JPS6243166A - イメ−ジセンサの製法及び該製法によつて得られるリニアイメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサの製法及び該製法によつて得られるリニアイメ−ジセンサInfo
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282485 Vulpes vulpes Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イメージセンサの製法号！−びこの方法によ
って得られるリニアセンサに関するもので」−。
って得られるリニアセンサに関するもので」−。
る。更に、本発明は、大表面晴の薄膜′７子回路の製法
に関するものである。
に関するものである。
本発明は、特に縮小光学乎のない接触型ファクシミリ装
置に適用される。
置に適用される。
アモルファスシリコンの大きな光伝導性及び大表面積に
堆積できる特徴の発見以４で、数多くの適用が研究され
、特にコンパクトな事務用ファクリ・ミリ用の大形セン
サに関する適用が研究された。
堆積できる特徴の発見以４で、数多くの適用が研究され
、特にコンパクトな事務用ファクリ・ミリ用の大形セン
サに関する適用が研究された。
その研究は、光伝導体と読み出しスイッチとの間の干渉
を阻止するブロッキング電子素子と一緒に光像導体要素
を集債化する方向に向けられてし）ろ。
を阻止するブロッキング電子素子と一緒に光像導体要素
を集債化する方向に向けられてし）ろ。
そこで、本発明は、イメージセンサの各画素要素のため
の集積化された制ｊ卸装置を対象するものである。
の集積化された制ｊ卸装置を対象するものである。
従来、同一材料で及び同一基板上に制御電子素子を形成
できる可能性を有する高い光伝導性のアモルファスシリ
コンの主な適用例は、センサに対して文書を漢方向に移
動させてＡ４型の文書を読み取るのに必要な大きさく２
０Ｃｍ未満）のリニアイメージセンサである。
できる可能性を有する高い光伝導性のアモルファスシリ
コンの主な適用例は、センサに対して文書を漢方向に移
動させてＡ４型の文書を読み取るのに必要な大きさく２
０Ｃｍ未満）のリニアイメージセンサである。
そのようなリニアセンサを製作するために、３つの異な
る構造が考案された。
る構造が考案された。
−光伝導体、蓄積容量、アモルファスシリコン（ａ−３
ｉ）の薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の組合せく「アイ・
イー・イー・イー エレクトロンデバイス レターズ（
ＩＥ［！巳Ｂｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ；ＥＤＬ−１、ｐ １８２Ｊ （１９８０）に
掲載されたエム・マツムラ（！Ｊ１ＭＡＴＳＵＭＩＩＲ
Ａ ）の論文を参照。）−アモルファスシリコンもシく
は多結晶フォトダイオードの組合せ（エフ・オフムラ（
Ｆ、 ＯＫｔｌＭＵＲＡ）による「エクステンプイツト
アブストラクツオブ ザ ヒフティーンス コンファ
レンス オン ソリッド ステート デバイス アンド
マチリア）’ｖ （Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａ
ｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １５ｔｈＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ Ｓｏｌ＋ｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖ＋ｃｅｓ ａ
ｎｄ〜！ａｔｅｒ＋ａｌニー、＞ Ｊ東京（１９８３）
、ｐ２０１〜２０４を参照。）〜 フォトダイオード
及びアモルファスシリコンのブロッキングダイオードの
組合せ（ワイ・ヤマモト（Ｙ、 ＹＡＭＡＭＯＴＯ）に
よる「エクステンディッドアブストラクツ オブ ザ
ヒフティーンス コンファレンス オン ソリッド ス
テート デバイス アンド マテリアル（Ｅｘｔｅｎｄ
ｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓｏｆ ｔｈｅ １５ｔｈ Ｃ
ｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅｓａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）東京（１
９８３） 、ｐ２０５〜２０８を参照。） これらの構造によって、以下の特徴を備える装置を得る
ことができる。
ｉ）の薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の組合せく「アイ・
イー・イー・イー エレクトロンデバイス レターズ（
ＩＥ［！巳Ｂｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ；ＥＤＬ−１、ｐ １８２Ｊ （１９８０）に
掲載されたエム・マツムラ（！Ｊ１ＭＡＴＳＵＭＩＩＲ
Ａ ）の論文を参照。）−アモルファスシリコンもシく
は多結晶フォトダイオードの組合せ（エフ・オフムラ（
Ｆ、 ＯＫｔｌＭＵＲＡ）による「エクステンプイツト
アブストラクツオブ ザ ヒフティーンス コンファ
