JPS6242519A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPS6242519A JPS6242519A JP18199885A JP18199885A JPS6242519A JP S6242519 A JPS6242519 A JP S6242519A JP 18199885 A JP18199885 A JP 18199885A JP 18199885 A JP18199885 A JP 18199885A JP S6242519 A JPS6242519 A JP S6242519A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にインコヒー
レント光線を用い、た熱処理方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a heat treatment method using incoherent light beams.
この発明は、半導体基板の熱処理を行う半導体装置の製
造方法において、半導体基板と光吸収率の異なる薄膜を
選択的に形成しハロゲンランラ°光線等のインコヒーレ
ント光線を照射することにより、膜厚によらず均一で効
率の良い熱処理をｊテうものである。This invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor substrate is heat-treated, in which a thin film having a different light absorption rate from that of the semiconductor substrate is selectively formed, and the film thickness is increased by irradiating the film with an incoherent light beam such as a halogen beam. This is to ensure uniform and efficient heat treatment.
一般に、半導体装置の製造工程においては、７ニールや
りフローあるいはシリサイド形成、オーミックメタルの
形成等種々の熱処理が行われている。Generally, in the manufacturing process of semiconductor devices, various heat treatments such as 7-neel flow, silicide formation, and ohmic metal formation are performed.
この熱処理においては、電気炉、レーザービームを用い
たアニール、フラッシュ・ランプ・アニール、電子線ア
ニール等の熱源を用いて行う方法が知られている。In this heat treatment, methods using heat sources such as an electric furnace, annealing using a laser beam, flash lamp annealing, and electron beam annealing are known.
従来の加熱方法の一例として、レーザービーム等をシリ
コンなどの半導体基板に照射するアニール法が知られて
いる。このようなレーザービーム等を半導体基板に照射
するアニール法は、短時間熱処理１局所的加熱、制御性
に優れる等の長所を有しているが、反面、基板の加熱に
不均一性がある等の短所を有している。As an example of a conventional heating method, an annealing method is known in which a semiconductor substrate made of silicon or the like is irradiated with a laser beam or the like. Such an annealing method in which a semiconductor substrate is irradiated with a laser beam or the like has advantages such as short-time heat treatment (1) localized heating and excellent controllability, but on the other hand, it has the disadvantage of non-uniform heating of the substrate, etc. It has the following disadvantages.
即ち、従来の半導体基板たとえばシリコンウェハーなど
をアニールする場合は、上記レーザービーム等をウェハ
ーの表面等に対して照射するが、該ウェハーの周辺部分
から熱の放射が生じ、このウェハー周辺部分からの熱の
損失によってウェハーが均一な温度分布でなく熱勾配を
持ったものになってしまう。That is, when annealing a conventional semiconductor substrate such as a silicon wafer, the above-mentioned laser beam or the like is irradiated onto the surface of the wafer, but heat is radiated from the periphery of the wafer. Heat loss causes the wafer to have a thermal gradient instead of a uniform temperature distribution.
そして、このようにウェハーに熱勾配を生ずる場合には
、該熱勾配によってウェハー内部等に熱応力を発生させ
、結局アニールによって熱的な歪が生じ、ウェハーにス
リップラインを発生させるような弊害が生じている。When a thermal gradient is generated in the wafer in this way, the thermal gradient generates thermal stress inside the wafer, and eventually thermal distortion occurs due to annealing, which can cause problems such as slip lines on the wafer. It is occurring.
そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、半導体基板を短
時間熱処理し、しかも、均一に熱的な応力の発生するよ
うな弊害のない半導体装置の製造方法の提供を目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor substrate is heat-treated for a short time and does not have the disadvantage of uniformly generating thermal stress.
本発明は、半導体基板の表面に該半導体基板と光吸収率
の異なる薄膜を選択的に形成し、インコヒーレント光線
を照射して上記半導体基板を熱処理する半導体装置の製
造方法により上述の問題点を解決することとしている。The present invention solves the above-mentioned problems by a method of manufacturing a semiconductor device, which selectively forms a thin film having a different light absorption rate from that of the semiconductor substrate on the surface of the semiconductor substrate, and heat-treats the semiconductor substrate by irradiating the semiconductor substrate with an incoherent light beam. We are planning to resolve it.
