JPS62291846A - Image-recording system - Google Patents
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Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は原稿或いは風景等の被写体による光学像を記録
する画像記録システムに関わり、特に上記光学像を軽量
簡易に記録し更にこれを電気信号として記録又は出力す
る画像記録システムに関する。[Detailed Description of the Invention] 3. Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to an image recording system that records an optical image of a subject such as a manuscript or a landscape, and particularly relates to an image recording system that records an optical image of a subject such as a manuscript or a landscape, and particularly relates to an image recording system that records an optical image of a subject such as a manuscript or a landscape, and particularly relates to an image recording system that records an optical image of a subject such as a manuscript or a landscape. The present invention relates to an image recording system that records images and further records or outputs them as electrical signals.
画像を記録する手段としては従来より電子写真により原
稿を光学系を介して複写媒体に静電潜像として記録浸液
式あるいは乾式のトナー（インク）により、顕画像とし
、これを紙等の記録媒体に転写する方式、あるいは画像
をＣＯＤ （チャージカップリングデバイス）等を用い
たデジタル光電変換素子により読み取り、これを電気信
号に変換して出力する方式等多種ある。As a means of recording an image, conventional electrophotography is used to record a document as an electrostatic latent image on a copying medium through an optical system, and convert it into a visible image using immersion liquid or dry toner (ink), which is then recorded on paper, etc. There are various methods, such as a method of transferring the image to a medium, or a method of reading the image with a digital photoelectric conversion element using a COD (charge coupling device) or the like, converting it into an electrical signal, and outputting the electrical signal.
ところが前者の電子写真によれば高密度の画像が多階調
に鮮明に記録される一方、通常、複写媒体に直接トナー
を付与し顕画化するため、所望の大きさの記録画像を得
るためには装置が大がかりとなりまた重量化、大型化し
てしまう欠点がある。However, while the former type of electrophotography records high-density images clearly in multiple gradations, it is usually difficult to obtain a recorded image of a desired size because toner is applied directly to the copy medium to develop the image. However, the disadvantage is that the device becomes bulky, heavy, and large.
一方接者のＣＯＤ等のデジタル光電変換素子で画像を読
み取る場合、これが−次元に配列した素子であれば原稿
をメカニカルに走査したり、あるいは二次元配列素子に
形成すると高密度の画像を鮮明に読み取るために、相応
に素子を多数微細に加工しなければならずコスト高を招
（。さらに画像をメモリする場合は外部メモリを有して
いなければならないなど難点があった。On the other hand, when reading an image with a digital photoelectric conversion element such as a COD at a contact point, if the element is arranged in a negative dimension, the original can be mechanically scanned, or if it is formed into a two-dimensional array element, a high-density image can be obtained clearly. In order to read the image, a large number of elements had to be processed in a correspondingly fine manner, leading to high costs.Furthermore, in order to store images, an external memory had to be provided.
一方イメージオルシコンやビジコンに代表される真空管
方式により画像を電気信号に変換する編合は、非常に高
速また微細加工なしに高密度に画像を読み取れる反面、
やはりこれを蓄積する外部メモリ（たとえばビデオテー
プ等）が必要である。On the other hand, vacuum tube systems such as image orthicons and vidicons that convert images into electrical signals are extremely fast and can read images with high density without microprocessing.
Again, an external memory (such as a videotape) is required to store this information.
したがって、携帯用の記録装置を構成する場合において
上記メモリ手段あるいは真空管駆動用電源によりある程
度の大きさが必要となるため、携帯用として最適とは言
えない。Therefore, when constructing a portable recording device, a certain amount of size is required for the memory means or the power source for driving the vacuum tube, so it cannot be said to be optimal for portable use.
さらに一方銀塩写真は高密度記録が可能であり、またフ
ィルムでの画像の保存が効くため、カメラ部および現像
を分離独立しており、カメラだけ持ち運べば良いため非
常に便利である反面フィルムを繰り返し使用できないこ
とや、現像において化学薬品を使用しなければならない
ために、この処理が煩雑になる欠点があった。On the other hand, silver halide photography allows for high-density recording, and it is effective to save images on film, so the camera and developer are separated and independent, so you only need to carry the camera, which is very convenient. This method has disadvantages in that it cannot be used repeatedly and requires the use of chemicals during development, making this process complicated.
本発明は上記欠点に鑑み、携帯に便利な装置により、高
密度の画像を保持することのできる繰り返し使用可能な
媒体を用いて画像を記録し、さらに保持された画像を電
気信号化して出力あるいは再保存し得るしかも耐衝撃性
に優れた画像記録システムを提供すること等を目的とし
ている。In view of the above-mentioned drawbacks, the present invention records images using a reusable medium capable of holding high-density images using a portable device, and further converts the held images into electrical signals and outputs or outputs them. The object of the present invention is to provide an image recording system that can be re-stored and has excellent impact resistance.
本発明の画像記録システムでは、感光体と、該感光体を
移動させる駆動手段と、該感光体をビームにより走査す
る走査手段と、前記感光体、駆動手段、走査手段を収納
する真空容器と、前記感光体に対し前記真空容器外から
光学情報を導（光学系と、前記真空容器及び光学系とを
互いに一体的に固定する固定手段と、該固定された真空
容器及び光学系をカメラ本体に対して弾性的に支持する
弾性部材を有する。The image recording system of the present invention includes a photoreceptor, a driving means for moving the photoreceptor, a scanning means for scanning the photoreceptor with a beam, and a vacuum container housing the photoreceptor, the driving means, and the scanning means. Introducing optical information to the photoreceptor from outside the vacuum container (an optical system, a fixing means for integrally fixing the vacuum container and the optical system to each other, and a fixing means for fixing the fixed vacuum container and the optical system to the camera body) It has an elastic member that elastically supports the support member.
真空容器内に感光体と、該感光体を移動させる駆動手段
と、感光体をビームで走査する走査手段とを設は更に、
この真空容器外から前記感光体に対して光学像を導（光
学系を設けて、真空容器と光学系とを互いに固定手段に
より固定した状態で更にカメラ本体に対して両者を弾性
部材により支持させるようにしているので、カメラ本体
に対して衝撃が加わっても真空容器が破損することがな
く、しかも、真空容器と光学系が一体的に固定されてい
るから光軸がずれることもない。Further, a photoreceptor, a driving means for moving the photoreceptor, and a scanning means for scanning the photoreceptor with a beam are provided in the vacuum container.
An optical image is guided to the photoreceptor from outside the vacuum container (an optical system is provided, and the vacuum container and the optical system are fixed to each other by a fixing means, and then both are supported by an elastic member with respect to the camera body). As a result, the vacuum container will not be damaged even if an impact is applied to the camera body, and since the vacuum container and the optical system are integrally fixed, the optical axis will not shift.
第１図および第２図は本発明の画像記録システムの代表
的構成例を示す図であり、第１図は上側透視図、第２図
は正面透視図である。1 and 2 are diagrams showing a typical configuration example of the image recording system of the present invention, with FIG. 1 being a top perspective view and FIG. 2 being a front perspective view.
本実施例の画像記録システムの基本構成は画像を電子的
に蓄積するフィルム状の画像蓄積体４、該画像蓄積体４
に画像を記録するため、原稿画像を露光する光学系露出
部材等を含む画像記録部１、蓄積体４に蓄積された画像
を読出すため前記画像蓄積体４を電子ビームで走査する
画像続出部２、および該続出部２を駆動するための外部
電源や集束偏向信号を入力する為の外部駆動回路に接続
する入力端子、外部メモリ等に出力するための出力端子
から成るコネクタ部３等から成る。The basic configuration of the image recording system of this embodiment includes a film-like image storage body 4 that electronically stores images;
an image recording section 1 including an optical exposing member for exposing a document image, and an image successive section that scans the image storage body 4 with an electron beam to read out images stored in the storage body 4; 2, and a connector section 3 consisting of an input terminal connected to an external power supply for driving the continuous section 2, an input terminal connected to an external drive circuit for inputting a focusing/deflection signal, and an output terminal for outputting to an external memory, etc. .
更に詳述すると、記録部１内には光学系１１．絞りシャ
ッタ等を含む露出部材ＥＭが内蔵されており、光学系１
１による光学像の通過量及び時間を制御し得るよう構成
されている。More specifically, the recording section 1 includes an optical system 11. The exposed member EM including the aperture shutter etc. is built-in, and the optical system 1
1 is configured to be able to control the amount and time of passage of the optical image.
１０２は保持容器であって画像蓄積体４が巻取り軸４１
．４２に巻付けられた状態で張設されている。この巻取
り軸４１．４２の一端にはローターマグネット５０１，
５０２が固設されており、上記軸４１．４２はステージ
１０１の不図示の軸受けによりマグネット５０１，５０
２と共に回転可能に取り付けられている。102 is a holding container in which the image storage body 4 is connected to the winding shaft 41;
．． 42 in a stretched state. A rotor magnet 501 is attached to one end of this winding shaft 41, 42,
502 is fixedly installed, and the shafts 41 and 42 are connected to magnets 501 and 50 by bearings (not shown) of the stage 101.
2 and is rotatably attached.
又、第１図ではステージ１０１は省略されているが、こ
のステージ１０１上にビーム走査部２１が固定されてい
る。このビーム走査部は電界又は磁界を形成し、しかも
これを変化させることにより電子銃２３から射出される
電子ビームを偏向し、前記蓄積体の所定画面を電子ビー
ムで走査する。Although the stage 101 is omitted in FIG. 1, the beam scanning section 21 is fixed on the stage 101. This beam scanning section forms an electric field or a magnetic field, and by changing this field, deflects the electron beam emitted from the electron gun 23, and scans a predetermined screen of the storage body with the electron beam.
２３は電子銃で該電子銃から射出されたビームはビーム
走査部２１により集束偏向された後メツシュ電極２００
を介して蓄積体４に照射され、この蓄積体から放出され
る２次電子をメツシュ電極２００で検出するよう構成さ
れている。メツシュ電極２００からは不図示のリード線
が保持容器１０２内の壁面を伝わりコネクタ３の出力端
子に接続されているものである。Reference numeral 23 denotes an electron gun, and the beam emitted from the electron gun is focused and deflected by the beam scanning section 21 and then sent to the mesh electrode 200.
The mesh electrode 200 is configured to detect secondary electrons that are irradiated onto the storage body 4 through the storage body 4 and emitted from the storage body. A lead wire (not shown) extends from the mesh electrode 200 along the wall surface of the holding container 102 and is connected to the output terminal of the connector 3.
又、このメツシュ電極には上記リード線を介して所定の
正のバイアス電圧を印加することが好ましい。Further, it is preferable to apply a predetermined positive bias voltage to this mesh electrode via the lead wire.
以上の巻取り軸４１．４２、マグネット５０１，５０２
、ステージ１０１、ビーム走査部２１、電子銃２３等は
保持容器１０２内に収容されており、容器１０２内は真
空に保たれている。The above winding shafts 41, 42, magnets 501, 502
, stage 101, beam scanning unit 21, electron gun 23, etc. are housed in a holding container 102, and the inside of the container 102 is kept in a vacuum.
電子銃２３、ビーム走査部２１の電源端子、信号入力端
子、出力端子はコネクタ３に設けられており、このコネ
クタ３はカメラ１００外に露出可能になっており、通常
は蓋２０１により覆われている。２０２は記録再生装置
２０４からケーブル２０３を介してカメラ１００に対し
て電源ビーム集束偏向信号を供給すると共に、カメラ１
００から出力される画像信号を入力する為のコネクタで
、このコネクタ２０２とコネクタ２０３は蓋２０１を開
いた状態で接続可能となる。２０７は外部電源入力端子
でコネクタ３に設けられており、このコネクタ３にコネ
クタ２０２を接続したとき記録再生装置２０４からの電
源がこの端子２０７にも供給されるよう構成されている
。The power terminal, signal input terminal, and output terminal of the electron gun 23 and the beam scanning section 21 are provided in a connector 3, which can be exposed outside the camera 100 and is normally covered with a lid 201. There is. 202 supplies power beam focusing and deflection signals from the recording/reproducing device 204 to the camera 100 via the cable 203;
This is a connector for inputting the image signal output from 00, and these connectors 202 and 203 can be connected with the lid 201 open. Reference numeral 207 denotes an external power input terminal, which is provided on the connector 3, and is configured such that when the connector 202 is connected to the connector 3, the power from the recording/reproducing device 204 is also supplied to this terminal 207.
この端子はスイッチ２０５の一端に接続されている。This terminal is connected to one end of switch 205.