レンス オン ソリッド ステート デバイス アンド
マチリア）’ｖ （Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａ
ｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １５ｔｈＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ Ｓｏｌ＋ｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖ＋ｃｅｓ ａ
ｎｄ〜！ａｔｅｒ＋ａｌニー、＞ Ｊ東京（１９８３）
、ｐ２０１〜２０４を参照。）〜 フォトダイオード
及びアモルファスシリコンのブロッキングダイオードの
組合せ（ワイ・ヤマモト（Ｙ、 ＹＡＭＡＭＯＴＯ）に
よる「エクステンディッドアブストラクツ オブ ザ
ヒフティーンス コンファレンス オン ソリッド ス
テート デバイス アンド マテリアル（Ｅｘｔｅｎｄ
ｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓｏｆ ｔｈｅ １５ｔｈ Ｃ
ｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅｓａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）東京（１
９８３） 、ｐ２０５〜２０８を参照。） これらの構造によって、以下の特徴を備える装置を得る
ことができる。
長さ ： ５Ｑｍｍ
分解能 ；８乃至ｌＯビット／ｍｍ画素のサイズ；
１００μｍ×７０μｍ 読み出し時間：多電化せずに２μ秒／ビットこれらの成
果によって、良好な状態で文書を複写できるリニアセン
サの実現が考えられるようになった。例えば、幅２１６
＋ｎｍの文書用には、１ｍｍにつき８ビツトで、紙の送
り速度は１行につき５ｍ秒である。
１００μｍ×７０μｍ 読み出し時間：多電化せずに２μ秒／ビットこれらの成
果によって、良好な状態で文書を複写できるリニアセン
サの実現が考えられるようになった。例えば、幅２１６
＋ｎｍの文書用には、１ｍｍにつき８ビツトで、紙の送
り速度は１行につき５ｍ秒である。
Ａ４型（幅２１６ｍｍ）の紙は、そのとき１ｍｍ当たり
８ビツトの分解能を有するには１７２８組の光伝導体と
スイッチを備えなければならず、もしくは将来の傾向に
対応するように１ｍｍ当たり１６ビツトの分解能を有す
るには３４５６組を備えなければならない。
８ビツトの分解能を有するには１７２８組の光伝導体と
スイッチを備えなければならず、もしくは将来の傾向に
対応するように１ｍｍ当たり１６ビツトの分解能を有す
るには３４５６組を備えなければならない。
このような長さに非常に多数の電子装置を設けるには、
可能な限り単純な構造が要求される。これが、第１の制
約であり、この意味では薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の
複雑な構造はあまり適当ではない。
可能な限り単純な構造が要求される。これが、第１の制
約であり、この意味では薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の
複雑な構造はあまり適当ではない。
第２の制約は、約２マイクロ秒／ビブトの文書の迅速な
読み出しモードである。ここでは、光レスポンス及びス
イッチング時間が高速な整流ダイオードが薄膜トランジ
スタよりも適するようである。
読み出しモードである。ここでは、光レスポンス及びス
イッチング時間が高速な整流ダイオードが薄膜トランジ
スタよりも適するようである。
第３の制約は、ハイブリッド制御回路の数を減少させ、
可能な限りマスキングの工程数を少なくするために、接
続マトリックス回路を同一基板上に集積化することであ
る。
可能な限りマスキングの工程数を少なくするために、接
続マトリックス回路を同一基板上に集積化することであ
る。
そして、最後の制約は、暗電流が極めて小ンハ高性能の
電子装置を作成しなければならないことである。
電子装置を作成しなければならないことである。
そこで、本発明は、各画素上に配置されたフォトタイオ
ード及ヒアモルファスシリコンのプロ！キングダイオー
ドを集積化マトリックス回路と組合せたリニアイメージ
センサを提供することを目的とする。
ード及ヒアモルファスシリコンのプロ！キングダイオー
ドを集積化マトリックス回路と組合せたリニアイメージ
センサを提供することを目的とする。
本発明によると、ダイオードを構成するアモルファスシ
リコン層が同一基板上に連続的且つ普通に堆積される場
合、ショットキーダイオードもしくはピンダイオードが
使用される。
リコン層が同一基板上に連続的且つ普通に堆積される場
合、ショットキーダイオードもしくはピンダイオードが
使用される。
前記の制約の下で、本発明の方法によれば、マスキング
の工程を減少し、後述するようなセンサを得るという効
果が得られる。
の工程を減少し、後述するようなセンサを得るという効
果が得られる。
従って、本発明は、イメージセンサの製法に関するもの
であり、以下の連続する段階を有するのを特徴とする。
であり、以下の連続する段階を有するのを特徴とする。
ａ）基板の表面に導電性材料の第１層を堆積する第１段
階 ｂ）第１の形にドープしたアモルファス半導体の第１層
