JPS62295468A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置

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Publication number
JPS62295468A
JPS62295468A JP62135542A JP13554287A JPS62295468A JP S62295468 A JPS62295468 A JP S62295468A JP 62135542 A JP62135542 A JP 62135542A JP 13554287 A JP13554287 A JP 13554287A JP S62295468 A JPS62295468 A JP S62295468A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
conversion device
panel
frame
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP62135542A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP62135542A priority Critical patent/JPS62295468A/ja
Publication of JPS62295468A publication Critical patent/JPS62295468A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 この発明はセミハードな固さを有する光電変換装置に関
する。
〔従来の技術及びその問題点〕
従来NEDO(新エネルギーー機構)の規定による光電
変換パネル装置が知られている。このパネルは概略20
cm X 40cmの大きさを有しているが、このパネ
ルは外気置換に耐え得るため、その枠はアルミサツシよ
りなり、きわめて強固なものであった。
しかしこの強化ガラスはきわめて重く、また高価であり
、また固い枠も実用試験には耐え得るが、低価格化のた
めにまったく不適当であり、枠およびガラス板のみで3
0000円もかかってしまった。
本発明は光電変換装置の基板に強化ガラスを用いること
により曲げに対して強靭な光電変換装置パネル用の光電
変換装置を目的とし、更には光電変換装置を設ける枠体
をも軽量かつ曲げに対して強靭にすることによりハード
構造のパネルではなく、また有機フィルムのみを広げた
いわゆるソフト構造のパネルでもなく、セミハード構造
のパネルを供給することを目的としたものである。
〔問題を解決しようとする為の手段〕
上記の目的を達成するため本発明の光電変換装置は透光
性基板上に設けられた透光性の第1の電極と、少なくと
も1つのPIN接合を有する非単結晶半導体と該半導体
上に接して設けられた第2の電極とから成る光電変換装
置において、上記透光性基板が曲率3m以下の曲げに耐
え得る強化ガラスであることを特徴としている。
即ち透光性基板には0.2〜0.7fiの厚さを有しか
つその基板の表面近傍のガラス内部には炭素繊維が網目
状に埋めこまれた強化ガラスを使用し、この基板を使用
した光電変換装置に対して曲率半径が3m以下の曲げ好
ましくは1〜2mの曲げに対しても破損しない強度を持
たせた。更に力学的に曲げに耐え得る強度を有する炭素
繊維強化プラスチックにより枠体を形成し、この枠体内
に本発明の光電変換装置を設けることにより、枠体と光
電変換装置とから成るパネルをも機械的な曲げに対して
強いものとした。
以下に図面に従って本発明を説明する。
〔実施例〕
第1図は本発明の光電変換装置の1実施例を示す。
この光電変換装置に使用された基板は0.5mm厚のガ
ラス板であり、このガラス板は化学強化処理および表面
、裏面近傍に炭素繊維網を埋めこみ、さらに曲げ、破損
に対して強度を補完している。
このガラス上に第1の透光性導電膜をITO(酸化イン
ジュームスズ)と酸化スズの2層膜または弗素等のハロ
ゲン元素が添加された酸化スズの第1の電極とこの第1
の電極上にPIN接合を少なくとも1つ有する非単結晶
半導体即ちP (SixCx =0.2 ) −I  
(St) −N (C3i)構造の公知のアモルファス
、多結晶またはそれらの多層構造の半導体をプラズマC
VD法、光CVD法または光プラズマCVD法により設
けている。
さらにその上面にN型半導体に接してITOまたはIT
Oと反射性金属とにより第2の電極を設けている。この
非単結晶半導体は概略0.5  (0,3〜1)を有し
、第1、第2の電極も0.05〜0.3の厚さを有する
きわめて薄いものである。
またこの光電変換素子を複数設け、同じ基板内で集積化
を施し、直列に10〜60段連続的に連結させてもよい
この第2の電極上に裏面の保護膜を合わせガラス方式、
シリコーン被膜により1mm以下の厚さに設けている。
以上のように作成した本発明の光電変換装置を枠体に設
けてパネルを構成した。
第1図(A)はパネルの斜視図である。即ち本発明の光
電変換装! (10)は炭素繊維強化プラスチックの外
材 (1)で囲まれており、長さく5)は概略120c