スイッチ２０５のもう一端にはバッテリーパック５から
の内部電源が接続されており、この２種類の電源は選択
的にコイル５０３及び５０４やその他の電気回路をドラ
イブする為のドライブ回路２０８に供給される。又、２
０６はシステムコントローラであり、シャッタスイッチ
１３、蓋２０１の開閉信号等が入力されており、蓋２０
１が開くとスイッチ２０５を端子２０７側に接続する。An internal power source from the battery pack 5 is connected to the other end of the switch 205, and these two types of power source are selectively supplied to a drive circuit 208 for driving coils 503 and 504 and other electric circuits. . Also, 2
06 is a system controller to which the shutter switch 13, opening/closing signals for the lid 201, etc. are input;
1 opens, the switch 205 is connected to the terminal 207 side.
又、蓋２０１が閉じているとバッテリーパック５側に接
続するはう切換える。Moreover, when the lid 201 is closed, the connection is switched to the battery pack 5 side.
尚、２１０．２１１は発光ダイオード（ＬＥＤ）で蓄積
体４に対し後述する如く光を照射する為のものである。Note that 210 and 211 are light emitting diodes (LEDs) for irradiating light onto the storage body 4 as described later.
１４はファインダである。14 is a finder.
このように構成されているのでカメラ１００による画像
記録時はカメラ内のバッテリーパックによりドライブ回
路２０８に給電が為され、所定のタイミングで蓄積体４
の間欠的移動が行なわれ１画面ずつ蓄積体に光学像を潜
像として記録することができる。 ・
又、読み出し時にはカメラ１００のコネクタ３に記録再
生装置２０４のコネクタ２０２を接続すると、これに先
立つ蓋２０１の開成に伴って電源ラインがスイッチ２０
５により切換わり、記録再生装置２０４からの電源の供
給が可能となる。With this configuration, when the camera 100 records an image, power is supplied to the drive circuit 208 by the battery pack in the camera, and the storage body 4 is powered at a predetermined timing.
Intermittent movement is performed, and the optical image can be recorded as a latent image on the storage body one screen at a time. - Also, when reading, when the connector 202 of the recording/reproducing device 204 is connected to the connector 3 of the camera 100, the power line is connected to the switch 20 as the lid 201 is opened prior to this.
5, the power can be supplied from the recording/reproducing device 204.
従ってカメラ携帯時は電源がコンパクトとなるのでカメ
ラを小型化できる。Therefore, when the camera is carried, the power supply becomes compact and the camera can be made smaller.
又、コネクタ３とコネクタ２０２の接続動作に関連して
内部電源と外部電源を切換えているので画像を蓄積体か
ら読み出す際にカメラ内の限られた電源を消耗すること
がない。Furthermore, since the internal power source and the external power source are switched in connection with the connection operation between the connector 3 and the connector 202, the limited power source within the camera is not consumed when reading images from the storage body.
又、実施例では画像蓄積体４を真空室内に封入すると共
にこれを外部より移動可能としているので高解像度の画
像情報を多量に蓄積することができる。Further, in this embodiment, the image storage body 4 is enclosed in a vacuum chamber and is movable from the outside, so that a large amount of high-resolution image information can be stored.
しかも読み取りもワンタッチででき従来の様に特別な大
型の読み出し装置を必要としない。Moreover, reading can be done with one touch, and there is no need for a special large-sized reading device unlike in the past.
又、蓄積体４を移動させる為の駆動軸を真空の保持容器
外からの電磁力で駆動できるようにしたので、モーター
を保持容器内に封入する場合に比べて真空度を保ち易い
。Furthermore, since the drive shaft for moving the accumulator 4 can be driven by electromagnetic force from outside the vacuum holding container, it is easier to maintain the degree of vacuum than when the motor is enclosed within the holding container.
尚、本発明において画像蓄積体４に記録するものは電子
的な潜像パターン、たとえば静電潜像や、電子的なトラ
ップの分布による潜像で良い。In the present invention, what is recorded on the image storage body 4 may be an electronic latent image pattern, such as an electrostatic latent image or a latent image formed by distribution of electronic traps.
上記の様な潜像パターンを電子ビームで走査すると、潜
像に対応して画像担持体から放出される二次電子量の大
小により蓄積体に記録された画像のコントラストが検出
されるため、これにより上記潜像を電気信号に変換して
読出すことができる。When a latent image pattern like the one described above is scanned with an electron beam, the contrast of the image recorded on the storage body is detected based on the amount of secondary electrons emitted from the image carrier corresponding to the latent image. The latent image can be converted into an electrical signal and read out.
尚、蓄積体４をテープ状とせずガラスを基板とする回転
ディスクの上にこの蓄積体を設けても良い。こうすれば
蓄積体の平面性を安定に出すことができる。Incidentally, instead of forming the storage body 4 in the form of a tape, the storage body 4 may be provided on a rotating disk having a glass substrate. In this way, the flatness of the accumulator can be stably achieved.
尚、上記実施例ではメツシュ電極で２次電子を検出した
が後述の如く電子ビームの反射による戻りビームを検出
するようにしても良い。Although the secondary electrons are detected by the mesh electrode in the above embodiment, a return beam due to reflection of the electron beam may be detected as described later.
以下、本発明画像記録装置各部について順次詳細説明す
る。Each part of the image recording apparatus of the present invention will be explained in detail below.
先ず本実施例の画像蓄積体と画像記録方法について詳述
する。First, the image storage body and image recording method of this embodiment will be described in detail.
第３図は第１． ２図実施例に用いる画像蓄積体４の縦
断面図であって、全体はフィルム形状をなしており、５
６の透明な基体フィルム上にバリア層５０、透明導電層
５１、Ｎ型光導電体層５２、透明絶縁層５３、半導電層
５５を積層したものである。以下各層について述べると
、基体５６は、十分な屈曲性と透光性があり、かつフィ
ルムローディング時の張力によって切断することない材
質からなる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポ
リイミド等の高分子フィルムが好ましい。また、上記特
性を満足させる為フィルムの厚みは、ポリエチレンテレ
フタレートの場合１０〜５０μｍが望ましく、ポリイミ
ドフィルムでは５〜５０μｍが望ましい。透明導電層５
１は、酸化スズあるいは酸化インジウム又はこれに若干
の酸化スズを含むものが用いられる。この層は公知のス
パッタ等の方法により成膜されたものであり、透光性及
び十分な導電性が得られる厚みで数１０〜数１１００ｎ
が望ましい。Figure 3 is 1. FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of an image storage body 4 used in the embodiment, and the whole has a film shape;
A barrier layer 50, a transparent conductive layer 51, an N-type photoconductor layer 52, a transparent insulating layer 53, and a semiconducting layer 55 are laminated on the transparent base film No. 6. Describing each layer below, the base 56 is made of a material that has sufficient flexibility and translucency, and will not be cut by tension during film loading. For example, polymer films such as polyethylene terephthalate and polyimide are preferred. Further, in order to satisfy the above characteristics, the thickness of the film is preferably 10 to 50 μm in the case of polyethylene terephthalate, and 5 to 50 μm in the case of polyimide film. Transparent conductive layer 5
1 is tin oxide, indium oxide, or something containing a small amount of tin oxide. This layer is formed by a known method such as sputtering, and has a thickness of several 10 to several 1100 nanometers that provides transparency and sufficient conductivity.
is desirable.
Ｎ型光導電体層５２は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＯ等の
Ｎタイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタによって形
成したものであって光の受容により十分な電子・正孔ペ
アを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡
散が無視できる程度の厚さに成膜されている。例えば１
１００ｎ〜数μｍの範囲が望ましい。次に絶縁層５３は
、５ｉ０２．ＭｇＯ等の高絶縁性の薄膜で、スパッタ等
の方法により成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性を持
たせる為に、数百ｎｍ−数１０μｍが望ましい。次に、
半導電性膜５５は、ビームから導電層を保護する為にガ
ラス等の膜あるいは、ＫＣｌ（塩化カリウム）等の多孔
質膜で膜面方向の抵抗が膜厚方向よりも高く十分な絶縁
性を示すのもであり、膜の厚さが記録画像の解像度幅に
比べ十分薄いものが良く、たとえば１０００本／ ｍ
ｍの解像度の画像とする為に膜厚を数１１００ｐ〜数百
ｎｍにすることが望ましい。The N-type photoconductor layer 52 is formed by vapor deposition or sputtering of an N-type photoconductor such as CdS, CdSe, or ZnO. The film is formed to a thickness that ensures insulation properties and allows negligible internal diffusion of light. For example 1
A range of 100 nm to several μm is desirable. Next, the insulating layer 53 is 5i02. It is a highly insulating thin film such as MgO, and is formed by a method such as sputtering. The thickness of the film is desirably several hundred nanometers to several tens of micrometers in order to provide sufficient insulation. next,
The semiconductive film 55 is a film made of glass or the like or a porous film such as KCl (potassium chloride), which has a higher resistance in the film surface direction than in the film thickness direction and has sufficient insulation to protect the conductive layer from the beam. The thickness of the film should be sufficiently thin compared to the resolution width of the recorded image, for example, 1000 lines/m.
In order to obtain an image with a resolution of m, it is desirable that the film thickness be from several 1100p to several hundred nm.
また、光導電層５２と透明導電層５１の間に設けたバリ
ア層５０は暗減衰並びに暗部における負電荷の注入を防
止する為の層でありＣｄ５Ｏｓ、ＣｄＳｅＯ３等をスパ
ッタにより成膜したものである。この膜厚は２〜数１０
ｎｍが望ましい。Further, the barrier layer 50 provided between the photoconductive layer 52 and the transparent conductive layer 51 is a layer for preventing dark decay and injection of negative charges in the dark area, and is formed by sputtering Cd5Os, CdSeO3, etc. . This film thickness ranges from 2 to several 10
nm is desirable.
次に上記画像蓄積体への光記録について第４図（ａ）〜
（Ｃ）を用いて述べる。Next, regarding optical recording on the image storage body, FIG. 4(a) to
Explain using (C).
暗所において透明導電層５１をアース又は負として半導
電層５５に例えば導電性ブラシ又はロール５７゜５７′
等を用いて正電荷を第４図（ａ）のように付与する。こ
の付与された正電荷はただちに半導電層５５を通して注
入される。次に第１図の露出部材ＥＭが開き画像露光が
行なわれ、光りの当った部分は光導電層５２の抵抗が下
がり透明導電層５１から負電荷がバリア層を抜は光導電
層５２へ注入され第４図（ｂ）の状態となる。次に露出
部材ＥＭが閉じた後透明導電層５１をアースに落とし、
このアースと短絡された導電性ブラシまたはロール５９
．５９’にて半導電層５５を通して暗部の正電荷と透明
導電層５１の負電荷を短絡して消去するとともに、明部
の表面電位がＯになるように第４図（ｃ）の如く正負電
荷を、半導電層５５と透明導電層５１へ分布させる。次
に透明導電層５１をアースとしておき、画像蓄積体４を
前述のＬＥＤ２１０，２１１で全面露光すると、光電導
層５２の電気抵抗が下がり、この層の両端の正負電荷が
消去され、絶縁層５３をはさむ電荷のみが第４図（ｄ）
の如く残ることとなり、表面を正電位とする記録が行わ
れる。In a dark place, with the transparent conductive layer 51 grounded or negative, apply a conductive brush or roll 57°57' to the semiconductive layer 55.
A positive charge is applied as shown in FIG. 4(a). This applied positive charge is immediately injected through the semiconducting layer 55. Next, the exposed member EM shown in FIG. 1 is opened and image exposure is performed, and the resistance of the photoconductive layer 52 decreases in the exposed area, and negative charges from the transparent conductive layer 51 pass through the barrier layer and are injected into the photoconductive layer 52. This results in the state shown in FIG. 4(b). Next, after the exposed member EM is closed, the transparent conductive layer 51 is grounded,
A conductive brush or roll 59 shorted to this ground
．． 59', the positive charges in the dark area and the negative charges in the transparent conductive layer 51 are short-circuited and erased through the semiconductive layer 55, and the positive and negative charges are transferred as shown in FIG. 4(c) so that the surface potential of the bright area becomes O. is distributed to the semiconductive layer 55 and the transparent conductive layer 51. Next, with the transparent conductive layer 51 grounded, the entire image storage body 4 is exposed to light using the aforementioned LEDs 210 and 211, the electrical resistance of the photoconductive layer 52 decreases, the positive and negative charges at both ends of this layer are erased, and the insulating layer 53 Only the charges sandwiching the are shown in Figure 4(d).
, and recording is performed with the surface at a positive potential.
