JPS6244613A - 膜厚測定装置 - Google Patents
膜厚測定装置Info
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- JPS6244613A JPS6244613A JP18494885A JP18494885A JPS6244613A JP S6244613 A JPS6244613 A JP S6244613A JP 18494885 A JP18494885 A JP 18494885A JP 18494885 A JP18494885 A JP 18494885A JP S6244613 A JPS6244613 A JP S6244613A
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- film thickness
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体の基板に形成される５ｉ０２等の膜厚性
状を測定する膜厚測定装置の改良に関する。
状を測定する膜厚測定装置の改良に関する。
半導体の基板面に形成される８１０２等の膜厚の誤差は
、歩留り向上のうえから最少限にとどめる必要があるた
め、エツチング工程における７７！ＪＩＩの時間的膜厚
変化（以下、単に膜厚変化と摺移する）および特定部位
における空間的膜厚変化である厚みむらが測定されてい
る。そこで、従来膜厚は、光の干渉を利用して測定して
いる。すなわち、薄膜に対して単色光（中心波長λ０）
を照射し、このとき薄膜からの反射光を受光してこの受
光■から膜厚を求めている。第１２図は膜ＪＷｄに対す
る受光Ｍ＋を示す図で、この受光量１は次式で表わされ
る。
、歩留り向上のうえから最少限にとどめる必要があるた
め、エツチング工程における７７！ＪＩＩの時間的膜厚
変化（以下、単に膜厚変化と摺移する）および特定部位
における空間的膜厚変化である厚みむらが測定されてい
る。そこで、従来膜厚は、光の干渉を利用して測定して
いる。すなわち、薄膜に対して単色光（中心波長λ０）
を照射し、このとき薄膜からの反射光を受光してこの受
光■から膜厚を求めている。第１２図は膜ＪＷｄに対す
る受光Ｍ＋を示す図で、この受光量１は次式で表わされ
る。
１ ＝ｓｉｎ ２ （（２πｎｄ／ λａ ）
ＣＯ３ｉ １）・・・（１） ここで、ｎは薄膜の屈折率、ｄは膜厚、１１は薄膜内部
の屈折角である。このように受光□□□Ｉは正弦波的な
変化を示すものとなり、したがって、この周期数から膜
厚およびその時間的変化が求められ） る。なお
、第１２図において受光量■ａは薄膜内部での多重反射
を考慮しない場合であり、Ｉｂは多重反射を考慮′した
場合を示している。
ＣＯ３ｉ １）・・・（１） ここで、ｎは薄膜の屈折率、ｄは膜厚、１１は薄膜内部
の屈折角である。このように受光□□□Ｉは正弦波的な
変化を示すものとなり、したがって、この周期数から膜
厚およびその時間的変化が求められ） る。なお
、第１２図において受光量■ａは薄膜内部での多重反射
を考慮しない場合であり、Ｉｂは多重反射を考慮′した
場合を示している。
一方、厚みむらは第１３図に示す装置により測定されて
いる。すなわち、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を発振するレーザ
発振器からなる投光装置１から基盤２上に形成された薄
ＩＪ３に対して照射角θでレーザ光線４を出力し、薄膜
３の反射光５を複数並列された受光素子６−１〜５−ｎ
で受光してその受光量に応じた各電気信号を増幅器７を
通して信号処理装置８に送っている。そして、この信号
処理装Ｍ８によって各受光素子６−１〜６−ｎの受光ｍ
の違いから厚みむらが求められる。
いる。すなわち、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を発振するレーザ
発振器からなる投光装置１から基盤２上に形成された薄
