JPS6249094B2 - - Google Patents
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- JPS6249094B2 JPS6249094B2 JP393379A JP393379A JPS6249094B2 JP S6249094 B2 JPS6249094 B2 JP S6249094B2 JP 393379 A JP393379 A JP 393379A JP 393379 A JP393379 A JP 393379A JP S6249094 B2 JPS6249094 B2 JP S6249094B2
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、均一な目孔径を有し、開孔率の高い
超微細粒子のふるいわけ用金属フイルターの製造
法に関するものである。
超微細粒子のふるいわけ用金属フイルターの製造
法に関するものである。
従来、粉塵、鉄鋼中の非金属介在物、顔料、研
磨剤等のふるい分け、粒度分布測定用フイルター
はニツケルまたは銅などの金属を、写真製版され
たレジストパターンを有する導電性基板上に電気
メツキすることにより製造されており、通常は５
〜25μの目孔のあいたフイルターであるが、必要
に応じて目孔径５μ以下のフイルターも製造され
ている。
磨剤等のふるい分け、粒度分布測定用フイルター
はニツケルまたは銅などの金属を、写真製版され
たレジストパターンを有する導電性基板上に電気
メツキすることにより製造されており、通常は５
〜25μの目孔のあいたフイルターであるが、必要
に応じて目孔径５μ以下のフイルターも製造され
ている。
しかしながら、レジストの写真製版に使用され
るフオトマスクは、通常、拡大された原図をカメ
ラにより縮小させて所定のパターンがつくられて
いるが、大面積、高精度で微細パターンを形成さ
せるにはレンズの性能上限界がある。
るフオトマスクは、通常、拡大された原図をカメ
ラにより縮小させて所定のパターンがつくられて
いるが、大面積、高精度で微細パターンを形成さ
せるにはレンズの性能上限界がある。
このため、目孔径５μ以下の金属フイルターを
得るには、目孔径５μ以上のパターンを有するフ
オトマスクを介して、あらかじめフオトレジスト
層が設けられた導電性基板１上に写真製版法によ
りレジストパターン２を形成させ（第１図ａもし
くは第２図ａ）、基板の露出部にニツケルまたは
銅などの金属３を電気メツキして（第１図ｂもし
くは第２図ｂ）目孔径５μ以上のフイルターを製
作した後、フイルター３を基板から剥離し（第１
図ｃもしくは第２図ｃ）、レジスト剥膜後、さら
にメツキして目孔径を縮少する（第１図ｄもしく
は第２図ｄ）ことで所望の目孔径を有するフイル
ターを製造することが行なわれるが、この方法に
より得られる導電性基板上のレジストパターンは
ピツチが大きく、目孔径を縮少するため、開孔率
はますます低下するという欠点を有している。
得るには、目孔径５μ以上のパターンを有するフ
オトマスクを介して、あらかじめフオトレジスト
層が設けられた導電性基板１上に写真製版法によ
りレジストパターン２を形成させ（第１図ａもし
くは第２図ａ）、基板の露出部にニツケルまたは
銅などの金属３を電気メツキして（第１図ｂもし
くは第２図ｂ）目孔径５μ以上のフイルターを製
作した後、フイルター３を基板から剥離し（第１
図ｃもしくは第２図ｃ）、レジスト剥膜後、さら
にメツキして目孔径を縮少する（第１図ｄもしく
は第２図ｄ）ことで所望の目孔径を有するフイル
ターを製造することが行なわれるが、この方法に
より得られる導電性基板上のレジストパターンは
ピツチが大きく、目孔径を縮少するため、開孔率
はますます低下するという欠点を有している。
本発明は、レザー光の干渉によつて得られる干
渉縞パターンの遮光性材料を有するフオトマスク
を用い、導電性基板上にエレクトロフオーミング
法により上記フオトマスクパターンと同様で均一
な超微細目孔径をもつ開孔率の高いふるい分け用
金属フイルターを製造する方法を提供するもので
ある。
渉縞パターンの遮光性材料を有するフオトマスク
を用い、導電性基板上にエレクトロフオーミング
法により上記フオトマスクパターンと同様で均一
な超微細目孔径をもつ開孔率の高いふるい分け用
金属フイルターを製造する方法を提供するもので
ある。