前記、画像蓄積体と、記録方法によれば、画像蓄積体を
スパッター法を用いて一括作成する為、蓄積体を非常に
均一に作成することが可能であり、蓄積画像にムラ等を
発生する要因が減少した。また、薄層の感光体（光導電
体）を用いる為、光の吸収率が高く高感度が達成できる
。さらに該光導電体の薄膜化は画像の解像度を従来に比
べ１０倍以上引き上げられることになった。According to the image storage body and recording method described above, since the image storage body is created all at once using the sputtering method, it is possible to create the storage body very uniformly, and unevenness etc. will not occur in the stored image. factor decreased. Furthermore, since a thin photoreceptor (photoconductor) is used, the light absorption rate is high and high sensitivity can be achieved. Furthermore, by making the photoconductor thinner, the resolution of images can be increased by more than 10 times compared to the conventional method.
第５図および第６図に上記記録方法を適用した実施例の
構成における記録部１の詳細を示しこの動作１例につい
て第１図、第２図を用いて述べる。FIGS. 5 and 6 show details of the recording section 1 in an embodiment to which the above recording method is applied, and an example of its operation will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
被写体を決め、第２図におけるシャッタスイッチ１３を
ハーフスイッチングの状態にすることにより第５図、第
６図における帯電ブラシローラ５７と接地ブラシ５７′
との間で電圧印加するとともに駆動コイル５０３，５０
４を作動しフィルムを図示矢印６０方向に送る。By determining the subject and setting the shutter switch 13 in FIG. 2 to the half-switching state, the charging brush roller 57 and the grounding brush 57' in FIGS. 5 and 6 are set.
A voltage is applied between the drive coils 503 and 50.
4 to feed the film in the direction of arrow 60 in the figure.
これにより、まず画像蓄積体４上を一様に帯電する。As a result, the image storage body 4 is first uniformly charged.
次にシャッタスイッチ１３をフルスイッチングの状態に
することにより露出部材ＥＭを作動し、光学系１１を通
して画像蓄積体４を必要光量露光し、第４図（ｂ）の状
態で画像を記録する。Next, the exposure member EM is activated by setting the shutter switch 13 to the full switching state, and the image storage body 4 is exposed to the required amount of light through the optical system 11, thereby recording an image in the state shown in FIG. 4(b).
次にシャッタスイッチ１３を解除すると再度駆動コイル
５０３，５０４が作動し、フィルムを矢示６０方向に１
画面分移動するとともに接地ブラシ５９゜５９′により
全面除電を行ない第４図（Ｃ）の状態で画像が保持蓄積
状態となる。この後矢示６０と反対方向にフィルムを１
画面分戻すことにより、次画面の画像記録の上記一様帯
電のプロセスに都合の良い位置に保持する。Next, when the shutter switch 13 is released, the drive coils 503 and 504 are activated again, and the film is moved once in the direction of the arrow 60.
As the image moves by the amount of the screen, static electricity is removed from the entire surface using the grounding brushes 59 and 59', and the image is held and stored in the state shown in FIG. 4(C). After this, move the film 1 in the direction opposite to the arrow 60.
By moving back by one screen, it is held at a position convenient for the above-mentioned uniform charging process for image recording of the next screen.
尚第１図、第５図において保持容器１０２はガラス等に
より形成するが該保持容器１０２は少なくとも画像記録
部１においては充分に透明でありしかも画像露光の光路
となる部分においては像光にひずみ干渉等の悪影響を及
ぼさない平坦面であり、かつ画像蓄積体面と平行である
ことが望ましい。In FIGS. 1 and 5, the holding container 102 is made of glass or the like, but the holding container 102 is sufficiently transparent at least in the image recording section 1 and does not distort the image light in the portion that becomes the optical path for image exposure. It is desirable that the surface is flat and does not cause adverse effects such as interference, and that it is parallel to the surface of the image storage body.
または上記保持容器１０２の光路部分を直接レンズとし
て加工することも可能である。Alternatively, it is also possible to directly process the optical path portion of the holding container 102 into a lens.
尚、第５図、第６図においてブラシローラ５７゜５７’
、 ５９． ５９’は前記した電圧印加を行なうと
ともに画像蓄積体４に対し軽いテンションをかけるよう
に為されており画像露光、あるいは後述の電子ビーム走
査に対して常に一定角、好ましくは光路の軸に対して直
角に保つようにする。このようにすることで画像記録、
読出しに対しての解像度が良好に保てる。In addition, in FIGS. 5 and 6, the brush roller 57° 57'
, 59. The reference numeral 59' is designed to apply the above-mentioned voltage and to apply a light tension to the image storage body 4, and is always at a constant angle, preferably with respect to the axis of the optical path, with respect to image exposure or electron beam scanning, which will be described later. Make sure to keep it at right angles. By doing this, you can record images,
Good resolution for reading can be maintained.
尚、このように蓄積体４に対する帯電、除電の為のロー
ラ又はブラシを蓄積体４の記録部１の平面性を出す為の
テンションローラと兼用することにより、構成を簡略化
することができる。In this way, the configuration can be simplified by using the roller or brush for charging and neutralizing the storage body 4 as the tension roller for making the recording section 1 of the storage body 4 flat.
又、第６図（ａ）のように帯電又は除電の為のローラ又
はブラシの内の接地された一方のローラ又はブラシを有
効画面ＥＦ （電子ビームによる走査画面範囲）の外側
、かつフィルム状蓄積体４の巾方向の端部に設け、又、
これに対応してフィルム状の蓄積体４の層の構造を第６
図（ｂ）の如くしたので構成がより簡略化される効果を
有する。In addition, as shown in Fig. 6(a), one of the rollers or brushes for charging or eliminating static electricity, which is grounded, is placed outside the effective screen EF (scanning screen range by the electron beam) and for film-like accumulation. Provided at the end of the body 4 in the width direction, and
Correspondingly, the structure of the layer of the film-like storage body 4 is changed to the sixth layer.
Since it is configured as shown in Figure (b), it has the effect of further simplifying the configuration.
尚、ここで前記画像蓄積体４での記録画像の保持は前記
第４図（ｃ）のプロセス終了状態での保存が望ましい。Incidentally, it is preferable that the recorded image is retained in the image storage body 4 in the state in which the process is completed as shown in FIG. 4(c).
前記第４図（ｃ）に示す様に画像蓄積体４の表面を外部
に電界が生じない（接地）電位にしておくことで、画像
蓄積体４をフィルムにして保存する為に巻取るとき、他
の重なりあった画像と互いに影響を及ぼさず、良好な画
像の保持がなされるからである。特に後述するように、
基体５６および導電層５１を合わせた導電基体を使用す
る場合にはこの良好な保持効果が大きい。As shown in FIG. 4(c), by keeping the surface of the image storage body 4 at a potential (ground) where no electric field is generated outside, when the image storage body 4 is rolled up to be stored as a film, This is because the image is maintained satisfactorily without affecting other overlapping images. In particular, as explained later,
This good retention effect is significant when a conductive base consisting of the base 56 and the conductive layer 51 is used.
もちろん第４図（ｄ）に示す状態での保持も可能である
。Of course, holding in the state shown in FIG. 4(d) is also possible.
上記においては、画像蓄積体表面を一様帯電させて画像
形成させる例を特に挙げたが、その他の記録方法を用い
ても良いことは言うまでもない。In the above description, an example has been particularly given in which an image is formed by uniformly charging the surface of the image storage body, but it goes without saying that other recording methods may be used.
又、以上述べて来た画像蓄積体４の記録方法において、
該蓄積体４の除、帯電に導電性ブラシ、ロールを用いて
いたが、別途手段として本発明の画像記録システムに内
蔵する電子銃２３を用いることもできる。この場合の帯
電方法を第３図を用いて述べる。Furthermore, in the recording method of the image storage body 4 described above,
Although a conductive brush and a roll were used to remove and charge the accumulator 4, the electron gun 23 built into the image recording system of the present invention may also be used as a separate means. The charging method in this case will be described with reference to FIG.
電子銃２３を用いた場合は、導電層５１を背面電極とす
ることになり加速電圧により画像蓄積体４の半導電層５
５に付与される電荷の極性が変化する。When the electron gun 23 is used, the conductive layer 51 is used as a back electrode, and the semiconductive layer 5 of the image storage body 4 is heated by the accelerating voltage.
The polarity of the charge applied to 5 changes.
すなわち帯電時に画像蓄積体４付近にあらかじめコレク
タ電極を設けるか、又は除帯電時のみコレクタ電極を設
け、この電極の電圧を十分高くすると共に、電子ビーム
を低速電子ビームとすれば、初期に該半導電膜５５の表
面がＯＶとすると、ある電圧ＶＡ以下の加速電圧迄は電
子銃から半導電層５５に向う１次電子の量が、衝突によ
って発生する２次電子の量よりも多いため、半導電層を
負に帯電することとなる。又、加速電圧がＶＡの場合、
１次電子と２次電子の量がほぼ拮抗しており、該半導電
層の表面はＯＶの状態となる。さらに加速電圧を上でＶ
Ａより大きくなると、入力１次電子よりも２次電子の方
が多く放出するため、該半導電層の表面は正に帯電する
ことになる。このＶＡの値は材料によって異なるが該半
導電層の下部が絶縁層５３からなるため約２０〜５０Ｖ
の値である。、また、上記方法はあくまでもコレクタ電
圧が正で十分高いことにより２次電子がほとんど捕集さ
れる為に可能な方法である。In other words, if a collector electrode is provided in advance near the image storage body 4 during charging, or if a collector electrode is provided only during charge removal, and the voltage of this electrode is made sufficiently high, and the electron beam is a low-speed electron beam, half of the Assuming that the surface of the conductive film 55 is OV, the amount of primary electrons directed from the electron gun toward the semiconducting layer 55 is larger than the amount of secondary electrons generated by collision until the acceleration voltage is below a certain voltage VA. The conductive layer will be negatively charged. Also, if the accelerating voltage is VA,
The amounts of primary electrons and secondary electrons are almost equal to each other, and the surface of the semiconducting layer is in an OV state. Further increase the acceleration voltage to V
When it becomes larger than A, more secondary electrons are emitted than input primary electrons, so the surface of the semiconducting layer becomes positively charged. The value of this VA varies depending on the material, but since the lower part of the semiconducting layer is composed of the insulating layer 53, the value of VA is approximately 20 to 50V.
is the value of Furthermore, the above method is only possible because most of the secondary electrons are collected when the collector voltage is positive and sufficiently high.
又、画像蓄積体４への帯電が負である場合は、前述の如
く電子銃を用いるだけでなく内部にタングステンフィラ
メントを別途に設置し、このフィラメントからの熱電子
放出を利用することも可能である。Furthermore, if the charge on the image storage body 4 is negative, it is possible not only to use an electron gun as described above but also to separately install a tungsten filament inside and utilize thermionic emission from this filament. be.
上記帯電方法において、帯電電位をコントロールするに
は、２次電子放出が１次電子注入を上まわっている領域
で、コレクター電圧を制御することで可能となる。該画
像蓄積体の半導電層の表面電位が概略Ｏｖとして、これ
を＋Ｖｃボルトに帯電する場合、電子銃側の加速電圧の
陰極に＝（Ｖａ十α）の電圧を印加し、さらにコレクタ
電極に所望の帯電電圧＋Ｖｃを印加してお（、さらに該
画像蓄積体の導電層５１をアースに落しておく。このよ
うに電圧を設定することにより、該画像蓄積体上の半導
電層５５に１次電子ビームが入射すると上記設定では２
次電子放出が１次電子入力よりも多く、かつ、放出した
２次電子がコレクター電極に全て取り込まれる為、半導
電層は徐々に正帯電されて行く。帯電が進み表面電位が
コレクター電位を越えると２次電子はコレクター電極へ
移動できなくなり、半導電層に戻り、−次電子の入力分
だけ電位が下がり一定の表面電位Ｖｃが保たれることと
なる。In the above charging method, the charging potential can be controlled by controlling the collector voltage in a region where secondary electron emission exceeds primary electron injection. When the surface potential of the semiconductive layer of the image storage body is approximately Ov, and it is to be charged to +Vc volts, a voltage of = (Va + α) is applied to the cathode of the accelerating voltage on the electron gun side, and a voltage of = (Va + α) is applied to the collector electrode. A desired charging voltage +Vc is applied (and the conductive layer 51 of the image storage body is grounded). By setting the voltage in this way, the semiconductive layer 55 on the image storage body is When the next electron beam is incident, the above settings result in 2
Since the secondary electron emission is greater than the primary electron input and all the emitted secondary electrons are taken into the collector electrode, the semiconducting layer gradually becomes positively charged. When charging progresses and the surface potential exceeds the collector potential, the secondary electrons are no longer able to move to the collector electrode and return to the semiconducting layer, where the potential decreases by the amount of input negative electrons and maintains a constant surface potential Vc. .
次に、半導電層５５を負に帯電する場合について述べる
。この場合帯電電位を−ＶＣボルトとすると、陰極電位
は−（ＶＡ十ＶＣ＋α）ボルトに設定する。Next, a case will be described in which the semiconducting layer 55 is negatively charged. In this case, if the charging potential is -VC volts, the cathode potential is set to -(VA+VC+α) volts.