m(110cn〜130 ca+) 、巾(3)は概略
40cm(30cm〜50cm)を有している。この枠
内には基板の大きさが概略60c+w X 20cs+
の光電変換装置が4枚装填されており、この光電変換装
置は炭素繊維強化プラスチックの補助部(6)により外
枠と一体化して設けている。
かかる構造とすることにより、パネル自体が機械的にセ
ミハード構造を有し、第1図(B)に示すとと(、パネ
ルの一方を太陽光(12)に対し有効な角度(11)を
例えば45〜706にして支柱(8)により基礎(9)
に固定している。
この詩風(13)が吹いてパネルが曲がっても、その曲
率半径(7)が3m以下に一時的になっても耐えられる
構造を有する。この曲率半径は30cm以下にすると、
半導体自体のクラック等による劣化が見られるため、曲
げの例えば30cm〜150c+n一般には100cm
まで耐えられるようにすることが好ましかった。
また基板材料としてここではガラスを用いたが有機樹脂
(カプトン、ポリイミド)を紫外光に対して劣化しない
範囲において用いてもよい。
本発明においてはかかるパネルを作るための1枚のパネ
ルの重量が1〜5Kgと軽く、従来より知られたパネル
が20Kg〜25Kg有していたことを考えると、きわ
めて大きな進歩である。この軽量化のため、このパネル
を東南アジアへ輸出しても、パネルの出荷ベースにて1
,5万円で作ることができるようになり、従来のパネル
枠、ガラス板のみで3万円であることに比べてきわめて
大きな進歩であった。
またこの第1図に示したパネルに関しては、1つのセル
が1.5cII120cm+であり、1つの基板に40
段直列連続をし、さらにそれで4つの基板にて直列に連
続にしたもので160段の直列連続方式をとることがで
きた。
その結果、1つのセルに8.3%の効率を有していた。
パネル全体では変換効率5.5%、最大電圧112Vを
得ることができた。
第1図において、基板は枠の中に設けたものである。し
かしこの基板を20cm X 40cmを6ケまたは4
0cm X 40cmを3ケ、さらに120cm X 
60cmを1ケとして設けてもよいことはいうまでもな
い。
〔発明の効果〕
本発明の光電変換装置は透光性基板に強化ガラスを使用
したことにより曲率半径が3m以下の曲げに対しても破
損しない強度を持つことができた。
そのため本発明の光電変換装置を炭素繊維強化プラスチ
ックによる枠体内に設けることによりパネルを構成し、
このパネルを機械的に曲率半径3m以下に例えば1.2
mの曲げを与えてもパネルあるいは枠が折れたり、破損
したりということがなかった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光電変換装置である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、透光性基板上に設けられた透光性の第1の電極と、
    少なくとも1つのPIN接合を有する非単結晶半導体と
    該半導体上に接して設けられた第2の電極とから成る光
    電変換装置において、上記透光性基板が曲率3m以下の
    曲げに耐え得る強化ガラスであることを特徴とする光電
    変換装置。 2、特許請求の範囲第1項において、強化ガラスには、
    強化ガラス内部の表面近傍に炭素繊維が網目状に理めこ
    まれていることを特徴とする光電変換装置。 3、特許請求の範囲第1項において、強化ガラスは0.
    2〜0.7mmの厚さを有することを特徴とする光電変
    換装置。 4、特許請求の範囲第1項において、透光性基板は、炭
    素繊維強化プラスチックの枠内に設けられていることを
    特徴とする光電変換装置。
JP62135542A 1987-05-29 1987-05-29 光電変換装置 Pending JPS62295468A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01295467A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Asahi Glass Co Ltd 曲面形状を有する太陽電池用ガラス基板及びその製造方法並びに太陽電池
JP2008306149A (ja) * 2007-07-24 2008-12-18 Hoya Candeo Optronics株式会社 ウエハ支持ガラス
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JP2011181941A (ja) * 2011-04-15 2011-09-15 Lintec Corp 半導体ウエハの処理方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS551115A (en) * 1978-06-19 1980-01-07 Agency Of Ind Science & Technol Solar battery
JPS58197887A (ja) * 1982-05-14 1983-11-17 Hitachi Ltd 光起電力装置

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