ＩＪ３に対して照射角θでレーザ光線４を出力し、薄膜
３の反射光５を複数並列された受光素子６−１〜５−ｎ
で受光してその受光量に応じた各電気信号を増幅器７を
通して信号処理装置８に送っている。そして、この信号
処理装Ｍ８によって各受光素子６−１〜６−ｎの受光ｍ
の違いから厚みむらが求められる。
しかしながら上記各測定では次のような問題がある。す
なわち、膜厚変化の測定では正弦的に変化する受光量の
周期を求めるために、受光量の最大値または最少値を検
出することになる。ところが、この最大値および最少値
付近での信号の変化幅が微小なためノイズ等が乗ると最
大値または最少値の検出が困難となってしまう。
なわち、膜厚変化の測定では正弦的に変化する受光量の
周期を求めるために、受光量の最大値または最少値を検
出することになる。ところが、この最大値および最少値
付近での信号の変化幅が微小なためノイズ等が乗ると最
大値または最少値の検出が困難となってしまう。
また、厚みむらの測定では、複数の受光素子６−１〜５
−ｎを用いるために装置全体が複雑化するとともに、各
受光素子６−１〜（３−ｎの感度バラツキによって測定
精度が低下してしまう。
−ｎを用いるために装置全体が複雑化するとともに、各
受光素子６−１〜（３−ｎの感度バラツキによって測定
精度が低下してしまう。
本発明は上記実情に基づいてなされたもので、その目的
とするところは、膜厚性状を耐ノイズ性に強くかつ簡単
な構成のもので正確に測定できる高精度のｌ！！厚測定
装置を提供することにある。
とするところは、膜厚性状を耐ノイズ性に強くかつ簡単
な構成のもので正確に測定できる高精度のｌ！！厚測定
装置を提供することにある。
（発明の概要）
本発明は、投光手段から測定光を被膜形成された膜面に
対してブリュースタ角よりも大きな入射角をもって投射
し、摸面における反射光または透過光を受光手段により
受光して光電変換し得られた電気信号に基づいて躾面の
膜厚性状を検出する膜厚測定装置である。
対してブリュースタ角よりも大きな入射角をもって投射
し、摸面における反射光または透過光を受光手段により
受光して光電変換し得られた電気信号に基づいて躾面の
膜厚性状を検出する膜厚測定装置である。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は膜厚測定装置の構成図である。同図において１
０はエツチングチャンバであって、この内部の電８Ｉｉ
１１．１２間にウェハー１３が載置されてウェハー１３
上の薄膜が削除される。玉１４は例えばレーザ発振器か
らなる投光器であって、この投光器１４の設置位置はレ
ーザ光１５がウェハー１３上に形成される薄膜に対して
ブリュースタ角よりも大きい角度で入射するものとなっ
ている。つまり第２図に示すように雰囲気中の屈折率を
ｎｌ、薄膜の屈折率をｎ２として法線をｋとすると、入
射角１０はブリュースタ角よりも大きい角つまりｉｏ
−ｔａｎ −ｔ （ｎ２／ ｎｌ ）以上、例えば８
９’ 、８５°である。このようにブリコースタ角より
も大きな角度で入射すると、その反射光１６は１ｉｌｌ
ｌの面に対して平行に振動している光波をＰ成分、この
Ｐ成分に対して垂直に撮動している光波をＳ成分とする
と、これらＰ成分とＳ成分とは互いに位相がπだけずれ
ている。１７はこれらＰ成分とＳ成分の各反射波を受光
してその受光量に応じた電気信号を出力する受光器であ
る。この受光器１７の出力端には増幅回路１８が接続さ
れ、ざらにＶ／Ｆ変換回路（Ｎ圧−周波数変換回路）１
９、Ｅ１０変挽回路（電気−光変換回路）２０が接続さ
れている。したがって、受光器１７から出力された電気
信号は周波数信号に変換され、次に光信号に変換されて
光ファイバー２１を伝播して測定演算手段２２に送られ
るようになっている。この測定演算手段２２内では０／
Ｅ変換回路（光−電気変換回路）２３、パルスカウンタ
２４により受光器１７での受光量に応じたディジタル信
号が演算部２５に取込まれるようになっている。
０はエツチングチャンバであって、この内部の電８Ｉｉ