但し、半導電層５５の表面電位は概略Ｏｖであるとする
。この場合、放出される２次電子は全て半導電層に戻る
為１次電子の入力分だけ半導電層は負に帯電してい（。However, it is assumed that the surface potential of the semiconducting layer 55 is approximately Ov. In this case, all the emitted secondary electrons return to the semiconducting layer, so the semiconducting layer is negatively charged by the amount of input primary electrons (.
そして−Ｖｃボルトよりも低い電位になると、コレクタ
ー電極の電位が半導電層の表面電位に対し相対的に正に
なる為、２次電子が捕集され、正に半導電層が帯電され
ることとなる。よって−Ｖｃボルトに安定帯電される。When the potential is lower than -Vc volts, the potential of the collector electrode becomes positive relative to the surface potential of the semiconducting layer, so secondary electrons are collected and the semiconducting layer is positively charged. becomes. Therefore, it is stably charged to -Vc volts.
以上のように電子銃を用いて帯電を行なうと、ブラシ、
ロール等に比べより均一な帯電が可能になると共に、帯
電時間も短く、また帯電位の制御も容易になる。When charging is performed using an electron gun as described above, the brush,
Compared to rolls, etc., it is possible to charge more uniformly, the charging time is shorter, and the charging potential can be easily controlled.
次に除電方法につい述べる。上述したようにコレクター
電極の電位によって帯電が制御できることから、コレク
ター電位をＯｖに設定すれば除電は可能となる。又、半
導電層が正に帯電している場合のみコレクター電位を十
分高くして放出２次電子が全て捕集されるようにし、半
導電層の帯電電位を＋ＶＳとし、陰極の電位をＶＫとす
ると（Ｖｓ−ＶＫ）〈ＶＡとなる条件で電子ビームの照
射を行ないＶｓを徐々にＯＶに近づけることにより除電
することも可能である。但しＶＳ＜ＶＡの場合はＶＫ＝
Ｏとして十分な除電が可能である。当然上記除電におい
て導電層５１はアースに落されている。Next, we will discuss the static electricity removal method. As described above, since charging can be controlled by the potential of the collector electrode, static electricity can be removed by setting the collector potential to Ov. Also, only when the semiconducting layer is positively charged, the collector potential is made high enough to collect all the emitted secondary electrons, and the charging potential of the semiconducting layer is set to +VS, and the potential of the cathode is set to VK. Then, it is also possible to eliminate static electricity by performing electron beam irradiation under the condition that (Vs-VK)<VA, and gradually bringing Vs closer to OV. However, if VS<VA, VK=
Sufficient static elimination is possible as O. Naturally, the conductive layer 51 is grounded in the static elimination process.
このように本実施例の除帯電方法によればブラシ、ロー
ル等に比べより均一な除帯電が可能となる、他に帯電電
位を可変に制御できる等の効果のメカニカルな手段を使
わずに除帯電できるので構成が簡単となる。As described above, the static charge removal method of this embodiment enables more uniform static charge removal compared to brushes, rolls, etc., and also has the advantage of being able to variably control the static charge potential without using any mechanical means. Since it can be charged, the configuration is simple.
除帯電時の電流が少な（低電圧で行うことが可能な為電
源が小型になるなどの効果も有る。The current required for charge removal is small (it can be performed at low voltage), which has the effect of making the power supply smaller.
尚、画像蓄積体４の画像消去は、前述のように全面露光
を行いつつ透明導電層をアースに落とし、アースに落と
された導電性ブラシ又はロールを半導電層５５に接触さ
せて移動するか、前述除電手段を用いることで行なわれ
る。他の画像蓄積体についても、それぞれの画像蓄積体
の有する半導電層を除電用ブラシ又ロールあるいは電子
ビームでＯｖとし透明導電層をＯｖとして光を全面照射
することで可能となる。In order to erase the image on the image storage body 4, the transparent conductive layer is grounded while exposing the entire surface as described above, and the conductive brush or roll that has been grounded is brought into contact with the semiconductive layer 55 and moved. , is performed by using the above-mentioned static eliminating means. For other image storage bodies as well, this can be achieved by irradiating the entire surface of the semiconductive layer of each image storage body with light by setting the semiconductive layer of each image storage body to Ov using a static eliminating brush or roll or an electron beam and setting the transparent conductive layer to Ov.
次に本発明記録装置における画像読出し部２について説
明する。静電潜像を電子ビームにより走査して読み出す
ものとして本出願人が先に出願した特開昭５４−２９９
１５号にその１例の詳細が記述されているのでここでは
簡単に説明する。Next, the image reading section 2 in the recording apparatus of the present invention will be explained. Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-299, which was previously filed by the present applicant as an apparatus for reading out electrostatic latent images by scanning them with an electron beam.
Since the details of one example are described in No. 15, a brief explanation will be given here.
第１図においてコネクタ３に外部より読み出し部駆動電
源および外部メモリ部を内蔵した記録再生装置からのケ
ーブル２０３が接続されると、画像読み出しが可能とな
る。なおビーム偏向を制御する為の続出部駆動制御回路
は本実施例の如く記録再生装置に設けてあっても良いし
、カメラ１００内に設ける様にしても良い。 。In FIG. 1, when a cable 203 from a recording/reproducing device incorporating a readout section drive power source and an external memory section is externally connected to the connector 3, image reading becomes possible. Note that the successive part drive control circuit for controlling beam deflection may be provided in the recording/reproducing apparatus as in this embodiment, or may be provided in the camera 100. .
読み出し動作について簡単に説明すると電子ビームが画
像蓄積体４に入射すると２次電子が発生するが画像蓄積
体の外部に放出されるものはこの表面から高々０．１μ
以内の領域で発生したものである。To briefly explain the readout operation, when an electron beam enters the image storage body 4, secondary electrons are generated, but the electrons emitted to the outside of the image storage body are at most 0.1μ from the surface.
The occurrence occurred within the following areas.
ところが、その外部に放出する２次電子は画像蓄積体の
表面電位に影響される。即ち、表面電位が正であれば前
記２次電子はそれにより引きつけられるため放出され難
（、又、電位がマイナスであれば逆に反発され２次電子
量は増加する。従って、画像担持体に電子ビーム５を入
射する時、前記感光板近傍に２次電子集束用のメツシュ
電極２００を設ければ電極２００の出力は電子ビームの
当りでいる個所の表面電位に対応したものとなる。即ち
、この出力は画像蓄積体に記録された画像情報を時系列
電気信号に変換したものとなる。電子ビームを読み出し
手段に使用することは、ビームの走査が電子レンズによ
り純電気的に行なわれること、ビーム径が数μ以下に容
易に絞れることから高分解能である事など多数の利点を
有する。However, the secondary electrons emitted to the outside are affected by the surface potential of the image storage body. That is, if the surface potential is positive, the secondary electrons are attracted by it and are therefore difficult to emit (on the other hand, if the potential is negative, they are repelled and the amount of secondary electrons increases. When the electron beam 5 is incident, if a mesh electrode 200 for focusing secondary electrons is provided near the photosensitive plate, the output of the electrode 200 will correspond to the surface potential of the area hit by the electron beam. That is, This output is the image information recorded in the image storage body converted into a time-series electrical signal.The use of an electron beam as the reading means means that scanning of the beam is performed purely electrically using an electron lens. It has many advantages, including high resolution because the beam diameter can be easily narrowed down to a few microns or less.
又、電子ビーム強度を弱くすることで画像蓄積体上の潜
像をほとんど破壊することなく読み出すことが可能であ
る。Furthermore, by reducing the intensity of the electron beam, it is possible to read out the latent image on the image storage body with almost no destruction.
第７図は別の読み出し方法を本発明装置に適用した構成
例である。第７図適用例のものは特に従来よりイメージ
オルシコンに代表される静電荷読取り方法と同様であり
、簡単に説明する。電子銃３０１から電子ビーム５が出
ると図示の集束用コイル３０２、集束電極３０３によっ
て集束され、偏向用コイル３０４により偏向され、画像
蓄積体４上の電荷像を走査するが電子ビームが前記電荷
像にあたるとこのうち一部のビームが上記電荷像のうち
正電荷を中和し、残りの電子が戻りビーム５′となり、
電子銃の方へ戻る。したがってこの戻りビーム５′は電
荷像に対応して強弱のコントラストをもっているため、
これをダイノード３０５で受けることによりここから発
生する二次電子を多段で増巾した後、コレクタ３０６か
ら電気信号として取り出すことが出来る。FIG. 7 shows a configuration example in which another reading method is applied to the apparatus of the present invention. The application example shown in FIG. 7 is particularly similar to the conventional electrostatic charge reading method typified by the image orthicon, and will be briefly explained. When an electron beam 5 is emitted from an electron gun 301, it is focused by a focusing coil 302 and a focusing electrode 303 shown in the figure, and is deflected by a deflecting coil 304 to scan a charge image on an image storage body 4. , some of these beams neutralize the positive charges in the charge image, and the remaining electrons become a return beam 5'.
Return to the electron gun. Therefore, since this return beam 5' has a contrast of strength and weakness corresponding to the charge image,
By receiving this at the dynode 305, the secondary electrons generated therefrom can be amplified in multiple stages and then taken out from the collector 306 as an electrical signal.
本発明に適用しうる電子ビームにより潜像を読出す方法
はその他にも考え得るが説明の便宜上、以上に留どめる
。Although there may be other methods of reading the latent image using an electron beam that can be applied to the present invention, for convenience of explanation, this method will be limited to the above.
次に前記の第３図、第４図で説明した画像記録方法を本
発明に適用した場合の読取り部２の動作について第１図
〜第４図を用いて説明する。Next, the operation of the reading section 2 when the image recording method described in FIGS. 3 and 4 is applied to the present invention will be explained using FIGS. 1 to 4.
前記記録部１の動作説明で述べた様に、ここでは画像蓄
積体４は、第４図（ｃ）に示した記録プロセス終了後、
巻き取られ保持されているものとする。As described in the explanation of the operation of the recording section 1, here, the image storage body 4 is operated after the recording process shown in FIG. 4(c) is completed.
It is assumed that it is wound up and held.
ここで記録再生装置２０４への接続がコネクタ３．２０
２によりなされ不図示のスイッチにより読出し動作を開
始する。Here, the connection to the recording/playback device 204 is via connector 3.20.
2, and a read operation is started by a switch (not shown).
これにより上記の状態で保持されたフィルムの画像は、
長時間の保存により、第４図（ｄ）に示す全面露光がな
（とも、感光層の暗減衰により第４図（ｄ）に示す潜像
の状態になっていることもありうるが、本実施例では、
画像読出しの為の電子ビーム走査に先立って読出す画像
面をＬＥＤ２１０，２１１一定時間全面露光し、より良
好な表面電位パターン（第４図（ｄ））としての静電潜
像にする。As a result, the film image maintained in the above state is
Due to long-term storage, the entire surface exposure shown in Fig. 4(d) may not be achieved (although it is possible that the latent image shown in Fig. 4(d) may be formed due to dark decay of the photosensitive layer). In the example,
Prior to electron beam scanning for image reading, the image surface to be read out is entirely exposed to light from LEDs 210 and 211 for a certain period of time to form an electrostatic latent image as a better surface potential pattern (FIG. 4(d)).
次に電子ビーム走査をなすことにより、前述の二次電子
あるいは戻りビームの検知により、時系列的に画像が前
記外部メモリを内蔵した記録再生装置に送られ電気信号
として出力あるいは再保存される。 したがって画像を
ＣＲＴで確認したり、またはプリンタで出力することが
可能となる。Next, by performing electron beam scanning and detecting the aforementioned secondary electrons or return beams, the images are sent in time series to the recording/reproducing device incorporating the external memory, and are output or re-stored as electrical signals. Therefore, it is possible to check the image on a CRT or output it on a printer.
なお読み出し時において、画像蓄積体から放出される二
次電子あるいは戻りビームを検知して画像を読み出す場
合、前記で示した像形成方法において、光導電層はＰ型
あるいは両極性のものを用いても良く、また第４図（ａ
）における表面全面帯電を負帯電としても良い。Note that when reading out images by detecting secondary electrons or return beams emitted from the image storage body, in the image forming method shown above, the photoconductive layer is of P type or bipolar. Also, Figure 4 (a
) may be negative charging.
第８図は記録再生装置２０４の構成例を示す図で、４０
０はＡＣコード、４０１はＡＣ／ＤＣコンバータ、４０
２は電源回路、４０３は集束、偏向回路４０４は同期信
号発生回路、４０５はプロセス処理回路、４０６は変調
回路、４０７は記録再生切換スイッチ、４０８は記録再
生ヘッド、４０９はディスクモーター、４１０は復調回
路、４１１はエンコーダー、４１２は出力端子、４１３
はディスク状記録媒体である。FIG. 8 is a diagram showing an example of the configuration of the recording/reproducing device 204.
