JPS6230510A - Production of filter membrane - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To uniformly form pores with a required pore size, by applying hot rolling and cold rolling to aluminum with purity of 99.5% or more and subsequently heating rolled aluminum to recrystallization temp. or more to form a foil or thin plate which is, in turn, subjected to DC electrolytic etching and anodic oxidation. CONSTITUTION:Hot rolling and cold rolling are successively applied to aluminum with purity of 99.5% or more and the rolled aluminum is heated (annealed) to recrystallization temp. or more to form an aluminum foil/thin plate having a cubic azimuth formed thereto as a recrystallized gathering structure. It is necessary to set the thickness of said foil/thin plate to 0.3mm or less. Then, an aqueous chloride solution is used as an etching solution to apply DC electrolytic etching treatment to the aluminum foil/thin plate to form piercing capillary pits. Subsequently, anodic oxidation is applied to aluminum in an aqueous solution of a compound having capacity forming an insulating film. By this method, the pore size of each piercing capillary pit is precisely and accurately controlled.

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、液体あるいは気体と固体との分離、液体媒質
あるいは気体媒質に混在する異種物質の分離に用いる濾
過膜に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a filtration membrane used for separating solids from liquids or gases, and for separating different substances mixed in liquid or gaseous media.

濾過膜は、金属工業、化学］、業、製紙工業９食品工業
などの各工場からの工場朗液の処理・精製・循環再利用
、各種菌類や血清タンパクなど医療分野における分離精
製、酪農品の成分調整、食品工業、電子工業などの用水
の除菌・除粉、溶剤。Filtration membranes are used for the treatment, purification, and circulation reuse of factory liquids from various factories such as metal industry, chemical industry, paper industry, food industry, etc., separation and purification of various fungi and serum proteins in the medical field, and dairy products. Ingredient adjustment, disinfection and powder removal of water used in the food industry, electronics industry, etc., and solvents.

油、酸、アルカリなどの薬品からの除粉などに使用され
、その用途は急速に拡大されつつある。It is used to remove powder from chemicals such as oil, acids, and alkalis, and its applications are rapidly expanding.

このような多方面で使用される濾過膜には次の諸性質が
備わっていることが要求される。Filtration membranes used in such a wide range of applications are required to have the following properties.

■　所要通りの孔径の孔が均一に形成されていること； ■　酸、アルカリなどの化学薬品に対して安定であるこ
と； ■　溶剤や油などによって侵されないこと二〇　熱殺菌
、化学薬品による殺菌、′Ｒ外線・放射線などによる殺
菌などの各種殺菌処理に対して安定なこと； （従来の技術） 酢酸セルロース、ニトロヒルロース、ポリアミド、ポリ
カーボネート、ポリプロピレン、ポリスルフォンなどの
各種高分子の多孔質膜が市販されているが、このような
多孔質高分子膜の場合、耐熱性がないので熱殺菌処理が
不可能ぐある他耐溶剤性、耐油性の点でも問題があり、
用途が限られていた。■ Pores with the required pore size must be uniformly formed; ■ Must be stable against chemicals such as acids and alkalis; ■ Must not be attacked by solvents, oil, etc. 20. Sterilization by heat or chemicals. , 'R Stable against various sterilization treatments such as sterilization by external radiation and radiation; (Conventional technology) Porous membranes made of various polymers such as cellulose acetate, nitrohirulose, polyamide, polycarbonate, polypropylene, and polysulfone. are commercially available, but such porous polymer membranes have no heat resistance, making it impossible to heat sterilize them, and there are also problems with solvent resistance and oil resistance.
It had limited uses.

銅、ニッケルなどの各４種金属を焼結した多孔質体も提
案されているが、これらの多孔質体の場合耐熱性などの
点で優れているにしても孔径が均一でなく、ＩＩ４薬品
刊に難点があるため、単純な固液分離・気固分離にしか
利用されていない。Porous bodies made by sintering each of four types of metals, such as copper and nickel, have also been proposed, but although these porous bodies are superior in terms of heat resistance, the pore diameters are not uniform, and II4 chemicals Due to difficulties in printing, it is only used for simple solid-liquid separation and gas-solid separation.

また、アルミナなどのセラミックスを焼結した多孔質体
も提案されているが、この多孔質体の孔径も均一・でな
いため用途が限られていた。Porous bodies made of sintered ceramics such as alumina have also been proposed, but the pore diameters of these porous bodies are not uniform, so their applications are limited.