本発明の半導体装置の製造方法は、熱処理の熱源として
、ハロゲンランプ光線等のインコヒーレント光線を用い
ている。そして、半導体基板の表面に半導体基板と光吸
収率の異なる薄膜を基板上で選択的に形成し、上記イン
コヒーレント光線ヲ光吸収率の異なる薄膜が選択的に形
成された表面に照射して熱処理をする。このとき、上記
薄膜の形成された領域は、光吸収率が異なるため、薄膜
の形成されていない領域とは、同一の光強度で照射した
場合の加熱に差を生ずる。そして、この加熱の差を利用
して、熱勾配を生ずる部分例えば周辺部分での熱損失を
補償するようにする。The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention uses incoherent light such as halogen lamp light as a heat source for heat treatment. Then, a thin film having a different light absorption rate from that of the semiconductor substrate is selectively formed on the surface of the semiconductor substrate, and the surface on which the thin film having a different light absorption rate is selectively formed is irradiated with the above-mentioned incoherent light beam to undergo heat treatment. do. At this time, since the region where the thin film is formed has a different light absorption rate, heating is different from the region where the thin film is not formed when irradiated with the same light intensity. This difference in heating is then used to compensate for heat loss in areas where thermal gradients occur, such as in peripheral areas.
ここで、光吸収率は、薄膜を形成する材料に固有の値で
ある。例えば、半導体基板としてシリコン基板を用い、
上記光吸収率の異なる薄膜として酸化シリコン膜を用い
た場合には、上記酸化シリコン膜が後述するように光の
透過率を強め、かつ、熱保持部材として作用する。この
ため、上述したように半導体基（反の周辺部分の熱損失
を填補する目的で周辺部分に酸化シリコン膜を形成すれ
ば、基板は均一に熱処理されスリップライン等の弊害は
生じない。また、半導体基板と選択的に形成する光吸収
率の異なる薄膜の材料の関係は、光吸収率の高い方を薄
膜とするのみならず、薄膜の方を相対的に低くしても良
い。Here, the light absorption rate is a value specific to the material forming the thin film. For example, using a silicon substrate as a semiconductor substrate,
When a silicon oxide film is used as the thin film having different light absorption rates, the silicon oxide film increases the light transmittance and acts as a heat retaining member, as will be described later. For this reason, as mentioned above, if a silicon oxide film is formed in the peripheral area of the semiconductor substrate in order to compensate for heat loss in the peripheral area, the substrate will be uniformly heat-treated and problems such as slip lines will not occur. Regarding the relationship between the semiconductor substrate and the materials of the thin films having different light absorption rates that are selectively formed, not only the thin film with a higher light absorption rate may be used, but also the thin film may have a relatively lower one.
このように半導体基板の表面に光吸収率の異なる薄膜を
形成して、インコヒーレント光線を照射することにより
、本発明の半導体装置の製造方法は実現されるが、イン
コヒーレント光線であるが故に、レーザービーム等のコ
ヒーレント光線にない効果をあげることができる。The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention can be realized by forming thin films with different light absorption rates on the surface of a semiconductor substrate and irradiating them with incoherent light, but since the light is incoherent, It can produce effects that are not available with coherent light beams such as laser beams.
ここで、インコヒーレント光線による作用を図面を参照
しながら説明する。Here, the effect of incoherent light rays will be explained with reference to the drawings.
先ず、インコヒーレント光線と対比するためコヒーレン
ト光線（例えばレーザービーム）を用いた場合について
説明すると、コヒーレント光線はその可干渉性から膜厚
に対する依存性がある。First, a case will be explained in which a coherent light beam (for example, a laser beam) is used in comparison with an incoherent light beam.A coherent light beam has dependence on film thickness due to its coherence.