0 is AC code, 401 is AC/DC converter, 40
2 is a power supply circuit, 403 is a focusing/deflection circuit, 404 is a synchronizing signal generation circuit, 405 is a process processing circuit, 406 is a modulation circuit, 407 is a recording/reproduction changeover switch, 408 is a recording/reproduction head, 409 is a disk motor, and 410 is a demodulation circuit. circuit, 411 is an encoder, 412 is an output terminal, 413
is a disk-shaped recording medium.
コード４００より供給されるＡＣ電源はＡＣ／ＤＣコン
バータで直流に変換された後頁に電源回路４０２で適当
な電圧に変換されて各回路に供給される。The AC power supplied from the cord 400 is converted to direct current by an AC/DC converter, and then converted to an appropriate voltage by a power supply circuit 402 and supplied to each circuit.
又、ケーブル２０３を介してコネクタ２０２にも電源を
導いている。集束偏向回路４０３は同期信号発生装置４
０４からの水平、垂直同期信号に基づきビーム偏向用の
制波を形成し、これをやはりケーブル２０３を介してコ
ネクタ２０２に導く。Power is also led to the connector 202 via the cable 203. The focusing deflection circuit 403 is the synchronizing signal generator 4
Based on the horizontal and vertical synchronization signals from 04, wave control for beam deflection is formed, and this is also guided to connector 202 via cable 203.
コネクタ２０２よりケーブルを介して得られた画像信号
はプロセス処理回路４０５でα補正、アパーチャ補正、
黒レベルクランプ、ホワイトクリップ等の各種補正を加
えたのち変調回路４０６において記録に適した変調を加
えスイッチ４０７、ヘッド４０８を介して媒体４１３に
１トラツクに１フイ一ルド分記録される。再生時はヘッ
ド４０８から読み出された信号は復調回路で再び元の信
号に戻された後、エンコーダで標準テレビジョン信号（
例えばＮＴＳＣ信号）に変換した後出力端子４１２に導
かれる。The image signal obtained from the connector 202 via the cable is subjected to α correction, aperture correction,
After various corrections such as black level clamp and white clip are applied, modulation suitable for recording is applied in a modulation circuit 406, and one field per track is recorded on a medium 413 via a switch 407 and a head 408. During playback, the signal read out from the head 408 is returned to the original signal in the demodulation circuit, and then converted into a standard television signal (
After converting the signal into, for example, an NTSC signal, it is led to an output terminal 412.
従ってこのＮＴＳＣ出力端子４１２にＴＶ受像機を接続
することにより画像を１フイールドずつモニターできる
。Therefore, by connecting a TV receiver to this NTSC output terminal 412, the image can be monitored field by field.
勿論ディスク状媒体に２フイール、ドずつ記録しておけ
ばこれをフレーム画像として読み出しモニターすること
もできる。Of course, if two fields are recorded on a disc-shaped medium, these can be read out and monitored as frame images.
尚、ここでエンコーダーはＰＡＬやＳＥＣＡＭ方式に対
応したものであっても良いことは言うまでもない。It goes without saying that the encoder may be compatible with PAL or SECAM.
第９図、第１Ｏ図は、本発明の実施例の構成変形例であ
り、画像記録のための像露光面と電子ビーム走査面を画
像記録体４の同一側の面としたものである。図示する構
成は画像蓄積体４が潜像パターンを記憶出来、かつ容器
１０２内に複数画像分の蓄積部を有していることと相俟
って大きな効果を出すものである。9 and 1O show structural variations of the embodiment of the present invention, in which the image exposure surface for image recording and the electron beam scanning surface are on the same side of the image recording body 4. The configuration shown in the figure has a great effect in combination with the fact that the image storage body 4 can store a latent image pattern, and the container 102 has a storage section for a plurality of images.
第９図は、前記第５図に示した画像記録方法を適用した
もので、画像記録のための像露光面を前記の電子ビーム
走査面と同一としたために第３図における基体５６、導
電層５１を透明にする必要がなく、たとえば基体５６お
よび導電層５Ｉを合わせて金属薄体等の導電基体で形成
することが出来るので摩擦帯電を防止できる。又、走査
読み取り部を横に持ってこれるのでカメラの光軸方向の
構成をコンパクトにすることができる。尚この場合前記
像露光時にフレアや干渉が越えられない様に導電基体上
にブラストや反射防止膜蒸着等の処理を施すことが望ま
しい。又、図においてアースをとる為のプラン、ローラ
ー５９′、５７′はどちらか一方でも良い。FIG. 9 shows an example in which the image recording method shown in FIG. 51 is not required to be transparent, for example, the base body 56 and the conductive layer 5I can be formed together from a conductive base material such as a thin metal body, so that frictional electrification can be prevented. Furthermore, since the scanning/reading section can be moved to the side, the configuration of the camera in the optical axis direction can be made compact. In this case, it is desirable to perform a treatment such as blasting or deposition of an antireflection film on the conductive substrate so that flare and interference are not exceeded during the image exposure. Also, in the figure, either one of the plans and rollers 59' and 57' for grounding may be used.
第１０図は、第９図に示した構成の更なる変形例であり
、記録部の説明は省略する。この実施例の場合にはカメ
ラの撮影光軸方向の厚みは減らないが、上述のような蓄
積体の構造を簡単化することがでる。FIG. 10 shows a further modification of the configuration shown in FIG. 9, and the explanation of the recording section will be omitted. In the case of this embodiment, although the thickness of the camera in the photographing optical axis direction is not reduced, the structure of the storage body as described above can be simplified.
第９図（ｂ）は前記した様な電子ビーム走査による潜像
に応じた２次電子を検出する例として挙げ、２次電子を
検出するコレクタＣＥＤをメツシュ電極の代わりに設け
た例を示した。FIG. 9(b) is an example of detecting secondary electrons according to a latent image by electron beam scanning as described above, and shows an example in which a collector CED for detecting secondary electrons is provided in place of a mesh electrode. .
また記録部においては画像蓄積体に電圧を印加するため
に透明電極６００および接地電極５７′の一構成例を示
した。尚、７００は交換レンズである。In addition, in the recording section, an example of the configuration of a transparent electrode 600 and a ground electrode 57' for applying voltage to the image storage body is shown. Note that 700 is an interchangeable lens.
第１１図はフィルムローディング手段の他の実施例を示
す。第１１図例では第２図に示したローディング手段に
おけるマグネット５０１，５０２と駆動コイル５０３，
５０４の取りつけ位置を逆にしたもので、真空容器１０
２内に駆動コイル６０１を容器１０２外の支持フレーム
６０５にマグネット６０２を設けたものである。駆動コ
イル６０１は第１１図に示す通電ブラシ６０３により電
流が供給される。第２図及び第１１図に示す構成は通常
のＤＣモータ構成と同様であり、公知の方法で駆動する
ことが出来る。FIG. 11 shows another embodiment of the film loading means. In the example shown in FIG. 11, the magnets 501 and 502 and the drive coil 503 in the loading means shown in FIG.
The mounting position of 504 is reversed, and the vacuum container 10
A drive coil 601 is provided inside the container 2, and a magnet 602 is provided on a support frame 605 outside the container 102. A current is supplied to the drive coil 601 by an energizing brush 603 shown in FIG. The configurations shown in FIGS. 2 and 11 are similar to normal DC motor configurations and can be driven by known methods.
ここで第１１図実施例に対して更に以下の様にすること
で本発明画像記録システムに改良を与えることができる
。すなわち前記マグネット６０２を画像読取り時には、
容器１０２より離間しうる構成にするものである。この
様にすることで読取り時に走査する電子ビームにマグネ
ット６０２が磁気的に悪影響を与えない様にすることが
できる。Here, the image recording system of the present invention can be further improved by doing the following with respect to the embodiment shown in FIG. That is, when reading the image of the magnet 602,
The structure is such that it can be separated from the container 102. By doing so, it is possible to prevent the magnet 602 from having a negative magnetic influence on the electron beam scanned during reading.
第１２図に上記マグネット６０２を離間させるための手
段の一例を示す。第１２図例では、マグネット６０２を
取りつけた支持フレーム６０５をコネクタ３の蓋２０１
′と兼ねた構成にしたものである。画像担持体４への画
像記録終了後、読出し時においてコネクタ３に外部から
のコネクタ２０２を接地する為に前記蓋２０１′を開け
るがこのとき、第１２図に矢示するように支持フレーム
６０５全体を装置外装に対して下にスライドすることに
より、前記マグネット６０２も同時に容器１０２より離
間する様にするものである。FIG. 12 shows an example of means for separating the magnets 602. In the example in FIG. 12, the support frame 605 with the magnet 602 attached is attached to the lid 201 of the connector
′. After the image recording on the image carrier 4 is completed, the lid 201' is opened to ground the external connector 202 to the connector 3 at the time of reading. By sliding the magnet 602 downward relative to the exterior of the device, the magnet 602 is also separated from the container 102 at the same time.
又、支持フレーム６０５はマグネットの離間時紛失しな
いように例えば紐などで本体につないでおくことが望ま
しい。Further, it is desirable that the support frame 605 be connected to the main body with, for example, a string so that it will not be lost when the magnet is separated.
第２０図はフィルム巻き取りを手動にした１例を示す。FIG. 20 shows an example of manual film winding.
図示例においては巻き上げレバー７００によりマグネッ
ト７０１を回転させ、これにともない画像蓄積体４の巻
き取り軸７０２に固定したマグネット７０２を回転させ
る様にしたものである。In the illustrated example, a magnet 701 is rotated by a winding lever 700, and a magnet 702 fixed to a winding shaft 702 of the image storage body 4 is accordingly rotated.
本例の様に手動巻上げレバー７００を設けたことにより
第１１第２図の例で示した記録部の動作のうち、たとえ
ば前述ハーフスイッチング状態における動作を手動巻き
上げレバーに連動させて行えば良く、シャッタスイッチ
と分離することで誤動作等を少なくすることも出来る。By providing the manual winding lever 700 as in this example, among the operations of the recording section shown in the example of FIG. 11 and FIG. By separating it from the shutter switch, malfunctions can be reduced.
尚、実施例では磁気シールド板７０４をマグネット７０
１．７０３と少なくともビーム走査部２１の間に設けて
いるのでビーム走査に障害を与えることがない。勿論容
器１０２外に設けても良い。In the embodiment, the magnetic shield plate 704 is replaced by the magnet 70.
1.703 and at least the beam scanning section 21, it does not interfere with beam scanning. Of course, it may be provided outside the container 102.
第２０図においては読取り時においては巻き上げレバー
全体を上に引き上げる様にすることでマグネット７０１
を前記と同様、容器１０２より離間することが出来る。In FIG. 20, when reading, the entire winding lever is pulled up, so that the magnet 701
can be separated from the container 102 as described above.
このように本発明の実施例では記録部と読取り部とは互
いにそれぞれの状態を変化させることな（独立に駆動可
能とした点に最大の特徴を有している。As described above, the greatest feature of the embodiments of the present invention is that the recording section and the reading section can be driven independently without changing their respective states.
すなわち、記録部において記録された蓄積体をカメラ１
００から取り出して読取り部の容器１０２内に何らかの
方法で封入し真空状態としてから読み出すような方法で
はカメラとしての記録再生が極めて複雑化し商品として
成り立ちにくいが、本発明によれば記録部における記録
動作と読み出し部における読み出し動作とを夫々独立さ
せ、かつ、夫々の動作を夫々記録部、読み出し部の状態
を変えることなくそのまま（第１図示実施例のように初
めから容器内に入っているものも含む）蓄積体の記録情
報を読み出せるようにしたので記録と読み出しを夫々即
時にできる。That is, the storage body recorded in the recording unit is stored in the camera 1.
However, according to the present invention, recording and reproducing as a camera would be extremely complicated and would be difficult to commercialize if the camera were to be taken out of the camera and read out after being sealed in the container 102 of the reading section by some method and placed in the container 102 of the reading section.However, according to the present invention, the recording operation in the recording section and the readout operation in the readout section are made independent, and each operation is performed as is without changing the state of the recording section and the readout section, respectively (even for items that are already in the container as in the first embodiment shown). Since the recorded information of the storage body (including the storage unit) can be read out, recording and reading can be done instantly.
次に本発明に用い得る画像蓄積体と画像記録方法の他の
例について詳述する。Next, other examples of image storage bodies and image recording methods that can be used in the present invention will be described in detail.