加えて上記した多孔質膜、多孔質体の場合何れも、所要
の孔径を有する多孔質膜あるいは多孔質体を得るべく孔
径を自由にコントロールしながら！ＦＪｎすることがで
きないという致命的な欠点があった。In addition, in the case of the above-mentioned porous membranes and porous bodies, the pore diameter can be freely controlled to obtain a porous membrane or porous body with the required pore diameter! It had the fatal flaw of not being able to do FJn.

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記した諸性質を全て満足する濾過膜を提供
することを目的とするものである。(Problems to be Solved by the Invention) An object of the present invention is to provide a filtration membrane that satisfies all of the above-mentioned properties.

本発明の別の目的は、用途に応じて要求される孔径を有
する濾過膜を容易に製造しつる方法を提供することにあ
る。Another object of the present invention is to provide a method for easily manufacturing a filtration membrane having a pore size required depending on the intended use.

（問題点を解決するための手段および作用）本発明によ
り提供される濾過膜は純度９９．５％以上のアルミニウ
ムを原料とし、 原料のアルミニウムを熱間圧延とそれに続く冷間圧延、
再結晶温度以上の加熱によって、再結晶集合ＩＩとして
立方体方位を形成した厚さ０．３閤以下のアルミニウム
箔または薄板を形成し；直流電解エツチングによって貴
通キャピラリィピットを形成し：貫通キャビラリイビッ
トが所要の孔径となるま（゛アルミニウムに対して皮膜
形成能力をもつ化合物を少なくとも１種含む水溶液中で
陽極酸化を行うことにより製造される。(Means and effects for solving the problems) The filtration membrane provided by the present invention is made from aluminum with a purity of 99.5% or more, and the raw material aluminum is hot-rolled and then cold-rolled.
By heating above the recrystallization temperature, form an aluminum foil or thin plate with a thickness of 0.3 mm or less with a cubic orientation as recrystallization set II; form a capillary pit by direct current electrolytic etching: a through-hole cavity. The bit is manufactured by anodizing in an aqueous solution containing at least one compound capable of forming a film on aluminum until the bit has the required pore size.

本発明における重要な要件の１つはアルミニウム箔・薄
板に貫通キャピラリイビットを形成することにあり、た
°とえアルミニウム箔・薄板の表面にキ１１ビラリイ状
の腐食孔（−キャビラリイピット）が形成されたどして
もそのキャビラリイビットがアルミニウム箔・薄板を貫
通していなければ濾過膜として使用することは不可能で
ある。よって、濾過膜として使用されうるアルミニウム
箔・薄板をｙＪ造するためには、アルミ、ニウム箔・薄
板の材質および製造条件、エツチング条件を適宜選択し
て貫通キャビラリイビットを形成することが重要である
。One of the important requirements of the present invention is to form a penetrating capillary pit in the aluminum foil or thin plate. Even if it is formed, it cannot be used as a filtration membrane unless the cavillary bit penetrates the aluminum foil/thin plate. Therefore, in order to manufacture aluminum foil/thin plate that can be used as a filtration membrane, it is important to appropriately select the material, manufacturing conditions, and etching conditions of the aluminum or nium foil/thin plate to form a through-cabinary bit. be.

アルミニウム中の固溶不純物はアルミニウムの表面腐食
を促進してキャピラリイビットの形成を妨げ、また析出
不純物はキャビラリイビットの成長を妨げるので、純度
９９．！ｉ％以上のアルミニウムを用いる。アルミニウ
ムの好ましい純度は９９．９％以上である。より多くの
キャビラリイビットを形成させるために、アルミニウム
より員なる元氷例えばＣｕ、ＡＱを１種以上添加した高
純度もしくは高品位アルミニウムを使用してもよいが、
添加量は０，０１重借％未満であることが望ましい。Solid solution impurities in aluminum promote surface corrosion of aluminum and prevent the formation of capillary ivit, and precipitated impurities inhibit the growth of capillary ivit, so the purity is 99. ! i% or more of aluminum is used. The preferred purity of aluminum is 99.9% or more. In order to form more cavillary bits, high-purity or high-grade aluminum to which one or more types of aluminum-based ice, such as Cu and AQ, are added may be used.
The amount added is preferably less than 0.01%.

