JPS623221A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
- Publication number
- JPS623221A JPS623221A JP14173085A JP14173085A JPS623221A JP S623221 A JPS623221 A JP S623221A JP 14173085 A JP14173085 A JP 14173085A JP 14173085 A JP14173085 A JP 14173085A JP S623221 A JPS623221 A JP S623221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- doped
- layers
- layer
- type
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は低駆動電圧で高い消光比を得ることのできる高
速変調可能な光変調器に関するものである。
速変調可能な光変調器に関するものである。
（従来技術とその問題点）
光通信等において、光源として、用いられる半導体レー
ザの出力強度や位相を高速で変化させる際には、大きく
分類して２種の方法がある。それは、半導体レーザを駆
動する電流を直接変化させる方法と、光源からの光出力
を受動素子である光変調器を通す事によって変調する方
法である。この両者にはそれぞれ長所短所がある。前者
は光変調器を使用しないため、光変調器による挿入損失
はないが、数百メガヘルツ以上の高速変調時には、半導
体レーザ中のキャリヤの緩和振動による変調波形の歪み
や、発振波長の時間変化（チャーピング）が生じ、信号
光の検出が困難になる。また、この変調速度はキャリヤ
寿命により制限され、毎秒約４ギガビツト以上の直接変
調は原理的に困難である。
ザの出力強度や位相を高速で変化させる際には、大きく
分類して２種の方法がある。それは、半導体レーザを駆
動する電流を直接変化させる方法と、光源からの光出力
を受動素子である光変調器を通す事によって変調する方
法である。この両者にはそれぞれ長所短所がある。前者
は光変調器を使用しないため、光変調器による挿入損失
はないが、数百メガヘルツ以上の高速変調時には、半導
体レーザ中のキャリヤの緩和振動による変調波形の歪み
や、発振波長の時間変化（チャーピング）が生じ、信号
光の検出が困難になる。また、この変調速度はキャリヤ
寿命により制限され、毎秒約４ギガビツト以上の直接変
調は原理的に困難である。
一方後者は、毎秒１０ギガビット程度の高速変調が可能
で、かつ高速変調時においてもチャーピングは少ないが
、通常の光変調器では挿入損失が大きく、特に長距離の
伝送に対しては不利である。
で、かつ高速変調時においてもチャーピングは少ないが
、通常の光変調器では挿入損失が大きく、特に長距離の
伝送に対しては不利である。
また、高い消光比の変調を得るためには高い電圧で駆動
する必要がある。
する必要がある。
そこで、後者のタイプで、低損失で高速変調可能な多層
薄膜半導体による光変調器が提案されている。その−例
は、山西氏らにより、ジャパニーズ・ジャーナル・オフ
・アプライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）誌
１９８３年２２巻Ｌ２２に掲載されているように、多層
薄膜半導体に電界を印加する事により、吸収端を長波長
にずらす、というものであるが、これは、同時に電子と
正孔を空間的に分離してしまい、吸収確率は小さくなる
という欠点を有する。また高い消光比の変調を得るため
の駆動電圧も実用上はまだ高めである。
薄膜半導体による光変調器が提案されている。その−例
は、山西氏らにより、ジャパニーズ・ジャーナル・オフ
・アプライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）誌
１９８３年２２巻Ｌ２２に掲載されているように、多層
薄膜半導体に電界を印加する事により、吸収端を長波長
にずらす、というものであるが、これは、同時に電子と
正孔を空間的に分離してしまい、吸収確率は小さくなる
という欠点を有する。また高い消光比の変調を得るため
の駆動電圧も実用上はまだ高めである。
（問題点を解決するための手段）
本発明による光変調器は、１層ないし多層の、膜厚が電
子の平均自由行程程度以下である半導体薄膜を有し、該
半導体薄膜に積層方向に電界を印加する手段を有する光
変調器において、該半導体薄膜中の狭い禁制帯幅を有す