第１３図は本発明に用いる画像蓄積体４の縦断面図であ
って、全体はフィルム形状をなしており、５６の透明な
基体フィルム上に透明導電層５１、Ｎ型光導電体層５２
、透明絶縁層５３、Ｐ型光導電体層５４、半導電層５５
を積層したものである。以下各層について述べると、基
体５６は十分な屈曲性と透光性があり、かつフィルムロ
ーディング時の張力によって切断することない材質から
なる。たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド等の高分子フィルムが好ましい。また、上記特性を満
足させる為フィルムの厚みはポリエチレンテレフタレー
トの場合１０〜５０μｍが望ましく、ポリイミドフィル
ムでは５〜５０μｍが望ましい。透明導電層５１は酸化
スズあるいは酸化インジウム又はこれに若干の酸化スズ
を含むものが用いられる。この層は公知のスパッタ等の
方法により成膜されたものであり、透光性及び十分な導
電性が得られる厚みで数１０〜数１１００ｎが望ましい
。FIG. 13 is a longitudinal cross-sectional view of the image storage body 4 used in the present invention, which has a film shape as a whole, with a transparent conductive layer 51 and an N-type photoconductor layer 52 on a transparent base film 56.
, transparent insulating layer 53, P-type photoconductor layer 54, semiconducting layer 55
It is a layered structure. Describing each layer below, the base 56 is made of a material that has sufficient flexibility and translucency, and will not be cut by tension during film loading. For example, polymer films such as polyethylene terephthalate and polyimide are preferred. Further, in order to satisfy the above characteristics, the thickness of the film is preferably 10 to 50 μm in the case of polyethylene terephthalate, and 5 to 50 μm in the case of polyimide film. The transparent conductive layer 51 is made of tin oxide, indium oxide, or a material containing a small amount of tin oxide. This layer is formed by a known method such as sputtering, and preferably has a thickness of several 10 to several 1100 nanometers to provide light transmission and sufficient conductivity.
Ｎ型光導電体層５２は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＯ等の
Ｎタイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタによって形
成したものであって光の受容により十分な電子・正孔ペ
アを発生し、かつ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡
散が無視できる厚さに成膜されている。例えば１１００
ｎ〜数μｍの範囲が望ましい。次に絶縁層５３は５ｉｎ
２．ＭｇＯ等の高絶縁性の薄膜で、スパッタ等の方法に
より成膜される。膜の厚みは十分な絶縁性を持たせる為
に、数μｍ〜数１００μｍが望ましい。次に、Ｐ型光導
電体層５４は無定形Ｓｅ、同５ｅＴｅ無定形Ｓｉ等のＮ
タイプの光導電体を蒸着あるいはスパッタによって形成
したものであり、成膜条件等はＮ型光導電体５２のそれ
に準じる。The N-type photoconductor layer 52 is formed by vapor deposition or sputtering of an N-type photoconductor such as CdS, CdSe, or ZnO. The film is formed to a thickness that ensures insulation properties and allows negligible internal diffusion of light. For example 1100
A range of n to several μm is desirable. Next, the insulating layer 53 has a thickness of 5 inches.
2. It is a highly insulating thin film such as MgO, and is formed by a method such as sputtering. The thickness of the film is desirably several μm to several 100 μm in order to provide sufficient insulation. Next, the P-type photoconductor layer 54 is made of N such as amorphous Se, 5eTe, amorphous Si, etc.
The N-type photoconductor is formed by vapor deposition or sputtering, and the film-forming conditions are similar to those of the N-type photoconductor 52.
次に、半導電性膜５５は、ガラス等の膜あるいは、ＫＣ
Ｉ （塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が
膜厚方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜
の厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良（
。たとえば１０００本／ｍｍの解像度の画像であれば膜
厚を数１００ ｐｍ〜数１０ｎｍにすることが望ましい
。Next, the semiconductive film 55 is a film made of glass or the like, or a film made of KC.
A porous film such as I (potassium chloride) with a higher resistance in the film surface direction than in the film thickness direction and exhibits sufficient insulation, and a film whose thickness is sufficiently thin compared to the resolution width of the recorded image is good. (
. For example, for an image with a resolution of 1000 lines/mm, it is desirable that the film thickness be from several 100 pm to several 10 nm.
次に上記画像蓄積体への光記録について第１４図（ａ）
〜（ｃ）を用いて述べる。Next, FIG. 14(a) shows optical recording on the image storage body.
This will be explained using ~(c).
暗所において透明導電層５１をアース又は負として半導
電層５５に導電性ブラシ又はロール２５７を用いて正電
荷を第１４図（ａ）のように付与する。この付与された
正電荷はただちに半導電層５５を通して注入され第１４
図（ｂ）の様になる。次に第１図示装置の露出部材ＥＭ
による所定量の画像露光が行なわれ、光りの当った部分
は光導電層５２． ５４の抵抗が下がり透明導電層５１
から負電荷が光導電層５２へ注入され、さらに正電荷が
光導電層５４へ注入されて、第１４図（ｃ）の状態とな
る。次に露出部材ＥＭにより遮光をし、更に透明導電層
５１をアースに落とし、′これと短絡された導電性ブラ
シ又はロール２５９にて半導電層５５を通して暗部の半
導電層５５の正電荷と透明導電層５１の負電荷を消去す
ると共に、明部の表面電荷がＯになる様に第１４図（ｂ
）の如く正負電荷を半導電層５５と透明導電層５１へ注
入する。次に透明導電層５１をアースとしておき、画像
蓄積体４をＬＥＤ２１０，２１１で全面露光すると、光
導電層５２．５４の電気抵抗が下がり、この層の両端の
正負電荷が消去され、絶縁層５３をはさむ電荷のみが第
１４図（ｂ）の如く残ることとなり、表面を正電位とす
る記録が行われる。In a dark place, the transparent conductive layer 51 is grounded or negative, and a positive charge is applied to the semiconductive layer 55 using a conductive brush or roll 257 as shown in FIG. 14(a). This applied positive charge is immediately injected through the semiconducting layer 55 and
It will look like figure (b). Next, the exposed member EM of the first illustrated device
A predetermined amount of image exposure is performed by the photoconductive layer 52 . The resistance of 54 decreases and the transparent conductive layer 51
Then, negative charges are injected into the photoconductive layer 52, and positive charges are further injected into the photoconductive layer 54, resulting in the state shown in FIG. 14(c). Next, the exposed member EM is used to block light, and the transparent conductive layer 51 is grounded, and the semiconductive layer 55 is passed through the semiconductive layer 55 using a conductive brush or roll 259 short-circuited with the transparent conductive layer 51 to connect the positive charge of the semiconductive layer 55 in the dark area to the transparent conductive layer 51. Figure 14 (b
), positive and negative charges are injected into the semiconductive layer 55 and the transparent conductive layer 51. Next, when the transparent conductive layer 51 is grounded and the entire image storage body 4 is exposed to light using the LEDs 210 and 211, the electrical resistance of the photoconductive layer 52 and 54 decreases, the positive and negative charges at both ends of this layer are erased, and the insulating layer 53 Only the charges sandwiching the surface remain as shown in FIG. 14(b), and recording is performed with the surface at a positive potential.
この記録方法によれば蓄積された電荷像が、第１４図（
ｅ）に示される様に、画像蓄積体内部に保持されるため
暗所で放置する限り、その保存性が向上される。According to this recording method, the accumulated charge image is shown in FIG.
As shown in e), since it is held inside the image storage, its storage stability is improved as long as it is left in a dark place.
次に第１５図を用いて第１３図にて説明した画像蓄積体
４の変形例と記録方法について説明を加える。Next, using FIG. 15, a modification of the image storage body 4 and a recording method described in FIG. 13 will be explained.
第１５図に示す画像蓄積体４は第１３図示の画像蓄積体
４のうち、半導電層５５の代りにＰ型光導電体層５４に
接する面を導電層とした電極プレート５９に置き変えた
ものであり、他の構成は画像蓄積体３２と同じものであ
る。電極プレート５９はガラス等の基板に酸化スズ、酸
化インジウム、あるいはこれらの混合体をスパッタ等に
より成膜した導電層を持つものである。The image storage body 4 shown in FIG. 15 differs from the image storage body 4 shown in FIG. The other configurations are the same as the image storage body 32. The electrode plate 59 has a conductive layer formed of tin oxide, indium oxide, or a mixture thereof by sputtering or the like on a substrate such as glass.
この場合の記録法について第１５図（ａ）〜（ｄ）を用
いて説明する。The recording method in this case will be explained using FIGS. 15(a) to 15(d).
透明導電層５１の負、電極プレート５９を正としてパル
ス状の電圧を印加し同時に露出部材ＥＭによる画像露光
を行なうと、第１５図（ａ）のように、光りの当った部
分は光導電体５２．５４の抵抗が下がり、透明導電層５
１から負電荷が光導電層５２へ注入され、さらに正電荷
が光導電層５４へ注入される。次いで露出部材ＥＭによ
る露光を停止してからパルス電圧を除去すると第１５図
（ｂ）に示すように画像蓄積体４の外部への電位がＯに
なるように露光部に当る各導電層の各々逆電荷が注入さ
れる。When a pulsed voltage is applied with the transparent conductive layer 51 set to the negative side and the electrode plate 59 set to the positive side, and at the same time image exposure is performed by the exposed member EM, the exposed portion becomes a photoconductor as shown in FIG. 15(a). The resistance of 52.54 decreases, and the transparent conductive layer 5
1, negative charges are injected into the photoconductive layer 52, and positive charges are further injected into the photoconductive layer 54. Next, when the exposure by the exposed member EM is stopped and the pulse voltage is removed, each of the conductive layers in contact with the exposed portion is turned so that the potential to the outside of the image storage body 4 becomes O as shown in FIG. 15(b). A reverse charge is injected.
次にこの画像蓄積体４に接触している電極プレー１〜５
９を該蓄積体４から剥離され第１５図（ｃ）のような状
態になる。この状態でも十分画像蓄積体として保存が可
能であるが、さらに該蓄積体４をＬ Ｅ Ｄ ２１０
。Next, electrode plates 1 to 5 in contact with this image storage body 4
9 is peeled off from the storage body 4, resulting in a state as shown in FIG. 15(c). Even in this state, it is possible to sufficiently store the image storage body 4 as an image storage body.
.
２１１で全面露光し第１５図（ｄ）のように絶縁層の両
端にのみ電荷を保持する状態にして保存することも可能
である。It is also possible to expose the entire surface to light at step 211 and store the insulating layer in a state where charges are held only at both ends as shown in FIG. 15(d).
この記録方法によれば帯電及び除電時にプラン、ロール
等を用いる為フィルムのローディング時のムダな動きが
なく、機械的構成がシンプルになるという効果が得られ
る。According to this recording method, since a plan, a roll, etc. are used during charging and discharging, there is no unnecessary movement during loading of the film, and the mechanical structure is simplified.
前述実施例では外部から電荷を付与するタイプについて
述べたが内部発生電荷を記録に用いるタイプについて以
下に詳述を加える。In the above embodiments, a type in which charges are applied externally has been described, but a type in which internally generated charges are used for recording will be described in detail below.
第１６図は電荷発生層として圧電材料を用いた画像蓄積
体４である。記録体の層構成は、透明基体フィルム６７
上にこれも透明な導電、層６１、次に透明絶縁膜６２、
Ｐ型光導電体６３、圧電体層６８、Ｎ型光導電体６４、
透明絶縁膜６５、半導電層６６の各層を積層したもので
ある。透明基体フィルム６７は前述の基体フィルム５６
と同じものであって、十分な透光性と強度・屈曲性を有
しており、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等
の高分子フィルム等が好ましい。透明導電層６１は厚さ
数１０〜数１１００ｎの酸化インジウム、あるいはこれ
に若干の酸化スズが含まれた層であり、十分な透光性を
有する。次に透明絶縁膜６２．６５は５ｉ０２、ＭｇＯ
等の高抵抗物質を蒸着あるいは、スパッタリング等によ
り薄層に形成したものである。この絶縁膜の厚みは十分
な透光性と絶縁性が保持される範囲から適宜調整される
。望ましくは数１００〜数１０００人である。FIG. 16 shows an image storage body 4 using a piezoelectric material as a charge generation layer. The layer structure of the recording medium is a transparent base film 67.
On top is also a transparent conductive layer 61, then a transparent insulating film 62,
P-type photoconductor 63, piezoelectric layer 68, N-type photoconductor 64,
A transparent insulating film 65 and a semiconducting layer 66 are laminated. The transparent base film 67 is the base film 56 described above.
Polymer films such as polyethylene terephthalate and polyimide are preferred because they have sufficient light transmittance, strength, and flexibility. The transparent conductive layer 61 is made of indium oxide or a layer containing a small amount of tin oxide and has a thickness of several 10 to several 1100 nanometers, and has sufficient light transmittance. Next, the transparent insulating film 62.65 is 5i02, MgO
A thin layer is formed by vapor deposition or sputtering of a high resistance material such as. The thickness of this insulating film is appropriately adjusted within a range that maintains sufficient light transmittance and insulation. Desirably, the number is several hundred to several thousand.
