JPS6228763A - Photosensitive body - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To improve the mechanical and the optical properties and the stability of the titled body by laminating the prescribed layers composed of such as a specific amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) etc. respectively. CONSTITUTION:An electric charge blocking layer 44 composed of a-Si:H contg. at least one kind atom selected from a carbon, a nitrogen, and an oxygen atoms and heavily dopped with the group IIIa element of the periodic table and an photoconductive layer 43 composed of a-Si:H are laminated on a substrate 41. And the intermediate layer 4 6 composed of a-Si:H and at least one kind atom selected from the carbon, the nitrogen and the oxygen atoms and dopped with the group IIIa or Va element of the periodic table, and the surface reforming layer 45 contg. large amounts of atom are laminated on the layer 41 to form the photosensitive body 39. By providing the layers 45 and 46, the mechanical strength of the titled body becomes large. The adhesive property, the anti-fatigue property against a light and the anti-chemical stability of the layers 45 and 43 are improved. The effects as prescribed above are obtd. by merely using a fluorinated silicon or by jointly using the fluorinated silicon and the prescribed silicon.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｏにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。　し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 　　ａ−８ｔは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内（−多くの局在準位が存在する。 　このため（＝、熱励起担体のホッピング伝導が生じて
暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップ
されて光伝導性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥
を水素原子（６）で補償してＳｉｌ二Ｈを結合させるこ
とによって、ダングリングボンドを埋めることが行われ
る。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０〜１０　
Ω−国であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。　従って、ａ−８ｔ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰連関が大きく、初期帯環電位
が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−８ｔ：Ｈを母材としたａ−Ｓｔ
系悪感光体９組込んだ電子写真複写機が示されている。 　この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原
稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプ
ラテンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方で
は、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラ
ーユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線
移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光
路長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１
ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側から
の反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持
体としての感光体ドラム９上へスリット状（ユ入射する
ようになっている。　　ドラム９の周囲には、コロナ帯
電器１０、現像器１１、転写部１２、分離部１３クリー
ニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各
給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はド
ラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され
、トレイ３５へ排紙される。　定着部１９では、ヒータ
ー２２を内臓した加熱ローラーおと圧着ローラー２４と
の間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。 しかしながら、ａ　−８１：Ｈを表面とする感光体は、
長期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コ
ロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学
的安定性に関して、これまで十分な検討がなされていな
い。　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受
け、受容電位が著しく低下することが分っている。　一
方、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈと称する。）：二ついて、その製法や存在が“Ｐ
ｈ１ｌ。 Ｍａｇ、　ＶｏＬ　３５”　（１９７８）等に記載され
ており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと
、ａ−８ｔ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０〜１０
　Ω−譚）を有すること、炭素量により光学的エネルギ
ーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲（＝亘りて変化
すること等が知られている。　但、炭素の含有（二より
バンドギャップが拡がるために長波長感度が不良となる
という欠点がある。 こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。　これによれば、ａ　−８ｉ
：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下
にａ−８ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ　−８ｉ：Ｈによ
り広い波長域での光感度を得、かつａ−８ｉ　：Ｈ層と
へテロ接合を形成する下層のａ、　−Ｓ　ｉ　Ｃ：Ｈに
より帯電電位の向上を図っている。　しかしながら、ａ
−８ｔＣＨ層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位は
なお不充分であって実用性のあるものとはならない上に
、表面にａ−８ｉ：Ｈ層が存在していることにより化学
的安定性や機械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報（二は、ａ−８ｔ
二Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を
表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−ｓｉｃ：Ｈ層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜層
（＆　−５ｔｔ−ｚＣｚ　：　Ｈ）を設け、この傾斜層
（−おいてａ−８ｔ：Ｈ側でＸ＝Ｏとし、ａ−８ｉＣ：
Ｈ層側でＸ−０，５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体（二ついて本発明者
が検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる
効果は特に連続繰返し使用において、それ程発押されな
いことが判明した。　即ち、２０〜３０万回の連続ラン
ニング時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械
的に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠
陥として生じるため、耐刷性が充分ではない。　しかも
、繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上
に、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温
度、湿度）（＝よる影響を無視できない。　また、表面
改質層と電荷発生層との接着性も更に改善する必要があ
る。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上）二
、画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の
光疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境
（温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供す
ることにある。 二８発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第ＩＩＩａ族元素がヘビードー
プされかつ炭素原子、窒素原子及フッ素化シリコンから
なる電荷ブロッキング層と；アモルファス水素化シリコ
ンからなる光導電性層と；周期表第１１ａ族又は第Ｖａ
族元素がドープされかつ炭素原子、窒素原子及フッ素化
シリコンからなる電荷ブロッキング層と；アモルファス
水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる中間層と；
炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１
種を前記中間層よりも多く含有するアモルファス水素化
及び／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順
次積１僧されてなる感光体に係るものである。 本発明（＝よれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の
少なくとも１つの原子を含有しているために、機械的損
傷に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化が
なく、耐刷性が優れたものとなる。　また、本発明にお
いては、表面改質層と光導電性層との間に不純物ドープ
ド中間層を設けているので、表面改質層と光導電性層と
の接着性が向上する。　また、′・表面改質層と中間層
とを光導電性層上に設けているので、上記に加えて、繰
返し使用時の耐光疲労（＝優れ、また画像流れもなく、
残留電位も低下し、電気的・光学的特性が常時安定化し
て使用環境に影響を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例（二ついて詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−８ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。　この感光体３９はＡ
ｔ等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ＩＩ
Ｉａ族元素（例えばホウ素）が〜ビードープされかつＣ
，Ｎ及び０の少なくとも１つを含有するａ−８ｉ：Ｈ（
これをａ　−Ｓ　ｔ　（Ｃ）（Ｎ）（０）　：　Ｈと表
わす。）からなるＰ型電荷ブロッキング層４４と、ａ　
−８ｉ：Ｈからなる光導電性層（不純物ドーピングなし
又は真性化されたもの）４３と周期表第１ｆｌａ族又は
第Ｖａ族元素がヘビードープされたＰ型又はＮ＋型であ
ってＣ％Ｎ及びＯの少なくとも１つを含有するアモルフ
ァス水素化シリコンからなる中間層４６と、周期表第１
１１ａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ型
或いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）され
かっＮ、Ｃ及び０の少なくとも１つを含有するアモルフ
ァス水素化シリコンからなる表面改質層４５とが積層さ
れた構造からなっている。　電荷発生図４３は暗所抵抗
率ρＤと光照射時の抵抗率ρＬとの比が電子写真感光体
として充分大きく光感度（特に可視及び赤外領域の光に
対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
１２ｇ　＋　ｏｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、
炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換え
て規定することができる。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのよう（二比抵抗の上昇、帯電
電位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。　
即ち、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が
３０〜９０％のａ−８ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵
抗は炭素含有量に従りで変化し、１０　　Ω−譚以上（
二なる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又はＯを含むａ−８ＩＮ
：Ｈ，ａ−８ｉＯ：Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−８ｔ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。　これに反し、ａ−８ｔ：Ｈな
表面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくな
る。 また、層４５は表面硬度が高いために現像、転写、クリ
ーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱性
も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセス
を適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ＋Ｃ−１Ｃ−１０
０ａｔｏ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単シー％で表わす
。）としたとき１％≦（Ｃ）６９０％、更には１０％≦
〔０３６７０％であることが望ましい。　このＣ含有量
（二よって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学
的エネルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可
視及び赤外光に対しいわゆる光学的（−透明な窓効果に
より照射光はａ　−８ｉ　：Ｈ層（電荷発生層）４３に
到達し易くなる。　しかし、Ｃ含有量が１％以下では、
機械的損傷等の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下
となり易く、かつ一部分の光は表面層４旧ユ吸収され、
感光体の光感度が低下し易くなる。　また、Ｃ含有量が
９０％を越えると眉の炭素量が多くなり、半導体特性が
失われ易い上（二ａ−８ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形
成するときの堆積速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９
０％以下とするのがよい。　同様に、窒素又は酸素を含
有する屑４５の場合、１％≦（Ｎ）６９０％（更には１
０％≦（Ｎ）５７０％）がよく、０％＜〔０３６７０％
（更には５％≦B. Industrial Application Field The present invention relates to a photoreceptor, for example, an electrophotographic photoreceptor. Conventional technology Conventionally, as an electrophotographic photoreceptor, Se or So has As, T
Photoreceptors doped with e.g., Sb, etc., and photoreceptors in which ZnO or CdS is dispersed in a resin binder are known. However, these photoreceptors have problems in terms of environmental pollution, thermal stability, and mechanical strength. On the other hand, electrophotographic photoreceptors using amorphous silicon (a-8i) as a matrix have been proposed in recent years. a-8t has a so-called dangling bond in which the 5i-8i bond is broken, and due to this defect, there are many localized levels within the energy gap. Therefore, (=, Hopping conduction of thermally excited carriers occurs, resulting in a small dark resistance, and photoexcited carriers are trapped in localized levels, resulting in poor photoconductivity.Therefore, the above defects are compensated with hydrogen atoms (6) to form Sil. Dangling bonds are filled by bonding diH.Such amorphous hydrogenated silicon (hereinafter referred to as a-8
It is called t:H. ) has a resistivity in the dark of 10 to 10
Ω- country, which is about 1/10,000 times lower than amorphous Se. Therefore, a photoreceptor made of a single layer of a-8t:H has the problem that the dark decay relationship of the surface potential is large and the initial band ring potential is low. However, on the other hand, when irradiated with light in the visible and infrared regions, the resistivity is greatly reduced, so it has extremely excellent properties as a photosensitive layer of a photoreceptor. Figure 8 shows a-St using the above a-8t:H as a base material.
An electrophotographic copying machine incorporating a photoreceptor 9 is shown. According to this copying machine, a glass document mounting table 3 on which a document 2 is placed and a platen cover 4 that covers the document 2 are disposed in the upper part of a cabinet 1. Below the document table 3, an optical scanning table consisting of a first mirror unit 7 equipped with a light source 5 and a first reflection mirror 6 is provided so as to be movable in a straight line in the left and right direction of the drawing. A second mirror unit 20 for keeping the optical path length constant is connected to the first mirror unit 20.