１１．１２間にウェハー１３が載置されてウェハー１３
上の薄膜が削除される。玉１４は例えばレーザ発振器か
らなる投光器であって、この投光器１４の設置位置はレ
ーザ光１５がウェハー１３上に形成される薄膜に対して
ブリュースタ角よりも大きい角度で入射するものとなっ
ている。つまり第２図に示すように雰囲気中の屈折率を
ｎｌ、薄膜の屈折率をｎ２として法線をｋとすると、入
射角１０はブリュースタ角よりも大きい角つまりｉｏ
−ｔａｎ −ｔ （ｎ２／ ｎｌ ）以上、例えば８
９’ 、８５°である。このようにブリコースタ角より
も大きな角度で入射すると、その反射光１６は１ｉｌｌ
ｌの面に対して平行に振動している光波をＰ成分、この
Ｐ成分に対して垂直に撮動している光波をＳ成分とする
と、これらＰ成分とＳ成分とは互いに位相がπだけずれ
ている。１７はこれらＰ成分とＳ成分の各反射波を受光
してその受光量に応じた電気信号を出力する受光器であ
る。この受光器１７の出力端には増幅回路１８が接続さ
れ、ざらにＶ／Ｆ変換回路（Ｎ圧−周波数変換回路）１
９、Ｅ１０変挽回路（電気−光変換回路）２０が接続さ
れている。したがって、受光器１７から出力された電気
信号は周波数信号に変換され、次に光信号に変換されて
光ファイバー２１を伝播して測定演算手段２２に送られ
るようになっている。この測定演算手段２２内では０／
Ｅ変換回路（光−電気変換回路）２３、パルスカウンタ
２４により受光器１７での受光量に応じたディジタル信
号が演算部２５に取込まれるようになっている。
一方、エツチングチャンバー１０の側面にはエツチング
チャンバー１０内でのプラズマ発生を検出する受光器２
６が設置され、この受光器２６の出力端に増幅回路２７
、Ｖ／Ｆ変換回路２８、Ｅ／′Ｏ変挽回回路９および光
ファイバー３０を介して測定演算手段２２のＯ／’ Ｅ
変換回路３１に接続されている。そして、パルスカウン
タ３２を介して演算部２５に接続されている。
チャンバー１０内でのプラズマ発生を検出する受光器２
６が設置され、この受光器２６の出力端に増幅回路２７
、Ｖ／Ｆ変換回路２８、Ｅ／′Ｏ変挽回回路９および光
ファイバー３０を介して測定演算手段２２のＯ／’ Ｅ
変換回路３１に接続されている。そして、パルスカウン
タ３２を介して演算部２５に接続されている。
） さて、演算部２５は取込んだディジタル信
号から干渉波形を求め、この干渉波形から谷の間隔およ
び谷の先端幅を捕らえて薄膜の時間的膜厚変化および１
模のレーザ光１５が照射された部分の厚みむらのいずれ
か一方または両方を演算して求める機能をもっている。
号から干渉波形を求め、この干渉波形から谷の間隔およ
び谷の先端幅を捕らえて薄膜の時間的膜厚変化および１
模のレーザ光１５が照射された部分の厚みむらのいずれ
か一方または両方を演算して求める機能をもっている。
具体的には、膜厚変化は谷の間隔から求められ、厚みむ
らは谷の先端幅から求められる。
らは谷の先端幅から求められる。
次に上記の如く構成された装置の動作について説明する
。投光器１４からレーザ光がウェハー１３の薄膜に対し
てブリュースタ角よりも大きな角度をもって照射される
。すると、その反射光１６はそのＰ成分とＳ成分との間
にπの位相ずれが生じる。したがって、受光器１７はこ
れらＰ成分とＳ成分との反射光１６を受光してその受光
量に応じた電気信号を出力する。この電気信号は増゛幅
回路１８により最適なレベルに増幅されて次のＶ／Ｆ変
換回路１９により電圧レベルに応じて周波数信号に変換
されてＥ１０変換回路２０に送られる。そして１、光信
号に変換されて光フアイバー２１内を伝播して測定演算
手段２２に入力される。
。投光器１４からレーザ光がウェハー１３の薄膜に対し
てブリュースタ角よりも大きな角度をもって照射される
。すると、その反射光１６はそのＰ成分とＳ成分との間
にπの位相ずれが生じる。したがって、受光器１７はこ
れらＰ成分とＳ成分との反射光１６を受光してその受光
量に応じた電気信号を出力する。この電気信号は増゛幅
回路１８により最適なレベルに増幅されて次のＶ／Ｆ変