る半導体層の禁制帯幅が積層方向に関して中央部近傍で
最大値をとり両端部に近づくにつれ減少することに特徴
がある。
子の平均自由行程程度以下である半導体薄膜を有し、該
半導体薄膜に積層方向に電界を印加する手段を有する光
変調器において、該半導体薄膜中の狭い禁制帯幅を有す
る半導体層の禁制帯幅が積層方向に関して中央部近傍で
最大値をとり両端部に近づくにつれ減少することに特徴
がある。
（発明の作用・原理）
以下、図面を用いて本発明の作用・原理を説明する。ま
ず本発明による光変調器の半導体薄膜構造 “□
のバンド構造を模式的に、電界が印加されていない場合
について第１図（ａ）に、積層方向に電界が印加されて
いる場合について第１図（ｂ）に示す。ここで、電子の
波動関数１１と正孔の波動関数１２の電界による変形に
ついて考える。無電界時、つまり第１図（ａ）の場合で
は、どちらの波動関数も、狭バンドギヤツプ層（以下量
子井戸層と呼ぶ）の中の両側のへテロ界面付近に存在し
ており、しかもほぼ左右対称の形状をしていることがわ
かる。そのため、２つの波動関数の重なり積分の値はほ
ぼ１とな゛る。しかるに電界印加により量子井戸層での
バンド構造が変形した際の波動関数は、本発明による構
造によれば第１図（ｂ）に示すように、電子と正孔で反
対側のへテロ界面付近に非常に局在するようになり、そ
のため２つの波動関数の重なり積分の値は、波動関数が
指数関数的に減少する領域でしが重なりあわないため０
に近い値となる。この重列積分の値は吸収係数にほぼ比
例し、また電界印加によっては電子のエネルギー準位１
３と正孔のエネルギー準位１４の差によって決まる吸収
端のエネルギー１５（第１図（Ｃ））は減少するので、
この電界印加による吸収係数スペクトルの変化は第１図
（Ｃ）に示すようになる。実線は無電界時の吸収係数ス
ペクトル１６．破線は電界印加時の吸収係数スペクトル
１７である。
ず本発明による光変調器の半導体薄膜構造 “□
のバンド構造を模式的に、電界が印加されていない場合
について第１図（ａ）に、積層方向に電界が印加されて
いる場合について第１図（ｂ）に示す。ここで、電子の
波動関数１１と正孔の波動関数１２の電界による変形に
ついて考える。無電界時、つまり第１図（ａ）の場合で
は、どちらの波動関数も、狭バンドギヤツプ層（以下量
子井戸層と呼ぶ）の中の両側のへテロ界面付近に存在し
ており、しかもほぼ左右対称の形状をしていることがわ
かる。そのため、２つの波動関数の重なり積分の値はほ
ぼ１とな゛る。しかるに電界印加により量子井戸層での
バンド構造が変形した際の波動関数は、本発明による構
造によれば第１図（ｂ）に示すように、電子と正孔で反
対側のへテロ界面付近に非常に局在するようになり、そ
のため２つの波動関数の重なり積分の値は、波動関数が
指数関数的に減少する領域でしが重なりあわないため０
に近い値となる。この重列積分の値は吸収係数にほぼ比
例し、また電界印加によっては電子のエネルギー準位１
３と正孔のエネルギー準位１４の差によって決まる吸収
端のエネルギー１５（第１図（Ｃ））は減少するので、
この電界印加による吸収係数スペクトルの変化は第１図
（Ｃ）に示すようになる。実線は無電界時の吸収係数ス
ペクトル１６．破線は電界印加時の吸収係数スペクトル
１７である。
したがって、無電界時の吸収端よりやや大きいエネルギ
ー１８を有する光について考えてみれば、無電界時では
吸収係数が大きいため、この量子井戸層で非常に吸収さ
れるが、電界印加時では吸収係数がＯに近い値をとるた
めこの量子井戸層ではほとんど吸収されないことがわが
る。したがって、このエネルギー１８を有する光の強度
変調を電界印加のオン・オフにより高い消光比でもって
行なえることがわかる。
ー１８を有する光について考えてみれば、無電界時では
吸収係数が大きいため、この量子井戸層で非常に吸収さ
れるが、電界印加時では吸収係数がＯに近い値をとるた
めこの量子井戸層ではほとんど吸収されないことがわが
る。したがって、このエネルギー１８を有する光の強度
変調を電界印加のオン・オフにより高い消光比でもって
行なえることがわかる。
また、この際に必要な電界の大きさも、本発明ｌ叩 ト
ス、Ｌ専シ占マーｌ＋ゴヒ＋ ｒ−ａ、 七 ノ
プ −ト フ、＋）−−白一り打 −１変調についても
電界により波動関数の形状を変化させることが本質なの
で原理的に数十ＧＨｚ以上まで □の変調が可
能である。
ス、Ｌ専シ占マーｌ＋ゴヒ＋ ｒ−ａ、 七 ノ
プ −ト フ、＋）−−白一り打 −１変調についても
