JPS6244613A - 膜厚測定装置 - Google Patents
膜厚測定装置Info
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- JPS6244613A JPS6244613A JP18494885A JP18494885A JPS6244613A JP S6244613 A JPS6244613 A JP S6244613A JP 18494885 A JP18494885 A JP 18494885A JP 18494885 A JP18494885 A JP 18494885A JP S6244613 A JPS6244613 A JP S6244613A
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- film thickness
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体の基板に形成される5i02等の膜厚性
状を測定する膜厚測定装置の改良に関する。
状を測定する膜厚測定装置の改良に関する。
半導体の基板面に形成される8102等の膜厚の誤差は
、歩留り向上のうえから最少限にとどめる必要があるた
め、エツチング工程における77!JIIの時間的膜厚
変化(以下、単に膜厚変化と摺移する)および特定部位
における空間的膜厚変化である厚みむらが測定されてい
る。そこで、従来膜厚は、光の干渉を利用して測定して
いる。すなわち、薄膜に対して単色光(中心波長λ0)
を照射し、このとき薄膜からの反射光を受光してこの受
光■から膜厚を求めている。第12図は膜JWdに対す
る受光M+を示す図で、この受光量1は次式で表わされ
る。
、歩留り向上のうえから最少限にとどめる必要があるた
め、エツチング工程における77!JIIの時間的膜厚
変化(以下、単に膜厚変化と摺移する)および特定部位
における空間的膜厚変化である厚みむらが測定されてい
る。そこで、従来膜厚は、光の干渉を利用して測定して
いる。すなわち、薄膜に対して単色光(中心波長λ0)
を照射し、このとき薄膜からの反射光を受光してこの受
光■から膜厚を求めている。第12図は膜JWdに対す
る受光M+を示す図で、この受光量1は次式で表わされ
る。
1 =sin 2 ((2πnd/ λa )
CO3i 1)・・・(1) ここで、nは薄膜の屈折率、dは膜厚、11は薄膜内部
の屈折角である。このように受光□□□Iは正弦波的な
変化を示すものとなり、したがって、この周期数から膜
厚およびその時間的変化が求められ) る。なお
、第12図において受光量■aは薄膜内部での多重反射
を考慮しない場合であり、Ibは多重反射を考慮′した
場合を示している。
CO3i 1)・・・(1) ここで、nは薄膜の屈折率、dは膜厚、11は薄膜内部
の屈折角である。このように受光□□□Iは正弦波的な
変化を示すものとなり、したがって、この周期数から膜
厚およびその時間的変化が求められ) る。なお
、第12図において受光量■aは薄膜内部での多重反射
を考慮しない場合であり、Ibは多重反射を考慮′した
場合を示している。
一方、厚みむらは第13図に示す装置により測定されて
いる。すなわち、He−Neレーザ光を発振するレーザ
発振器からなる投光装置1から基盤2上に形成された薄
IJ3に対して照射角θでレーザ光線4を出力し、薄膜
3の反射光5を複数並列された受光素子6−1〜5−n
で受光してその受光量に応じた各電気信号を増幅器7を
通して信号処理装置8に送っている。そして、この信号
処理装M8によって各受光素子6−1〜6−nの受光m
の違いから厚みむらが求められる。
いる。すなわち、He−Neレーザ光を発振するレーザ
発振器からなる投光装置1から基盤2上に形成された薄
IJ3に対して照射角θでレーザ光線4を出力し、薄膜
3の反射光5を複数並列された受光素子6−1〜5−n
で受光してその受光量に応じた各電気信号を増幅器7を
通して信号処理装置8に送っている。そして、この信号
処理装M8によって各受光素子6−1〜6−nの受光m
の違いから厚みむらが求められる。
しかしながら上記各測定では次のような問題がある。す
なわち、膜厚変化の測定では正弦的に変化する受光量の
周期を求めるために、受光量の最大値または最少値を検
出することになる。ところが、この最大値および最少値
付近での信号の変化幅が微小なためノイズ等が乗ると最
大値または最少値の検出が困難となってしまう。
なわち、膜厚変化の測定では正弦的に変化する受光量の
周期を求めるために、受光量の最大値または最少値を検
出することになる。ところが、この最大値および最少値