換回路１９により電圧レベルに応じて周波数信号に変換
されてＥ１０変換回路２０に送られる。そして１、光信
号に変換されて光フアイバー２１内を伝播して測定演算
手段２２に入力される。
この測定演算手段２２ではＯ／Ｅ変換回路２３により再
び電圧信号に変換されさらにパルスカウンタ２４によっ
て電圧レベルに応じたディジタル信号に変換されて演算
部２５に取込まれる。一方、受光器２６はプラズマ発生
を検出する。つまり、エツチングチャンバー１０内では
エツチング処理が同一ウェハー１３に対して２回行なわ
れ、その間にエツチングチャンバー１０内のガス交換が
行なわれる。したがって、プラズマ発生を検出して動作
タイミングを取っている。この受光器２６から出力され
た電気信号も増幅回路２７、Ｖ／Ｆ変換回路２８．Ｅ、
１０変換回路２９、光ファイバー３０を通って測定演算
手段２２に入力する。そして、Ｏ／Ｅ変換回路３１、パ
ルスカウンタ３２を介して演算部２５に取込まれる。
び電圧信号に変換されさらにパルスカウンタ２４によっ
て電圧レベルに応じたディジタル信号に変換されて演算
部２５に取込まれる。一方、受光器２６はプラズマ発生
を検出する。つまり、エツチングチャンバー１０内では
エツチング処理が同一ウェハー１３に対して２回行なわ
れ、その間にエツチングチャンバー１０内のガス交換が
行なわれる。したがって、プラズマ発生を検出して動作
タイミングを取っている。この受光器２６から出力され
た電気信号も増幅回路２７、Ｖ／Ｆ変換回路２８．Ｅ、
１０変換回路２９、光ファイバー３０を通って測定演算
手段２２に入力する。そして、Ｏ／Ｅ変換回路３１、パ
ルスカウンタ３２を介して演算部２５に取込まれる。
さて、演算部２５は取込んだディジクル信号から干渉波
形を作成する。つまり、第３図に示す干渉波形Ｑである
。この干渉波形Ｑは上述したようにＰ成分とＳ成分との
間にπの位相差が生じる。
形を作成する。つまり、第３図に示す干渉波形Ｑである
。この干渉波形Ｑは上述したようにＰ成分とＳ成分との
間にπの位相差が生じる。
つまり、第４図に示すＰ成分と第５図に示すＳ成分とが
合成されたものとなっている。なお、第３図においてＱ
Ｏはレーザ光１５の入射角が「Ｏｏ」の干渉波形である
。また、ブリュースタ角以上のｇｒａｚｉｎｇ １ｎ
ｃｉｄｅｎｃｅ （すれすれ入射）の場合、信号の振幅
が、反射率がｔｆ！端に高くなるため第６図に示すよう
に大きくなる。演算部２５は谷の間隔りと谷の個数とこ
の信号のスタートの位相とを演算し求めて薄膜のＭ５変
化を求める。ところで、薄膜の膜厚が変化すると信号ス
タートの位相がその厚みに関連して変化する。すなわち
、第７図（ａ）ないし第７図（Ｃ）は膜厚がそれぞれ４
５００人、５０００人、５５００人の場合を示しており
、膜厚の増加とともに谷の数が増加しかつ信号スタート
の位相が変化していることが分る。したがって、演算部
２５には予め谷の間１１ＭＬと谷の個数と信号のスター
トの位相と膜厚との関係の情報を配憶させておき、この
情報から膜厚を求めることになる。
合成されたものとなっている。なお、第３図においてＱ
Ｏはレーザ光１５の入射角が「Ｏｏ」の干渉波形である
。また、ブリュースタ角以上のｇｒａｚｉｎｇ １ｎ
ｃｉｄｅｎｃｅ （すれすれ入射）の場合、信号の振幅
が、反射率がｔｆ！端に高くなるため第６図に示すよう
に大きくなる。演算部２５は谷の間隔りと谷の個数とこ
の信号のスタートの位相とを演算し求めて薄膜のＭ５変
化を求める。ところで、薄膜の膜厚が変化すると信号ス
タートの位相がその厚みに関連して変化する。すなわち
、第７図（ａ）ないし第７図（Ｃ）は膜厚がそれぞれ４
５００人、５０００人、５５００人の場合を示しており
、膜厚の増加とともに谷の数が増加しかつ信号スタート
の位相が変化していることが分る。したがって、演算部
２５には予め谷の間１１ＭＬと谷の個数と信号のスター
トの位相と膜厚との関係の情報を配憶させておき、この
情報から膜厚を求めることになる。
次に厚みむら測定について説明する。第８図に示すよう
