JPS62286248A - 静電チヤツク板及びその製造方法 - Google Patents
静電チヤツク板及びその製造方法Info
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- JPS62286248A JPS62286248A JP13050886A JP13050886A JPS62286248A JP S62286248 A JPS62286248 A JP S62286248A JP 13050886 A JP13050886 A JP 13050886A JP 13050886 A JP13050886 A JP 13050886A JP S62286248 A JPS62286248 A JP S62286248A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
(産業上の利用分野)
本発明は導電性材料或いは半型導性材料からなる試料を
電気的に吸着・固定する静電チャック板に関する。
電気的に吸着・固定する静電チャック板に関する。
(従来の技術)
LSI等の大集積回路チップはシリコンウェハー等の半
導体ウェハーにパターンニング等の各種微細加工を施す
ことで製造される。そしてこれら微細加工を行うにあた
ってはウェハーを平坦な面に確実に固定することが必要
となり、このため従来から機械式、吸引式及び電気式の
チャック板が利用されており、特に静電的にウェハーを
吸着固定する静電チャック板はウェハーの平坦度を維持
しつつ固定できるため広く用いられている。
導体ウェハーにパターンニング等の各種微細加工を施す
ことで製造される。そしてこれら微細加工を行うにあた
ってはウェハーを平坦な面に確実に固定することが必要
となり、このため従来から機械式、吸引式及び電気式の
チャック板が利用されており、特に静電的にウェハーを
吸着固定する静電チャック板はウェハーの平坦度を維持
しつつ固定できるため広く用いられている。
斯る静電チャック板としては特公昭θ0−59104号
或いは特公昭6t−4811号に開示される構造のもの
が知られている。
或いは特公昭6t−4811号に開示される構造のもの
が知られている。
特公昭80−59104号に開示される静電チャック板
は第4図に示すように、板状の電極(ioo)表面にア
ルミナ(Al2O2)を溶射して誘電層(101)を形
成し、この誘電層(101)上に載置したウェハー等の
試料(102)に他方の電極(103)を接触せしめる
ようにしたものであり、また特公昭81−4611号に
開示される静電チャック板は第5図に示すように、複数
の板状電極(100)を絶縁性誘電層(101)内に埋
設することで、試料(+02)に電極を接触させなくて
も吸着できるようにしている。
は第4図に示すように、板状の電極(ioo)表面にア
ルミナ(Al2O2)を溶射して誘電層(101)を形
成し、この誘電層(101)上に載置したウェハー等の
試料(102)に他方の電極(103)を接触せしめる
ようにしたものであり、また特公昭81−4611号に
開示される静電チャック板は第5図に示すように、複数
の板状電極(100)を絶縁性誘電層(101)内に埋
設することで、試料(+02)に電極を接触させなくて
も吸着できるようにしている。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで半導体ウェハー表面をエツチングする場合等、
数百°Cの高温下で加工を行なうことがある。一方、従
来の静電チャック板の電極(100)は比較的厚い金属
板状をなしているため、室温かう数百℃のヒートサイク
ルを繰り返すと、電極(100)内部の残留応力等によ
り電極が次第に変形し、チャック板の平坦度を維持でき
なくなる。
数百°Cの高温下で加工を行なうことがある。一方、従
来の静電チャック板の電極(100)は比較的厚い金属
板状をなしているため、室温かう数百℃のヒートサイク
ルを繰り返すと、電極(100)内部の残留応力等によ
り電極が次第に変形し、チャック板の平坦度を維持でき
なくなる。
また特公昭GO−59104号の静電チャックは板状の
電極(100)表面に直接溶射を行って誘電層(101
)を形成するため、溶射の際の酸化高温雰囲気に電極金
属が晒されて酸化するとともに、溶射膜と電極金属との
熱膨張差が大であるため、電極(100)から誘電層(
101)が剥離する問題がある。
電極(100)表面に直接溶射を行って誘電層(101
)を形成するため、溶射の際の酸化高温雰囲気に電極金
属が晒されて酸化するとともに、溶射膜と電極金属との