貫通キャピラリイピットが濾過のための孔として有効に
働くためには、主ャビラリイピットがアルミニウム箔・
薄板の表面に対して直角に形成されることが要求される
ので、純度９９．５％以上のアルミニウムを熱間圧延し
、続いて冷間圧延、再結晶温度以上に加熱する（焼鈍）
各条件を：ｌｌ整することにより、再結晶集合組織とし
て立方体方位を形成したアルミニウム箔・薄板を先ず製
造する。In order for the through capillary pit to work effectively as a filtration hole, the main capillary pit must be covered with aluminum foil.
Since it is required to be formed perpendicular to the surface of the thin plate, aluminum with a purity of 99.5% or higher is hot rolled, followed by cold rolling and heating to a temperature above the recrystallization temperature (annealing).
By adjusting each condition, an aluminum foil/thin plate having a cubic orientation as a recrystallized texture is first produced.

前記立方体方位の個所でのみ、キｉ！ビラリイピットは
アルミニウム箔・薄板に対して直角に形成される。濾過
膜としての用途を考慮すると、アルミニウム箔・薄板に
形成される立方体方位はできる限り多いブＪが理想的で
はあるが、少なくとも５０％の立方体方位が形成されて
いるのが望ましい。Only at the location of the cube orientation, Kii! Billary pits are formed at right angles to the aluminum foil/thin plate. Considering the use as a filtration membrane, it is ideal that the aluminum foil/thin plate has as many cubic orientations as possible, but it is desirable that at least 50% of the cubic orientations are formed.

焼鈍するとアルミニウム箔・薄板の表面に酸化皮膜が形
成されるが、形成される酸化皮膜の厚さは焼鈍条件、特
に炉内雰囲気に依存する。表面酸化皮膜の厚さは皮＋１
！ａ　ｍ　Ｉ圧５Ｖ以下であることが望ましく、これよ
り厚いとキャビラリイピットを効果的に形成することが
できなくなる場合がある。When annealed, an oxide film is formed on the surface of the aluminum foil/thin plate, and the thickness of the oxide film formed depends on the annealing conditions, especially the atmosphere in the furnace. The thickness of the surface oxide film is skin +1
! It is desirable that the a m I pressure is 5 V or less; if it is thicker than this, it may not be possible to effectively form a cavillary pit.

上記した各条件下で製造されたアルミニウム箔・薄板の
厚さは０．３．以下でなければならない。The thickness of the aluminum foil/thin plate manufactured under each of the above conditions was 0.3. Must be less than or equal to

アルミニウム箔・薄板の製造条件、後記するエツチング
条件を最適に組合せたとしても、板厚が０．３履を超え
るとキャビラリイピットが板厚の途中で止まってしまう
ため貫通キャビラリイビットを形成することが不可能と
なる。Even if the manufacturing conditions for the aluminum foil/thin plate and the etching conditions described below are optimally combined, if the plate thickness exceeds 0.3 mm, the cavity pit will stop midway through the plate thickness, resulting in the formation of a through-hole cavity bit. becomes impossible.

こうして得られたアルミニウム箔・薄板に対して直流電
解エツチング処理を施す。直流電解エツチングはアルミ
ニウム箔・薄板の表面にギヤビラリイビットを形成し、
このキャビラリイビットをアルミニウム箔・薄板に貫通
させるために実施される。電解エツチング用エツチング
液としては、通常塩素イオンを生成する塩化物（例えば
塩酸。The aluminum foil/thin plate thus obtained is subjected to a DC electrolytic etching treatment. DC electrolytic etching forms a gear bit on the surface of aluminum foil or thin plate.
This is carried out in order to penetrate this cabillary bit into aluminum foil/thin plate. The etching solution for electrolytic etching is usually a chloride that generates chlorine ions (for example, hydrochloric acid).

塩化ナトリウム、塩化アルミニウムなど）の水溶液が使
用される。電解エツチングによりキャビラリイピットを
効果的に形成するためには、エツチング液中の塩化物濃
度が０．５〜２０川吊％であることが好ましく、温度は
６０〜９８℃が好ましい。また、電流密度０．１〜１．
〇へ／ｄの電流を印加することが適当である。Aqueous solutions of sodium chloride, aluminum chloride, etc.) are used. In order to effectively form cavillary pits by electrolytic etching, the chloride concentration in the etching solution is preferably 0.5 to 20%, and the temperature is preferably 60 to 98°C. In addition, the current density is 0.1 to 1.
It is appropriate to apply a current of /d to 〇.