付近での信号の変化幅が微小なためノイズ等が乗ると最
大値または最少値の検出が困難となってしまう。
また、厚みむらの測定では、複数の受光素子6−1〜5
−nを用いるために装置全体が複雑化するとともに、各
受光素子6−1〜(3−nの感度バラツキによって測定
精度が低下してしまう。
−nを用いるために装置全体が複雑化するとともに、各
受光素子6−1〜(3−nの感度バラツキによって測定
精度が低下してしまう。
本発明は上記実情に基づいてなされたもので、その目的
とするところは、膜厚性状を耐ノイズ性に強くかつ簡単
な構成のもので正確に測定できる高精度のl!!厚測定
装置を提供することにある。
とするところは、膜厚性状を耐ノイズ性に強くかつ簡単
な構成のもので正確に測定できる高精度のl!!厚測定
装置を提供することにある。
(発明の概要)
本発明は、投光手段から測定光を被膜形成された膜面に
対してブリュースタ角よりも大きな入射角をもって投射
し、摸面における反射光または透過光を受光手段により
受光して光電変換し得られた電気信号に基づいて躾面の
膜厚性状を検出する膜厚測定装置である。
対してブリュースタ角よりも大きな入射角をもって投射
し、摸面における反射光または透過光を受光手段により
受光して光電変換し得られた電気信号に基づいて躾面の
膜厚性状を検出する膜厚測定装置である。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は膜厚測定装置の構成図である。同図において1
0はエツチングチャンバであって、この内部の電8Ii
11.12間にウェハー13が載置されてウェハー13
上の薄膜が削除される。玉14は例えばレーザ発振器か
らなる投光器であって、この投光器14の設置位置はレ
ーザ光15がウェハー13上に形成される薄膜に対して
ブリュースタ角よりも大きい角度で入射するものとなっ
ている。つまり第2図に示すように雰囲気中の屈折率を
nl、薄膜の屈折率をn2として法線をkとすると、入
射角10はブリュースタ角よりも大きい角つまりio
−tan −t (n2/ nl )以上、例えば8
9’ 、85°である。このようにブリコースタ角より
も大きな角度で入射すると、その反射光16は1ill
lの面に対して平行に振動している光波をP成分、この
P成分に対して垂直に撮動している光波をS成分とする
と、これらP成分とS成分とは互いに位相がπだけずれ
ている。17はこれらP成分とS成分の各反射波を受光
してその受光量に応じた電気信号を出力する受光器であ
る。この受光器17の出力端には増幅回路18が接続さ
れ、ざらにV/F変換回路(N圧−周波数変換回路)1
9、E10変挽回路(電気−光変換回路)20が接続さ
れている。したがって、受光器17から出力された電気
信号は周波数信号に変換され、次に光信号に変換されて
光ファイバー21を伝播して測定演算手段22に送られ
るようになっている。この測定演算手段22内では0/
E変換回路(光−電気変換回路)23、パルスカウンタ
24により受光器17での受光量に応じたディジタル信
号が演算部25に取込まれるようになっている。
0はエツチングチャンバであって、この内部の電8Ii
11.12間にウェハー13が載置されてウェハー13
上の薄膜が削除される。玉14は例えばレーザ発振器か
らなる投光器であって、この投光器14の設置位置はレ
ーザ光15がウェハー13上に形成される薄膜に対して
ブリュースタ角よりも大きい角度で入射するものとなっ
ている。つまり第2図に示すように雰囲気中の屈折率を
nl、薄膜の屈折率をn2として法線をkとすると、入
射角10はブリュースタ角よりも大きい角つまりio
−tan −t (n2/ nl )以上、例えば8
9’ 、85°である。このようにブリコースタ角より
も大きな角度で入射すると、その反射光16は1ill
lの面に対して平行に振動している光波をP成分、この
P成分に対して垂直に撮動している光波をS成分とする
と、これらP成分とS成分とは互いに位相がπだけずれ
ている。17はこれらP成分とS成分の各反射波を受光
してその受光量に応じた電気信号を出力する受光器であ
る。この受光器17の出力端には増幅回路18が接続さ
れ、ざらにV/F変換回路(N圧−周波数変換回路)1
9、E10変挽回路(電気−光変換回路)20が接続さ
れている。したがって、受光器17から出力された電気
信号は周波数信号に変換され、次に光信号に変換されて
光ファイバー21を伝播して測定演算手段22に送られ
るようになっている。この測定演算手段22内では0/
E変換回路(光−電気変換回路)23、パルスカウンタ
24により受光器17での受光量に応じたディジタル信
号が演算部25に取込まれるようになっている。