を堆積する第２段階 Ｃ）ノンドープアモルファス半導体の第２層を堆積する
第３段階 ｄ）第２の形にドープしたアモルファス半導体の第３層
を堆積する第４段階 ｅ）ノンドープアモルファス半導体の第４層を堆積する
第５段階 ｆ）第１の形にドープしたアモルファス半導体の第５層
を堆積する第６段階 ｇ）既に堆積した５層の半導体層及び導電性材料の第１
層に列を形成するようにエツチングする第７段階 ｈ）前記５層の半導体層の列をエツチングして個々のセ
ンサ素子を形成する第８段階 ｌ）個々のセンサ素ｒの側面を絶縁する第９段階 Ｊ）導電性材料の第２層を堆積する第１０段階ｋ）個々
のセンサ素子の電気接続を形成するように導電性材料の
第２層をエツチングする第１１段階 本発明は、また、マトリックス制御のリニアイメージセ
ンサに提供するものであり、該センサは、基板上に一直
線に配列され、各組ごとに同数の１ンサ素子からなり且
つ各組とも同様な態様で配列された複数の組のサンサ素
子を備えている。これらのセンサ素子の各々は所与の数
の半導電性材料層を備え、同一列の個々のセンサ素子の
基板に最も近い層は基板上に配置された導体網によって
相互接続されており、同じ組の個々のセンサ素子の最も
離れた層は導体によって相互接続されている。
階 ｂ）第１の形にドープしたアモルファス半導体の第１層
を堆積する第２段階 Ｃ）ノンドープアモルファス半導体の第２層を堆積する
第３段階 ｄ）第２の形にドープしたアモルファス半導体の第３層
を堆積する第４段階 ｅ）ノンドープアモルファス半導体の第４層を堆積する
第５段階 ｆ）第１の形にドープしたアモルファス半導体の第５層
を堆積する第６段階 ｇ）既に堆積した５層の半導体層及び導電性材料の第１
層に列を形成するようにエツチングする第７段階 ｈ）前記５層の半導体層の列をエツチングして個々のセ
ンサ素子を形成する第８段階 ｌ）個々のセンサ素ｒの側面を絶縁する第９段階 Ｊ）導電性材料の第２層を堆積する第１０段階ｋ）個々
のセンサ素子の電気接続を形成するように導電性材料の
第２層をエツチングする第１１段階 本発明は、また、マトリックス制御のリニアイメージセ
ンサに提供するものであり、該センサは、基板上に一直
線に配列され、各組ごとに同数の１ンサ素子からなり且
つ各組とも同様な態様で配列された複数の組のサンサ素
子を備えている。これらのセンサ素子の各々は所与の数
の半導電性材料層を備え、同一列の個々のセンサ素子の
基板に最も近い層は基板上に配置された導体網によって
相互接続されており、同じ組の個々のセンサ素子の最も
離れた層は導体によって相互接続されている。
本発明の様々な目的及び特徴は、添付図面を参照して行
う以下の説明によって明らかとなろう。
う以下の説明によって明らかとなろう。
本発明によるイメージセンサの製法において、第１段階
で、ガラス等の基板１上に、後述するよう：ご使用様態
によれば透明材料でもよい導電性材料の、賢２を堆積す
る。従って、スズ・インジウム酸化物（ＩＴ○）の薄膜
もしくは等価の材料（Ｉｎ２０３、Ｓｎ○２）を堆積さ
せる。このような層は、５００乃至１５００人の厚さく
例えば、１２５０人）を何する。
で、ガラス等の基板１上に、後述するよう：ご使用様態
によれば透明材料でもよい導電性材料の、賢２を堆積す
る。従って、スズ・インジウム酸化物（ＩＴ○）の薄膜
もしくは等価の材料（Ｉｎ２０３、Ｓｎ○２）を堆積さ
せる。このような層は、５００乃至１５００人の厚さく
例えば、１２５０人）を何する。
第２段階では、平行な導体２０．２１のネ７）ワークを
形成するように導電性材料の層２をエツチングする。従
って、第１図に示すような構造を得る。
形成するように導電性材料の層２をエツチングする。従
って、第１図に示すような構造を得る。
この構造において、各導体２０．２１は、１ｍｍにつき
８ビツトの分解能を有するように１００μｍの幅を有し
、２５μｍ離れている。続いて、ＩＴ○を導体にするた
めに再びアニールする。
８ビツトの分解能を有するように１００μｍの幅を有し
、２５μｍ離れている。続いて、ＩＴ○を導体にするた
めに再びアニールする。
第３段階では、厚さ約３００人のＰ型にドープしたアモ
ルファスシリコンの層３を堆積させる。この堆積は、例
えば、グロー放電法、反応性スパッタリング等のアモル
ファスシリコンの周知の堆積法によって行う。
ルファスシリコンの層３を堆積させる。この堆積は、例
えば、グロー放電法、反応性スパッタリング等のアモル
ファスシリコンの周知の堆積法によって行う。
第４段階では、前段階の堆積と同一の方法でノンドープ
アモルファスシリコンの層４１１させる。この層は、約
５０００人の７さを有する。
アモルファスシリコンの層４１１させる。この層は、約
５０００人の７さを有する。
第５段階では、前段階と同様の方法でＮ形にドープした
アモルファスシリコンの層５を堆積させる。この層の厚
さは、約３００ 人である。
アモルファスシリコンの層５を堆積させる。この層の厚
さは、約３００ 人である。
第６段階では、前段階と同一の方法でノンドープアモル
ファスシリコンの層６を堆積させる。この層の厚さは、
約３０００ Ａである。
ファスシリコンの層６を堆積させる。この層の厚さは、
約３０００ Ａである。
第７段階では、前段階と同一の方法でＰ形にドープした
アモルファスシリコンの層７を堆積させる。この層の厚
さは、約３００Ａである。