更に、アルミニウム箔・薄板の表面溶解を抑制してキャ
ピラリイビットの形成を促す目的で、前記エツチング液
にアルミニウムに対して皮膜形成能力をもつ化合物を少
忙例えば０．０１〜１０重Ｍ％添加してもよい。アルミ
ニウムに対して皮膜形成能力をｂつ化合物としては、ｉ
ｔ／ＩＩ、シュウ酸、クロム酸、リン酸、ペンピンスル
ホン酸、スルファミン酸、ホウ酸、クエン酸、酒石酸、
ホウ酸アンモン、炭酸アンモンが例示されうる。Furthermore, in order to suppress the surface dissolution of the aluminum foil/thin plate and promote the formation of capillary ribs, a compound having the ability to form a film on aluminum is added to the etching solution in an amount of, for example, 0.01 to 10% by weight. You may. Compounds with film-forming ability against aluminum include i
t/II, oxalic acid, chromic acid, phosphoric acid, penpinsulfonic acid, sulfamic acid, boric acid, citric acid, tartaric acid,
Examples include ammonium borate and ammonium carbonate.

貫通キャビラリイピットは０．５〜５０分間、好ましく
は５−２０分間の電解エツチングで形成されるが、電解
エツチング時間が長くなるにつれてビットの孔ｉＹが大
となる。電解エツチング時間が５分未満の場合はアルミ
ニウム箔・薄板を０．５〜２０ｆｆ２Ｇ％の塩酸または
硝酸水溶液中に浸ｉムさせる通常の化学エツチングでビ
ットの孔径の拡大を図ることが望ましく、また５０分を
超える場合には表面溶解が増大するため上記した表面溶
解の抑制手段を講じることが望ましい。電解エツチング
時間を上記範囲で設定したときでも、化学エツチングお
よび／また：二表面溶解の抑制手段を併用しても差支え
ない。The through-cabinary pit is formed by electrolytic etching for 0.5 to 50 minutes, preferably 5 to 20 minutes, but the longer the electrolytic etching time, the larger the hole iY in the bit becomes. If the electrolytic etching time is less than 5 minutes, it is desirable to enlarge the hole diameter of the bit by ordinary chemical etching in which the aluminum foil/thin plate is immersed in a 0.5 to 20 ff2G% hydrochloric acid or nitric acid aqueous solution. Since surface dissolution increases when the temperature exceeds 10 minutes, it is desirable to take the above-mentioned means for suppressing surface dissolution. Even when the electrolytic etching time is set within the above range, chemical etching and/or means for suppressing two-surface dissolution may be used in combination.

直流電解エツチングによって貫通キャビラリイピットの
形成されたアルミニウム箔・薄板を陽極酸化（化成）す
ると、ピットの内壁に酸化皮膜が形成され、形成された
酸化皮膜の厚さに応じてピットの孔径は小さくなる。よ
って、予め陽極酸化を行う前の貫通ギヤビラリイピット
の孔径を走査電子顕微鏡あるいは光学顕微鏡で測定した
上で、所要の孔径とするのに必要な酸化皮膜の厚さを決
定し、所定厚さの酸化皮膜を形成すればよい。When an aluminum foil/thin plate with through-cabinary pits formed by direct current electrolytic etching is anodized (chemically formed), an oxide film is formed on the inner wall of the pit, and the pore diameter of the pit becomes smaller depending on the thickness of the formed oxide film. Become. Therefore, after measuring the pore diameter of the through-gear bilary pit before anodizing with a scanning electron microscope or optical microscope, the thickness of the oxide film required to achieve the desired pore diameter is determined, and the predetermined thickness is determined. It is sufficient to form an oxide film of

従って、本発明にお番プる別の重要な要件は、アルミニ
ウムに対して皮膜形成能力をもつ化合物を含む電解液中
での陽極酸化条件を調整して所定厚さの酸化皮膜を形成
することにより、貝通キャビラリイピットの孔径を精密
・正確にコントロールすることにある。Therefore, another important requirement for the present invention is to form an oxide film of a predetermined thickness by adjusting the anodic oxidation conditions in an electrolytic solution containing a compound capable of forming a film on aluminum. The aim is to precisely and precisely control the hole diameter of the Kaidori cavillary pit.