電界により波動関数の形状を変化させることが本質なの
で原理的に数十ＧＨｚ以上まで □の変調が可
能である。
（実施例）
第２図（ａ）に本発明第１の実施例の光変調器の斜視図
を、第２図（ｂ）にそのバンド図を示す。本実施例は分
子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により製作したものであ
る。これは、まずＳｉドープｎ型ＧａＡｓ基板２１上に
厚さ１．０１１ｍのＳｉドープｎ型ＧａＡｓドツファ一
層２２．厚さ２．０層ｍのＳｉドープｎ型Ａ１０．４Ｇ
ａｏ６Ａｓクラッド層２３を積層した。次にＡ１組成比
ＸをＯがら０．１５まで連続的に増 加させた
のち再びＯまで連続的に減少させた厚さ１００人のノン
ドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ量子井戸層２４と厚さ
８０人のシンドープＡ１ｏ、４ＧａＯ，６Ａｓバ
リヤ層２５を交互に３０周期積層し薄膜構造を形した。
を、第２図（ｂ）にそのバンド図を示す。本実施例は分
子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により製作したものであ
る。これは、まずＳｉドープｎ型ＧａＡｓ基板２１上に
厚さ１．０１１ｍのＳｉドープｎ型ＧａＡｓドツファ一
層２２．厚さ２．０層ｍのＳｉドープｎ型Ａ１０．４Ｇ
ａｏ６Ａｓクラッド層２３を積層した。次にＡ１組成比
ＸをＯがら０．１５まで連続的に増 加させた
のち再びＯまで連続的に減少させた厚さ１００人のノン
ドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ量子井戸層２４と厚さ
８０人のシンドープＡ１ｏ、４ＧａＯ，６Ａｓバ
リヤ層２５を交互に３０周期積層し薄膜構造を形した。
この上に厚さ２．０層ｍのＢｅドープｐ型Ａｌ、４Ｇａ
ｏ、６Ａｓクラッド層２６、厚さ ′０．５層
ｍのＢｅドープＰ型ＧａＡｓ コンタクト層２７を成長
・′して多層構造を製作した。次にこれを５
層５ｍｍ程度の大きさにし、上面および下面に電極２８
を製作した後、円形に上面および下面のＧａＡｓ層まで
選択的にエツチングにより除去したものである。
ｏ、６Ａｓクラッド層２６、厚さ ′０．５層
ｍのＢｅドープＰ型ＧａＡｓ コンタクト層２７を成長
・′して多層構造を製作した。次にこれを５
層５ｍｍ程度の大きさにし、上面および下面に電極２８
を製作した後、円形に上面および下面のＧａＡｓ層まで
選択的にエツチングにより除去したものである。
この円形の「窓部」に垂直方向に光を入射し、電圧を上
記電極間に印加して、吸収係数スペクトルの電圧依存性
を調べた所、第１図（Ｃ）のような傾向がはっきりと出
現した。そして無電界時の吸収端より上のエネルギーを
有する光（波長的８００ｎｍ）の透過率は無電界時には
約３％、５Ｖの逆バイアス電圧印加時には約８０％と、
消光比にして約１４ｄＢと非常に良好な値が得られた。
記電極間に印加して、吸収係数スペクトルの電圧依存性
を調べた所、第１図（Ｃ）のような傾向がはっきりと出
現した。そして無電界時の吸収端より上のエネルギーを
有する光（波長的８００ｎｍ）の透過率は無電界時には
約３％、５Ｖの逆バイアス電圧印加時には約８０％と、
消光比にして約１４ｄＢと非常に良好な値が得られた。
高速変調特性としては、約３００ＭＨｚまで良好な強度
変調がかかった。この上限は電極間の寄性容量によるも
のである。
変調がかかった。この上限は電極間の寄性容量によるも
のである。
次に本発明第２の実施例について説明する。第３図に本
実施例の斜視図を示す。これは、薄膜構造は量子井戸層
とバリヤ層の積層周期が８周期であること以外は第１の
実施例と同一である。次に基板の上面および下面に電極
３１を製作し、基板上面にＣＶＤ法によりＳｉｏ２膜を
付着させた後、通常のフォトリソグラフィー法により１
．５μｍ幅のストライプ状に８１０２膜を残して他の部
分を除去し、しかる後、ＳｉＯ２膜の付着していない部
分をｎ型Ａ１０．４ＧａＯ，６Ａｓクラッド層２３まで
エツチングにより除去してから残っていたＳｉＯ２を除
去して導波路構造を形成したものである。
実施例の斜視図を示す。これは、薄膜構造は量子井戸層
とバリヤ層の積層周期が８周期であること以外は第１の
実施例と同一である。次に基板の上面および下面に電極
３１を製作し、基板上面にＣＶＤ法によりＳｉｏ２膜を
付着させた後、通常のフォトリソグラフィー法により１
．５μｍ幅のストライプ状に８１０２膜を残して他の部
分を除去し、しかる後、ＳｉＯ２膜の付着していない部