一方、エツチングチャンバー10の側面にはエツチング
チャンバー10内でのプラズマ発生を検出する受光器2
6が設置され、この受光器26の出力端に増幅回路27
、V/F変換回路28、E/′O変挽回回路9および光
ファイバー30を介して測定演算手段22のO/’ E
変換回路31に接続されている。そして、パルスカウン
タ32を介して演算部25に接続されている。
チャンバー10内でのプラズマ発生を検出する受光器2
6が設置され、この受光器26の出力端に増幅回路27
、V/F変換回路28、E/′O変挽回回路9および光
ファイバー30を介して測定演算手段22のO/’ E
変換回路31に接続されている。そして、パルスカウン
タ32を介して演算部25に接続されている。
) さて、演算部25は取込んだディジタル信
号から干渉波形を求め、この干渉波形から谷の間隔およ
び谷の先端幅を捕らえて薄膜の時間的膜厚変化および1
模のレーザ光15が照射された部分の厚みむらのいずれ
か一方または両方を演算して求める機能をもっている。
号から干渉波形を求め、この干渉波形から谷の間隔およ
び谷の先端幅を捕らえて薄膜の時間的膜厚変化および1
模のレーザ光15が照射された部分の厚みむらのいずれ
か一方または両方を演算して求める機能をもっている。
具体的には、膜厚変化は谷の間隔から求められ、厚みむ
らは谷の先端幅から求められる。
らは谷の先端幅から求められる。
次に上記の如く構成された装置の動作について説明する
。投光器14からレーザ光がウェハー13の薄膜に対し
てブリュースタ角よりも大きな角度をもって照射される
。すると、その反射光16はそのP成分とS成分との間
にπの位相ずれが生じる。したがって、受光器17はこ
れらP成分とS成分との反射光16を受光してその受光
量に応じた電気信号を出力する。この電気信号は増゛幅
回路18により最適なレベルに増幅されて次のV/F変
換回路19により電圧レベルに応じて周波数信号に変換
されてE10変換回路20に送られる。そして1、光信
号に変換されて光フアイバー21内を伝播して測定演算
手段22に入力される。
。投光器14からレーザ光がウェハー13の薄膜に対し
てブリュースタ角よりも大きな角度をもって照射される
。すると、その反射光16はそのP成分とS成分との間
にπの位相ずれが生じる。したがって、受光器17はこ
れらP成分とS成分との反射光16を受光してその受光
量に応じた電気信号を出力する。この電気信号は増゛幅
回路18により最適なレベルに増幅されて次のV/F変
換回路19により電圧レベルに応じて周波数信号に変換
されてE10変換回路20に送られる。そして1、光信
号に変換されて光フアイバー21内を伝播して測定演算
手段22に入力される。
この測定演算手段22ではO/E変換回路23により再
び電圧信号に変換されさらにパルスカウンタ24によっ
て電圧レベルに応じたディジタル信号に変換されて演算
部25に取込まれる。一方、受光器26はプラズマ発生
を検出する。つまり、エツチングチャンバー10内では
エツチング処理が同一ウェハー13に対して2回行なわ
れ、その間にエツチングチャンバー10内のガス交換が
行なわれる。したがって、プラズマ発生を検出して動作
タイミングを取っている。この受光器26から出力され
た電気信号も増幅回路27、V/F変換回路28.E、
10変換回路29、光ファイバー30を通って測定演算
手段22に入力する。そして、O/E変換回路31、パ
ルスカウンタ32を介して演算部25に取込まれる。
び電圧信号に変換されさらにパルスカウンタ24によっ
て電圧レベルに応じたディジタル信号に変換されて演算
部25に取込まれる。一方、受光器26はプラズマ発生
を検出する。つまり、エツチングチャンバー10内では
エツチング処理が同一ウェハー13に対して2回行なわ
れ、その間にエツチングチャンバー10内のガス交換が
行なわれる。したがって、プラズマ発生を検出して動作
タイミングを取っている。この受光器26から出力され
た電気信号も増幅回路27、V/F変換回路28.E、
10変換回路29、光ファイバー30を通って測定演算
手段22に入力する。そして、O/E変換回路31、パ
ルスカウンタ32を介して演算部25に取込まれる。
さて、演算部25は取込んだディジクル信号から干渉波
形を作成する。つまり、第3図に示す干渉波形Qである
。この干渉波形Qは上述したようにP成分とS成分との
間にπの位相差が生じる。
形を作成する。つまり、第3図に示す干渉波形Qである
。この干渉波形Qは上述したようにP成分とS成分との
間にπの位相差が生じる。
つまり、第4図に示すP成分と第5図に示すS成分とが
合成されたものとなっている。なお、第3図においてQ
Oはレーザ光15の入射角が「Oo」の干渉波形である