The mirror unit moves in accordance with the speed of the mirror unit, and the reflected light from the document table 3 passes through the lens 21 and the reflecting mirror 8, and enters into the photosensitive drum 9 as an image carrier in a slit-like manner. A corona charger 10, a developing device 11, a transfer section 12, a separation section 13, and a cleaning section 14 are arranged around the drum 9, and the paper is fed from the paper feed box 15 via each paper feed roller 16, 17. After the toner image is transferred from the drum 9, the copy paper 18 is further fixed in a fixing section 19, and is discharged onto a tray 35.In the fixing section 19, a developing roller is placed between a heating roller having a built-in heater 22 and a pressure roller 24. The fixing operation is performed through the copy paper that has been used. However, the photoreceptor with a-81:H surface
Up to now, sufficient studies have not been made regarding the chemical stability of the surface, such as the effects of long-term exposure to the atmosphere or moisture, and the effects of chemical species generated by corona discharge. For example, it is known that if a device is left for more than a month, it will be affected by moisture and its receptive potential will drop significantly. On the other hand, amorphous hydrogenated silicon carbide (hereinafter referred to as a-8i
It is called C:H. ): There are two, and their manufacturing method and existence are “P”
h1l. Mag, VoL 35” (1978), etc., and its characteristics include high heat resistance and surface hardness, and a high dark resistivity (10 to 10
It is known that the optical energy gap varies over a range of 1.6 to 2.8 eV depending on the carbon content. There is a drawback that the long wavelength sensitivity is poor due to the spread.An electrophotographic photoreceptor combining such a-8iC:H and a-8i:H has been proposed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 127083/1983. According to this, a −8i
:The H layer is a charge generation (photoconductive) layer, and an a-8iC:H layer is provided below this charge generation layer, and the upper layer a-8i:H provides photosensitivity in a wide wavelength range, and the a-8i The charging potential is improved by the lower layer a, -S i C:H forming a heterojunction with the :H layer. However, a
The dark decay of the -8tCH layer cannot be sufficiently prevented, the charging potential is still insufficient and it is not practical, and the presence of the a-8i:H layer on the surface causes chemical Stability, mechanical strength, heat resistance, etc. become poor. On the other hand, Japanese Unexamined Patent Publication No. 57-17952 (2 is a-8t
A first a-8iC:H layer is formed as a surface modification layer on the charge generation layer consisting of diH, and a second a-sic:H layer is formed on the back surface (support electrode side). . In addition, as related to this known technology,
As seen in Japanese Patent No. 23543, a gradient layer (& -5tt-zCz:H) is provided between the charge generation layer and the first and second a-8iC:H layers, and the gradient layer ( -, a-8t: X=O on the H side, a-8iC:
A photoreceptor in which the H layer side is X-0.5 is known. However, when the present inventor investigated the above-mentioned known photoreceptors (two), it was found that the effect of providing a surface modification layer was not so great, especially in continuous repeated use. During continuous running of ~300,000 times, the a-3iC layer on the surface is mechanically damaged after about 70,000 to 80,000 times, resulting in white streaks and white spots as image defects, so printing durability is not sufficient. Moreover, light resistance fatigue occurs during repeated use, image blurring occurs, and the electrical and optical properties are not always stable, and the effects of the usage environment (temperature, humidity) cannot be ignored. It is also necessary to further improve the adhesion between the modified surface layer and the charge generation layer.Objective of the Invention The object of the present invention is to provide a structure that has excellent adhesion between the surface modified layer and the charge generation layer and is resistant to mechanical damage. 2) Stable image quality without image smearing is obtained, there is little optical fatigue during repeated use, the residual potential is low, and the characteristics are independent of the usage environment (temperature, humidity). An object of the present invention is to provide a photoreceptor which is stable in the following manner.28 Structure of the invention and its effects, namely, the present invention provides a photoreceptor which is heavily doped with a group IIIa element of the periodic table and which is composed of carbon atoms, nitrogen atoms and fluorinated silicon. a charge blocking layer; a photoconductive layer consisting of amorphous hydrogenated silicon; group 11a or Va of the periodic table;
a charge blocking layer doped with group elements and consisting of carbon atoms, nitrogen atoms and fluorinated silicon; an intermediate layer consisting of amorphous hydrogenated and/or fluorinated silicon;
At least one of a carbon atom, a nitrogen atom, and an oxygen atom
The present invention relates to a photoreceptor in which surface-modified layers made of amorphous hydrogenated and/or fluorinated silicon containing more species than the intermediate layer are successively deposited. According to the present invention (=), since the surface modified layer contains at least one atom of carbon, nitrogen, and oxygen, it becomes resistant to mechanical damage, and there is no deterioration in image quality due to white streaks, etc. In addition, in the present invention, since the impurity-doped intermediate layer is provided between the surface modified layer and the photoconductive layer, the surface modified layer and the photoconductive layer are In addition, since the surface-modified layer and intermediate layer are provided on the photoconductive layer, in addition to the above, it has excellent light fatigue resistance (= excellent resistance to image fading) during repeated use. Without,
It has been confirmed that the residual potential is reduced and the electrical and optical characteristics are always stable and unaffected by the usage environment. E. Examples Hereinafter, the present invention will be described in detail using two examples. FIG. 1 shows an a-8i electrophotographic photoreceptor 39 for positive charging according to this example. 39 is A
On a drum-shaped conductive support substrate 41 such as
Group Ia elements (e.g. boron) are ~ be-doped and C
, N and 0 a-8i:H(
This is expressed as a-S t (C)(N)(0):H. ), a P-type charge blocking layer 44 consisting of a
-8i: A photoconductive layer consisting of H (without impurity doping or made intrinsic) 43 and a P type or N+ type heavily doped with elements of Group 1 Fla or Group Va of the periodic table, with C%N and O an intermediate layer 46 made of amorphous hydrogenated silicon containing at least one of
A surface modified layer made of amorphous hydrogenated silicon doped with a group 11a or group Va element and containing at least one of N, C, and 0 without being made P-type, N-type, or intrinsic (or without impurity doping). 45 are laminated. Charge generation diagram 43 shows that the ratio of the resistivity ρD in the dark and the resistivity ρL during light irradiation is sufficiently large as an electrophotographic photoreceptor, and the photosensitivity (particularly to light in the visible and infrared regions) is good. In addition, when the carbon atom content of each of the above layers is in the range of 0 to 70%, the optical energy gap (
Since there is an almost linear relationship with 12g + opt),
It can be defined by replacing the carbon atom content with the optical energy gap. In addition, if the carbon atom content of a-3iC:H is appropriately selected, remarkable effects such as an increase in resistivity and an improvement in charging potential holding ability can be obtained as shown by curve a in FIG.