即ち、コヒーレント光線として例えばＮｄ−ＹＡＧレー
ザ−（波長λ＝１．０６μｍ）を用いた場合において、
膜厚に対する透過率の比の特性は、コヒーレント光であ
るレーザービームの干渉効果によって正弦関数的な変化
をする。ここで膜厚に依存する光吸収特性は、
Ｔ（ｄ、 λ）＝Ａ／ （Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）−・−・・−
■Ａ＝３ｎｌ ｎｔ ２ｎ３
Ｂ−（ｎｔ２ ｎ２２）（ｎ２２−ｎ３２）Ｃ＝４ｎ１
ｎ２２ｎ３
Ｄ＝ （ｎｔ ２＋ｆｉ２２）（ｎ２２＋ｎ３２）ＸＣ
Ｏ５（４ｒｃ ｎ ２ ｄ／λ）
ｎ：屈折率
ｎｌ ；外気の屈折率
ｎｔ ：薄膜の屈折率
ｎ３ ；基板の屈折率
ｄ；薄膜の膜厚
λ：コヒーレント光の波長
となり、■式で表される下地吸収特性は、第７図に示す
ような特性になる。尚、第７図において、横軸に薄膜（
酸化シリコン膜）の厚み（μｍ）をとり、一方縦軸に透
過率の比（薄膜のない場合の値をＴｏとしている。）を
とっている。That is, when using, for example, an Nd-YAG laser (wavelength λ = 1.06 μm) as a coherent light beam,
The characteristic of the ratio of transmittance to film thickness changes in a sinusoidal manner due to the interference effect of a laser beam, which is coherent light. Here, the light absorption characteristics that depend on the film thickness are T(d, λ)=A/ (B+C+D)−・−・・−
■A=3nl nt 2n3 B-(nt2 n22) (n22-n32) C=4n1
n22n3 D= (nt 2+fi22) (n22+n32)XC
O5 (4rc n 2 d/λ) n: refractive index nl; refractive index of outside air nt: refractive index of thin film n3; refractive index of substrate d; film thickness of thin film λ: wavelength of coherent light, expressed by the formula The underlying absorption characteristics are as shown in FIG. In Fig. 7, the horizontal axis indicates the thin film (
The thickness (μm) of the silicon oxide film is plotted, while the transmittance ratio (the value without the thin film is To) is plotted on the vertical axis.
以上のように、コヒーレント光（可干渉光線）の場合に
は、光吸収率の異なる薄膜の膜厚に依存した下地吸収の
変化がみられる。このため上記下地吸収特性（第７図参
照）のピークの膜厚では、熱損失を補償するように薄膜
を選択的に形成することが有効であるが、ピークとピー
クの間の谷間を与える膜厚は、殆ど熱損失を補償するよ
うに作用することができない。As described above, in the case of coherent light (coherent light), changes in underlying absorption are observed depending on the thickness of thin films with different light absorption rates. For this reason, it is effective to selectively form a thin film to compensate for heat loss at the film thickness at the peak of the base absorption characteristics (see Figure 7), but a film that provides a valley between the peaks is effective. Thickness can hardly act to compensate for heat loss.
次に、インコヒーレント光線を用いた場合の作用につい
て、第１図〜第２図を参照しながら説明する。Next, the effect when using an incoherent light beam will be explained with reference to FIGS. 1 and 2.
インコヒーレンＩ・光線例えばハロゲンランプ光線等は
、コヒーレント光であるレーザービーム等と異なり波長
に分布を持っている。この波長分布を第２図に示す。例
示したインコヒーレント光線の光源は、赤外線照射ハロ
ゲンランプ光であり、横軸に波長（μｍ）、縦軸に強度
（相対値で、ランプ電圧を１４４■としたときのピーク
強度を１とする。）をとっている。Incoherent I light beams, such as halogen lamp beams, have a wavelength distribution unlike coherent light such as laser beams. This wavelength distribution is shown in FIG. The light source of the exemplified incoherent light beam is infrared ray irradiation halogen lamp light, and the horizontal axis is the wavelength (μm), and the vertical axis is the intensity (relative value, where the peak intensity is 1 when the lamp voltage is 144 cm). ) is taken.