次に、半導電性膜６６は、ガラス等の膜、あるいはＫＣ
Ｉ！（塩化カリウム）等の多孔質膜で膜面方向の抵抗が
膜厚方向よりも高く十分な絶縁性を示すものであり、膜
の厚さが記録画像の解像度幅に比べ十分薄いものが良（
、たとえば１．０００本／ｍｍの解像度の画像であれば
膜厚を数１００ ｐｍ〜数１０ｎｍにすることが望まし
い。Next, the semiconductive film 66 is a film made of glass or the like or KC.
I! A porous film made of (potassium chloride), etc., whose resistance in the film surface direction is higher than that in the film thickness direction and exhibits sufficient insulation, and the film thickness is sufficiently thin compared to the resolution width of the recorded image (
For example, for an image with a resolution of 1,000 lines/mm, it is desirable that the film thickness be several hundred pm to several tens of nanometers.
次に圧電体層６８はＰｂ （Ｚｒ、 Ｔｉ） ０３セラ
ミツクスあるいはＢａＴｉＯ３セラミックスの薄層であ
り、それぞれ１０μｍ以下の厚みであれば十分な透光性
を有する。又、十分な圧電性を保障する為５０００Å以
上の厚みがあれば良い。又、この圧電体層は成膜後電荷
発生方向を考慮して十分ポーリングされている。Ｐ型光
導電層６３は無定形５ｅＴｅ合金、あるいは無定形Ｓｉ
等からなるポジタイプの光導電体でＮ型光導電層６４は
、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｚｎ○等からなるネガタイプの光
導電体で、ともに蒸着法によって成膜される。また、膜
厚は十分な透光性と光電子が発生する厚さであれば良く
、望ましくは１０００人〜数μｍの範囲で適宜調整され
ている。次に記録方法について以下に詳述する。簡単の
ため基体フィルム６７を除いたもので第１７図（ａ）〜
（ｄ）を用いて説明する。まず第１７図（ａ）に示すよ
うに矢印Ａの方向に記録体４全体に張力Ｆを加えるか、
又は記録体４の積層方向に圧力Ｆを加える。この時、加
えられる力Ｆによって圧電体層６８にあらかじめポーリ
ングしておいた方向に正負の電荷が図のように発生する
。次に、暗所において透明導電層６１をアース又は負と
し、半導電層６６は導電性ブラシ又はロール５７を用い
て導電層６１が負、半導電層６６が正になるようにバイ
アス電圧をかけた後に像露光５８を行う。この時、圧電
体層６８の両端の正負電荷は光の当った部分の光導電体
の抵抗が下がり、バイアス電圧により同図（ｂ）に示す
ごとく、各々の光導電体層と絶縁層の界面迄移動する。Next, the piezoelectric layer 68 is a thin layer of Pb (Zr, Ti) 03 ceramics or BaTiO3 ceramics, each having sufficient light transmittance if the thickness is 10 μm or less. Further, in order to ensure sufficient piezoelectricity, it is sufficient that the thickness is 5000 Å or more. Further, this piezoelectric layer is sufficiently poled in consideration of the direction of charge generation after film formation. The P-type photoconductive layer 63 is made of amorphous 5eTe alloy or amorphous Si.
The N-type photoconductive layer 64 is a positive type photoconductor made of CdS, CdSe, Zn◯, etc., and is formed by a vapor deposition method. Further, the film thickness may be any thickness that provides sufficient light transmission and photoelectron generation, and is desirably adjusted appropriately within the range of 1000 to several μm. Next, the recording method will be explained in detail below. For simplicity, the base film 67 is removed from Fig. 17(a) -
This will be explained using (d). First, as shown in FIG. 17(a), apply tension F to the entire recording body 4 in the direction of arrow A, or
Alternatively, pressure F is applied in the stacking direction of the recording bodies 4. At this time, due to the force F applied, positive and negative charges are generated in the piezoelectric layer 68 in the direction previously poled as shown in the figure. Next, in a dark place, the transparent conductive layer 61 is grounded or negative, and a bias voltage is applied to the semiconductive layer 66 using a conductive brush or roll 57 so that the conductive layer 61 is negative and the semiconductive layer 66 is positive. After that, image exposure 58 is performed. At this time, the positive and negative charges at both ends of the piezoelectric layer 68 reduce the resistance of the photoconductor in the area exposed to light, and the bias voltage causes the interface between each photoconductor layer and the insulating layer to decrease as shown in FIG. Move until.
次にこの記録体にかかっている圧力を除去すると非露光
部の圧電体層にのこっている電荷がなくなり露光部には
逆電荷が発生し同図（Ｃ）に示す状態となる。次の導電
層６１と６６を半導電層側は導電ブラシ又はロール５７
′ を用いて短絡してアースに落とすことで前述の光
が当った部分のみ電荷が保持され記録材上に同図（ｄ）
に示す静電像が保存されしかも表面電位はゼロボルトと
することができる。Next, when the pressure applied to the recording medium is removed, the electric charge remaining on the piezoelectric layer in the non-exposed area disappears, and a reverse electric charge is generated in the exposed area, resulting in the state shown in FIG. 3(C). The next conductive layers 61 and 66 are connected to a conductive brush or roll 57 on the semiconductive layer side.
By short-circuiting and dropping it to the ground using ′, the electric charge is retained only in the area that was hit by the light mentioned above, and the electric charge is retained on the recording material as shown in the same figure (d).
The electrostatic image shown in Figure 2 can be stored and the surface potential can be zero volts.
七ノＨのように内部発生ＭＣｒにより言ＰＨを行なう為
蓄積体の膜厚全体に記録電位がかかることになり、他の
タイプに比べ表面電位が高くとれる。更に感光体が電極
と触れない為に接触抵抗等による問題を防ぐこともでき
る。Since the PH is performed using internally generated MCr like the 7-H, the recording potential is applied to the entire thickness of the storage body, and the surface potential can be higher than that of other types. Furthermore, since the photoreceptor does not come into contact with the electrode, problems caused by contact resistance can also be prevented.
次に、他の実施例として画像蓄積体が圧電体よりなる場
合の他の例について詳述する。ＣｄＳ、ＣｄＳｅ。Next, another example in which the image storage body is made of a piezoelectric material will be described in detail. CdS, CdSe.
ＺｎＯ，ＺｎＴｅ等の光導電体は通常バインダーと混合
して、光導電体として用いることが多いが、スパッタ等
の方法により結晶性を高めて成膜し、ポーリングを行う
か又は結晶性が悪い場合でも強電界により強くポーリン
グさせてお（ことにより圧電性光半導体として用いるこ
とが可能となる。第１８図にこの圧電性光導電体を用い
た画像蓄積体４の縦断面図を示す。画像蓄積体４の構成
は、透明基体フィルム７５上に透明導電層７４、Ｎ型の
圧電性光導電層７３、絶縁層７２、半導電層７１を積層
したものである。以下各層について述べると、基体７３
は十分な屈曲性と透光性があり、かつフィルムローディ
ング時の張力によって切断することない材質からなる。Photoconductors such as ZnO and ZnTe are usually mixed with a binder and used as a photoconductor, but if the crystallinity is increased by a method such as sputtering, then poling is performed, or if the crystallinity is poor. However, by strongly poling it with a strong electric field (thereby, it becomes possible to use it as a piezoelectric photoconductor. Fig. 18 shows a vertical cross-sectional view of an image storage body 4 using this piezoelectric photoconductor. Image storage The structure of the body 4 is such that a transparent conductive layer 74, an N-type piezoelectric photoconductive layer 73, an insulating layer 72, and a semiconductive layer 71 are laminated on a transparent base film 75.
is made of a material that has sufficient flexibility and translucency, and will not break due to tension during film loading.
たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の
高分子フィルムが好ましい。また、上記特性を満足させ
るためフィルムの厚みはポリエチレンテレフタレートの
場合１０〜５０μｍが望ましく、ポリイミドフィルムで
は５〜５０μｍが望ましい。透明導電層７４は酸化スズ
あるいは酸化インジウムまたはこれに若干の酸化スズを
含むものが用いられる。この層は公知のスパッタ等の方
法により成膜されたものであり、透光性および十分な導
電性が得られる厚みで数１０〜数１１００ｎが望ましい
。For example, polymer films such as polyethylene terephthalate and polyimide are preferred. Further, in order to satisfy the above characteristics, the thickness of the film is preferably 10 to 50 μm in the case of polyethylene terephthalate, and 5 to 50 μm in the case of polyimide film. The transparent conductive layer 74 is made of tin oxide, indium oxide, or a material containing a small amount of tin oxide. This layer is formed by a known method such as sputtering, and preferably has a thickness of several 10 to several 1100 nanometers to provide light transmission and sufficient conductivity.
圧電性Ｎ型光導電体層７３は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ。The piezoelectric N-type photoconductor layer 73 is made of CdS or CdSe.
ＺｎＯ等のＮタイプの光導電体をスパッタ等の例えばｕ
ＳＰ４． ３６３． ７１１に示される公知の方法によ
って形成したものであって、Ｍ Ｈｚオーダーの周波数
の外場中で上記ＣｄＳ等の単分子層をＲＦスパッタによ
って積層したものである。さらにこの成膜した感光層は
成膜後強い直流電場中において所望する向きに第１圧電
性を示す様にポーリングされる。An N-type photoconductor such as ZnO is sputtered, e.g.
SP4. 363. 711, in which monomolecular layers of the above-mentioned CdS or the like are laminated by RF sputtering in an external field with a frequency on the order of MHz. Furthermore, after the film formation, the photosensitive layer is poled in a strong DC electric field so as to exhibit the first piezoelectricity in a desired direction.
また光の受容により十分な電子・正孔ペアを発生し、か
つ暗部の絶縁性が確保され、光の内部拡散を無視できる
程度の厚さに成膜されている。例えば１００〜数μｍの
範囲が望ましい。次に絶縁層７２は、５ｉ０２．ＭｇＯ
等の高絶縁性の薄膜で、スパッタ等の方法により成膜さ
れる。膜の厚みは十分な絶縁性を有する為に、数μｍ〜
数１０μｍが望ましい。次に、半導電性膜７１は、ガラ
ス等の膜あるいは、Ｋ（１（塩化カリウム）等の多孔質
膜で膜面方向の抵抗が膜厚方向よりも高く十分な絶縁性
を示すものであり、膜の厚さが記録画像の解像度幅に比
べ十分薄いものが良（、例えば１０００本／ ｍ ｍの
解像度の画像であれば膜厚を数１１００ｐ〜数１０ｎｍ
にすることが望ましい。Furthermore, the film is formed to a thickness that generates sufficient electron-hole pairs upon reception of light, ensures insulation in dark areas, and allows negligible internal diffusion of light. For example, a range of 100 to several μm is desirable. Next, the insulating layer 72 is 5i02. MgO
It is a highly insulating thin film such as, and is formed by a method such as sputtering. The thickness of the film is several μm to have sufficient insulation properties.
A thickness of several tens of micrometers is desirable. Next, the semiconductive film 71 is a film made of glass or the like or a porous film made of K(1 (potassium chloride) or the like), which has a higher resistance in the film surface direction than in the film thickness direction and exhibits sufficient insulation. The thickness of the film should be sufficiently thin compared to the resolution width of the recorded image (for example, for an image with a resolution of 1000 lines/mm, the film thickness should be several 1100p to several 10nm).
It is desirable to do so.
次に画像蓄積体３６への記録方法について第１９図（ａ
）〜（ｄ）を用いて述べる。記録に際しては第１９図（
ｃ）に示す、ガラス基板７７上に、酸化スズ等の導電体
を蒸着した補助電極８０が用いられる。Next, the method of recording on the image storage body 36 is shown in FIG.
) to (d). When recording, please refer to Figure 19 (
An auxiliary electrode 80 shown in c) in which a conductor such as tin oxide is deposited on a glass substrate 77 is used.