熱膨張差が大であるため、電極(100)から誘電層(
101)が剥離する問題がある。
そこで本出願人は、板状のセラミックス基材表面に膜状
の電極を形成し、更に基材表面にセラミックス材を溶射
することで誘電層を形成する技術を開発した。
の電極を形成し、更に基材表面にセラミックス材を溶射
することで誘電層を形成する技術を開発した。
しかしながら斯る構造とするとセラミックス表面にセラ
ミックス材を溶射することとなる。ここで良好な密着性
をもつ溶射膜(vg誘電層を得るには溶射材料よりも被
溶射材(基材)の硬度が小さいことが条件となることを
考えると、単にセラミックス基材表面にセラミックス溶
射材を溶射しただけでは、十分な密着性をもった誘電層
を形成することができない。
ミックス材を溶射することとなる。ここで良好な密着性
をもつ溶射膜(vg誘電層を得るには溶射材料よりも被
溶射材(基材)の硬度が小さいことが条件となることを
考えると、単にセラミックス基材表面にセラミックス溶
射材を溶射しただけでは、十分な密着性をもった誘電層
を形成することができない。
(問題点を解決するための手段)
上記問題点を解決すべく本発明に係る静電チャック板は
、セラミックス性基材表面に膜状電極及びこの膜状電極
を覆うガラス中間層を形成し、このガラス中間層表面に
誘電層を形成するようにした。
、セラミックス性基材表面に膜状電極及びこの膜状電極
を覆うガラス中間層を形成し、このガラス中間層表面に
誘電層を形成するようにした。
(作用)
膜状電極をその表面に形成したセラミックス製基材と誘
電層との間にガラス中間層を介在させたことしこより、
室温から数百℃のヒートサイクルを繰り返してもチャッ
ク板の変形は生じることがなく且つ誘電層の剥離も生じ
ない。
電層との間にガラス中間層を介在させたことしこより、
室温から数百℃のヒートサイクルを繰り返してもチャッ
ク板の変形は生じることがなく且つ誘電層の剥離も生じ
ない。
(実施例)
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係る静電チャック板の縦断面図、第2
図は第1図のA−A線断面図である。
図は第1図のA−A線断面図である。
静電チャック板は直径約1001、厚さ約10m+mの
セラミックス製基材(1)の上面に膜状内部電極(2)
を形成するとともに、基材(1)に縦設した孔(3)を
介して外部電極(4)を引き出し、この外部電極(4)
を電源(5)に接続し、また基材(1)の上面には内部
電極(2)を覆うガラス中間層(6)を形成し、このガ
ラス中間層(6)の上面に試料(7)を載置する絶縁性
誘電層(8)を形成し、この誘電層(8)の表面には無
機含浸層(3)を形成している。
セラミックス製基材(1)の上面に膜状内部電極(2)
を形成するとともに、基材(1)に縦設した孔(3)を
介して外部電極(4)を引き出し、この外部電極(4)
を電源(5)に接続し、また基材(1)の上面には内部
電極(2)を覆うガラス中間層(6)を形成し、このガ
ラス中間層(6)の上面に試料(7)を載置する絶縁性
誘電層(8)を形成し、この誘電層(8)の表面には無
機含浸層(3)を形成している。
そして試料(7)には他方の電極(10)を接触せしめ
ることで静電吸着力で試料(7)を誘電層(8)表面に
吸着固定するようにしている。また基材(1)には冷却
水を通す冷却通路(11)が基材(1)の焼成時にキャ
スティングCI込み)によって同時に成形されている。
ることで静電吸着力で試料(7)を誘電層(8)表面に
吸着固定するようにしている。また基材(1)には冷却
水を通す冷却通路(11)が基材(1)の焼成時にキャ
スティングCI込み)によって同時に成形されている。
ここで前記基材(1)を構成するセラミックス材料とし
てはAlt03等の酸化物の他、Si3N4゜A文N等
の窒化物或いはSiC等の炭化物を用いてもよい。特に
セラミックス材料として熱伝導率が高く絶縁性に優れた
窒化物又は炭化物を用いれば基材(1)の冷却効果を向
上でき、誘電層(8)表面の均熱化が図れる。
てはAlt03等の酸化物の他、Si3N4゜A文N等
の窒化物或いはSiC等の炭化物を用いてもよい。特に
セラミックス材料として熱伝導率が高く絶縁性に優れた
窒化物又は炭化物を用いれば基材(1)の冷却効果を向
上でき、誘電層(8)表面の均熱化が図れる。
前記内部電極(2)は基材(1)表面にパターン化して
形成されている。このように内部電極(2)をパターン
化した膜状に形成するには1例えばAg/Pd等の導体
粉を含むペーストをスクリーン印刷法によって基材(1
)表面にパターン化して塗布し、このペーストを焼付け