アモルファスシリコンの層７を堆積させる。この層の厚
さは、約３００Ａである。
このようにして、第２図に示す構造を得る。シリコンの
５層３乃至７の厚さは、約９０００人である。
５層３乃至７の厚さは、約９０００人である。
第８段階では、これらの５層内で第３図のセンサ素子Ｅ
ＤＱ及びＥＤＩなどの個々のセンサ素子をカッティング
すなわち形成する。このカッティングは、フォトリング
ラフィによって行うことができる。このフォトリングラ
フィにおいて、個々のセンサ素子を導体２０．２１上に
位置付けするために必要なマスキングを行う。このマス
キングに続いて、半導体の５層３乃至７のドライ・工γ
チングもしくは化学エツチングを行う。
ＤＱ及びＥＤＩなどの個々のセンサ素子をカッティング
すなわち形成する。このカッティングは、フォトリング
ラフィによって行うことができる。このフォトリングラ
フィにおいて、個々のセンサ素子を導体２０．２１上に
位置付けするために必要なマスキングを行う。このマス
キングに続いて、半導体の５層３乃至７のドライ・工γ
チングもしくは化学エツチングを行う。
第３図では、このようにしてＰＩＮ型フォトダイオード
とアモルファスシリコンによるブロッキングダイオード
の積層体を（尋る。
とアモルファスシリコンによるブロッキングダイオード
の積層体を（尋る。
しかしながら、アモルファスシリコン層３がＮ形にドー
プしている場合は、アモルファスシリコン層５はＰ形に
、アモルファスシリコン層７はＮ形にドープしていなけ
ればならない。このとき、第３図に示す構造とは逆の構
造のダイオードが得られる。
プしている場合は、アモルファスシリコン層５はＰ形に
、アモルファスシリコン層７はＮ形にドープしていなけ
ればならない。このとき、第３図に示す構造とは逆の構
造のダイオードが得られる。
第９段階では、絶縁層８を堆積させる。使用される絶縁
体は、シリカもしくは窒化シリコンである。適用される
堆積技術は、既に堆積したシリコン層の性質を損なわな
い温度での反応性スパッタリングもしくはグロー放電法
である。このようにして、第４図に示す構造を得る。
体は、シリカもしくは窒化シリコンである。適用される
堆積技術は、既に堆積したシリコン層の性質を損なわな
い温度での反応性スパッタリングもしくはグロー放電法
である。このようにして、第４図に示す構造を得る。
次に、センサ素子ＥＤＯ１ＥＤＩのＰ形にドープした半
導体層７の表面に置かれた絶縁層８を除去する。この絶
縁層の除去は、プラズマエツチングによって行う。
導体層７の表面に置かれた絶縁層８を除去する。この絶
縁層の除去は、プラズマエツチングによって行う。
導電性材料が透明でない場合には、絶縁層８をネガ形の
樹脂層で覆うことが考えられる。そして、図示していな
いが、基板１の下に置かれた光源によって基板を通して
全体を露光する。層２は、センサ素子ＥＤＯ１ＥＤＩ上
に堆積された絶縁層のマスクの役割を果たし、現像後セ
ンサ素子上の絶縁層を除去する。このようにして、第５
図に示す構造を得る。
樹脂層で覆うことが考えられる。そして、図示していな
いが、基板１の下に置かれた光源によって基板を通して
全体を露光する。層２は、センサ素子ＥＤＯ１ＥＤＩ上
に堆積された絶縁層のマスクの役割を果たし、現像後セ
ンサ素子上の絶縁層を除去する。このようにして、第５
図に示す構造を得る。
また、導体２０．２１上の絶縁層も除去する。
このようにして、第７図の略図に示す構造を得る。
第７図では、３次元座標○ＸＹＺの平面ＯＸＺに平行に
基板が置かれている。導体２０．２１は、軸０２と平行
な方向に向けられる。センサ素子ＥＤＯ及びＥＤＩは、
各々導体２０及び２１上に位置している。全体は、図示
していないが絶縁層によって被覆されている。導体２０
．２１上と同様、センサ素子ＥＤＯ及びＥＤＩの上表面
の絶縁層に作られた開口部ＦＯ１Ｆ１及びＥＬＯｌＥＬ
Ｉが点線で図示されている。
基板が置かれている。導体２０．２１は、軸０２と平行
な方向に向けられる。センサ素子ＥＤＯ及びＥＤＩは、
各々導体２０及び２１上に位置している。全体は、図示
していないが絶縁層によって被覆されている。導体２０
．２１上と同様、センサ素子ＥＤＯ及びＥＤＩの上表面
の絶縁層に作られた開口部ＦＯ１Ｆ１及びＥＬＯｌＥＬ
Ｉが点線で図示されている。
第１０段階では、真空での蒸着もしくは陰極スパッタリ
ングによってクロム、アルミニウム、パラジウム、もし
くはモリブデン等の金属層９を堆積させる。層９の厚さ
は、数百人、例えば６００人でなければならない。第６
図に示すように、前段階までの構造全体が金属層９によ
って被覆される。
ングによってクロム、アルミニウム、パラジウム、もし
くはモリブデン等の金属層９を堆積させる。層９の厚さ
は、数百人、例えば６００人でなければならない。第６
図に示すように、前段階までの構造全体が金属層９によ
って被覆される。
第１１段階では、開口部ＦＤ、Ｆｌ、ＥＬＯｌＥＬｌと
外部回路との電気接続導体を形成するために、金属層９
のエツチングを行う。このエツチングは、フォトリング
ラフィによって行われる。
外部回路との電気接続導体を形成するために、金属層９
のエツチングを行う。このエツチングは、フォトリング
ラフィによって行われる。
第８図に示すように、個々のセンサ素子ＥＤＯ。
ＥＤＩは線状に配置され、例えば４つの個々のセンサ素
子を１組にして複数組に配列されている。
