン）、１９６５年、Ｖ
ａｌ、２１、第２２３９〜２２５６頁に示された手順に
よって調整することができる。この文献中では、化合物
Ｈ（２２４１頁）： を、シクロへキシルアルキル の酸塩化物で処理して を得、次いで、これを臭化アルキルで処理することによ
り、誘導体 斯かる化合物の例としては、下式（ＸＩ） ：ＮＣＣ
Ｎ の構造を有する４−ｎ−ブトキシ−２，３−ジシアノフ
ェニル−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル−
１−力ルポキシレー） （５ＨＥＮ０４）がある。
更に又、ビシクロへキシルカルボニトリルジアルキルは
、Ｒ，アイデンシンク（Ｅｉｄｅｎｓｃｈｉｎｋ） 、
Ｇ。
、Ｒ，アイデンシンク（Ｅｉｄｅｎｓｃｈｉｎｋ） 、
Ｇ。
ハース（Ｂａａｓ）、Ｍ 、 ｏ−マー（Ｒａｗｅｒ）
及びＢ、Ｓ、シュプル（Ｓｃｈｅｕｂｌｅ）によりＡｎ
ｇｅｗ、 Ｃｈｅｗ、 （応用化学） 、 Ｖｏｌ ９
Ｂ（１９８４年） 、 Ｎｏ、２、第１５１頁に示され
た方法によって調整することができ、斯かる化合物の例
としては、下式（ＸＩＩ） ：の構造を有する４α−ｎ
−ヘプチル、４′α−ｎ−ブチル−１α，１′α−ビシ
クロヘキシル−４−β−カルボニトリル（（ｊｌＪ４７
）や、下式（）： の構造を有する４α、４′α−ジーｎ−ベンチルーｌα
、１′α−ビシクロヘキシル−４−β−カルボニトリル
（ＣＣＮ５５）がある。
及びＢ、Ｓ、シュプル（Ｓｃｈｅｕｂｌｅ）によりＡｎ
ｇｅｗ、 Ｃｈｅｗ、 （応用化学） 、 Ｖｏｌ ９
Ｂ（１９８４年） 、 Ｎｏ、２、第１５１頁に示され
た方法によって調整することができ、斯かる化合物の例
としては、下式（ＸＩＩ） ：の構造を有する４α−ｎ
−ヘプチル、４′α−ｎ−ブチル−１α，１′α−ビシ
クロヘキシル−４−β−カルボニトリル（（ｊｌＪ４７
）や、下式（）： の構造を有する４α、４′α−ジーｎ−ベンチルーｌα
、１′α−ビシクロヘキシル−４−β−カルボニトリル
（ＣＣＮ５５）がある。
本発明に係る液晶の合成に使用される混合物は、一般に
、数種の成分から成り、とりわけ、幾つかのシップの塩
基と、前記化合物ａ）、ｂ）。
、数種の成分から成り、とりわけ、幾つかのシップの塩
基と、前記化合物ａ）、ｂ）。
Ｃ）およびｄ）中から選ばれた幾つかの成分とから成る
。
。
本発明の好適実施例によれば、上記混合物は、１９〜４
４重量％のｐ−メトキシベンジリデン。
４重量％のｐ−メトキシベンジリデン。
ｐ′−ブチルアニリン（ＭＢＢＡ）と、１８〜２８重量
％のｐ−エトキシベンジリデン、ｐ′−ブチルアニリン
（ＥＢＢＥ）と、０〜１７重量％の２−フルオロ−４−
ｎ−ペンチルフェニル−４−ｎ−ペンチルビシクロオク
タンカルボキシレート（ＢＣ０５５Ｆ）と、１．５〜１
６重量％の４α、４′α−ジ−ｎ−ペンチル−１α、１
′−αビシクロへキシル−４β−カルボニトリル（Ｃ：
ＣＮ５５）と、１．９〜２６．５重量％の４α−ｎ−ヘ
プチル、４′−α−ｎ−ブチル−１α、１′α−ビシク
ロヘキシル−４β−カルボニトリル（ｆｌｌＧ：８４７
）とからる。
％のｐ−エトキシベンジリデン、ｐ′−ブチルアニリン
（ＥＢＢＥ）と、０〜１７重量％の２−フルオロ−４−
ｎ−ペンチルフェニル−４−ｎ−ペンチルビシクロオク
タンカルボキシレート（ＢＣ０５５Ｆ）と、１．５〜１
６重量％の４α、４′α−ジ−ｎ−ペンチル−１α、１
′−αビシクロへキシル−４β−カルボニトリル（Ｃ：
ＣＮ５５）と、１．９〜２６．５重量％の４α−ｎ−ヘ
プチル、４′−α−ｎ−ブチル−１α、１′α−ビシク
ロヘキシル−４β−カルボニトリル（ｆｌｌＧ：８４７
）とからる。
また本発明の他の好適実施例によれば、前記混合物は、
３，４〜４０重量％のｐ−メトキシベンジリデン、ｐ′
−ブチルアニリン（ＭＢＢＡ）と、２３〜２Ｅ３重ｔ％
のｐ−エトキシベンジリデン、ｐ′−ブチルアニリン（
ＥＢＢＡ）と、１５〜２６重量％の２−フルオロ−４−
ｎ−ペンチルフェニル−４−ｎ−ペンチルビシクロオク
タンカルボキシレート（ＢＧＯ５５Ｆ）と、０〜３０重
量％の２−フロオロ−４−ｎ−へブチルフェニル−４−
ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボキシレート（ＢＣ
Ｏ５７Ｆ） 、！：、６〜１０重量％の４−（トランス
−４−ｎ−ペンチルミクロヘキシル）−４′−（トラン
ス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−ビフェニル（
Ｉｌｌ：ＢＣ５３）と、Ｏ〜４ ｆｉｉ％の４−ｎ−ブ
トキシ−２，３−ジシアノフェニル−トランス−、＜ン
チルシクロヘキサン力ルポキシレート（５ＨＥＮ０４）
とから成っている。
３，４〜４０重量％のｐ−メトキシベンジリデン、ｐ′
−ブチルアニリン（ＭＢＢＡ）と、２３〜２Ｅ３重ｔ％
のｐ−エトキシベンジリデン、ｐ′−ブチルアニリン（
ＥＢＢＡ）と、１５〜２６重量％の２−フルオロ−４−
ｎ−ペンチルフェニル−４−ｎ−ペンチルビシクロオク
タンカルボキシレート（ＢＧＯ５５Ｆ）と、０〜３０重
量％の２−フロオロ−４−ｎ−へブチルフェニル−４−
ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボキシレート（ＢＣ
Ｏ５７Ｆ） 、！：、６〜１０重量％の４−（トランス
−４−ｎ−ペンチルミクロヘキシル）−４′−（トラン
ス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−ビフェニル（
Ｉｌｌ：ＢＣ５３）と、Ｏ〜４ ｆｉｉ％の４−ｎ−ブ
トキシ−２，３−ジシアノフェニル−トランス−、＜ン
チルシクロヘキサン力ルポキシレート（５ＨＥＮ０４）
とから成っている。
尚２本発明に係る液晶混合物は、電界制御複屈折効果を
利用した液晶デバイスにおける情動素子として使用され
る。
利用した液晶デバイスにおける情動素子として使用され
る。
（実施例）
以下に本発明の例示的かつ非限定的な実施例を幾つか示
す。
す。
支立直一旦
式（■）のＥＢＢＡ４７ 、７重量％と式（■）のＢＣ
０５５Ｆ５２ 、３重量％とからなる液晶混合物の調整
を行って、５〜７２℃の温度範囲でネマチック液晶相を
示す液晶混合物を得、この混合物に付き、誘電異方性Δ
ε、光学異方性Δｎ、およびに３３／Ｋｌ＋の比を従来
の方法で測定して、以下の値を得た。
０５５Ｆ５２ 、３重量％とからなる液晶混合物の調整
を行って、５〜７２℃の温度範囲でネマチック液晶相を
示す液晶混合物を得、この混合物に付き、誘電異方性Δ
ε、光学異方性Δｎ、およびに３３／Ｋｌ＋の比を従来
の方法で測定して、以下の値を得た。
一Δｎ：ｏ、１５８
一Δε：０．６
−に３３／Ｋｌｌ・１．３８
丈１０１−１
実施例１に於ける如く１式（ＶＴ）のＭＢＢＡ５９−３
重量％と式（Ｖ［）のＢＧＯ５５Ｆ４０ 、７重量％と
から成る液晶混合物を調整し、この混合物の液晶相温度
範囲、光学異方性Δｎ、誘電異方性Δεおよび比Ｋ ３
３ ／ Ｋ ｏの値を実施例１と同様な測定により求め
２以下の結果を得た。
重量％と式（Ｖ［）のＢＧＯ５５Ｆ４０ 、７重量％と
から成る液晶混合物を調整し、この混合物の液晶相温度
範囲、光学異方性Δｎ、誘電異方性Δεおよび比Ｋ ３
３ ／ Ｋ ｏの値を実施例１と同様な測定により求め
２以下の結果を得た。
液晶相温度範囲 ： ０〜５０℃
光学異方性 ： Δｎ＝０．１５３誘電異方性
： Δε＝−０、５３比にコ３／Ｋｌｌ：１．３
２ 支ム珂−」 実施例１に於ける如く１式（Ｖｌ）のＭＢＢＡ４４重量
％と、式（■）のＥＢＢＡ２８重量％と、式（ＸＩ）の
ＣＣＮ５５１ 、５重量％と、式（′Ａ）のＧ（１：Ｎ
４７２６．５重着％とから成る液晶の混合物を調整し、
この混合物に付き、実施例１と同様にして以下の特性を
求めた。
： Δε＝−０、５３比にコ３／Ｋｌｌ：１．３
２ 支ム珂−」 実施例１に於ける如く１式（Ｖｌ）のＭＢＢＡ４４重量
％と、式（■）のＥＢＢＡ２８重量％と、式（ＸＩ）の
ＣＣＮ５５１ 、５重量％と、式（′Ａ）のＧ（１：Ｎ
４７２６．５重着％とから成る液晶の混合物を調整し、
この混合物に付き、実施例１と同様にして以下の特性を
求めた。
ネマチック液晶相温度範囲ニー９〜５８℃光学異方性