に薄膜３２に±Δｄの厚みむらがあると、これら厚みむ
らΔｄに応じたレーザ光の光路差から各厚みに対する位
相差は、ｉ［の屈折率を０２、レーザ光の中心波長をλ
Ｏとすると、 ｎ２Δｄｃｏｓ （ｉ１／λ０） づつずれる。なお、１１は薄膜３３内部での屈折角であ
る。したがって、このような反射光を受光すると、第９
図に示すように各厚みの位相の光が合成されたその厚み
むら△ｄ・２に比例した谷先端幅ＬＳをもつ干渉波形が
得られる。したがって、演算部２５はこの谷先端幅ＬＳ
を測定して厚みむらを求める。また、早みむらが第１０
図に示すように連続している場合の干渉波形は第１１図
のようになる。この場合も谷先端幅ＬＳを求めることに
よって厚みむらが求められる。
に薄膜３２に±Δｄの厚みむらがあると、これら厚みむ
らΔｄに応じたレーザ光の光路差から各厚みに対する位
相差は、ｉ［の屈折率を０２、レーザ光の中心波長をλ
Ｏとすると、 ｎ２Δｄｃｏｓ （ｉ１／λ０） づつずれる。なお、１１は薄膜３３内部での屈折角であ
る。したがって、このような反射光を受光すると、第９
図に示すように各厚みの位相の光が合成されたその厚み
むら△ｄ・２に比例した谷先端幅ＬＳをもつ干渉波形が
得られる。したがって、演算部２５はこの谷先端幅ＬＳ
を測定して厚みむらを求める。また、早みむらが第１０
図に示すように連続している場合の干渉波形は第１１図
のようになる。この場合も谷先端幅ＬＳを求めることに
よって厚みむらが求められる。
このように上記−実施例においては、レーザ光１５を膜
面に対してブリュースタ角以上に入射角をちって照射し
、これにより得られるＰ成分およびＳ成分の反射光１６
を受光して干渉波形を作成し、信号の谷の間隔と谷の個
数とスタートの位相とを求めて膜厚変化を測定し、また
谷先端幅１８） を求めて厚みむらを測定する
ので、簡単な構成のもので膜厚変化および厚みむらを測
定でき、かつ外部ノイズの影響を受けずに正確に測定で
きる。
面に対してブリュースタ角以上に入射角をちって照射し
、これにより得られるＰ成分およびＳ成分の反射光１６
を受光して干渉波形を作成し、信号の谷の間隔と谷の個
数とスタートの位相とを求めて膜厚変化を測定し、また
谷先端幅１８） を求めて厚みむらを測定する
ので、簡単な構成のもので膜厚変化および厚みむらを測
定でき、かつ外部ノイズの影響を受けずに正確に測定で
きる。
つまり、ブリュースタ角以上（Ｇ ｒａＺｉｎａ Ｉ
ｎｃｉｄｅｎｃｅ）で入射すると、信号の谷付近の振
幅の変化率が大きくなるので判別が容易であるからであ
る。
ｎｃｉｄｅｎｃｅ）で入射すると、信号の谷付近の振
幅の変化率が大きくなるので判別が容易であるからであ
る。
これによりプラズマ発光で生じる光学的ノイズの影響を
受けにくくなる。また、膜厚の変化により得られる信号
の位相は、 （２πｎｄ／λ０） ｘｃｏｓ ［ｓｉｎ °’ （（ｎｏ／ ｎ ）
ｓｉｎ ｉｏ）］・・・（２） と表わされ、ｎＯ−ｉ 、ｎ１＝ １．５の場合、Ｇｒ
ａｚ＋ｎｇＩ ｎｃｉｄｅｎｃｅ （例えば１ｏ−８９
°）の周期は垂直入射と比較して長くなるが、Ｐ、Ｓ成
分のπの位相ずれにより谷の数が１．４倍となるので、
結果として垂直入射と比較して約０．７倍の周期となる
。このため、膜厚を求める精度が向上する。
受けにくくなる。また、膜厚の変化により得られる信号
の位相は、 （２πｎｄ／λ０） ｘｃｏｓ ［ｓｉｎ °’ （（ｎｏ／ ｎ ）
ｓｉｎ ｉｏ）］・・・（２） と表わされ、ｎＯ−ｉ 、ｎ１＝ １．５の場合、Ｇｒ
ａｚ＋ｎｇＩ ｎｃｉｄｅｎｃｅ （例えば１ｏ−８９
°）の周期は垂直入射と比較して長くなるが、Ｐ、Ｓ成
分のπの位相ずれにより谷の数が１．４倍となるので、
結果として垂直入射と比較して約０．７倍の周期となる
。このため、膜厚を求める精度が向上する。
さらに、厚みむら測定に対しても従来のように受光素子
を複数設けることもなく１つの受光器で厚みむら特に厚
みむらの分布を測定できる。なお、厚みむらはレーザ光
の光束を広げてコリメートすることにより測定範囲を任