。また、ブリュースタ角以上のgrazing 1n
cidence (すれすれ入射)の場合、信号の振幅
が、反射率がtf!端に高くなるため第6図に示すよう
に大きくなる。演算部25は谷の間隔りと谷の個数とこ
の信号のスタートの位相とを演算し求めて薄膜のM5変
化を求める。ところで、薄膜の膜厚が変化すると信号ス
タートの位相がその厚みに関連して変化する。すなわち
、第7図(a)ないし第7図(C)は膜厚がそれぞれ4
500人、5000人、5500人の場合を示しており
、膜厚の増加とともに谷の数が増加しかつ信号スタート
の位相が変化していることが分る。したがって、演算部
25には予め谷の間11MLと谷の個数と信号のスター
トの位相と膜厚との関係の情報を配憶させておき、この
情報から膜厚を求めることになる。
合成されたものとなっている。なお、第3図においてQ
Oはレーザ光15の入射角が「Oo」の干渉波形である
。また、ブリュースタ角以上のgrazing 1n
cidence (すれすれ入射)の場合、信号の振幅
が、反射率がtf!端に高くなるため第6図に示すよう
に大きくなる。演算部25は谷の間隔りと谷の個数とこ
の信号のスタートの位相とを演算し求めて薄膜のM5変
化を求める。ところで、薄膜の膜厚が変化すると信号ス
タートの位相がその厚みに関連して変化する。すなわち
、第7図(a)ないし第7図(C)は膜厚がそれぞれ4
500人、5000人、5500人の場合を示しており
、膜厚の増加とともに谷の数が増加しかつ信号スタート
の位相が変化していることが分る。したがって、演算部
25には予め谷の間11MLと谷の個数と信号のスター
トの位相と膜厚との関係の情報を配憶させておき、この
情報から膜厚を求めることになる。
次に厚みむら測定について説明する。第8図に示すよう
に薄膜32に±Δdの厚みむらがあると、これら厚みむ
らΔdに応じたレーザ光の光路差から各厚みに対する位
相差は、i[の屈折率を02、レーザ光の中心波長をλ
Oとすると、 n2Δdcos (i1/λ0) づつずれる。なお、11は薄膜33内部での屈折角であ
る。したがって、このような反射光を受光すると、第9
図に示すように各厚みの位相の光が合成されたその厚み
むら△d・2に比例した谷先端幅LSをもつ干渉波形が
得られる。したがって、演算部25はこの谷先端幅LS
を測定して厚みむらを求める。また、早みむらが第10
図に示すように連続している場合の干渉波形は第11図
のようになる。この場合も谷先端幅LSを求めることに
よって厚みむらが求められる。
に薄膜32に±Δdの厚みむらがあると、これら厚みむ
らΔdに応じたレーザ光の光路差から各厚みに対する位
相差は、i[の屈折率を02、レーザ光の中心波長をλ
Oとすると、 n2Δdcos (i1/λ0) づつずれる。なお、11は薄膜33内部での屈折角であ
る。したがって、このような反射光を受光すると、第9
図に示すように各厚みの位相の光が合成されたその厚み
むら△d・2に比例した谷先端幅LSをもつ干渉波形が
得られる。したがって、演算部25はこの谷先端幅LS
を測定して厚みむらを求める。また、早みむらが第10
図に示すように連続している場合の干渉波形は第11図
のようになる。この場合も谷先端幅LSを求めることに
よって厚みむらが求められる。
このように上記−実施例においては、レーザ光15を膜
面に対してブリュースタ角以上に入射角をちって照射し
、これにより得られるP成分およびS成分の反射光16
を受光して干渉波形を作成し、信号の谷の間隔と谷の個
数とスタートの位相とを求めて膜厚変化を測定し、また
谷先端幅18) を求めて厚みむらを測定する
ので、簡単な構成のもので膜厚変化および厚みむらを測
定でき、かつ外部ノイズの影響を受けずに正確に測定で
きる。
面に対してブリュースタ角以上に入射角をちって照射し
、これにより得られるP成分およびS成分の反射光16
を受光して干渉波形を作成し、信号の谷の間隔と谷の個
数とスタートの位相とを求めて膜厚変化を測定し、また
谷先端幅18) を求めて厚みむらを測定する
ので、簡単な構成のもので膜厚変化および厚みむらを測
定でき、かつ外部ノイズの影響を受けずに正確に測定で
きる。
つまり、ブリュースタ角以上(G raZina I
ncidence)で入射すると、信号の谷付近の振
幅の変化率が大きくなるので判別が容易であるからであ
る。
ncidence)で入射すると、信号の谷付近の振
幅の変化率が大きくなるので判別が容易であるからであ
る。
これによりプラズマ発光で生じる光学的ノイズの影響を
受けにくくなる。また、膜厚の変化により得られる信号
の位相は、 (2πnd/λ0) xcos [sin °’ ((no/ n )