このようにインコヒーレント光線による照射の場合には
、コヒーレント光線のような極端な干渉性はなく、第１
図に対比して示すような特性になる。すなわち、インコ
ヒーレント光線の場合、上述したコヒーレント光線の下
地吸収特性の式■に波長分布項Ｆ（λ）が重みとして乗
算されることなり、
Ａ＝ ８ ｎｌ ｎ２２ ｎｌ
Ｂ＝ （ｎ１２ ｎ２２）（ｎ２２ ｎ３２）Ｃ
＝４ｎ１ ｎ２２ ｎ３
Ｄ−（ｎ１２ ＋ｎ２２）（ｎ２２ ＋ｎ３２）Ｘｃｏ
ｓ （４４ｎ２ ｄ／λ）
ｎ：屈折率
ｎｌ ；外気の屈折率
ｎ２ ；薄膜の屈折率
ｎ３ ；基板の屈折率
ｄ：薄膜の膜厚
λ：光の波長
で表記されるようなインコヒーレント光線の干渉効果が
得られることになる。尚、第１図では、第７図と同様に
横軸に薄膜（酸化シリコン膜）の厚み（μｍ）をとり、
一方縦軸に透過率の比（薄膜のない場合の値をＴｏとし
ている。）をとっている。In this way, in the case of irradiation with incoherent light, there is no extreme coherence as with coherent light, and the first
The characteristics will be as shown in the figure. In other words, in the case of an incoherent light beam, the above-mentioned expression (■) of the base absorption characteristic of the coherent light beam is multiplied by the wavelength distribution term F(λ) as a weight, so that A= 8 nl n22 nl B= (n12 n22) (n22 n32)C
=4n1 n22 n3 D-(n12 +n22)(n22 +n32)Xco
s (44n2 d/λ) n: refractive index nl; refractive index of outside air n2; refractive index of thin film n3; refractive index of substrate d: film thickness of thin film λ: refractive index of incoherent light rays as expressed in wavelength of light. This results in an interference effect. In addition, in FIG. 1, the thickness (μm) of the thin film (silicon oxide film) is plotted on the horizontal axis, as in FIG.
On the other hand, the vertical axis represents the transmittance ratio (the value when there is no thin film is To).
以上のように、インコヒーレント光線を用いた場合には
、干渉効果が和らぎ例えば多少の膜厚のばらつきが生じ
ても有効に所定の効果をあげることができる。第２図に
示すようなハロゲンランプ光線（ピーク波長１．１５μ
ｍ）を用いて、選択的に形成する薄膜の材料を酸化シリ
コンとした場合には、酸化シリコン膜の膜厚が０．２μ
ｍで最も吸収効率が大きく、また０、３μｍ以上の膜厚
に対しては依存性が薄くなり、多少の膜厚のばらつきが
生じても有効に所定の効果をあげることができる。As described above, when an incoherent light beam is used, the interference effect is alleviated, and a predetermined effect can be effectively achieved even if, for example, some variation in film thickness occurs. Halogen lamp light (peak wavelength 1.15μ) as shown in Figure 2
When using silicon oxide as the material for the thin film selectively formed using m), the thickness of the silicon oxide film is 0.2 μm.
The absorption efficiency is highest at m, and the dependence becomes weaker for film thicknesses of 0.3 μm or more, so that even if there is some variation in film thickness, the desired effect can be effectively achieved.
また、ハロゲンランプ光線等のインコヒーレント光線を
使用することよって、短時間熱処理が可能であることは
言うまでもない。Furthermore, it goes without saying that short-time heat treatment is possible by using incoherent light such as halogen lamp light.