記録はまず同図（ａ）に示すように画像蓄積体４を矢印
の方向に力Ｆで引っ張りながらＬＥＤ２１０，２１１で
全面に光を与えてその後光を遮断し圧力をな（す。これ
により同図（ｂ）に示すようにあらかじめポーリングさ
れた方向に圧電性の正負電荷が発生する。次に第１９図
（ｃ）に示すように補助電極８０を半導電層７１に導電
層７６が接するように接触させ、導電層７６と７４を短
絡しアースに落とし、第】図示装置の露出部材ＥＭによ
り所定量の露出を行なう。この露光により光の当った部
分の圧電性光導電層７３の抵抗が下がり、この部分の蓄
積電荷が消去される。光の当たらなかった部分は°（ｃ
）図に示すように、該蓄積体４の表面電位がＯになるよ
うに各導電層７６、 ７４に正負電荷が注入される。そ
して導電層７６に注入された正電荷は、ただちに半導電
層７１に注入される。この状態で導電層７４をアースと
して補助電極８０を除去し、次に該蓄積体を再びＬＥＤ
２１０，２１１で全面露光すると同図（ｄ）に示す記録
保持状態となる。For recording, first, as shown in FIG. 2(a), while pulling the image storage body 4 in the direction of the arrow with a force F, light is applied to the entire surface using LEDs 210 and 211, and then the light is blocked and pressure is applied. As shown in FIG. 19(b), piezoelectric positive and negative charges are generated in the previously poled directions.Next, as shown in FIG. The conductive layers 76 and 74 are short-circuited and grounded, and a predetermined amount of exposure is performed using the exposed member EM of the illustrated device.This exposure causes the resistance of the piezoelectric photoconductive layer 73 to increase in the portion exposed to light. The accumulated charge in this part is erased.The part where the light did not hit is °(c
) As shown in the figure, positive and negative charges are injected into each of the conductive layers 76 and 74 so that the surface potential of the storage body 4 becomes O. The positive charges injected into the conductive layer 76 are immediately injected into the semiconductive layer 71. In this state, the conductive layer 74 is grounded, the auxiliary electrode 80 is removed, and then the storage body is connected to the LED again.
When the entire surface is exposed at steps 210 and 211, the recording state shown in FIG. 3(d) is obtained.
この実施例によれば感光体自体が電荷を発生させるタイ
プの為、外部帯電手段をもつ必要がなく、機構、プロセ
スと簡単化できる効果を有する。According to this embodiment, since the photoreceptor itself generates charges, there is no need for an external charging means, and the structure and process can be simplified.
尚、以上の実施例において例えば巻取り軸４１゜Ａ９６
づ〃÷いｔ’ｙｆｎ１ ζ凸りハト５佇面釉伽九古空
容器中に入れた上で、その真空容器を含む装置を構成し
ている為振動に対して弱い面を持っている。しかし本装
置の扱いが極めて丁寧に行われなければならないのであ
ればその用途は大幅に限定されてしまう。In the above embodiment, for example, the winding shaft 41°A96
zu〃÷it'yfn1 ζConvex pigeon 5 face glaze 9 It is placed in an old empty container, and the device that includes the vacuum container is constructed, so it is vulnerable to vibration. However, if this device must be handled extremely carefully, its uses will be greatly limited.
従って、第２１図（ａ）、 （ｂ）に示す様に、保持
容器１０２全体をカメラ筐体１００’ からバネ等の弾
性部材で浮かし、防露することが好ましい。しかもその
場合光学系１１が例えば第１図のカメラ筐体１００′
に固定されているとすれば、結像位置にずれを発生する
可能性が大きい。Therefore, as shown in FIGS. 21(a) and 21(b), it is preferable to suspend the entire holding container 102 from the camera housing 100' using an elastic member such as a spring to prevent condensation. Moreover, in that case, the optical system 11 is, for example, a camera housing 100' in FIG.
If it is fixed at , there is a high possibility that the image formation position will shift.
従って第２１図（ａ）に示す様に、光学系１１と、保持
容器１０２をダイカスト等の固定部材２２０１で一体に
結合保持し、この一体化された光学系及び保持容器１０
２を筐体１００’ 対し弾性体２２０２で弾性的に固定
する。この際、第２１図（ｂ）に示す株にファインダ光
学系１４も固定部材２２０１と一体に保持することも勿
論考えられる。なお第２１図（ａ）。Therefore, as shown in FIG. 21(a), the optical system 11 and the holding container 102 are coupled and held together by a fixing member 2201 such as die casting, and the integrated optical system and holding container 102 are held together.
2 is elastically fixed to the housing 100' with an elastic body 2202. At this time, it is of course possible to hold the finder optical system 14 integrally with the fixing member 2201 in the stock shown in FIG. 21(b). Note that FIG. 21(a).
（ｂ）では主要部分のみを解り易く説明するため図は簡
略化されている。In (b), the diagram is simplified in order to explain only the main parts in an easy-to-understand manner.
以下この院展方法について図面を用いて更に詳細な説明
を加える。第２１図（ａ）は上面図であり、第２１図（
ｂ）は正面図である。第１〜第２０図と同じ符番のもの
は同じ要素を示している。２２０１はダイカスト等から
成る固定部材であり、２２０２はバネなどからなる弾性
保持部材である。図示された様に、光学系と保持容器を
一体的に固定部材２２０１で固定した上で、カメラ１０
０に対し、弾性的に浮かせて固定することにより、防露
をほどこすものでる。なお、ここで誤差が小さい為ファ
インダーは必ずしも一体に固定する必要は無い。A more detailed explanation of this Inten method will be given below using drawings. FIG. 21(a) is a top view, and FIG. 21(a) is a top view.
b) is a front view. The same reference numerals as in FIGS. 1 to 20 indicate the same elements. 2201 is a fixing member made of die casting or the like, and 2202 is an elastic holding member made of a spring or the like. As shown in the figure, after the optical system and the holding container are integrally fixed with the fixing member 2201, the camera 10 is
By floating it elastically and fixing it, it provides dew protection. Note that since the error here is small, the finder does not necessarily have to be fixed in one piece.
又、２２０１の固定部材はダイカストに限定されること
なく、高硬度樹脂、金属その他、固定できるものであれ
ば何でもよい。又、２２’０２の弾性保持部材も一般的
なバネに限定されることなく、空気圧、油圧等の緩衝効
果を持つものであればどのようなものでも良い。又、本
実施例は第１．第２．第５゜第６．第７．第９．第１０
．第１２．第２０図示の構成にも適用可能であることは
言うまでもない。Furthermore, the fixing member 2201 is not limited to die casting, and may be any material that can be fixed, such as high hardness resin or metal. Further, the elastic holding member 22'02 is not limited to a general spring, but may be any material that has a cushioning effect on air pressure, oil pressure, etc. Also, this embodiment is based on the first example. Second. 5th゜6th. 7th. 9th. 10th
．． 12th. It goes without saying that the configuration shown in FIG. 20 is also applicable.
本発明においては上記の様に画像蓄積体を用い、画像記
録と画像読取りを独立しかつ状態を変えることなく行な
うことが出来るため、高密度の画像を携帯に便利な装置
により記録することが可能となり、これまでの画像記録
システムを大きく改善することができた。しかも衝撃に
強く、更に光軸のずれを起こすことがないので操作性が
極めて向上した。In the present invention, an image storage body is used as described above, and image recording and image reading can be performed independently and without changing the state, so it is possible to record high-density images with a conveniently portable device. As a result, we were able to significantly improve the existing image recording system. Furthermore, it is resistant to shocks and does not cause optical axis deviation, which greatly improves operability.
第１図は本発明の第１実施例の上側透視図、第２図は本
発明の第１実施例の正面透視図、第３図は蓄積体の構成
の第１実施例図、第４図（ａ）〜（ｄ）は第３図示蓄積
体への記録方法の説明図、
第５図は第３、第４図示の実施例を用いた場合の記録部
の構成例の上部より見た図、
第６図（ａ）は第５図を正面側から見た図、第６図（ｂ
）は第６図（ａ）の側面から見た要部説明図、
第７図は本発明の第２実施例図、
第８図は記録再生装置の構成例図、
第９図（ａ）は記録部の他の実施例図、第９図（ｂ）は
第９図（ａ）の実施例の更に他の実施例図、
第１Ｏ図は記録部の更に他の異なる実施例図、第１１図
は蓄積体の駆動構成例を示す図、第１２図は第１１図示
の構成の側面図、第１３図は蓄積体の第２の例を示す図
、第１４図（ａ）〜（ｅ）は第１３図示例の記録方法を
説明する図、
第１５図（ａ）〜（ｄ）は蓄積体の第３の実施例の記録
方法を示す図、
第１６図は蓄積体の第４実施例の構成例図、第１７図（
ａ）〜（ｄ）は第３図示蓄積例の記録方法を示す図、
第１８図は蓄積体の第５実施例図、
第１９図は第５実施例の記録方法を説明する図、第２０
図は蓄積体の駆動構成の他の実施例を示す図、
第２１図（ａ）、（ｂ）は本発明の画像記録システムの
他の構成例の夫々上面図、正面図である。
１００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・カ
メラ、ｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・画像記録部、２・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・画像読取り部、３・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
コネクタ、４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・蓄積体。FIG. 1 is an upper perspective view of the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front perspective view of the first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a diagram of the first embodiment of the structure of the storage body, and FIG. (a) to (d) are explanatory diagrams of the recording method on the storage body shown in the third figure, and FIG. 5 is a view from above of an example of the configuration of the recording section when the embodiments shown in the third and fourth figures are used. , Figure 6(a) is a view of Figure 5 viewed from the front, Figure 6(b) is a view of Figure 5 viewed from the front side.
) is an explanatory diagram of the main parts seen from the side of FIG. 6(a), FIG. 7 is a diagram of the second embodiment of the present invention, FIG. 8 is a diagram of an example configuration of a recording/reproducing device, and FIG. 9(a) is FIG. 9(b) is a diagram of still another embodiment of the recording section, FIG. 9(b) is a diagram of still another embodiment of the recording section, FIG. 12 is a side view of the configuration shown in FIG. 11, FIG. 13 is a diagram showing a second example of the accumulator, and FIGS. 14(a) to (e) 15A to 15D are diagrams illustrating the recording method of the third embodiment of the storage body, and FIG. 16 is the fourth embodiment of the storage body. An example configuration diagram, Fig. 17 (
a) to (d) are diagrams showing the recording method of the third illustrated storage example, FIG. 18 is a diagram of the fifth embodiment of the storage body, FIG. 19 is a diagram explaining the recording method of the fifth embodiment, and FIG.
21 is a diagram showing another example of the driving configuration of the storage body, and FIGS. 21(a) and 21(b) are a top view and a front view, respectively, of another example of the configuration of the image recording system of the present invention. 100・・・・・・・・・・・・・・・・・・Camera, l・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・Image recording section, 2・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・Image reading section, 3...
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
Connector, 4・・・・・・・・・・・・・・・・・・
...accumulator.
Claims (2)
感光体をビームにより走査する走査手段と、前記感光体
、駆動手段、走査手段を収納する真空容器と、前記感光
体に対し前記真空容器外から光学情報を導く光学系と、
前記真空容器及び光学系とを互いに一体的に固定する固
定手段と、該固定された真空容器及び光学系をカメラ本
体に対して弾性的に支持する弾性部材と、を有する画像
記録システム。(1) A photoreceptor, a driving means for moving the photoreceptor, a scanning means for scanning the photoreceptor with a beam, a vacuum container housing the photoreceptor, the driving means, and the scanning means; an optical system that guides optical information from outside the vacuum container;
An image recording system comprising: a fixing means for integrally fixing the vacuum container and the optical system to each other; and an elastic member for elastically supporting the fixed vacuum container and the optical system with respect to a camera body.
定するものでることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の画像記録システム。(2) The image recording system according to claim 1, wherein the fixing means also integrally fixes the finder optical system.
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61136771A JPH0797485B2 (en) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | Image recording system |
| DE19873712473 DE3712473A1 (en) | 1986-04-14 | 1987-04-13 | IMAGE RECORDING AND / OR IMAGE PLAYER |
| GB8708901A GB2189965B (en) | 1986-04-14 | 1987-04-14 | Image recording and/or reproducing apparatus |
| US07/038,337 US4786971A (en) | 1986-04-14 | 1987-04-14 | Image recording and/or reproducing apparatus |
| GB8927606A GB2226212B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
| GB8927604A GB2226211B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
| GB8927602A GB2226148B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
| GB8927600A GB2226154B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
| GB8927601A GB2226209B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
| GB8927605A GB2226155B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
| GB8927603A GB2226210B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
| GB8927607A GB2226213B (en) | 1986-04-14 | 1989-12-06 | Image recording and/or reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61136771A JPH0797485B2 (en) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | Image recording system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291846A true JPS62291846A (en) | 1987-12-18 |
| JPH0797485B2 JPH0797485B2 (en) | 1995-10-18 |
Family
ID=15183128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61136771A Expired - Fee Related JPH0797485B2 (en) | 1986-04-14 | 1986-06-11 | Image recording system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797485B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01293360A (en) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Electrostatic camera provided with voice information inputting function |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP61136771A patent/JPH0797485B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01293360A (en) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Electrostatic camera provided with voice information inputting function |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797485B2 (en) | 1995-10-18 |
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