子を１組にして複数組に配列されている。
個々のセンサ素子は、各組ごとに所定の順序によって配
列されている。
列されている。
個々のセンサ素子ＥＤＯ１ＥＤＩの開口部ＦＯ１Ｆ１の
接続は、第８図に示すように、同一の垂直接続導体ｃｘ
ｖｏ、ＣＸＶｌによって個々のセンサ素子を組ごとにま
とめて行っている。従って、各垂直接続導体ｃｘｖｏ、
ＣＸＶｌによって、１組の個々のセンサ素子の上表面（
層７）を、図示していない外部アクセス回路へ接続する
ことが可能である。
接続は、第８図に示すように、同一の垂直接続導体ｃｘ
ｖｏ、ＣＸＶｌによって個々のセンサ素子を組ごとにま
とめて行っている。従って、各垂直接続導体ｃｘｖｏ、
ＣＸＶｌによって、１組の個々のセンサ素子の上表面（
層７）を、図示していない外部アクセス回路へ接続する
ことが可能である。
センサ素子の各組の同一列のセンサ素子にアクセス可能
な導体をまとめるように導体２０．２１．２０゛、２１
° の開口部ＥＬＯ１ＥＬＩは接続されている。
な導体をまとめるように導体２０．２１．２０゛、２１
° の開口部ＥＬＯ１ＥＬＩは接続されている。
従って、水平接続導体ＣＸＨ○は導体２０．２０゛の開
口部ＥＬＯ１ＥＬＯ”を＋目互接続し、水平接続導体Ｃ
ＸＨ１は導体２１．２１゛の開口部ＥＬＩ、ＥＬＩ’を
相互接続する。
口部ＥＬＯ１ＥＬＯ”を＋目互接続し、水平接続導体Ｃ
ＸＨ１は導体２１．２１゛の開口部ＥＬＩ、ＥＬＩ’を
相互接続する。
各水平接続導体ＣＸＨＯ１ＣＸＨ１は、導体（２０１２
１，２０’、２１°等）によって、同一列の個々のセン
サ素子の下層（層３）を、図示していない外部のアクセ
ス回路へ接続する。
１，２０’、２１°等）によって、同一列の個々のセン
サ素子の下層（層３）を、図示していない外部のアクセ
ス回路へ接続する。
個々のセンサ素子を制御するには、垂直接続導体及び水
平接続導体を選択する。例えば、垂直接続導体ｃｘｖｏ
及び水平接続導体ＣＸＨＯは、センサ素子ＥＤＯにアク
セスすることが可能である。
平接続導体を選択する。例えば、垂直接続導体ｃｘｖｏ
及び水平接続導体ＣＸＨＯは、センサ素子ＥＤＯにアク
セスすることが可能である。
このようにして、線状に配置された個々のセンサ素子の
１つのセンサ素子のマ） ＩＪフックス御が実施される
。
１つのセンサ素子のマ） ＩＪフックス御が実施される
。
第９図に弘す本発明の池の実施例では、本発明の方法の
最初の２段階中に基板１上に形成される導体２０．２１
は、各組の同一列の個々のセンサ素子を接続するように
曲がりくねった形状を有する。
最初の２段階中に基板１上に形成される導体２０．２１
は、各組の同一列の個々のセンサ素子を接続するように
曲がりくねった形状を有する。
このとき、水平接続導体ＣＸ）（０１ＣＸ）（１は、３
ヤ導体２０．２１に対応する。従って、導体２０．２１
−１−の位置で、前述の方法の第９段階で設けられた絶
縁層の除去は必要ではない。同様に、前述の第１２段階
で設けられた水平接続導体の形成は必要ではない。これ
らの水平接続導体ＣＸＨＯ及びＣＸＨＩは、導体２０．
２１として形成されているからである。
ヤ導体２０．２１に対応する。従って、導体２０．２１
−１−の位置で、前述の方法の第９段階で設けられた絶
縁層の除去は必要ではない。同様に、前述の第１２段階
で設けられた水平接続導体の形成は必要ではない。これ
らの水平接続導体ＣＸＨＯ及びＣＸＨＩは、導体２０．
２１として形成されているからである。
本発明の製法の変形例によると、導電性材料の層２のエ
ツチングは、前記の第２段階中には行われない。反対に
、第８段階で、導電性材料の層と半導電性材料の５層３
乃至７とを平行な列にカッティングして形成する。これ
に続いて、これらの列の半導電性材料の５層３乃至７を
カッティングして個ンのセンサ素子ＥＤＯ１ＥＤＩを形
成する。
ツチングは、前記の第２段階中には行われない。反対に
、第８段階で、導電性材料の層と半導電性材料の５層３
乃至７とを平行な列にカッティングして形成する。これ
に続いて、これらの列の半導電性材料の５層３乃至７を
カッティングして個ンのセンサ素子ＥＤＯ１ＥＤＩを形
成する。
この方法によって、導体２０．２１上に個々のセンサ素
子ＥＤＯ，ＥＤＩの位置決めの問題を回避することがで
きる。
子ＥＤＯ，ＥＤＩの位置決めの問題を回避することがで
きる。
本発明による池の変形例では、Ｐ形にドープ［。
た半導電性材料の第５層７は、堆積されない。金属層す
なわちさらに簡単には垂直接続導体ＣＸＶＯ１ＣＸＶ
１の金属材料の層９が、それに置換される。
なわちさらに簡単には垂直接続導体ＣＸＶＯ１ＣＸＶ
１の金属材料の層９が、それに置換される。
この条件では、各個々のセンサ素子の上部にＰＩＮ型ダ
イオードを有する代わりに、ンヨγトキーダイオードを
得る。
イオードを有する代わりに、ンヨγトキーダイオードを
得る。
４つのセンサ素子の組を備え、４×（７） ＩＪフック
ス御の可能な第８図及び第９図の実施例は、単に例にす
ぎない。接続及びアクセス回路数を減少させるには、よ
り大きな組を備え、且つ例えば４２Ｘ４２のマ） ＩＪ
フックス御を実施することが可能である。
ス御の可能な第８図及び第９図の実施例は、単に例にす
ぎない。接続及びアクセス回路数を減少させるには、よ
り大きな組を備え、且つ例えば４２Ｘ４２のマ） ＩＪ
フックス御を実施することが可能である。
第１図から第６図は、本発明によるイメージセンサの製