That is, as shown by curve a in FIG. 3, when a-8iC:H with a carbon atom content of 30 to 90% is used, its specific resistance changes according to the carbon content, and is 10 Ω- More than Tan (
Two. The above tendency is that a-8IN containing N or O instead of carbon
The same applies to :H, a-8iO:H. The above layer 45 is indispensable for modifying the surface of the photoreceptor and making the A-8T photoreceptor practically excellent. That is, it enables the basic operations of an electrophotographic photoreceptor, such as charge retention on the surface and attenuation of the surface potential due to light irradiation. Therefore, the repetitive characteristics of charging and optical attenuation become very stable, and good potential characteristics can be reproduced even if left for a long period of time (for example, one month or more). On the other hand, in the case of a photoreceptor having an a-8t:H surface, it is easily affected by humidity, air, ozone atmosphere, etc., and the potential characteristics change significantly over time. Further, since the layer 45 has a high surface hardness, it has abrasion resistance during processes such as development, transfer, and cleaning, and also has good heat resistance, so a process that applies heat such as adhesive transfer can be applied. In order to comprehensively achieve the excellent effects described above, it is important to select the composition of the layer 45. That is, when containing carbon atoms, Si+C-1C-10
When 0ato% (hereinafter, atomic% is expressed as single sea%), 1%≦(C)690%, furthermore 10%≦
[03670% is desirable. This C content (2) makes the above-mentioned resistivity the desired value, and the optical energy gap becomes approximately 2.5 eV or more, so that the so-called optical (-transparent window effect) a-8i: It becomes easier to reach the H layer (charge generation layer) 43. However, when the C content is 1% or less,
Disadvantages such as mechanical damage occur, and the specific resistance tends to fall below the desired value, and part of the light is absorbed by the surface layer 4.
The photosensitivity of the photoreceptor tends to decrease. In addition, if the C content exceeds 90%, the amount of carbon in the eyebrows increases, and the semiconductor properties are likely to be lost (the deposition rate when forming the 2a-8iC:H film by the glow discharge method is likely to decrease). , C content is 9
It is preferable to set it to 0% or less. Similarly, in the case of scrap 45 containing nitrogen or oxygen, 1%≦(N)690% (and even 1%
0%≦(N)570%) is good, 0%<[03670%
(Furthermore, 5%≦

〔０〕≦３０％）がよい。 帯電能を向上させる為には、表面改質層４５を高抵抗化
してもよい。　その為には表面改質層を真性化してもよ
い。 正又は負帯電使用において、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。　各
場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は次
の通りであってよい。 真性化：　Ｂ、Ｈ，／ＳｉＨ，（”〜２０００容ｉ　ｐ
ｐｍ（ａ−ｓｓＮＯ：ａ（Ｂ５）２〜５０容量ｐｐｍ（
ａ　−８ｉｃＯ：Ｈ（Ｆ）　）Ｐ型、　Ｂ２Ｈ，／ｓｔ
ｎ、　（２０００〜５０００　　＃　　（ａ−８ｉＮＯ
：Ｈ（Ｆ））５ｏ　〜１０００　　ｚ　　（ａ−８ｉＣ
Ｏ：Ｈ（Ｆ’））’Ｎ　型：ＰＨ３／ＳｉＨ４１〜１０
００　　ｚ　　（ａ−８ｉＣＯ：Ｈ（”ａ−８ｉＮＯ：
Ｈ（Ｆ）共通） また、層４５はａ−８ｉＣＯ５ａ−８Ｉ　Ｎ　Ｑ　％ａ
−８ｉ　０１ａ−８ｉ０２等からなっていてよく、その
膜厚を４００＾≦ｔ　≦５ｏｏｏ　；、ノ範囲内（’Ｉ
’Ｈ−４ｏｏＸ　≦ｔ（ｚｏｏｏＸに選択することも重
要である。　即ち、その膜厚が５０００　Ｘを越える場
合には、残留電位ｖＲが高くなりすぎかつ光感度の低下
も生じ、ａ−８ｔ系痛感光としての良好な特性を失い易
い。　また、膜厚を４００Ｘ未満とした場合（−は、ト
ンネル効果によって電荷が表面上に帯電されなくなるた
め、暗減衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。　中
間層４６は、感度の向上、残留電位の低下、表面改質層
の接着性の向上及び画像の安定化の為（＝設置する。　
上記特性改善の為（二は、Ｐ又はＮ型化する必要がある
。　不純物ドープ量は（ＰＨｓ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ
，：ｌ−１〜ｔｏｏｏ　（好ましくは５０〜５００）容
量ｐｐｍ　（ＢｔＨａ）　／（Ｓ　ｉＨ４）−１〜１０
００　（好ましくは５０〜５００）容ｉｐｐｍとしてよ
い。　中間層４６のＣ，Ｎ、０の含有量は、０　＜　（
Ｃ）５１０％、 ０　＜　（Ｎ）５１０％、 ０　＜　（０）≦５％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００＾とするのがよいが
、５０００　Ｘを越えると上記したと同様の現象が生じ
易く、５０Ａ未満では中間層としての効果が乏しくなる
。　光導電性層４３（二ついては、帯電能を向上する為
には、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよく、その為に
は電荷発生局を真性化しても良い。　このためには、Ｂ
１Ｈ６／ＳｉＨ４：ｌ！Ｏ〜５０容量ｐｐｍ、好ましく
は１〜２０容ｉｐｐｍとするのがよい。 また、光導電性層は５〜８０μｍ、好ましくは１０〜３
０μ隅とするのがよい。　光導電性１畜４３が５μｍ未
満であると十分な帯電電位が得られず、また８０μ瀉を
越えると残留電位が上昇し、実用上不充分である。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第１１１ａ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更に＋ はＰ型）化する。　ブロクキング層の組成によって、次
のようにドーピング量を制御する。 ａ−８ｉＣ’１２ｊｔａ−８ｉＣＯ：　Ｐ型（ｐ）；Ｂ
ｔＨ６／ＳｉＨ，２０〜５０００容ｔｐｐＩ ＩＩａ−８１Ｎ１ｔａ−８ｉＮＯ：　Ｐ型（Ｐ　）　ｔ
　ＢｔＨ４／Ｓ　ｔ　＆２０００〜５０００容量ｐｐｍ ブロッキング層はｓ　３ｔＱ、　　ｓｔｏ、等の化合物
でもよい。 また、ブロッキング層具は膜厚５００Ａ〜２μ溝がよい
。　　５００Ａ未満であるとブロッキング効果が弱く、
また２μ篤を越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成：二ついては、次のようにす
るのが望ましい。　即ち、１％＜〔０３５９０％、好ま
しくは１０％≦（Ｃ）５７０％とし、１％〈〔Ｎ３５９
０％、好ましくは１０％＜〔８３５７０％とし、０％≦
[0]≦30%). In order to improve the charging ability, the surface modified layer 45 may have a high resistance. For this purpose, the surface modified layer may be made intrinsic. In order to facilitate the injection of electrons or holes from the intermediate layer into the surface-modified layer and to minimize the residual potential when used with positive or negative charging, the surface-modified layer may be of P or N type. The amount of impurity doped in each case (at the time of glow discharge decomposition described later) may be as follows. Intrinsicization: B, H, /SiH, ("~2000 volume ip
pm (a-ssNO: a (B5) 2-50 capacity ppm (
a-8icO:H(F))P type, B2H,/st
n, (2000~5000 # (a-8iNO
:H(F))5o ~1000z (a-8iC
O:H(F'))'N type: PH3/SiH41~10
00 z (a-8iCO:H(”a-8iNO:
H (F) common) Also, the layer 45 is a-8iCO5a-8I N Q %a
-8i01a-8i02, etc., and the film thickness is within the range of 400^≦t≦5ooo;
It is also important to select 'H-4ooX ≦t (zoooX). In other words, if the film thickness exceeds 5000 It is easy to lose good characteristics as a pain-sensitive light. Also, if the film thickness is less than 400X (-, the tunnel effect will no longer charge the surface, resulting in an increase in dark decay and a decrease in photosensitivity. The intermediate layer 46 is provided to improve sensitivity, reduce residual potential, improve adhesion of the surface-modified layer, and stabilize images.
In order to improve the above characteristics (secondly, it is necessary to convert it to P or N type. The amount of impurity doped is (PHs) / (S i H
,: l-1~tooo (preferably 50-500) Capacity ppm (BtHa)/(S iH4)-1~10
00 (preferably 50 to 500) ippm. The content of C, N, and 0 in the intermediate layer 46 is 0 < (
C) 510%, 0<(N)510%, 0<(0)≦5%. The thickness of this intermediate layer is preferably 50 to 5,000×, but if it exceeds 5,000×, the same phenomenon as described above tends to occur, and if it is less than 50×, the effect as an intermediate layer becomes poor. The photoconductive layer 43 (secondly, in order to improve the charging ability, the charge generation layer may have a high resistance, and for that purpose, the charge generation station may be made intrinsic. B
1H6/SiH4:l! The amount is preferably 0 to 50 ppm by volume, preferably 1 to 20 ppm by volume. Moreover, the photoconductive layer has a thickness of 5 to 80 μm, preferably 10 to 3 μm.