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。 Preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施例の半導体装置の製造方法は、アニール等の熱処
理を行う熱源としてインコヒーレント光線であるハロゲ
ンランプ光線（ピーク波長１． １５μｍ）を使用し、
シリコン基板等の半導体基板の表面に照射する。この半
導体基板の周辺部分の中心部分に比べて大きい熱損失等
の悪影響を防止するために、例えば酸化シリコン等の材
料による上記半導体基板とは光吸収率の異なる薄膜を選
択的に形成する。すなわち、例えば第３図に示すように
、半導体基板１両面の周辺部に選択的に所定の膜厚ｄ１
の酸化シリコン膜２ａ、２ｂを被着形成する。この膜厚
ｄ１については、インコヒーレント光線であるハロゲン
ランプ光線を用い該膜厚ｄ１のばらつきによる透過率の
変化を緩和して、熱損失を補うことができるように作用
することは上述した通りである。そして、この選択的に
形成された酸化シリコン膜２ａ、２ｂが、周辺部で生じ
ていた熱損失を上述したように補償するため、半導体基
板１は均一に加熱処理されることになる。The method for manufacturing a semiconductor device of this embodiment uses halogen lamp light (peak wavelength 1.15 μm), which is an incoherent light beam, as a heat source for heat treatment such as annealing.
Irradiates the surface of a semiconductor substrate such as a silicon substrate. In order to prevent adverse effects such as greater heat loss in the peripheral portion of the semiconductor substrate than in the central portion, a thin film made of a material such as silicon oxide and having a light absorption rate different from that of the semiconductor substrate is selectively formed. That is, for example, as shown in FIG.
Silicon oxide films 2a and 2b are deposited. Regarding this film thickness d1, as mentioned above, the halogen lamp light, which is an incoherent light beam, is used to alleviate the change in transmittance due to variations in the film thickness d1 and compensate for heat loss. be. Since the selectively formed silicon oxide films 2a and 2b compensate for the heat loss occurring in the peripheral portion as described above, the semiconductor substrate 1 is uniformly heat-treated.
形成する薄膜は、半導体基板工の主面に対して一定の膜
厚とするのみならず、熱勾配に応じた膜厚としても良い
。The thin film to be formed may not only have a constant thickness with respect to the main surface of the semiconductor substrate, but may also have a thickness depending on the thermal gradient.
この半導体基板に対して酸化シリコン膜を選択的に被着
形成した場合の効果を、本発明者が行った実験データ（
第４図）に基づき説明する。この実験は、半導体装置を
形成する半導体基板に通常行われるようなイオン注入（
ドーパントをＢ＋とする。）を施し、酸化シリコン膜の
各膜厚を形成し、本実施例の熱処理によってアニールし
た後、シート抵抗ρＳを測定したものである。Experimental data (
The explanation will be based on Fig. 4). This experiment was carried out using ion implantation, which is normally performed on semiconductor substrates that form semiconductor devices.
Let the dopant be B+. ), the silicon oxide film was formed to various thicknesses, and the sheet resistance ρS was measured after being annealed by the heat treatment of this example.
そして、その結果を第４図に・および○で示している。The results are shown in FIG. 4 with . and ○.
この実験データからも明らかなように、図中計算値とし
て示すインコヒーレント光線の光強度分布く透過率の比
）に略沿ったシート抵抗ρＳの向上が見られる。従って
、半導体基板１上に酸化シリコン膜２ａ、２ｂ等の光吸
収率の異なる材料で薄膜を形成することにより、熱的な
特性が向上し、アニールによって活性化されていること
が判る。As is clear from this experimental data, the sheet resistance ρS is improved approximately along the light intensity distribution of the incoherent light beam shown as the calculated value in the figure (the ratio of the transmittance). Therefore, it can be seen that by forming thin films of materials with different light absorption rates, such as silicon oxide films 2a and 2b, on the semiconductor substrate 1, the thermal characteristics are improved and activated by annealing.