sin io)]・・・(2) と表わされ、nO−i 、n1= 1.5の場合、Gr
az+ngI ncidence (例えば1o−89
°)の周期は垂直入射と比較して長くなるが、P、S成
分のπの位相ずれにより谷の数が1.4倍となるので、
結果として垂直入射と比較して約0.7倍の周期となる
。このため、膜厚を求める精度が向上する。
受けにくくなる。また、膜厚の変化により得られる信号
の位相は、 (2πnd/λ0) xcos [sin °’ ((no/ n )
sin io)]・・・(2) と表わされ、nO−i 、n1= 1.5の場合、Gr
az+ngI ncidence (例えば1o−89
°)の周期は垂直入射と比較して長くなるが、P、S成
分のπの位相ずれにより谷の数が1.4倍となるので、
結果として垂直入射と比較して約0.7倍の周期となる
。このため、膜厚を求める精度が向上する。
さらに、厚みむら測定に対しても従来のように受光素子
を複数設けることもなく1つの受光器で厚みむら特に厚
みむらの分布を測定できる。なお、厚みむらはレーザ光
の光束を広げてコリメートすることにより測定範囲を任
意に広げたり狭めたりできる。また、膜厚変化および厚
みむら測定は多否喚に対しても適用できる。
を複数設けることもなく1つの受光器で厚みむら特に厚
みむらの分布を測定できる。なお、厚みむらはレーザ光
の光束を広げてコリメートすることにより測定範囲を任
意に広げたり狭めたりできる。また、膜厚変化および厚
みむら測定は多否喚に対しても適用できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものではなく
その主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。上記−実
施例では半導体製造用のエツチング、デポジット装置に
適用したが、その他のMill測定に適用してもよい。
その主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。上記−実
施例では半導体製造用のエツチング、デポジット装置に
適用したが、その他のMill測定に適用してもよい。
さらに上記実施例においては、膜面からの反射光の谷部
を膜性状の検出に利用しているが、膜面からの透過光の
ピーク部を検出に利用してもよい。要するに受光手段か
ら出力された電気信号の極値部をIII悸状の検出に利
用すればよい。
を膜性状の検出に利用しているが、膜面からの透過光の
ピーク部を検出に利用してもよい。要するに受光手段か
ら出力された電気信号の極値部をIII悸状の検出に利
用すればよい。
以上詳記したように本発明によれば、膜厚性状を耐ノイ
ズ性に強くかつ簡単な構成のもので正確に測定できる高
精度の膜厚測定装置を提供できる。
ズ性に強くかつ簡単な構成のもので正確に測定できる高
精度の膜厚測定装置を提供できる。
第1図は本発明に係わる膜厚測定装置の一実施例を示す
構成図、第2図はレーザ光入射角を示す図、第3図ない
し第5図は反射光のP成分およびS成分の分離状態を示
す図、第6図はレーザ光の入射角に対する振幅を示す図
、第7図(a)(b)(C)は膜厚に対する受光lの周
期変化を示す図、第8図は段階状の厚みむらを示す図、
第9図は第8図に示す厚みむらの干渉波形を示す図、第
10図は連続的に変化する厚みむらを示す図、第11図
は第10図に示す厚みむらの干渉波形を示す図、第12
図および第13図は従来における膜厚変化および厚みむ
ら測定を説明するための図である。 10・・・エツチングチャンバー、13・・・ウェハー
、14・・・投光器、17・・・受光器、18・・・増
幅回路、19・・・V/F変換回路、20・・・E10
変換回路、21・・・光ファイバー、測定演算手段、2
3・・・O/E変換回路、24・・・パルスカウンタ、
25・・・演算部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 i 工、、+ング量 \、 第7図 第 8 図 工、7チンク゛量 第9図 第10図 第11図
構成図、第2図はレーザ光入射角を示す図、第3図ない
し第5図は反射光のP成分およびS成分の分離状態を示
す図、第6図はレーザ光の入射角に対する振幅を示す図
、第7図(a)(b)(C)は膜厚に対する受光lの周
期変化を示す図、第8図は段階状の厚みむらを示す図、
第9図は第8図に示す厚みむらの干渉波形を示す図、第
10図は連続的に変化する厚みむらを示す図、第11図
は第10図に示す厚みむらの干渉波形を示す図、第12
図および第13図は従来における膜厚変化および厚みむ
ら測定を説明するための図である。 10・・・エツチングチャンバー、13・・・ウェハー