陽極酸化条件は電解液の種類によって設定される。電解
液としてホウ酸、ホウ酸アンモン、炭酸アンモン、クエ
ン酸、酒石酸などのアルミニウムに対して絶縁性皮膜を
形成する能力をもつ化合物を含む水溶液を用いたときに
は、アルミニウム箔・薄板の表面に形成される陽極酸化
（化成）皮膜の厚さｔｌは次式に示されるように化成電
圧に比例する。Anodizing conditions are set depending on the type of electrolyte. When an aqueous solution containing a compound capable of forming an insulating film on aluminum, such as boric acid, ammonium borate, ammonium carbonate, citric acid, or tartaric acid, is used as an electrolyte, the electrolyte may form on the surface of aluminum foil or thin plate. The thickness tl of the anodic oxidation (chemical conversion) film is proportional to the formation voltage as shown by the following equation.

ｊｌ　　（ｃｍ）　＝　１．３ｘ１０−７Ｖ（式中、■
は化成電圧である） また電解液として硫酸、シュウ酸、クロム酸、リン酸、
ベンゼンスルホン酸、スルファミン酸などのアルミニウ
ムに対して増厚性皮膜を形成する能力をもつ化合物を含
む水溶液を用いたときには、アルミニウム箔・薄板の表
面に形成される陽極酸化（化成）皮膜の厚さｔ２は次式
に示されるように陽極酸化の電気量１面積、電流効率に
依存する。jl (cm) = 1.3x10-7V (in the formula, ■
is the formation voltage) Also, as electrolytes, sulfuric acid, oxalic acid, chromic acid, phosphoric acid,
When using an aqueous solution containing a compound that has the ability to form a thickening film on aluminum, such as benzenesulfonic acid or sulfamic acid, the thickness of the anodic oxidation (chemical conversion) film formed on the surface of aluminum foil or thin plate. t2 depends on the amount of electricity per area of anodic oxidation and the current efficiency, as shown by the following equation.

（式中、Ｃは陽極酸化で用いた電気ｒ。(In the formula, C is the electricity r used in anodic oxidation.

Ｓは陽極酸化の面積、 χは陽極酸化の電流効率である） 上記したように、アルミニウム箔・薄板の表面に形成さ
れる酸化皮膜の厚さは陽極酸化条件から正確・精密に予
測することができる。(S is the area of anodic oxidation, and χ is the current efficiency of anodic oxidation) As mentioned above, the thickness of the oxide film formed on the surface of aluminum foil/thin plate can be predicted accurately and precisely from the anodizing conditions. can.

陽極酸化の電解液として、上記したアルミニウムに対し
て皮膜形成能力をもつ化合物を１〜３０１１％含む水溶
液を用いるのが好ましく、温度は２５〜９０℃が好まし
い。また電流密度としては（実施例） 以下の実施例は本発明を具体的に説明するための例示で
あって、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。As the electrolytic solution for anodic oxidation, it is preferable to use an aqueous solution containing 1 to 3011% of a compound capable of forming a film on aluminum, and the temperature is preferably 25 to 90°C. Further, as for the current density (Examples) The following examples are illustrative for specifically explaining the present invention, and the present invention is not limited to these examples.

実施例１ 純度９９．８５％の高品位アルミニウムを着手温度５３
０℃で熱間圧延し、冷間圧延して厚さ０．１ｍ＋のアル
ミニウム箔とした。これを５３０℃、不活性雰囲気中で
焼鈍したものには、立方体方位が５２％である再結晶集
合組織が形成されていた。皮膜耐電圧は０．９■であっ
た。Example 1 High-grade aluminum with a purity of 99.85% was started at a temperature of 53
It was hot rolled at 0° C. and then cold rolled into an aluminum foil with a thickness of 0.1 m+. When this was annealed at 530° C. in an inert atmosphere, a recrystallized texture with a cubic orientation of 52% was formed. The film withstand voltage was 0.9■.