：Δｎ＝０．１４誘導異方性
：Δε＝−１，９Ｋ ３３ ／ Ｋ ｒ重
＋１．０８支ム［４ 実施例１に於ける如く、次の組成を有する液晶の混合物
を調整した。
：Δｎ＝０．１４誘導異方性
：Δε＝−１，９Ｋ ３３ ／ Ｋ ｒ重
＋１．０８支ム［４ 実施例１に於ける如く、次の組成を有する液晶の混合物
を調整した。
式（ＶＩ）のＭＢＢＡ ３０重量％式（■）のＥ
ＢＢＡ １８重量％式（ＶＩＥ） ノＢＣＡ５５
Ｆ １７ｆｆｉ量％式（Ｘｆｆ）のＣＣＮ４７
１９重量％式Ｏｌ）のＣＣＮ５５ １６重量％ この液晶混合物の特性は以下の通りであった。
ＢＢＡ １８重量％式（ＶＩＥ） ノＢＣＡ５５
Ｆ １７ｆｆｉ量％式（Ｘｆｆ）のＣＣＮ４７
１９重量％式Ｏｌ）のＣＣＮ５５ １６重量％ この液晶混合物の特性は以下の通りであった。
ネマチック液晶相温度範囲ニー２０〜５７．８℃光学異
方性 ：Δｎ＝ｏ、１２誘電異方性
：Δε＝−３に３３／Ｋｌｌ
： ｌ・Ｏ７丈１」１−ｊ 実施例１に於ける如く、以下の重量組成を有する液晶混
合物を調整した。
方性 ：Δｎ＝ｏ、１２誘電異方性
：Δε＝−３に３３／Ｋｌｌ
： ｌ・Ｏ７丈１」１−ｊ 実施例１に於ける如く、以下の重量組成を有する液晶混
合物を調整した。
式（Ｖｌ） ノＭＢＢＡ ４０％式（■）のＥＢ
ＢＡ ２５ 、４％式（ＶＩＥ［） ノＢｃ０５
５Ｆ ２５ 、２％式（Ｘ［Ｉ）のＣＢＣ５３７，
７％ 式（ＸＩ） ノ５ＨＥＮ０４１、７％ この混合物は以下の特性を有していた。
ＢＡ ２５ 、４％式（ＶＩＥ［） ノＢｃ０５
５Ｆ ２５ 、２％式（Ｘ［Ｉ）のＣＢＣ５３７，
７％ 式（ＸＩ） ノ５ＨＥＮ０４１、７％ この混合物は以下の特性を有していた。
ネマチック液晶相温度範囲ニー１２〜７８，７℃光学異
方性 ：Δｎ＝０．２誘電異方性
：Δε＝−１に３３／ Ｋｌｌ
： １ 、３４支ム１ 実施例１に於ける如く、次の組成を有する液晶混合物を
調整した。
方性 ：Δｎ＝０．２誘電異方性
：Δε＝−１に３３／ Ｋｌｌ
： １ 、３４支ム１ 実施例１に於ける如く、次の組成を有する液晶混合物を
調整した。
式（ＶＩ）のＭＢＢＡ ３４ 、７重量％式（■）
のＥＢＢＡ ２３ 、１重量％式（ＶＩＡ／ＩＸ）
ノＢＧ：０５５Ｆ／ＢＧＯ５７Ｆ （７）共融混合物
３３．３重量％、 式（Ｘ［）の５ＨＥＮ０４２、６重量％。
のＥＢＢＡ ２３ 、１重量％式（ＶＩＡ／ＩＸ）
ノＢＧ：０５５Ｆ／ＢＧＯ５７Ｆ （７）共融混合物
３３．３重量％、 式（Ｘ［）の５ＨＥＮ０４２、６重量％。
この液晶混合物は以下の特性を有していた。
ネマチック液晶相温度範囲ニー１６〜７６℃光学異方性
：Δｎ＝０．１９２誘電異方性
：Δε＝−ＩＫ３３／Ｋｌｌ ：
１ 、２６なお、本発明の実施に使用された幾つかの
結晶に付き、その物理的特性値を比較の目的で以下に示
す。
：Δｎ＝０．１９２誘電異方性
：Δε＝−ＩＫ３３／Ｋｌｌ ：
１ 、２６なお、本発明の実施に使用された幾つかの
結晶に付き、その物理的特性値を比較の目的で以下に示
す。
（発明の効果）
以上の説明により明らかな如く、本発明によれば、夫々
、前記式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）の
［１を有するアルキルフルオロフェニルアルキルビシク
ロオクタンカルボキシレート、ビフェニルビシクロヘキ
シルジアルキル、ジシアノアルコキシフェニルアルキル
シクロへキシルカルボキシレート及びビシクロへキシル
カルボニトリルジアルキルの中から化合物を１つ以上選
び、更に前記式（１）の構造を有する少なくとも１つの
シックの塩基を選んで、これらを適宜な割合で混合させ
て液晶混合物を得る為、混合物中に含まれる異種成分の
各パラメータに付き良好な最適化を行え、しかも、そう
した成分は大半が既知の生産物である為、従来の仕方で
その調整を行うことが出来る等多くの利点が得られる。
、前記式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）の
［１を有するアルキルフルオロフェニルアルキルビシク
ロオクタンカルボキシレート、ビフェニルビシクロヘキ