法を図解する図である。 第７図は、本発明によるイメージセンサの概略６芦ン見
ｌ又である。 第８図は、本発明によるイメージセンサのマトリ、ノタ
ス配置の平面図である。 第９図は、本発明によるマトリックス配置の変形例の平
面図である。 （Ｌな参照番号） １・・・基板 ２．９・・・導体層１３〜７・・
・半導体層 ２０．２１・・・導線
法を図解する図である。 第７図は、本発明によるイメージセンサの概略６芦ン見
ｌ又である。 第８図は、本発明によるイメージセンサのマトリ、ノタ
ス配置の平面図である。 第９図は、本発明によるマトリックス配置の変形例の平
面図である。 （Ｌな参照番号） １・・・基板 ２．９・・・導体層１３〜７・・
・半導体層 ２０．２１・・・導線
Claims (9)
- （１）導電性材料の第１層を基板の表面上に堆積する第
１段階、 第１の形（ｐもしくはｎ）にドープしたアモルファス半
導体の第１層を堆積する第２段階、ノンドープアモルフ
ァス半導体の第２層を堆積する第３段階、 第２の形（ｎもしくはｐ）にドープしたアモルファス半
導体の第３層を堆積する第４段階、ノンドープアモルフ
ァス半導体の第４層を堆積する第５段階、 第１の形（ｐもしくはｎ）にドープしたアモルファス半
導体の第５層を堆積する第６段階、堆積した半導体の５
層及び導電性材料の第１層をエッチングして列を形成す
る第７段階、 各列の半導体の５層をエッチングして個々のセンサ素子
を形成する第８段階、 該個々のセンサ素子の側面を絶縁する第９段階、導電性
材料の第２層を堆積する第１０段階、上記個々のセンサ
素子の電気接続を形成するように導電性材料の第２層を
エッチングする第１１段階 とを有することを特徴とするイメージセンサの製法。 - （２）上記導電性材料の第１層を堆積する第１段階にひ
き続いてすぐに該導電性材料の第１層をカッティングし
て接続導体を形成し、上記の第７段階を省略して、第８
段階で上記半導体の５層をエッチングして上記接続導体
上に各々位置するように個々のセンサ素子を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のイメージ
センサの製法。 - （３）上記第６段階は、導電性材料の第３層の堆積から
なり、該第６段階に続く半導体層のエッチングの段階を
、堆積した半導体の４層及び導電性材料の第３層に対し
て実施することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のイメージセンサの製法。 - （４）導電性材料の第１層を基板の表面に堆積する第１
段階、 第１の形（ｐもしくはｎ）にドープしたアモルファス半
導体の第１層を堆積する第２段階、ノンドープアモルフ
ァス半導体の第２層を堆積する第３段階、 第２形（ｎもしくはｐ）にドープしたアモルファス半導
体の第３層を堆積する第４段階、 ノンドープアモルファス半導体の第４層を堆積する第５
段階、 堆積された半導体の４層及び導電性材料の第１層をエッ
チングして列を形成する第６段階、各列の半導体の４層
をエッチングして個々のセンサ素子を形成する第７段階
、 上記個々のセンサ素子の側面を絶縁する第８段階、 導電性材料の第２層を堆積する第９段階、 上記導電性材料の第２層をエッチングして個々のセンサ
素子の電気接続を形成する第１０段階、とを有すること
を特徴とするイメージセンサの製法。 - （５）導電性材料の第１層は不透明であり、側面の絶縁
の段階は、上記個々のセンサ素子の全体にネガ型樹脂の
層を堆積させ、ひき続いて上記基板を介して光源によっ
て露光し、次に現像作業を行うことを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載のイメージセンサの製法。 - （６）上記側面の絶縁の段階は、絶縁材料の層を堆積し
、続いて個々のセンサ素子の上表面の絶縁材料を除去す
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のイメー
ジセンサの製法。 - （７）上記絶縁材料の除去は、接続導体上に位置する部
分に対して行うことを特徴とする特許請求の範囲第６項
に記載のイメージセンサの製法。 - （８）各組とも同様な態様で配置され同数のセンサ素子
からなるの複数のセンサ素子の組を備え、それら組は基
板上に線状に配置されており、各センサ素子は所定の数
の半導電性材料の層を備え、同一列のセンサ素子の基板
に最も近い層は基板上に配置された導体網によって相互
接続されており、同じ組のセンサ素子の最も離れた層は
導体によって相互接続されていることを特徴とするマト
リックス制御のリニアイメージセンサ。 - （９）上記基板上に配置された導体網は、上記個々のセ
ンサ素子と同様に絶縁材料層によって覆われており、該
絶縁層は導体及び個々のセンサ素子の上表面にアクセス
する開口部を備えており、第１の接続導体は、同じ組の
センサ素子のアクセス開口部を相互接続し、且つ外部装
置に接続することを可能にし、第２の接続導体は、異な
る組の同一列の導体のアクセス開口部を相互接続し、且
つ外部装置に接続することを特徴とする特許請求の範囲
第８項に記載のマトリックス制御のリニアイメージセン
サ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8512420 | 1985-08-14 | ||