この箔を２重量％のＨＣｊ２および２重量％の）１ｓＯ
４を含ム水溶液中、液ｉ　７０．８０１３　Ｊ：　Ｕ　
９０℃の各温度で、電流密度０．１Ａ／ｄで１〜１５分
閤・直流電解エツチングを行った。アルミニウム箔には
厚さ０．１顛を貫通した無数のキャピラリイピットが形
成されていた。This foil was mixed with 2 wt.% HCj2 and 2 wt.%)1sO.
In an aqueous solution containing 4, liquid i 70.8013 J: U
Direct current electrolytic etching was performed at a temperature of 90 DEG C. and a current density of 0.1 A/d for 1 to 15 minutes. Numerous capillary pits were formed in the aluminum foil through a thickness of 0.1 mm.

形成されたキャビラリイピットの孔径と電解エツチング
時間の関係を第１図に示す。第１図から明らかなように
、電解エツチング時間が長くなるにつれてビットの孔径
は大きくなり、最後には表面が溶解した。液温が高くな
るにつれてその傾向は強かった。FIG. 1 shows the relationship between the diameter of the cavillary pits formed and the electrolytic etching time. As is clear from FIG. 1, as the electrolytic etching time increased, the pore diameter of the bit became larger, and eventually the surface was dissolved. This tendency became stronger as the liquid temperature rose.

衷ｍ 純度９０．９８％の高純度アルミニウムを実施例１と同
様の方法で圧延、焼鈍したものは、立方体方位が６１％
の再結晶集合組織が形成されていた。皮　゛膜耐電圧は
１．８■であった。High-purity aluminum with a purity of 90.98% was rolled and annealed in the same manner as in Example 1, and the cubic orientation was 61%.
A recrystallized texture was formed. The film withstand voltage was 1.8μ.

この箔を８重量％のＡ〃Ｃｔ１３を含む水溶液中、液温
８５℃で、電流密度０．３Ａ／ｃｊで０．５分間直流電
解エツチングを行った。続いて、電解エツチングした箔
を７重量％の）−Ｉ　Ｎ　Ｏ３を含む水溶液中に９０℃
で０．５〜１０分間浸漬して化学エツチングを行った。This foil was subjected to direct current electrolytic etching for 0.5 minutes at a current density of 0.3 A/cj in an aqueous solution containing 8% by weight of A〃Ct13 at a liquid temperature of 85°C. Subsequently, the electrolytically etched foil was placed in an aqueous solution containing 7% by weight of )-INO3 at 90°C.
Chemical etching was performed by immersing it in water for 0.5 to 10 minutes.

得られたキャビラリイピットは０．１Ｍの箔を貫通して
いた。The resulting cavillary pit penetrated the 0.1M foil.

得られたキャピラリイピットの孔径と化学エツチング時
間の関係を第２図に示す。第２図から明らかなように、
化学エツチング時間が長くなるにつれてビットの孔径は
大きくなり、最後には表向が溶解した。FIG. 2 shows the relationship between the pore diameter of the obtained capillary pit and the chemical etching time. As is clear from Figure 2,
As the chemical etching time increased, the pore size of the bit increased and eventually the surface surface was dissolved.

実施例３ 純度９９．９９％の高純度アルミニウムに５０１）Ｉ）
ＩｔのＣＵを添加した材料を実施例１と同様の方法で、
圧延、焼鈍したものには４、立方体方位が７５％である
再結晶集合組織が形成されていた。皮膜耐電圧は１．１
■であった。Example 3 High purity aluminum with a purity of 99.99% 501)I)
The material to which CU of It was added was prepared in the same manner as in Example 1.
4. A recrystallized texture with a cubic orientation of 75% was formed in the rolled and annealed specimen. Film withstand voltage is 1.1
■It was.

この箔を５重品％の１−ＩＣＩを合む水溶液中、液温８
０℃で、電流密度０．２Δ／ｄで１２分間直流電解エツ
チングを行った。その結果、０゜ｉ＝厚さのアルミニウ
ム箔を貫通した内径３−のキャビラリイビットが無数に
形成された。This foil was placed in an aqueous solution containing 5% 1-ICI at a temperature of 8.
Direct current electrolytic etching was performed at 0°C for 12 minutes at a current density of 0.2Δ/d. As a result, countless cavillary bits with an inner diameter of 3- were formed, penetrating the aluminum foil with a thickness of 0°i.

この箔を液温２５℃の１５重量％のＨ２ＳＯ４水溶液中
で、電流密度０．０１Ａ／ｃＩｉで陽楊酸化を行った。This foil was subjected to Yang oxidation in a 15% by weight H2SO4 aqueous solution at a liquid temperature of 25 DEG C. at a current density of 0.01 A/cIi.