分をｎ型Ａ１０．４ＧａＯ，６Ａｓクラッド層２３まで
エツチングにより除去してから残っていたＳｉＯ２を除
去して導波路構造を形成したものである。
この導波路長を２００ｐｍとし、波長８００ｎｍのレー
ザ光を入射して電界印加による透過率を測定した所、無
電界時には約０．５％、ＩＶの逆バイアス電圧印加時に
は約４０％となり、消光比に−して約２０ｄＢと非常に
良好な値が得られた。高速変調特性としても、約３ＧＨ
ｚ以上まで良好な強度変調特性が得られた。
ザ光を入射して電界印加による透過率を測定した所、無
電界時には約０．５％、ＩＶの逆バイアス電圧印加時に
は約４０％となり、消光比に−して約２０ｄＢと非常に
良好な値が得られた。高速変調特性としても、約３ＧＨ
ｚ以上まで良好な強度変調特性が得られた。
しかも、これは素子の寄生容量によって決定されるもの
であった。
であった。
以上ここでは２つの実施例について述べたが、本発明は
量子井戸層の禁制帯幅が積層方向に関してはじめは広が
り途中から狭くなることに特徴があり、この変化のしか
た、変化のピークの位置、材料系、半導体成長方法等に
は何ら限定されないことは明らかである。そして上記禁
制帯幅の変化のしかたも第４図（ａ）のごとく空間的に
２次曲線的であってもよいし、第４図（ｂ）のようにス
テップ状に変化していても本質的な効果は同様である。
量子井戸層の禁制帯幅が積層方向に関してはじめは広が
り途中から狭くなることに特徴があり、この変化のしか
た、変化のピークの位置、材料系、半導体成長方法等に
は何ら限定されないことは明らかである。そして上記禁
制帯幅の変化のしかたも第４図（ａ）のごとく空間的に
２次曲線的であってもよいし、第４図（ｂ）のようにス
テップ状に変化していても本質的な効果は同様である。
（発明の効果）
本発明による光変調器は、低電圧で高い消光比を得るこ
とができ、原理的に数十ＧＨｚの強度変調を行なうこと
ができるという特徴を有する。
とができ、原理的に数十ＧＨｚの強度変調を行なうこと
ができるという特徴を有する。
第１図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明による光変調器
の多層薄膜構造の電界印加のない場合のバンド図、およ
び電界印加時のバンド図であり、第１図（コ）はこの２
つの場合における吸収係数スペクトルを示す図である。 第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ第１の実施例の斜視図
、およびバンド図である。第３図は第２の実施例の斜視
図である。第４図（ａ）、（ｂ）は量子井戸内のバンド
構造の変形例を示すバンド図である。 図において １１・・・電子の波動関数 １２・・・正孔の波動関数
１３・・・電子のエネルギー準位 １４・・・正孔のエネルギー準位 １仄−１−…１１１ｖ％／７−１ 〒 ÷ １１、七−
１６−０，無電界時の吸収係数スペクトル１７・・・電
界印加時の吸収係数スペクトル１８００．吸収端よりや
や大きいエネルギー２１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ２
２・・・ｎ型ＧａＡｓバッファ一層２３・ｎ型Ａ１ｏ、
４ＧａＯ，６Ａｓクラッド層２４−０．ノンドープＡ１
ｘＧａｔ−ｘＡｓ（ｘ；０−０．１５−０）量子井戸層 ２５−・・ノンドープＡＩ。、４Ｇａｏ６ＡｓＧａ型層
２６・、、ｐ型Ａ１ｏ、４Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層
２７・・・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ２８・・・電極 ３１・・・電極木１図 （Ｃ） 、１−２ 図 （ａ） ２日 オ ２ 図 （ｂ） 、？３ 図 オ ４ 図 （ｂ）
の多層薄膜構造の電界印加のない場合のバンド図、およ
び電界印加時のバンド図であり、第１図（コ）はこの２
つの場合における吸収係数スペクトルを示す図である。 第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ第１の実施例の斜視図
、およびバンド図である。第３図は第２の実施例の斜視
図である。第４図（ａ）、（ｂ）は量子井戸内のバンド
構造の変形例を示すバンド図である。 図において １１・・・電子の波動関数 １２・・・正孔の波動関数
１３・・・電子のエネルギー準位 １４・・・正孔のエネルギー準位 １仄−１−…１１１ｖ％／７−１ 〒 ÷ １１、七−
１６−０，無電界時の吸収係数スペクトル１７・・・電