| FR8512420A FR2586327B1 (fr) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | Procede de fabrication d'un detecteur d'image lumineuse et detecteur lineaire d'images obtenu par ce procede |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243166A true JPS6243166A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=9322250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61191175A Pending JPS6243166A (ja) | 1985-08-14 | 1986-08-14 | イメ−ジセンサの製法及び該製法によつて得られるリニアイメ−ジセンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4728997A (ja) |
| EP (1) | EP0214033B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6243166A (ja) |
| DE (1) | DE3681662D1 (ja) |
| FR (1) | FR2586327B1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2581781B1 (fr) * | 1985-05-07 | 1987-06-12 | Thomson Csf | Elements de commande non lineaire pour ecran plat de visualisation electrooptique et son procede de fabrication |
| DE3650362T2 (de) * | 1986-01-06 | 1996-01-25 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Atsugi, Kanagawa | Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung mit hoher Ansprechgeschwindigkeit und Herstellungsverfahren. |
| DE3710986A1 (de) * | 1987-04-01 | 1988-10-20 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Lichtempfindliche detektorvorrichtung |
| US4785191A (en) * | 1987-04-17 | 1988-11-15 | Stemcor Corporation | Interconnected array of photosensors for simultaneously sensing light intensities at each of a number of locations |
| US4826777A (en) * | 1987-04-17 | 1989-05-02 | The Standard Oil Company | Making a photoresponsive array |
| FR2623038B1 (fr) * | 1987-11-10 | 1994-05-20 | Thomson Csf | Matrice d'elements photosensibles associant un phototransistor et une capacite de stockage |
| US5134081A (en) * | 1988-01-27 | 1992-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image sensor free from undesirable incident light rays and a manufacturing method for the same |
| FR2638042A1 (fr) * | 1988-10-14 | 1990-04-20 | Thomson Csf | Procede pour reduire la remanence d'un phototransistor, notamment de type nipin |
| US5311047A (en) * | 1988-11-16 | 1994-05-10 | National Science Council | Amorphous SI/SIC heterojunction color-sensitive phototransistor |
| CA2005255C (en) * | 1988-12-14 | 1994-01-18 | Katsuhiko Hayashi | Contact type photoelectric transducer |