(例えば850℃X15分)することで形成する。また
上記スクリーン印刷法の他電極面のエツチングを行うよ
うにしてもよく、更に内部電極(2)の厚みを0.5ル
以下とする場合にはCV D (Chemical V
apour Deposition)、或いはP V
D (Physical Vapour Deposi
tion)等の蒸着法を用いればよい。
形成されている。このように内部電極(2)をパターン
化した膜状に形成するには1例えばAg/Pd等の導体
粉を含むペーストをスクリーン印刷法によって基材(1
)表面にパターン化して塗布し、このペーストを焼付け
(例えば850℃X15分)することで形成する。また
上記スクリーン印刷法の他電極面のエツチングを行うよ
うにしてもよく、更に内部電極(2)の厚みを0.5ル
以下とする場合にはCV D (Chemical V
apour Deposition)、或いはP V
D (Physical Vapour Deposi
tion)等の蒸着法を用いればよい。
前記ガラス中間層(8)は基材(1)及び内部電極(2
)の表面に、絶縁性に優れ且つ誘電率を調整したペース
ト状ガラス(グレーズ)をスクリーン印刷法或いはスプ
レー等によって塗布し、このペースト状ガラスを焼成(
例えば850℃×1時間)することで形成される。ここ
でガラス中間層(6)を構成するガラスは後述する誘電
層(8)の熱処理との関債である程度軟化点の高いもの
を選択する。
)の表面に、絶縁性に優れ且つ誘電率を調整したペース
ト状ガラス(グレーズ)をスクリーン印刷法或いはスプ
レー等によって塗布し、このペースト状ガラスを焼成(
例えば850℃×1時間)することで形成される。ここ
でガラス中間層(6)を構成するガラスは後述する誘電
層(8)の熱処理との関債である程度軟化点の高いもの
を選択する。
また、ガラス中間層(6)中には高誘電性材料。
高導電性材料或いは高熱伝導率材料を添加してもよい。
高誘電性材料としては、 Ti0z 、 PbTi
O3゜BaTiO3等が挙げられ、高誘電性材料を添加
することで誘TL層(8)の誘電率を高め静電吸着力を
大とすることが可能となる。
O3゜BaTiO3等が挙げられ、高誘電性材料を添加
することで誘TL層(8)の誘電率を高め静電吸着力を
大とすることが可能となる。
即ち、静電吸着力(F)は一般に次式で表わされる。
ε:誘電率
S二誘電面積
V二″TL圧
d:誘電層の厚さ
この式から明らかなように誘電率(ε)を高めれば静電
力は大となるのであるが、誘電層(8)を形成するため
の溶射材中にTi(h等を誘電率を高めるために添加す
ると、絶縁抵抗が低下してしまう。そこで誘電層(8)
の溶射材ではなくガラス中間層(8)にTiO2等を添
加すれば、絶縁抵抗は損なわれることなく誘電率を高く
できる。
力は大となるのであるが、誘電層(8)を形成するため
の溶射材中にTi(h等を誘電率を高めるために添加す
ると、絶縁抵抗が低下してしまう。そこで誘電層(8)
の溶射材ではなくガラス中間層(8)にTiO2等を添
加すれば、絶縁抵抗は損なわれることなく誘電率を高く
できる。
また、高導電性材料としては酸化雰囲気処理しても導電
性が高い貴金属(Au等)が挙げられ、このような高導
電性材料をガラス中間層(8)中に添加することで、試
料(7)のチャック板からの取外し時間を短縮できる。
性が高い貴金属(Au等)が挙げられ、このような高導
電性材料をガラス中間層(8)中に添加することで、試
料(7)のチャック板からの取外し時間を短縮できる。
即ち、誘電層(8)の誘電率(ε)を高めれば静電吸着
力(F)が大となるが、静電吸着力(F)を大として試
料(7)をチャック板で吸着した後、試料(7)をチャ
ック板から取外す際、誘電率(ε)も絶縁抵抗(R)も
高いと、電荷の抜ける時間が絶縁抵抗(R)を静電容量
(C)の積で表わされるため、誘電層(8)中に留った
電荷が抜けにくく、試料(7)を誘電層(8)表面から
取外すのに時間がかかる。
力(F)が大となるが、静電吸着力(F)を大として試
料(7)をチャック板で吸着した後、試料(7)をチャ
ック板から取外す際、誘電率(ε)も絶縁抵抗(R)も
高いと、電荷の抜ける時間が絶縁抵抗(R)を静電容量
(C)の積で表わされるため、誘電層(8)中に留った
電荷が抜けにくく、試料(7)を誘電層(8)表面から
取外すのに時間がかかる。
ここで絶縁抵抗(R)は次式で表わされる。
R=ρマ ・文/S ρマ:体植抵抗率交 :絶縁
距離 S :絶縁面積 上式から明らかなように体積抵抗率(ρマ)を低くすれ
ば絶縁抵抗(R)を下げることができ、ガラス中間層(