界印加時の吸収係数スペクトル１８００．吸収端よりや
や大きいエネルギー２１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板 ２
２・・・ｎ型ＧａＡｓバッファ一層２３・ｎ型Ａ１ｏ、
４ＧａＯ，６Ａｓクラッド層２４−０．ノンドープＡ１
ｘＧａｔ−ｘＡｓ（ｘ；０−０．１５−０）量子井戸層 ２５−・・ノンドープＡＩ。、４Ｇａｏ６ＡｓＧａ型層
２６・、、ｐ型Ａ１ｏ、４Ｇａｏ、ｓ Ａｓクラッド層
２７・・・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ２８・・・電極 ３１・・・電極木１図 （Ｃ） 、１−２ 図 （ａ） ２日 オ ２ 図 （ｂ） 、？３ 図 オ ４ 図 （ｂ）
Claims (1)
- 膜厚が電子の平均自由行程以下の半導体層を１層または
多層積層した半導体薄膜構造と、該半導体薄膜構造に積
層方向に電界を印加する手段とを有し、さらに該半導体
薄膜構造を構成する半導体層のうち狭い禁制帯幅を有す
る半導体層の禁制帯幅が積層方向に関して中央部近傍で
最大値をとり両端部に近づくにつれ減少することを特徴
とする光変調器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14173085A JPS623221A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 光変調器 |
| US06/878,741 US4727341A (en) | 1985-06-28 | 1986-06-26 | Optical modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14173085A JPS623221A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 光変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS623221A true JPS623221A (ja) | 1987-01-09 |
| JPH0545003B2 JPH0545003B2 (ja) | 1993-07-08 |
Family
ID=15298872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14173085A Granted JPS623221A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS623221A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191822A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸形光変調器およびその製造方法 |
| JPS6456413A (en) * | 1987-03-25 | 1989-03-03 | Toshiba Corp | Semiconductor optical element |
| JPH01179125A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光空間変調素子 |
| JPH02239222A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-09-21 | Cselt Spa (Cent Stud E Lab Telecomun) | カンタムウエルを有する電気光学的モジユレータ |
| US5359679A (en) * | 1992-06-11 | 1994-10-25 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Optical modulator |
| KR100500097B1 (ko) * | 2002-03-01 | 2005-07-11 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 광변조기 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14173085A patent/JPS623221A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191822A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸形光変調器およびその製造方法 |