以下、上記の本発明について図面を参照しつつ
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第３図はレーザー干渉によりフオトマスクを製
作するための光学系の一例を示す。第３図におい
て１１は、可干渉性のあるレーザー光の発生源で
ある。１２は、レーザー光の平行光線を透過光と
反射光を１：１に分割するためのビームスプリツ
ターである。１３はビームスプリツター１２で分
割された光束を再結像するための全反射ミラーで
ある。１４は全反射ミラー１３で全反射されたレ
ーザー光線を広げるもので顕微鏡の対物レンズで
ある。１５はレンズを通過する光がほこりや湿気
などの汚れによる散乱光がマスク原版上に設けた
感光材料層１６に到達するのを防止するためにレ
ンズの焦点距離に置かれたピンホール板である。
作するための光学系の一例を示す。第３図におい
て１１は、可干渉性のあるレーザー光の発生源で
ある。１２は、レーザー光の平行光線を透過光と
反射光を１：１に分割するためのビームスプリツ
ターである。１３はビームスプリツター１２で分
割された光束を再結像するための全反射ミラーで
ある。１４は全反射ミラー１３で全反射されたレ
ーザー光線を広げるもので顕微鏡の対物レンズで
ある。１５はレンズを通過する光がほこりや湿気
などの汚れによる散乱光がマスク原版上に設けた
感光材料層１６に到達するのを防止するためにレ
ンズの焦点距離に置かれたピンホール板である。
第４図は、第３図の光学系によつて感光材料層
１６に焼きつけられ、現像によつて得られる干渉
縞のフオトレジストパターンの一例を示す。
１６に焼きつけられ、現像によつて得られる干渉
縞のフオトレジストパターンの一例を示す。
第５図は、第４図で焼きつけられた干渉縞パタ
ーンを有するマスク原版をさらに90゜回転して焼
きつけ、現像によつて得られる回折格子レジスト
パターンを示す。
ーンを有するマスク原版をさらに90゜回転して焼
きつけ、現像によつて得られる回折格子レジスト
パターンを示す。
干渉縞パターンのピツチａは、第３図の二つの
平行光線が結像する交叉角θ、レーザー光線の波
長をλとすると次式で表わされる。
平行光線が結像する交叉角θ、レーザー光線の波
長をλとすると次式で表わされる。
例えば、He−Cdレーザーを用いた3250Åの光
によつてピツチ１μ以下の回折格子パターンが容
易に得られる。
によつてピツチ１μ以下の回折格子パターンが容
易に得られる。
用いる感光材料はレーザー光に感光するネガ型
またはポジ型レジストのどちらでもよい。例え
ば、ポジ型レジストとしては商品名、AZ1350
（米国シツプレー社製）、KAR（米国コダツク社
製）、OFPR（東京応化工業社製）がある。ネガ
型レジストとしては商品名、KMR、KTFR、
KPR（米国コダツク社製）、ウエイコート（米国
ハント社製）などの溶剤レジストのほか、ゼラチ
ン、カゼイン、グリユーに重クロム酸アンモンを
添加した水溶性レジストがある。
またはポジ型レジストのどちらでもよい。例え
ば、ポジ型レジストとしては商品名、AZ1350
（米国シツプレー社製）、KAR（米国コダツク社
製）、OFPR（東京応化工業社製）がある。ネガ
型レジストとしては商品名、KMR、KTFR、
KPR（米国コダツク社製）、ウエイコート（米国
ハント社製）などの溶剤レジストのほか、ゼラチ
ン、カゼイン、グリユーに重クロム酸アンモンを
添加した水溶性レジストがある。
フオトマスクを構成する遮光性材料としては、
例えば蒸着またはスパツタリングによつてえられ
るクロム、酸化クロム、酸化鉄などの数百〜数千
オングストロームの薄膜が適用される。
例えば蒸着またはスパツタリングによつてえられ
るクロム、酸化クロム、酸化鉄などの数百〜数千
オングストロームの薄膜が適用される。
第６図は、本発明によるふるい分け用金属フイ
ルターの製造に用いるフオトマスクの製造法の一
例を各工程別に示す模式断面図である。第６図ａ
はガラスなどの透明基板１７およびその上に設け
られたクロムなどの遮光性材料層１８を有するマ
スク原版を示す。第６図ｂはマスク原版の遮光性
材料層１８上に感光材料層１９が塗布されたもの
で、第３図の光学系によつて干渉縞パターンを焼
きつけ、現像すれば、第６図Ｃに示す如くレジス
トパターン１９Ａが形成される。第６図ｄに示す
如くこのレジスト層１９Ａを介して、露出した遮
光材料層１８をエツチングし、次いで、第６図ｅ