6)中に貴金属を添加すれば誘電層(8)の体積抵抗率
(ρマ)を下げられるので、静電吸着力が犬で且つ試料
(7)の取外しが容易なチャック板とすることができる
。
距離 S :絶縁面積 上式から明らかなように体積抵抗率(ρマ)を低くすれ
ば絶縁抵抗(R)を下げることができ、ガラス中間層(
6)中に貴金属を添加すれば誘電層(8)の体積抵抗率
(ρマ)を下げられるので、静電吸着力が犬で且つ試料
(7)の取外しが容易なチャック板とすることができる
。
更にガラス中間層(8)に添加する高熱伝導率材料とし
てはBed、 HgO,SiC等が挙げられる。これら
の材料を添加することで、静電チャック板を冷却する際
の冷却効率の向上及び誘電層(8)表面の均熱化を図る
ことができる。
てはBed、 HgO,SiC等が挙げられる。これら
の材料を添加することで、静電チャック板を冷却する際
の冷却効率の向上及び誘電層(8)表面の均熱化を図る
ことができる。
一方、前記yJg電層(8)は100μ程度の厚みを有
し、セラミックス材料をプラズマ溶射することで形成さ
れる。ここで溶射するセラミックス材料としてはAu2
h粉のみとしてもよいが、SiC粉を混合すれば誘電
層(8)の熱伝導率を0.05cal/cm*sec
・°C程度まで高め冷却効率の向上が図れ、更に1r(
Jt粉、Si3 N4粉等を混合すれば誘電層(8)の
耐摩耗性を向上することができる。また、上記の溶射を
行うにあたっては、基材(1)及びガラス中間層(6)
を1000℃程度に加熱した状態で行ってもよい。この
ように加熱下において溶射を行うとガラス中間層(6)
の表面に形成される誘電層のA文203の結晶構造はα
型が主体となり、絶縁抵抗が低下せず静電吸着力を高く
維持でき、更に誘電層(8)の組織も緻密となり密着性
も向上する。
し、セラミックス材料をプラズマ溶射することで形成さ
れる。ここで溶射するセラミックス材料としてはAu2
h粉のみとしてもよいが、SiC粉を混合すれば誘電
層(8)の熱伝導率を0.05cal/cm*sec
・°C程度まで高め冷却効率の向上が図れ、更に1r(
Jt粉、Si3 N4粉等を混合すれば誘電層(8)の
耐摩耗性を向上することができる。また、上記の溶射を
行うにあたっては、基材(1)及びガラス中間層(6)
を1000℃程度に加熱した状態で行ってもよい。この
ように加熱下において溶射を行うとガラス中間層(6)
の表面に形成される誘電層のA文203の結晶構造はα
型が主体となり、絶縁抵抗が低下せず静電吸着力を高く
維持でき、更に誘電層(8)の組織も緻密となり密着性
も向上する。
また、前述した静電吸着力(F)の式からも明らかなよ
うに、誘電層(8)の厚さくd)を薄くすれば静電吸着
力(F)を高めることができる。そこで、誘電層(8)
を溶射法でなく、CVD 、PVD等の蒸着法にて形成
し、誘電層(8)の厚さくd)を10〜20牌としても
よい。
うに、誘電層(8)の厚さくd)を薄くすれば静電吸着
力(F)を高めることができる。そこで、誘電層(8)
を溶射法でなく、CVD 、PVD等の蒸着法にて形成
し、誘電層(8)の厚さくd)を10〜20牌としても
よい。
更に溶射によって誘電層(8)を形成する場合には、誘
電層(8)に2〜3%の気孔率が存在し、この気孔が誘
電層(8)の表面から内部まで貫通していると誘電層(
8)の絶縁特性が大幅に劣化する。そこで、誘電層(8
)の表面に例えば5jOz−A旦203の系の無機含浸
剤を含浸させた後に焼成してなる無機含浸層(8)を形
成することが好ましい。このように無機含浸層(!3)
t−形成すると、絶縁特性が向上するだけでなく、溶
射材の粒界に含浸剤が浸透して粒子間の結合力が高まり
、誘電層(8)の表面硬度もビッカーズ高度でHマ12
00 (通常は)!7700〜800)程度まで高まる
。特にS機含浸剤を焼成する際に高温高圧(旧P)処理
すれば、更なる組織の緻密化が図れる。
電層(8)に2〜3%の気孔率が存在し、この気孔が誘
電層(8)の表面から内部まで貫通していると誘電層(
8)の絶縁特性が大幅に劣化する。そこで、誘電層(8
)の表面に例えば5jOz−A旦203の系の無機含浸
剤を含浸させた後に焼成してなる無機含浸層(8)を形
成することが好ましい。このように無機含浸層(!3)
t−形成すると、絶縁特性が向上するだけでなく、溶
射材の粒界に含浸剤が浸透して粒子間の結合力が高まり
、誘電層(8)の表面硬度もビッカーズ高度でHマ12
00 (通常は)!7700〜800)程度まで高まる
。特にS機含浸剤を焼成する際に高温高圧(旧P)処理
すれば、更なる組織の緻密化が図れる。
ここで、誘電層(8)の表面に無機含浸層(8)を形成