It is preferable to set the corner to 0μ. If the photoconductive layer 43 is less than 5 μm, a sufficient charging potential cannot be obtained, and if it exceeds 80 μm, the residual potential increases, which is insufficient for practical use. Further, in order to sufficiently prevent electron injection from the substrate 41 and improve sensitivity and charging ability, the charge blocking layer 44 is doped with an element of group 111a of the periodic table (for example, boron) by glow discharge decomposition. , becomes P type (furthermore, + becomes P type). The doping amount is controlled by the composition of the blocking layer as follows. a-8iC'12jta-8iCO: P type (p); B
tH6/SiH, 20-5000 volumes tppI IIa-81N1ta-8iNO: P type (P) t
BtH4/S t &2000-5000 ppm by volume The blocking layer may be a compound such as s 3tQ, sto, etc. Further, the blocking layer has a groove thickness of 500A to 2μ. If it is less than 500A, the blocking effect will be weak;
Moreover, if the thickness exceeds 2μ, the charge transport ability tends to deteriorate. Composition of the blocking layer 44: It is desirable that the composition be as follows. That is, 1%<[03590%, preferably 10%≦(C)570%, and 1%<[N359
0%, preferably 10%<[83570%, 0%≦

〔０〕≦７０％、好ましくはθ％≦[0]≦70%, preferably θ%≦

〔０〕≦３０％とす
るのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 　特に、電荷発生層４３中の水素含有壇は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠でありて、１０〜３０％であるのが
望ましい。　この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッ
キング層４４も同様である。 また、導電型を制御するための不純物として、Ｐ型化の
ためにボロン以外にもＡｔ、　Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｔ等の周
期表第［ａ族元素を使用できる。　Ｎ型化のためにはリ
ン以外にも、Ａｓ、ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用
できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直（一回転可能にセットされ、ヒーター５５で基４１
を内側から所定温度（：加熱し得るようになっている。 　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間（＝
高周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　
なお、図中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物
の供給源、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６
４はＮ７等の窒素化合物ガスの供給源、６５はＯｌ等の
酸素化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス
供給源、６７は不純物ガス（例えばｎｔｚ）供給源、６
８は各流量計である。　このグロー放電装置において、
まず支持体である例えばＡｔ基板４１の表面を清浄化し
た後に真空槽５２内（＝配置し、真空槽５２内のガス圧
が１０　　Ｔｏｒｒとなるよう（−調節して排気し、か
つ基板４１を所定温度、特＋：１００〜３５０℃（望ま
しくは１５０〜３００℃）（＝加熱保持する。　次いで
、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４
又はガス状シリコン化合物、ＣＨ，、Ｎ、　、　０．等
を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０　
Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６（−より高周波電
圧（例えば１３．５６ＭＨｚ）を印加する。 これによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１と
の間でグロー放電分解し、Ｐ型ａ−８，ＩＣＯ：Ｈｌａ
−ｓｔ：Ｈ％ｐ又はＮ型ａ−８ｉＣＯ：Ｈ，ａ−８ｉＣ
Ｏ：Ｈを上記の層祠、４３．４６．４５として基板上に
連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積さ
せる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−８ｔ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａ−８ｉ　：Ｆ１ａ−８ｉ　：Ｈ：Ｆ、ａ−
８ＩＮ：Ｆ％　ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｆ。 ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。　この場合の
フッ素量は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活神化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等（＝よっても上記感光体の製造が
可能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ｍ支持体上に第１図
の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｔ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内（二装置し、真空槽５２内のガス圧か１０　
　Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡ
ｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの
背圧のもとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を
印加し、１０分間の予備放電を行った。　次いで、Ｓｉ
Ｈ４とＢ、Ｈ，からなる反応ガスを導入し、流量比１　
：　１　：　１　：　（１，５Ｘ１０−”）の（Ａｒ＋
　Ｓ　ｉＨ４＋　ＣＨ４＋　Ｂ、Ｈ６）混合ガスをグロ
ー放電分解すること（二より、電荷ブロッキング機能を
担う＋ Ｐ型のａ−８ｉＣ：Ｉ（層４４（但、Ｂｔ　Ｈ６／　Ｓ
　Ｉ　Ｈ４＝　６容量％、（Ｃ）＝１２％、（０）　＝
　１０００　ｐｐｍ　（Ｓｉに対し））を６μｌＩＩ／
ｈｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。　引き続き、Ｂ
、Ｈ８及びＣＨ４を供給停止し、ＳｉＨ，を放電分解し
、厚さ５μ廊のａ−８ｔ：Ｈ層４３を形成した。　引続
いて、不純物ガスの流１比を変化させてグロー放電分解
し、膜厚も変化さセた中間層４６を形成し、更にａ−８
ｉＣＯ：Ｈ又はａ　−Ｓ　Ｉ　ＮＯ：Ｈ表面保護層４５
を更（二設け、電子写真感光体を完成させた。　比較例
として、中間層のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）０表面改質層：ａ−ＳｉＮＯ：Ｈ又はａ−８ｉＣ
Ｏ：Ｈ（２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参
照）（３）、　　ａ−８ｉ　：　Ｈ光導電性層：膜厚＝
２２Ａ１ｍ（４）。ａ−８ｉＣＯ：Ｈ又はａ−８ｉＮ０
二Ｈ電荷ブロッキング層：膜厚−１μ島 炭素含有量−１１％ 正帯電用：Ｂドープ有り （！５）、支持体：Ａｔンリング−（鏡面研旧仕上げ）
次に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよう
に行なった。 引っかき強度 第６図に示すよう（−１感光体３９面に垂直に当てた０
、３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７
エで回転させ、傷をつける。　次に、電子写真複写機Ｕ
　−Ｂｉｘ　１６００　（小西六写真工業社製）改造機
にて画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが
現われるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする
。 画像流れ 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−ＢｉＸ　４５００（小西六写真工業社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後
、画像出しを行ない、以下の基票で画像流れの程度を判
定した。 ◎：画画像れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて涜みづらい。 Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。 Ｕ　−Ｂｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、４