このように本実施例の半導体装置の製造方法は、インコ
ヒーレント光線としてハロゲンランプ光線を用い、半導
体基板と光吸収率の異なる薄膜を選択的に形成して、短
時間熱処理によって熱１貝失を填補し、熱的な歪の発生
を抑え、スリップラインの発生等の弊害のない均一な熱
処理をすることができる。そして、インコヒーレント光
線を用いるため、膜厚のばらつきが生じても透過率の変
化が少なくこれを補うことが可能であり、また、所定の
膜厚によっては、有効に熱処理を行うことができる。In this way, the method for manufacturing a semiconductor device of this embodiment uses a halogen lamp beam as an incoherent beam, selectively forms a thin film having a different light absorption rate from that of a semiconductor substrate, and reduces heat loss by a short heat treatment. It is possible to perform uniform heat treatment without any negative effects such as the generation of slip lines, and suppress the occurrence of thermal distortion. Furthermore, since an incoherent light beam is used, even if variations in film thickness occur, there is little change in transmittance and it is possible to compensate for this, and depending on a predetermined film thickness, heat treatment can be performed effectively.
他の光吸収率の異なる薄膜の選択的な形成例としては、
例えば、第５図〜第６図に示すような薄膜の選択的形成
による。尚、第５図〜第６図は、半導体装置を形成する
半導体基板１の各々概略断面図である。Other examples of selective formation of thin films with different light absorption rates include:
For example, by selective formation of thin films as shown in FIGS. 5-6. 5 and 6 are schematic cross-sectional views of the semiconductor substrate 1 forming a semiconductor device.
第５図に示すように、半導体基板１の裏面１ｂに選択的
に薄膜の不純物含有ポリシリコン３を被着しても良い。As shown in FIG. 5, a thin film of impurity-containing polysilicon 3 may be selectively deposited on the back surface 1b of the semiconductor substrate 1.
この不純物含有ポリシリコン３を用いた場合には、フリ
ーキャリアの影響から不純物濃度に光吸収率が依存する
為、不純物濃度に分布を持たせることによって熱）賢夫
を填補することができる。尚、裏面１ｂに限定されず、
両面に不純物含有ポリシリコン３を形成しても良い。ま
た、膜厚ｄ２を不純物濃度とともに変化させても良い。When this impurity-containing polysilicon 3 is used, the light absorption rate depends on the impurity concentration due to the influence of free carriers, so it is possible to compensate for the heat loss by giving a distribution to the impurity concentration. In addition, it is not limited to the back side 1b,
Impurity-containing polysilicon 3 may be formed on both sides. Further, the film thickness d2 may be changed along with the impurity concentration.
また、第６図に示す例のように、半導体基板１の裏面の
中心部分に光吸収率の異なる薄膜として、相対的に光吸
収率の低い、光を反射するような薄膜４を被着形成し、
中心部分に吸収される光が反射されることから中心部分
の加熱を抑えて半導体基板ｌを均一に加熱するようにし
ても良い。更に、熱損失を補償するため、上記薄膜４を
半導体基板１の両面に被着形成しても良い。Further, as shown in the example shown in FIG. 6, a thin film 4 having a relatively low light absorption rate and reflecting light is formed as a thin film having a different light absorption rate in the central part of the back surface of the semiconductor substrate 1. death,
Since the light absorbed in the central portion is reflected, heating of the central portion may be suppressed to uniformly heat the semiconductor substrate l. Furthermore, the thin film 4 may be deposited on both sides of the semiconductor substrate 1 in order to compensate for heat loss.
尚、本発明の半導体装置の製造方法の具体的な適用は、
上述したような各側に限定されるものではない。The specific application of the semiconductor device manufacturing method of the present invention is as follows:
It is not limited to each side as described above.
尚、本実施例においては、シリコン基板に対して酸化シ
リコン膜や不純物含有ポリシリコンを選択的に形成して
好適な薄膜として説明したが、これに限定されず、半導
体基板と光吸収率の異なるような材料で選択的に形成す
る薄膜を形成すれば良い。In this example, a silicon oxide film or impurity-containing polysilicon is selectively formed on a silicon substrate to provide a suitable thin film, but the present invention is not limited to this. It is sufficient to form a thin film selectively made of such materials.