する場合には、前記したように誘電層(8)を形成した
後に加熱処理を施すこととなるが、無機含浸層(9)を
形成しない場合でも誘電層(8)を形成した後に加熱処
理(例えばaOO℃以上で30分以上)することが好ま
しい。
する場合には、前記したように誘電層(8)を形成した
後に加熱処理を施すこととなるが、無機含浸層(9)を
形成しない場合でも誘電層(8)を形成した後に加熱処
理(例えばaOO℃以上で30分以上)することが好ま
しい。
即ち、セラミックス材料を溶射して誘電層(8)を形成
する場合、溶射ノズル中のアークによって7ノード及び
カソード電極(王にCu、 W)が僅かに溶出し、誘電
層(8)中にこれらが点在することとなり、絶縁抵抗及
び耐電圧等の電気特性が劣化するが、誘電層(8)を熱
処理することで、点在するCu、 W等が酸化して不導
体化することで電気特性の改善が図れる。
する場合、溶射ノズル中のアークによって7ノード及び
カソード電極(王にCu、 W)が僅かに溶出し、誘電
層(8)中にこれらが点在することとなり、絶縁抵抗及
び耐電圧等の電気特性が劣化するが、誘電層(8)を熱
処理することで、点在するCu、 W等が酸化して不導
体化することで電気特性の改善が図れる。
第3図は別実施例に係る静電チャック板の縦断面図であ
り、前記実施例と同一部材については同一番号を付して
いる。
り、前記実施例と同一部材については同一番号を付して
いる。
この実施例にあっては基材(1)表面に内部電極(2)
を形成するにあたり、パターン化技術を応用することで
、内部電極(2)を複数形成し、試料(7)に電極を接
触させることなく試料(7)を吸着し得るようにしたも
のである。・ (発明の効果) 以上に説明した如く本発明によれば、静電チャック板の
基材をセラミフクスとするとともに基材と誘電層との間
にガラス中間層を介在せしめたので、ヒートサイクルを
繰り返してもチャック板の変形がなく、試料載置面の平
坦度を数ル以下に維持しつつ誘電層の古着強度を高める
ことができる。
を形成するにあたり、パターン化技術を応用することで
、内部電極(2)を複数形成し、試料(7)に電極を接
触させることなく試料(7)を吸着し得るようにしたも
のである。・ (発明の効果) 以上に説明した如く本発明によれば、静電チャック板の
基材をセラミフクスとするとともに基材と誘電層との間
にガラス中間層を介在せしめたので、ヒートサイクルを
繰り返してもチャック板の変形がなく、試料載置面の平
坦度を数ル以下に維持しつつ誘電層の古着強度を高める
ことができる。
また、基材中、ガラス中間層或いは誘電層中に各種の材
料を添加することで、静電チャック板の電気特性の向上
が図れ、更に誘電層を熱処理することによっても静電チ
ャック板の物理的強度及び電気特性を高めることができ
る等多くの効果を発揮する。
料を添加することで、静電チャック板の電気特性の向上
が図れ、更に誘電層を熱処理することによっても静電チ
ャック板の物理的強度及び電気特性を高めることができ
る等多くの効果を発揮する。
第1図は本発明に係る静電チャック板の縦断面図、第2
図は第1図のA−A線断面図、第3図は別実施例に係る
静電チャック板の縦断面図、第4図及び第5図は従来の
静電チャック板の縦断面図である。 尚、図面中(1)は基材、(2)は内部電極、(4)は
外部電極、(5)は電源、(6)はガラス中間層、(7
)は試料、(8)は誘電層である。 特 許 出願 人 東陶機器株式会社代理人
弁理士 下 1) 容一部間 弁理
士 大 橋 邦 産量 弁
理士 小 山 右同 弁理士
野 1) 茂第1図 第2図 第3図 第5図
図は第1図のA−A線断面図、第3図は別実施例に係る
静電チャック板の縦断面図、第4図及び第5図は従来の
静電チャック板の縦断面図である。 尚、図面中(1)は基材、(2)は内部電極、(4)は
外部電極、(5)は電源、(6)はガラス中間層、(7
)は試料、(8)は誘電層である。 特 許 出願 人 東陶機器株式会社代理人
弁理士 下 1) 容一部間 弁理
士 大 橋 邦 産量 弁
理士 小 山 右同 弁理士
野 1) 茂第1図 第2図 第3図 第5図
Claims (4)
- (1)セラミックス製基材上面に膜状電極を形成し、こ
の膜状電極を覆うガラス中間層を基材上面に積層し、こ
のガラス中間層の上面に絶縁性誘電層を形成したことを
特徴とする静電チャック板。 - (2)前記ガラス中間層にはTiO_2、PbTiO_
3、BaTiO_3等の高誘電性材料、Au等の導電性
の高い材料及びBeO、MgO、SiC等の熱伝導率の