シルジアルキル、ジシアノアルコキシフェニルアルキル
シクロへキシルカルボキシレート及びビシクロへキシル
カルボニトリルジアルキルの中から化合物を１つ以上選
び、更に前記式（１）の構造を有する少なくとも１つの
シックの塩基を選んで、これらを適宜な割合で混合させ
て液晶混合物を得る為、混合物中に含まれる異種成分の
各パラメータに付き良好な最適化を行え、しかも、そう
した成分は大半が既知の生産物である為、従来の仕方で
その調整を行うことが出来る等多くの利点が得られる。
Claims (11)
- （１）ネマチック液晶の混合物に於いて、 下式（ I ）に係る少なくとも１つのシッフの塩基と、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は炭素原子を１乃至７個備え
た同一の若しくは異ったアルキル基である）次のａ）、
ｂ）、ｃ）、ｄ）の化合物の中から選ばれた少なくとも
１つの化合物とからなり：ａ）下式（II）のアルキルフ
ルオロフェニルアルキルビシクロオクタンカルボキシレ
ート ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＾３及びＲ＾４は炭素原子を１乃至７個備え
た同一の若しくは異ったアルキル基である）；ｂ）下式
（III）のビフェニルビシクロヘキシルジアルキル ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒ＾５及びＲ＾６は炭素原子を１乃至７個備え
た同一の若しくは異ったアルキル基である）；ｃ）下式
（IV）のジシアノアルコキシフェニルアルキルシクロヘ
キシルカルボキシレート ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、Ｒ＾７及びＲ＾８は炭素原子を１乃至７個備え
た同一の若しくは異ったアルキル基である）；ｄ）下式
（Ｖ）のビシクロヘキシルカルボニトリルジアルキル ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） （式中、Ｒ＾９及びＲ＾１＾０は炭素原子を１乃至７個
備えた同一の若しくは異なるアルキル又はアルキレン基
である）、 前記シッフの塩基を重量パーセントで３０〜９０％、前
記アルキルフルオロフェニルアルキルビシクロオクタン
カルボキシレートを０〜 ６０％、前記ビフェニルビシクロヘキシルジアルキルを
０〜１２％、前記ジシアノアルコキシフェニルアルキル
シクロヘキシルカルボキシレートを０〜１２％、前記ビ
シクロヘキシルカルボニトリルジアルキルを０〜４０％
含有していることを特徴とする液晶混合物。 - （２）前記シッフの塩基は、ｐ−メトキシベンジリデン
、ｐ′−ブチルアニリンまたはｐ−エトキシベンジリジ
ン、ｐ′−ブチルアニリンであることを特徴とする前記
特許請求の範囲第１項に記載の液晶混合物。 - （３）前記アルキルフルオロフェニルアルキルビシクロ
オクタンカルボキシレートは、２−フルオロ−４−ｎ−
ペンチルフェニル−４−ｎ−ペンチルビシクロオクタン
カルボキシレートまたは２−フロオロ−４−ｎ−ヘプチ
ルフェニル−４−ｎ−ペンチル−ビシクロオクタンカル
ボキシレートであることを特徴とする前記特許請求の範
囲第１項若しくは第２項に記載の液晶混合物。 - （４）前記ビフェニルビシクロヘキシルジアルキルは、
４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−
４′−トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル−ビ
フェニルであることを特徴とする前記特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれかに記載の液晶混合物。 - （５）前記ジシアノアルコキシフェニルアルキルシクロ
ヘキシルカルボキシレートは、 ４−ｎ−ブチルオキシ−２，３−ジシアノフェニル−ト
ランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル−１−カルボ