００ｎｍにピークをもつ除電光３０　ｔｕｘ−ｓｅｃを
照射した後も残りている感光体表面電位。 帯電電位Ｖ。（■） Ｕ　−Ｂｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製）
を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの条
件で３６０ＳＸ型′電位計（トレック社製）で測定した
現像直前の表面電位。 半減露光＋ｆｋＥ’ｙ５２　（ｔｕｘ−ｓｅａ　）上記
の装置を用い、ダイクロイックミラーく元押光学社製）
（二より像露光波長のうち６２０　ｎｍ以上の長波長成
分をンヤーブカットし、表面電位を５００　Ｖから２５
０Ｖｌ二半減するのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）（
二て測定） 結果を第７図にまとめて示した。　この結果から、本発
明に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分る。It is preferable that [0]≦30%. Note that each of the above layers needs to contain hydrogen. In particular, the hydrogen-containing stage in the charge generation layer 43 is essential to compensate for dangling bonds and improve photoconductivity and charge retention, and is preferably 10 to 30%. This content range also applies to the surface modification layer 45 and blocking layer 44. Further, as an impurity for controlling the conductivity type, in addition to boron, elements of Group A of the periodic table such as At, Ga, In, and Tt can be used to make the conductivity type P-type. In addition to phosphorus, elements of Group Va of the periodic table, such as As and sb, can be used for N-type formation. Next, a method for manufacturing the above-mentioned photoreceptor (for example, drum-shaped) and an apparatus therefor (glow discharge apparatus) will be explained with reference to FIG. In the vacuum chamber 52 of this device 51, a drum-shaped substrate 41 is set vertically (one rotation possible), and a heater 55
can be heated from the inside to a predetermined temperature (=
A glow discharge is generated by the high frequency power source 56.
In addition, 62 in the figure is a supply source of SiH4 or a gaseous silicon compound, 63 is a supply source of hydrocarbon gas such as CH, 6
4 is a supply source of nitrogen compound gas such as N7, 65 is a supply source of oxygen compound gas such as Ol, 66 is a carrier gas supply source such as Ar, 67 is an impurity gas (for example, Ntz) supply source, 6
8 is each flow meter. In this glow discharge device,
First, after cleaning the surface of the support, for example, an At substrate 41, it is placed in a vacuum chamber 52, and the gas pressure in the vacuum chamber 52 is adjusted to 10 Torr and evacuated, and the substrate 41 is Predetermined temperature, special +: 100 to 350 °C (preferably 150 to 300 °C) (= heated and maintained. Next, using a high purity inert gas as a carrier gas, SiH4
or a gaseous silicon compound, CH, , N, , 0. etc. are appropriately introduced into the vacuum chamber 52, for example, 0.01 to 10
A high frequency voltage (for example, 13.56 MHz) is applied from the high frequency power supply 56 (-) under a reaction pressure of Torr. As a result, each of the above reaction gases is decomposed by glow discharge between the electrode 57 and the substrate 41, and P type a-8 , ICO:Hla
-st:H%p or N-type a-8iCO:H, a-8iC
O:H is deposited in the above-described layers 43, 46, 45 on the substrate in succession (i.e. corresponding to the example of FIG. 1, for example). In the above manufacturing method, the support temperature is set at 100 to 350°C in the step of forming the a-8t layer on the support, so the film quality (especially electrical properties) of the photoreceptor can be improved. . In addition, when forming each layer of the above a-8t photoreceptor,
In order to compensate for dangling bonds, fluorine is introduced in the form of SiF4 or the like in place of the above-mentioned H or in combination with H, and a-8i :F1a-8i :H:F, a-
8IN:F% a-8iN:H:F, a-8iC:F. It can also be a-8iC:H:F. In this case, the amount of fluorine is preferably 0.5 to 10%. The above manufacturing method is based on the glow discharge decomposition method, but there are also methods such as sputtering method, ion blating method, and method of evaporating St while introducing active or ionized hydrogen in a hydrogen discharge tube. (In particular, Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-78413 (Patent Application No. 54-152) filed by the present applicant)
The above-mentioned photoreceptor can also be produced by the method described in No. 455) etc. The present invention will be described below with reference to specific examples. An electrophotographic photoreceptor having the structure shown in FIG. However, the gas pressure in the vacuum chamber 52 is 10
Torr and exhaust the substrate 41.
at a predetermined temperature, especially 100 to 350°C (preferably 15°C
Heat and maintain at a temperature of 0 to 300°C. Next, high purity A
r gas was introduced as a carrier gas, high frequency power with a frequency of 13.56 MHz was applied under a back pressure of 0.5 Torr, and preliminary discharge was performed for 10 minutes. Then, Si
A reaction gas consisting of H4, B, and H is introduced, and the flow rate ratio is 1.