に示す如くレジスト１９Ａを剥離すれば目的とす
るフオトマスクＰが得られる。
ルターの製造に用いるフオトマスクの製造法の一
例を各工程別に示す模式断面図である。第６図ａ
はガラスなどの透明基板１７およびその上に設け
られたクロムなどの遮光性材料層１８を有するマ
スク原版を示す。第６図ｂはマスク原版の遮光性
材料層１８上に感光材料層１９が塗布されたもの
で、第３図の光学系によつて干渉縞パターンを焼
きつけ、現像すれば、第６図Ｃに示す如くレジス
トパターン１９Ａが形成される。第６図ｄに示す
如くこのレジスト層１９Ａを介して、露出した遮
光材料層１８をエツチングし、次いで、第６図ｅ
に示す如くレジスト１９Ａを剥離すれば目的とす
るフオトマスクＰが得られる。
また、図示しないが、透明基板上に設けた感光
材料層に上記レーザー光による焼付けを行ない、
現像して所望のレジストパターンを形成した状態
で、次にクロム等の遮光材料を蒸着、スパツタリ
ング等の方法により積層し、レジストを除去する
と同時にフオトマスクを完成する、いわゆるリフ
トオフ法によつても製作することができる。この
場合には、前記方法と同じタイプの感光材料を使
用して遮光パターンの逆転したマスクの作成がで
きる。
材料層に上記レーザー光による焼付けを行ない、
現像して所望のレジストパターンを形成した状態
で、次にクロム等の遮光材料を蒸着、スパツタリ
ング等の方法により積層し、レジストを除去する
と同時にフオトマスクを完成する、いわゆるリフ
トオフ法によつても製作することができる。この
場合には、前記方法と同じタイプの感光材料を使
用して遮光パターンの逆転したマスクの作成がで
きる。
次に、第７図は、上記の如きフオトマスクＰを
用いて金属フイルターを製造する方法の一例の各
工程を模式的に示す断面図である。まず、第７図
ａに示す如く、上記フオトマスクＰを用いて導電
性基板２１上に設けたフオトレジスト層２２に微
細回折格子パターンを紫外光２０で焼きつける。
しかる後第７図ｂに示す如く現像することにより
レジストパターン２２Ａを得る。次いで、通常の
エレクトロフオーミング法により、第７図ｃに示
す如く金属２３を電気メツキし、次いで第７図ｄ
に示す如く該金属２３を剥離することにより金属
フイルターが製造できる。上記において用いられ
るフオトレジストは前記のフオトレジストの他に
遠紫外線用フオトレジスト、例えば、ポリメチル
メタアクリレート（PMMA）、ポリブチルメタア
クリレートなどの使用も可能である。
用いて金属フイルターを製造する方法の一例の各
工程を模式的に示す断面図である。まず、第７図
ａに示す如く、上記フオトマスクＰを用いて導電
性基板２１上に設けたフオトレジスト層２２に微
細回折格子パターンを紫外光２０で焼きつける。
しかる後第７図ｂに示す如く現像することにより
レジストパターン２２Ａを得る。次いで、通常の
エレクトロフオーミング法により、第７図ｃに示
す如く金属２３を電気メツキし、次いで第７図ｄ
に示す如く該金属２３を剥離することにより金属
フイルターが製造できる。上記において用いられ
るフオトレジストは前記のフオトレジストの他に
遠紫外線用フオトレジスト、例えば、ポリメチル
メタアクリレート（PMMA）、ポリブチルメタア
クリレートなどの使用も可能である。
本発明による場合は、あらかじめフイルターの
孔径は用いるフオトマスクパターンと一致させて
あるので、メツキにより縮小する必要はない。本
発明によつて製作される金属フイルターの孔径は
マスクパターンの孔径がそのまま維持されるの
で、超微細で均一であり、１μ以下が可能であ
る。開孔率は従来のフイルターに比べ非常に高
い。
孔径は用いるフオトマスクパターンと一致させて
あるので、メツキにより縮小する必要はない。本
発明によつて製作される金属フイルターの孔径は
マスクパターンの孔径がそのまま維持されるの
で、超微細で均一であり、１μ以下が可能であ
る。開孔率は従来のフイルターに比べ非常に高
い。
以下、図面を参照しつつ実施例を示して本発明
をさらに具体的に説明する。
をさらに具体的に説明する。
実施例 １
第６図において、透明ガラス基板１７上に蒸着
された厚み約1000Åの遮光材料層（クロム）層１
８上にシツプレー社製AZ1350レジストをスピン
ナーにて約1000Åの厚みに塗布して形成した感光
材料層１９を第３図に示した光学系を用いて、角
度約15゜で交叉する波長4880Å、出力1Wのアル