化成処理侵のキャビラリイビットの孔径と化成時ｍ（陽
極酸化時間）の関係を第３図に示す。第３図から明らか
なように、化成時間が長くなるにつれてビットの孔径は
小さくなった。FIG. 3 shows the relationship between the pore diameter of the cavillary bit subjected to chemical conversion treatment and the time of formation m (anodization time). As is clear from FIG. 3, the hole diameter of the bit became smaller as the formation time became longer.

実施例４ 実施例３と同じアルミニウム箔を実施例３と同条件下で
６分１５秒間直流電解エツチングした。その結果、厚さ
０．１雌のアルミニウム箔を貫通した内径１ｐのキャビ
ラリイピットが無数に形成された。Example 4 The same aluminum foil as in Example 3 was subjected to DC electrolytic etching for 6 minutes and 15 seconds under the same conditions as in Example 3. As a result, countless cavillary pits with an inner diameter of 1 p were formed, penetrating the 0.1 female aluminum foil.

この箔を液温８０℃の５重量％のホウ酸アンモン水溶液
中で化成電圧をかえて陽極酸化した。目標の化成電圧に
達したのら、その電圧で５分間保持した。This foil was anodized in a 5% by weight ammonium borate aqueous solution at a liquid temperature of 80° C. while changing the forming voltage. Once the target formation voltage was reached, that voltage was held for 5 minutes.

化成処理後のキャビラリイビットの孔径と化成電圧との
関係を第４図に示す。第４図から明らかなように、化成
電圧が高くなるにつれてビットの孔径は小さくなった。FIG. 4 shows the relationship between the hole diameter of the cavillary bit after the chemical conversion treatment and the chemical formation voltage. As is clear from FIG. 4, the hole diameter of the bit became smaller as the forming voltage increased.

（発明の効果） 本発明においては、陽極酸化条件を適宜設定することに
より、濾過膜の使用目的に応じて所要の孔径の孔が均一
に形成された濾過膜を製造することができる。(Effects of the Invention) In the present invention, by appropriately setting the anodic oxidation conditions, it is possible to manufacture a filtration membrane in which pores of a required pore size are uniformly formed depending on the intended use of the filtration membrane.

本発明の？ｉＦ！は素材がアルミニウムであるため優れ
た耐熱性を有する。更に、アルミニウム箔・薄板の表面
には化学的に橿めて安定なアルミニウム陽極酸化皮膜が
形成されているので、本発明の濾過膜はｒｆＪ薬品性、
耐溶剤性、耐油性などにも優れている。The invention? iF! Since the material is aluminum, it has excellent heat resistance. Furthermore, since a chemically stable aluminum anodic oxide film is formed on the surface of the aluminum foil/thin plate, the filtration membrane of the present invention is resistant to rfJ chemicals,
It also has excellent solvent resistance and oil resistance.

本発明の濾過膜は均一な所要の孔径の孔を有しかつ優れ
た諸特性を有しているので、広範囲に使用可能である。The filtration membrane of the present invention has pores of a uniform required pore size and has excellent properties, so it can be used in a wide range of applications.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図および第２図は、夫々電解エツチング時間、化学
エツチング時間によるキャビラリイビットの孔径の変化
を示ずグラフである。第３図および第４図４よ、夫々化
成処理条件による化成処理後のキャピラリイビットの孔
径の変化を示すグラフである。 孔ＸＬ　（μｍ） Ｎ　　〜　　Ｑ　　へ　　切　　０）　　ＮＧｌ吾Ｌ）
を　（μｍ） Ｎ　　勺　　Ｑ　　へ　　切　　偽　　Ｎｃｂ孔　揮　
（μｍ） 孔社（μｍ）FIGS. 1 and 2 are graphs that do not show changes in the pore diameter of the capillary bit depending on electrolytic etching time and chemical etching time, respectively. FIG. 3 and FIG. 4 are graphs showing changes in the pore diameter of the capillary Ivit after chemical conversion treatment depending on the chemical conversion treatment conditions, respectively. Hole XL (μm) Cut from N to Q 0) NGlgoL)
(μm) N
(μm) Kongsha (μm)