: 1 : 1 : (1,5X10-”) of (Ar+
Glow discharge decomposition of SiH4+ CH4+ B, H6) mixed gas (from the second point, + P type a-8iC:I (layer 44 (however, Bt H6/S
I H4 = 6% by volume, (C) = 12%, (0) =
1000 ppm (relative to Si)) at 6 μl II/
A film was formed to a predetermined thickness at a deposition rate of hr. Continue, B
, H8 and CH4 were stopped, and SiH was decomposed by discharge to form an a-8t:H layer 43 having a thickness of 5 μm. Subsequently, glow discharge decomposition is performed by changing the flow ratio of the impurity gas to form an intermediate layer 46 whose film thickness is also changed, and further a-8
iCO:H or a-SI NO:H surface protective layer 45
(2) and completed an electrophotographic photoreceptor. As a comparative example, a photoreceptor without an intermediate layer was created. The structure of the photoreceptor thus created was summarized as follows. (1) 0 surface modified layer: a-SiNO:H or a-8iC
O: H (2), intermediate layer: doping amount, film thickness change (see Figure 5) (3), a-8i: H photoconductive layer: film thickness =
22A1m (4). a-8iCO:H or a-8iN0
2H charge blocking layer: Thickness - 1 μ Island Carbon content - 11% For positive charging: B doped (!5), Support: Atton ring (old mirror polished finish)
Next, various tests were conducted using each of the photoreceptors described above as follows. Scratch strength As shown in Figure 6 (-1)
, apply a load W to the 3R diamond needle 70, and move the photoreceptor to the motor 7.
Rotate it with E and damage it. Next, the electrophotographic copying machine U
- Bix 1600 (manufactured by Konishiroku Photo Industry Co., Ltd.) A modified machine is used to produce an image, and the scratch strength (g) of the photoreceptor is determined by the load at which white streaks appear on the image. After acclimatizing the photoconductor in a modified electrophotographic copying machine U-BiX 4500 (manufactured by Konishiroku Photo Industry Co., Ltd.) for 24 hours in an environment with an image flow temperature of 33°C and a relative humidity of 80%, the developer, paper, and blade were removed. After 1000 copies were made without contact with the paper, the image was printed and the degree of image blurring was determined using the following criteria. ◎: There is no image blurring, and the reproducibility of 5.5-point alphabetic characters and thin lines is good. ○: 5.5 point alphabetic characters are slightly thicker. △: 5.5 point English letters are crushed and difficult to desecrate. X: 5.5 points of unreadable letters. By measuring the potential using a modified U-Bix 2500, 4
The surface potential of the photoreceptor remains even after being irradiated with 30 tux-sec of static eliminating light having a peak at 00 nm. Charge potential V. (■) U-Bix 2500 modified machine (manufactured by Konishiroku Photo Industry ■)
The surface potential immediately before development was measured using a 360SX type electrometer (manufactured by Trek) under conditions of a photoconductor inflow current of 200 μA and no exposure. Half-exposure + fkE'y52 (tux-sea) Using the above device, dichroic mirror
(The long wavelength component of 620 nm or more of the second image exposure wavelength is cut off, and the surface potential is increased from 500 V to 25
The amount of exposure required to reduce 0Vl by half. (Exposure amount is 550-1 type light meter (manufactured by EGandG) (
The results are summarized in Figure 7. These results show that if a photoreceptor is prepared according to the present invention, a photoreceptor with excellent performance for electrophotography can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−８ｔ系感光体のｌ断面図、第２図はａ−８
ｉＣの光学的エネルギーギャップをしめずグラフ、 第３図はａ−８ｉＣの比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・ａ−８ｔ系感光体４１・・・
・・・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・
−電荷輸送層 ４３・・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・
・・・・・・・・表面改質層 ４６・・・・・・・・・・中間層 である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１図 第２図 ａ−５ｉｔ−ｘＣｘ：ｌ−（ｘ 第３図 第６図 第４図 第７図1 to 7 show examples of the present invention, in which FIG. 1 is a sectional view of an a-8t photoreceptor, and FIG. 2 is an a-8t sectional view.
Figure 3 is a graph showing the specific resistance of a-8iC, Figure 4 is a schematic cross-sectional view of the glow discharge device, and Figure 5 is a table showing the layer structure of each photoreceptor. , FIG. 6 is a schematic diagram of a scratch strength tester, and FIG. 7 is a table showing the characteristics of each photoreceptor. FIG. 8 is a schematic sectional view of a conventional electrophotographic copying machine. In addition, in the symbols shown in the drawings, 39......a-8t type photoreceptor 41...
......Support (substrate) 42...
- Charge transport layer 43...Charge generation layer 44...Charge blocking layer 45...
....Surface modified layer 46 .....Intermediate layer. Agent Patent Attorney Hiroshi AisakaFigure 1Figure 2a-5it-xCx:l-(x Figure 3Figure 6Figure 4Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] １、周期表第IIIａ族元素がヘビードープされかつ炭素
原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
ンからなる電荷ブロッキング層と；アモルファス水素化
及び／又はフッ素化シリコンからなる光導電性層と；周
期表第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつ炭素
原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
ンからなる中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子
のうちの少なくとも１種を前記中間層よりも多く含有す
るアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
なる表面改質層とが順次積層されてなる感光体。1. A charge blocking layer made of amorphous hydrogenated and/or fluorinated silicon heavily doped with a Group IIIa element of the periodic table and containing at least one of carbon atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms; or a photoconductive layer consisting of fluorinated silicon; amorphous hydrogenated and/or fluorine doped with an element of group IIIa or group Va of the periodic table and containing at least one of carbon atoms, nitrogen atoms and oxygen atoms; An intermediate layer made of silicon oxide; and a surface modified layer made of amorphous hydrogenated and/or fluorinated silicon containing more at least one of carbon atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms than the intermediate layer are laminated in sequence. A photoreceptor made by