ゴンレーザーの二光束干渉光を10分間焼きつけ
た。次いで、90゜回転して同様に干渉光を10分間
焼きつけた後、AZ1350レジスト用現像液で現像
を行ない、露光したクロム層を化学腐食させレジ
ストを剥離し、第５図に示すピツチ約２μの回折
格子パターンを有するフオトマスクを作製した。
この回折格子マスクを用い第７図に示したよう
に、シツプレー社AZ1350Jレジストを塗布した
（塗布厚約２μ）ステンレス基板上に超高圧水銀
灯で焼きつけ、現像後、ニツケルメツキして厚さ
約２μの金属フイルターを作製した。
された厚み約1000Åの遮光材料層（クロム）層１
８上にシツプレー社製AZ1350レジストをスピン
ナーにて約1000Åの厚みに塗布して形成した感光
材料層１９を第３図に示した光学系を用いて、角
度約15゜で交叉する波長4880Å、出力1Wのアル
ゴンレーザーの二光束干渉光を10分間焼きつけ
た。次いで、90゜回転して同様に干渉光を10分間
焼きつけた後、AZ1350レジスト用現像液で現像
を行ない、露光したクロム層を化学腐食させレジ
ストを剥離し、第５図に示すピツチ約２μの回折
格子パターンを有するフオトマスクを作製した。
この回折格子マスクを用い第７図に示したよう
に、シツプレー社AZ1350Jレジストを塗布した
（塗布厚約２μ）ステンレス基板上に超高圧水銀
灯で焼きつけ、現像後、ニツケルメツキして厚さ
約２μの金属フイルターを作製した。
このフイルターはピツチ約２μ、目孔径約１μ
の均一な孔をもち、微細粒子のふるい分け用とし
て使用できた。
の均一な孔をもち、微細粒子のふるい分け用とし
て使用できた。
実施例 ２
実施例１でフオトマスクを構成する遮光材料層
のクロムを四塩化炭素、酸素の混合ガス雰囲気中
でプラスマエツチングして同様の回折格子マスク
を作製した、このマスクを用い、同様に金属フイ
ルターを作製した。
のクロムを四塩化炭素、酸素の混合ガス雰囲気中
でプラスマエツチングして同様の回折格子マスク
を作製した、このマスクを用い、同様に金属フイ
ルターを作製した。
実施例 ３
実施例１又は２により、石英ガラス基板による
回折格子マスクを作製した。この回折格子マスク
を用い、ポリメチルメタアクリレート
（PMMA）レジストパターンが設けられたステン
レス基板上にニツケルメツキして金属フイルター
を作製した。
回折格子マスクを作製した。この回折格子マスク
を用い、ポリメチルメタアクリレート
（PMMA）レジストパターンが設けられたステン
レス基板上にニツケルメツキして金属フイルター
を作製した。
第１図および第２図はそれぞれ従来のエレクト
ロフオーミング法による金属フイルターの製造工
程を模式的に示す断面図である。第３図は、本発
明に用いるフオトマスク作製のためにレーザー干
渉を起こさせる光学系の一例を示す説明図、第４
図および第５図は第３図の光学系によつて得られ
る回折格子パターンの一例を示す平面図である。
第６図は、本発明に用いるフオトマスク製造法の
一例を各工程別に示す模式断面図であり、第７図
は、本発明の方法により金属フイルターを製造す
る方法の一例の各工程を模式的に示す断面図であ
る。 １１……レーザー光発生源、１２……ビームス
プリツター、１３……全反射ミラー、１４……対
物レンズ、１５……ピンホール板、１６……感光
材料層、１７……透明基板、１８……遮光性材料
層、１９……感光材料層、１９Ａ……レジストパ
ターン、２０……紫外光、２１……導電性基板、
２２……フオトレジスト層、２２Ａ……レジスト
パターン、２３……金属。
ロフオーミング法による金属フイルターの製造工
程を模式的に示す断面図である。第３図は、本発
明に用いるフオトマスク作製のためにレーザー干
渉を起こさせる光学系の一例を示す説明図、第４
図および第５図は第３図の光学系によつて得られ
る回折格子パターンの一例を示す平面図である。
第６図は、本発明に用いるフオトマスク製造法の
一例を各工程別に示す模式断面図であり、第７図
は、本発明の方法により金属フイルターを製造す
る方法の一例の各工程を模式的に示す断面図であ
る。 １１……レーザー光発生源、１２……ビームス
プリツター、１３……全反射ミラー、１４……対
物レンズ、１５……ピンホール板、１６……感光
材料層、１７……透明基板、１８……遮光性材料
層、１９……感光材料層、１９Ａ……レジストパ
ターン、２０……紫外光、２１……導電性基板、