| JPS6456413A (en) * | 1987-03-25 | 1989-03-03 | Toshiba Corp | Semiconductor optical element |
| JPH01179125A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光空間変調素子 |
| JPH02239222A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-09-21 | Cselt Spa (Cent Stud E Lab Telecomun) | カンタムウエルを有する電気光学的モジユレータ |
| JPH0529888B2 (ja) * | 1989-01-26 | 1993-05-06 | Kuseruto Chentoro Suteyudei E Lab Terekomyunikatsuiooni Spa | |
| US5359679A (en) * | 1992-06-11 | 1994-10-25 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Optical modulator |
| KR100500097B1 (ko) * | 2002-03-01 | 2005-07-11 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 광변조기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545003B2 (ja) | 1993-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5680411A (en) | Integrated monolithic laser-modulator component with multiple quantum well structure | |
| US6281030B1 (en) | Fabrication of semiconductor Mach-Zehnder modulator | |
| US5016990A (en) | Method of modulating an optical beam | |
| JPH09512138A (ja) | 歪補償型複合量子井戸式レーザー構造体 | |
| JPH08220496A (ja) | 半導体光変調素子 | |
| US5363393A (en) | Surface emitting semiconductor laser | |
| US4727341A (en) | Optical modulator | |
| US4847573A (en) | Optical modulator | |
| JPH02103021A (ja) | 量子井戸光デバイス | |
| JPH08146365A (ja) | 半導体マッハツェンダー変調装置及びその製造方法 | |
| US5519721A (en) | Multi-quantum well (MQW) structure laser diode/modulator integrated light source | |
| JPS623220A (ja) | 光変調器 | |
| US5001522A (en) | Optical semiconductor device | |
| JPS623221A (ja) | 光変調器 | |
| JPH08248363A (ja) | 導波形多重量子井戸光制御素子 | |
| JP2513265B2 (ja) | 光変調器 | |
| JPH0530254B2 (ja) | ||
| JPS61184516A (ja) | 光変調器 | |
| JP2670051B2 (ja) | 量子井戸型光変調器 | |
| JPH0827446B2 (ja) | 量子井戸形光変調器およびその製造方法 | |
| JPS6297386A (ja) | 分布帰還型双安定半導体レ−ザ | |
| JPH07193210A (ja) | 半導体光集積素子 | |
| JPH11109298A (ja) | 半導体素子 | |
| JP3529072B2 (ja) | 光位相変調器及び光変調装置 | |
| JPH05259567A (ja) | 導波形多重量子井戸光制御素子 |