高い材料のうち少なくとも1種が添加されていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の静電チャック板
。 - (3)前記絶縁性誘電層は溶射によって形成され、この
誘電層表面には無機含浸層が形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の静電チャック板。 - (4)セラミックス材料を焼成することで基材を形成し
、この基材の表面に膜状電極を形成し、膜状電極を形成
した基材表面にペースト状ガラスを塗布してこれを焼成
することでガラス中間層を形成し、このガラス中間層の
表面に絶縁材料を溶射して誘電層を形成した後、中間層
を構成するガラスの軟化点以下の温度で誘電層を熱処理
するようにしたことを特徴とする静電チャック板の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13050886A JPS62286248A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 静電チヤツク板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13050886A JPS62286248A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 静電チヤツク板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62286248A true JPS62286248A (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=15035958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13050886A Pending JPS62286248A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 静電チヤツク板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62286248A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0360529A2 (en) * | 1988-09-19 | 1990-03-28 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
JPH02125264A (ja) * | 1988-11-03 | 1990-05-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 電荷像記録媒体及び電荷像の記録,再生装置 |
JPH02206147A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Toto Ltd | 静電チャックの製造方法 |
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JP2001189378A (ja) * | 1990-12-25 | 2001-07-10 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー吸着加熱装置 |
JP2003347396A (ja) * | 1990-12-25 | 2003-12-05 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー吸着加熱装置及びウエハー吸着装置 |
JP2016213237A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャックおよびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5957446A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Kokusai Electric Co Ltd | 静電吸着式基板保持装置 |
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-
1986
- 1986-06-05 JP JP13050886A patent/JPS62286248A/ja active Pending
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