| GB2239555B (en) * | 1989-03-01 | 1993-02-24 | Philips Electronic Associated | Infrared image-sensing devices and their manufacture |
| DE4039104A1 (de) * | 1990-01-31 | 1991-08-01 | Daimler Benz Ag | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
| US5077597A (en) * | 1990-08-17 | 1991-12-31 | North Carolina State University | Microelectronic electron emitter |
| US5577309A (en) * | 1995-03-01 | 1996-11-26 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming electrical contact to the optical coating of an infrared detector |
| JPH1022520A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nec Corp | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| KR19990023221A (ko) | 1997-08-20 | 1999-03-25 | 포만 제프리 엘 | 감광성 소자, 능동 픽셀 센서 소자, 능동 픽셀 센서 감광성 소자 및 능동 픽셀 센서 장치 |
| US5986391A (en) * | 1998-03-09 | 1999-11-16 | Feldman Technology Corporation | Transparent electrodes |
| US6541316B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-04-01 | The Regents Of The University Of California | Process for direct integration of a thin-film silicon p-n junction diode with a magnetic tunnel junction |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2344099C3 (de) * | 1973-08-31 | 1979-01-18 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Integrierte Halbleiteranordnung |
| US4316206A (en) * | 1980-04-14 | 1982-02-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Two color narrow bandwidth detector |
| JPS5848962A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | Hitachi Ltd | 光センサアレイ装置 |
| GB2132016B (en) * | 1982-12-07 | 1986-06-25 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | A semiconductor device |
-
1985
- 1985-08-14 FR FR8512420A patent/FR2586327B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-08-08 DE DE8686401789T patent/DE3681662D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-08-08 EP EP86401789A patent/EP0214033B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-12 US US06/895,812 patent/US4728997A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-08-14 JP JP61191175A patent/JPS6243166A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2586327A1 (fr) | 1987-02-20 |
| DE3681662D1 (de) | 1991-10-31 |
| US4728997A (en) | 1988-03-01 |
| EP0214033B1 (fr) | 1991-09-25 |
| EP0214033A1 (fr) | 1987-03-11 |
| FR2586327B1 (fr) | 1987-11-20 |
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