、14・・・投光器、17・・・受光器、18・・・増
幅回路、19・・・V/F変換回路、20・・・E10
変換回路、21・・・光ファイバー、測定演算手段、2
3・・・O/E変換回路、24・・・パルスカウンタ、
25・・・演算部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 i 工、、+ング量 \、 第7図 第 8 図 工、7チンク゛量 第9図 第10図 第11図
Claims (4)
- (1)被膜形成された膜に対してブリュースタ角よりも
大きな入射角をもって測定光を投射する投光手段と、前
記膜からの反射光又は透過光を受光して光電変換する受
光手段と、この受光手段から出力された電気信号に基づ
いて前記膜の膜厚性状を検出する検出手段とを具備した
ことを特徴とする膜厚測定装置。 - (2)検出手段は、反射光または透過光の極値部の周期
性に基づいて膜の時間的膜厚変化を求める特許請求の範
囲第(1)項記載の膜厚測定装置。 - (3)検出手段は、反射光または透過光の極値部の先端
幅に基づいて膜の測定光が投射された部分の厚みむらを
求める特許請求の範囲第(1)項記載の膜厚測定装置。 - (4)検出手段は、受光手段から出力された電気信号を
入力して電圧−周波数変換する電圧−周波数変換回路と
、この電圧−周波数変換回路から出力された周波数信号
を光信号に変換する電気−光変換回路と、この電気−光
変換回路から出力された光信号を伝送する光ファイバと
、この光ファイバにて伝送された光信号を周波数信号に
変換する光−電気変換回路と、この光−電気変換回路か
ら出力された周波数信号を前記受光手段にて受光された
受光量を示すディジタル信号に変換するパルスカウンタ
と、このパルスカウンタから出力されたディジタル信号
を入力して膜の膜厚性状を検出する演算部とから構成さ
れる特許請求の範囲第(1)項記載の膜厚測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18494885A JPS6244613A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18494885A JPS6244613A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 膜厚測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6244613A true JPS6244613A (ja) | 1987-02-26 |
JPH0381083B2 JPH0381083B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=16162154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18494885A Granted JPS6244613A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 膜厚測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6244613A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2692120C1 (ru) * | 2018-11-01 | 2019-06-21 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ определения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP18494885A patent/JPS6244613A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2692120C1 (ru) * | 2018-11-01 | 2019-06-21 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ определения толщины покрытия в ходе процесса плазменно-электролитического оксидирования |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0381083B2 (ja) | 1991-12-27 |
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