キシレートであることを特徴とする前記特許請求の範囲
第１項乃至第４項のいずれかに記載の液晶混合物。 - （６）前記ジアルキルビシクロヘキシルカルボニトリル
は、４−α−ｎ−ヘプチル、４′α−ｎ−ブチル−１α
，１′α−ビシクロヘキシル−４−β−カルボニトリル
または４α，４′α−ジ−ｎ−ペンチル−１α，１′α
−ビシクロヘキシル−４−β−カルボニトリルであるこ
とを特徴とする前記特許請求の範囲第１項乃至第５項の
いずれかに記載の液晶混合物。 - （７）４７．７重量％のｐ−エトキシベンジリデン、ｐ
′−ブチルアニリン（ＥＢＢＡ）と、５２．３重量％の
２−フルオロ−４−ｎ−ペンチルフェニル−４−ペンチ
ルビシクロオクタンカルボキシレート（ＢＣＯ５５Ｆ）
とから成ることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項
に記載の液晶混合物。 - （８）５９．３重量％のｐ−メトキシベンジリデン、ｐ
′−ブチルアニリン（ＭＢＢＡ）と、４０．７重量％の
２−フルオロ−４−ｎ−ペンチルフェニル−４−ｎ−ペ
ンチルビシクロオクタンカルボキシレート（ＢＣＯ５５
Ｆ）とから成ることを特徴とする前記特許請求の範囲第
１項に記載の液晶混合物。 - （９）１９〜４４重量％のｐ−メトキシベンジリデン、
ｐ′−ブチルアニリン（ＭＢＢＡ）と、１８〜２８重量
％のｐ−エトキシベンジリデン、ｐ′−ブチルアニリン
（ＥＢＢＡ）と、０〜１７重量％の２−フロオロ−４−
ｎ−ペンチルフェニル−４−ｎ−ペンチルビシクロオク
タンカルボキシレート（ＢＣＯ５５Ｆ）と、１．５〜１
６重量％の４α，４′α−ジ−ｎ−ペンチル−１−α，
１′α−ビシクロヘキシル−４−カルボニトリル（ＣＣ
Ｎ５５）と、１９〜２６．５重量％の４α−ｎ−ヘプチ
ル、４′−α−ｎ−ブチル−１α，１′α−ビシクロヘ
キシル−４β−カルボニトリル（ＣＣＮ４７）とから成
ることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項に記載の
液晶混合物。 - （１０）３４〜４０重量％のｐ−メトキシベンジリデン
、ｐ′−ブチルアニリン（ＭＢＢＡ）と、２３〜２６重
量％のｐ−エトキシベンジリデン、ｐ′−ブチルアニリ
ン（ＥＢＢＡ）と、１５〜２６重量％の２−フロオロ−
４−ｎ−ペンチルフェニル−４−ｎ−ペンチルビシクロ
オクタンカルボキシレート（ＢＣＯ５５Ｆ）と、０〜３
０重量％の２−フロオロ−４−ｎ−ヘプチルフェニル−
４−ｎ−ペンチルビシクロオクタンカルボキシレート（
ＢＣＯ５７Ｆ）と、６〜１０重量％の４−（トランス−
４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−４′−（トランス
−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−ビフェニル（Ｃ
ＢＣ５３）と、０〜４重量％の４−ｎ−ブトキシ−２，
３−ジシアノフェニル−トランス−ｎ−ペンチルシクロ
ヘキサンカルボキシレート（５ＨＥＮ０４）とから成る
ことを特徴とする前記特許請求の範囲第１項に記載の液
晶混合物。 - （１１）電界制御複屈折効果を用いる液晶デバイスにお
いて、前記特許請求の範囲第１項乃至第１０項のいずれ
かに従って得られた液晶混合物から成ることを特徴とす
る液晶デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8512726A FR2586421B1 (fr) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | Melange de cristaux liquides contenant une base de schiff |