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）純度９９．５％以上のアルミニウムを熱間圧延と
それに続く冷間圧延および再結晶温度以上の加熱によっ
て、再結晶集合組織として立方体方位を形成した厚さ０
．３ｍｍ以下の箔または薄板を形成し、 直流電解エッチングによって貫通キャピラリィピットを
形成し、 貫通キャピラリィピットが所要の孔径となるまでアルミ
ニウムに対して皮膜形成能力をもつ化合物を少なくとも
１種含む水溶液中で陽極酸化を行うことからなる濾過膜
の製造方法。(1) Aluminum with a purity of 99.5% or higher is hot-rolled, followed by cold rolling, and heated above the recrystallization temperature to form a cubic orientation as a recrystallized texture with a thickness of 0.
．． A foil or thin plate with a thickness of 3 mm or less is formed, a through-capillary pit is formed by direct current electrolytic etching, and the through-capillary pit is heated in an aqueous solution containing at least one compound capable of forming a film on aluminum until the through-capillary pit reaches the required pore diameter. A method for manufacturing a filtration membrane, which comprises performing anodization in a method. （２）アルミニウムの純度が９９．９％以上である特許
請求の範囲第１項に記載の方法。(2) The method according to claim 1, wherein the purity of aluminum is 99.9% or more. （３）アルミニウムより貴なる元素を０．０１重量％未
満添加した特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
方法。(3) The method according to claim 1 or 2, wherein less than 0.01% by weight of an element nobler than aluminum is added. （４）５０％以上の立方体方位を有し、５Ｖ以下の皮膜
耐電圧を有する表面酸化皮膜が形成されている特許請求
の範囲第１項に記載の方法。(4) The method according to claim 1, wherein a surface oxide film having a cubic orientation of 50% or more and a film withstand voltage of 5V or less is formed. （５）電解エッチングを塩化物を含む電解エッチング液
中で行う特許請求の範囲第１項に記載の方法。(5) The method according to claim 1, wherein the electrolytic etching is performed in an electrolytic etching solution containing chloride. （６）電解エッチング液が塩化物を０．５〜２０重量％
含む特許請求の範囲第５項に記載の方法。(6) Electrolytic etching solution contains 0.5 to 20% by weight of chloride
A method as claimed in claim 5 including: （７）電解エッチング液にアルミニウムに対して皮膜形
成能力をもつ化合物を０．０１〜１０重量％添加する特
許請求の範囲第５項または第６項に記載の方法。(7) The method according to claim 5 or 6, wherein 0.01 to 10% by weight of a compound capable of forming a film on aluminum is added to the electrolytic etching solution. （８）電解エッチングを６０〜９８℃の温度で行う特許
請求の範囲第１項、第５項〜第７項のいずれかに記載の
方法。(8) The method according to any one of claims 1 and 5 to 7, wherein the electrolytic etching is performed at a temperature of 60 to 98°C. （９）電解エッチングの電流密度が０．１〜１．０Ａ／
ｃｍ＾２である特許請求の範囲第１項、第５項〜第８項
のいずれかに記載の方法。(9) Current density of electrolytic etching is 0.1 to 1.0 A/
The method according to any one of claims 1 and 5 to 8, wherein cm^2. （１０）電解エッチングを０．５〜５０分行う特許請求
の範囲第１項、第５項〜第９項のいずれかに記載の方法
。(10) The method according to any one of claims 1 and 5 to 9, in which electrolytic etching is performed for 0.5 to 50 minutes. （１１）アルミニウムに対して皮膜形成能力をもつ化合
物の少なくとも１種を１〜３０重量％含む水溶液中で陽
極酸化を行う特許請求の範囲第１項に記載の方法。(11) The method according to claim 1, wherein the anodic oxidation is carried out in an aqueous solution containing 1 to 30% by weight of at least one compound capable of forming a film on aluminum. （１２）陽極酸化を２５〜９０℃の温度で行う特許請求
の範囲第１項または第１１項に記載の方法。(12) The method according to claim 1 or 11, wherein the anodic oxidation is carried out at a temperature of 25 to 90°C. （１３）陽極酸化の電流密度が１×１０＾−＾６〜１．
０Ａ／ｃｍ＾２である特許請求の範囲第１項、第１１項
または第１２項に記載の方法。(13) The current density of anodic oxidation is 1×10^-^6~1.
13. The method according to claim 1, 11 or 12, wherein the voltage is 0 A/cm^2.