意に広げたり狭めたりできる。また、膜厚変化および厚
みむら測定は多否喚に対しても適用できる。
を複数設けることもなく１つの受光器で厚みむら特に厚
みむらの分布を測定できる。なお、厚みむらはレーザ光
の光束を広げてコリメートすることにより測定範囲を任
意に広げたり狭めたりできる。また、膜厚変化および厚
みむら測定は多否喚に対しても適用できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものではなく
その主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。上記−実
施例では半導体製造用のエツチング、デポジット装置に
適用したが、その他のＭｉｌｌ測定に適用してもよい。
その主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。上記−実
施例では半導体製造用のエツチング、デポジット装置に
適用したが、その他のＭｉｌｌ測定に適用してもよい。
さらに上記実施例においては、膜面からの反射光の谷部
を膜性状の検出に利用しているが、膜面からの透過光の
ピーク部を検出に利用してもよい。要するに受光手段か
ら出力された電気信号の極値部をＩＩＩ悸状の検出に利
用すればよい。
を膜性状の検出に利用しているが、膜面からの透過光の
ピーク部を検出に利用してもよい。要するに受光手段か
ら出力された電気信号の極値部をＩＩＩ悸状の検出に利
用すればよい。
以上詳記したように本発明によれば、膜厚性状を耐ノイ
ズ性に強くかつ簡単な構成のもので正確に測定できる高
精度の膜厚測定装置を提供できる。
ズ性に強くかつ簡単な構成のもので正確に測定できる高
精度の膜厚測定装置を提供できる。
第１図は本発明に係わる膜厚測定装置の一実施例を示す
構成図、第２図はレーザ光入射角を示す図、第３図ない
し第５図は反射光のＰ成分およびＳ成分の分離状態を示
す図、第６図はレーザ光の入射角に対する振幅を示す図
、第７図（ａ）（ｂ）（Ｃ）は膜厚に対する受光ｌの周
期変化を示す図、第８図は段階状の厚みむらを示す図、
第９図は第８図に示す厚みむらの干渉波形を示す図、第
１０図は連続的に変化する厚みむらを示す図、第１１図
は第１０図に示す厚みむらの干渉波形を示す図、第１２
図および第１３図は従来における膜厚変化および厚みむ
ら測定を説明するための図である。 １０・・・エツチングチャンバー、１３・・・ウェハー
、１４・・・投光器、１７・・・受光器、１８・・・増
幅回路、１９・・・Ｖ／Ｆ変換回路、２０・・・Ｅ１０
変換回路、２１・・・光ファイバー、測定演算手段、２
３・・・Ｏ／Ｅ変換回路、２４・・・パルスカウンタ、
２５・・・演算部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 ｉ 工、、＋ング量 ＼、 第７図 第 ８ 図 工、７チンク゛量 第９図 第１０図 第１１図
構成図、第２図はレーザ光入射角を示す図、第３図ない
し第５図は反射光のＰ成分およびＳ成分の分離状態を示
す図、第６図はレーザ光の入射角に対する振幅を示す図
、第７図（ａ）（ｂ）（Ｃ）は膜厚に対する受光ｌの周
期変化を示す図、第８図は段階状の厚みむらを示す図、
第９図は第８図に示す厚みむらの干渉波形を示す図、第
１０図は連続的に変化する厚みむらを示す図、第１１図
は第１０図に示す厚みむらの干渉波形を示す図、第１２
図および第１３図は従来における膜厚変化および厚みむ
ら測定を説明するための図である。 １０・・・エツチングチャンバー、１３・・・ウェハー
、１４・・・投光器、１７・・・受光器、１８・・・増
幅回路、１９・・・Ｖ／Ｆ変換回路、２０・・・Ｅ１０
変換回路、２１・・・光ファイバー、測定演算手段、２
３・・・Ｏ／Ｅ変換回路、２４・・・パルスカウンタ、
２５・・・演算部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 ｉ 工、、＋ング量 ＼、 第７図 第 ８ 図 工、７チンク゛量 第９図 第１０図 第１１図