又、インコヒーレント光線は、ハロゲンランプ光線に限
定されるものではなく、波長の分布を有する。熱源であ
れば良い。Furthermore, the incoherent light beam is not limited to the light beam from a halogen lamp, but has a wavelength distribution. Any heat source is fine.
本発明の半導体基板の製造方法は、半導体基板を短時間
熱処理し、しかも、選択的に形成される薄膜の作用によ
って、熱の損失を補償するため、基板を均一に加熱し、
熱的な応力の発生するような弊害を防止することができ
る。The method for manufacturing a semiconductor substrate of the present invention heat-treats a semiconductor substrate for a short time, and further, heats the substrate uniformly to compensate for heat loss by the action of a selectively formed thin film.
It is possible to prevent harmful effects such as generation of thermal stress.
第１図は本発明に係るコヒーレント光とインコヒーレン
ト光の５ｉ０２膜厚に対する干渉効果を示する特性図で
あり、第２図は赤外線照射ハロゲンランプ光の波長分布
を示す特性図であり、第３図は本発明の半導体装置の製
造方法に用いられる薄膜を形成した半導体基板の一例を
示す概略断面図であり、第４図は本発明に係る各種５ｉ
Ｏｚ膜厚をキャッピング膜とした時のＩＲアニール（イ
オン注入層Ｂ＋）のｐＳ値と干渉効果を示す特性図であ
る。また、第５図及び第６図は各々本発明の半導体装置
の製造方法に用いられる薄膜を形成した半導体基板の他
の例を示す概略断面図であり、第７図はコヒーレント光
での下地吸収特性を示す特性図である。
■・・・半４体基板
２ａ、２ｂ・・・酸化シリコン膜
３・・・不純物含有ポリシリコン
４・・・薄膜
特 許 出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁
理士 小池 見間 田村榮−
へ ４
次 噌智・齢ｄ
Ｎ 沫超FIG. 1 is a characteristic diagram showing the interference effect of coherent light and incoherent light on the 5i02 film thickness according to the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing the wavelength distribution of infrared irradiation halogen lamp light, and FIG. The figure is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor substrate on which a thin film is formed for use in the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, and FIG.
FIG. 7 is a characteristic diagram showing the pS value and interference effect of IR annealing (ion implantation layer B+) when the Oz film thickness is used as the capping film. Furthermore, FIGS. 5 and 6 are schematic cross-sectional views showing other examples of semiconductor substrates on which thin films are formed, which are used in the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, and FIG. FIG. 3 is a characteristic diagram showing characteristics. ■...Semi-quadruple substrates 2a, 2b...Silicon oxide film 3...Polysilicon containing impurities 4...Thin film patent applicant Sony Corporation representative Patent attorney Koike Mima Sakae Tamura 4 Next Sochi・Ryo d N Yu Chao
Claims (1)
膜を選択的に形成し、インコヒーレント光線を照射して
上記半導体基板を熱処理する半導体装置の製造方法。A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises selectively forming a thin film having a different light absorption rate from that of the semiconductor substrate on the surface of the semiconductor substrate, and heat-treating the semiconductor substrate by irradiating the semiconductor substrate with an incoherent light beam.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18199885A JPS6242519A (en) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18199885A JPS6242519A (en) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242519A true JPS6242519A (en) | 1987-02-24 |
Family
ID=16110533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18199885A Pending JPS6242519A (en) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242519A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063863A (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007525844A (en) * | 2004-02-26 | 2007-09-06 | ウルトラテック インク | Silicon layer for uniform temperature during photo annealing |
| JP2014120664A (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Peeling assist method and peeling assist device |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18199885A patent/JPS6242519A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063863A (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007525844A (en) * | 2004-02-26 | 2007-09-06 | ウルトラテック インク | Silicon layer for uniform temperature during photo annealing |
| JP2014120664A (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Peeling assist method and peeling assist device |
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