| FR8512726 | 1985-08-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6250387A true JPS6250387A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=9322388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19989786A Pending JPS6250387A (ja) | 1985-08-26 | 1986-08-26 | シツフの塩基を含有する液晶混合物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0216671A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6250387A (ja) |
| FR (1) | FR2586421B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2042572A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-01 | FUJIFILM Corporation | Ink composition, inkjet recording method, printed material, and process for producing molded printed material |
| EP2233538A1 (en) | 2009-03-27 | 2010-09-29 | Fujifilm Corporation | Photocurable composition |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3268468D1 (en) * | 1981-02-13 | 1986-02-27 | Secr Defence Brit | Liquid crystal compounds exhibiting a small dielectric anisotropy and liquid crystal materials and devices incorporating such compounds |
| GB2134110B (en) * | 1983-01-26 | 1987-01-14 | Secr Defence | Liquid crystal 1-fluorophenyl-2-cyclohexyl-ethanes |
-
1985
- 1985-08-26 FR FR8512726A patent/FR2586421B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-08-22 EP EP86401861A patent/EP0216671A1/fr not_active Withdrawn
- 1986-08-26 JP JP19989786A patent/JPS6250387A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2042572A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-01 | FUJIFILM Corporation | Ink composition, inkjet recording method, printed material, and process for producing molded printed material |
| EP2233538A1 (en) | 2009-03-27 | 2010-09-29 | Fujifilm Corporation | Photocurable composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2586421A1 (fr) | 1987-02-27 |
| FR2586421B1 (fr) | 1988-01-15 |
| EP0216671A1 (fr) | 1987-04-01 |
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