Claims (4)
- （１）被膜形成された膜に対してブリュースタ角よりも
大きな入射角をもって測定光を投射する投光手段と、前
記膜からの反射光又は透過光を受光して光電変換する受
光手段と、この受光手段から出力された電気信号に基づ
いて前記膜の膜厚性状を検出する検出手段とを具備した
ことを特徴とする膜厚測定装置。 - （２）検出手段は、反射光または透過光の極値部の周期
性に基づいて膜の時間的膜厚変化を求める特許請求の範
囲第（１）項記載の膜厚測定装置。 - （３）検出手段は、反射光または透過光の極値部の先端
幅に基づいて膜の測定光が投射された部分の厚みむらを
求める特許請求の範囲第（１）項記載の膜厚測定装置。 - （４）検出手段は、受光手段から出力された電気信号を
入力して電圧−周波数変換する電圧−周波数変換回路と
、この電圧−周波数変換回路から出力された周波数信号
を光信号に変換する電気−光変換回路と、この電気−光
変換回路から出力された光信号を伝送する光ファイバと
、この光ファイバにて伝送された光信号を周波数信号に
変換する光−電気変換回路と、この光−電気変換回路か
ら出力された周波数信号を前記受光手段にて受光された
受光量を示すディジタル信号に変換するパルスカウンタ
と、このパルスカウンタから出力されたディジタル信号
を入力して膜の膜厚性状を検出する演算部とから構成さ
れる特許請求の範囲第（１）項記載の膜厚測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18494885A JPS6244613A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18494885A JPS6244613A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 膜厚測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244613A true JPS6244613A (ja) | 1987-02-26 |
| JPH0381083B2 JPH0381083B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=16162154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18494885A Granted JPS6244613A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 膜厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244613A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2692120C1 (ru) * | 2018-11-01 | 2019-06-21 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ определения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP18494885A patent/JPS6244613A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2692120C1 (ru) * | 2018-11-01 | 2019-06-21 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ определения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0381083B2 (ja) | 1991-12-27 |
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