２２……フオトレジスト層、２２Ａ……レジスト
パターン、２３……金属。
Claims (1)
- １ 導電性基板上に感光性材料を塗布した後、該
感光性材料層にフオトマスクを介して微細パター
ンを焼付けた後、現像してレジストパターンを形
成し、次いで該レジストパターンを有する導電性
基板上にエレクトロフオーミング法により金属を
析出させ、析出金属を上記基板から剥すことによ
り金属フイルターを製造する方法に於いて、上記
フオトマスクとして、レーザー光の干渉縞パター
ンの遮光性材料を透明基板の一方の面に有するフ
オトマスクを用いることを特徴とする金属フイル
ターの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP393379A JPS5597220A (en) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | Method of producing metal filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP393379A JPS5597220A (en) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | Method of producing metal filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5597220A JPS5597220A (en) | 1980-07-24 |
| JPS6249094B2 true JPS6249094B2 (ja) | 1987-10-16 |
Family
ID=11570931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP393379A Granted JPS5597220A (en) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | Method of producing metal filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5597220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019228006A1 (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀用掩模板的制作方法及蒸镀用掩模板 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715578B2 (ja) * | 1992-06-19 | 1995-02-22 | 株式会社日立製作所 | ホトマスク用原板 |
| US7242464B2 (en) | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
| GB2354459B (en) | 1999-09-22 | 2001-11-28 | Viostyle Ltd | Filtering element for treating liquids, dusts and exhaust gases of internal combustion engines |
| KR100956670B1 (ko) * | 2000-07-19 | 2010-05-10 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 홀로그래픽 레티클을 제조하는 방법 |
-
1979
- 1979-01-19 JP JP393379A patent/JPS5597220A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019228006A1 (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀用掩模板的制作方法及蒸镀用掩模板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5597220A (en) | 1980-07-24 |
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