JPS62286241A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
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- JPS62286241A JPS62286241A JP13079086A JP13079086A JPS62286241A JP S62286241 A JPS62286241 A JP S62286241A JP 13079086 A JP13079086 A JP 13079086A JP 13079086 A JP13079086 A JP 13079086A JP S62286241 A JPS62286241 A JP S62286241A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子の電極と各々の外部電極の結線状
態を電気的に検出する方法に関するものである。
態を電気的に検出する方法に関するものである。
従来の技術
従来この種の検査は、半導体素子の接合順方向電圧が安
定した一定の値を持つことに着目して、半導体素子の極
性領域と金属電極および外部導出線と金属′Ｓ線の結合
部のばらつきや、金属細線の太さや変化分が、半導体素
子個有の順方向電圧に加算されることを利用して規格設
定を行ない、素子上外部導出線の結合状態を検査する方
法が一般的に行なわれている。特に大電流を扱う半導体
素子の場合、部分的に結合が不完全であったり、金属細
線の太さが異なると、半導体装置の中では回路の一部に
高い抵抗が存在することになり、部分的な発熱、疲労が
起って半導体装置にとって致命的な断線不良となり、そ
の半導体装置を組み込んだ電子機器の市場トラブルを発
生させるため、特に厳重なる規格設定と、検査が行なわ
れている。
定した一定の値を持つことに着目して、半導体素子の極
性領域と金属電極および外部導出線と金属′Ｓ線の結合
部のばらつきや、金属細線の太さや変化分が、半導体素
子個有の順方向電圧に加算されることを利用して規格設
定を行ない、素子上外部導出線の結合状態を検査する方
法が一般的に行なわれている。特に大電流を扱う半導体
素子の場合、部分的に結合が不完全であったり、金属細
線の太さが異なると、半導体装置の中では回路の一部に
高い抵抗が存在することになり、部分的な発熱、疲労が
起って半導体装置にとって致命的な断線不良となり、そ
の半導体装置を組み込んだ電子機器の市場トラブルを発
生させるため、特に厳重なる規格設定と、検査が行なわ
れている。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の方法は、半導体素子の極性領域と金属
電極の接触、電極と金属細線の接続面積や強度、金属細
線の形状のばらつき、さらには、外部導出線と金属細線
の接続面積や強度などの製造ロット毎のばらつきに加え
て、髄々のばらつきが加わっており、検査規格を厳しく
すると、製造歩留りを悪くシ、一方、ゆるくすると、品
質が確保できないという不都合を生じている。
電極の接触、電極と金属細線の接続面積や強度、金属細
線の形状のばらつき、さらには、外部導出線と金属細線
の接続面積や強度などの製造ロット毎のばらつきに加え
て、髄々のばらつきが加わっており、検査規格を厳しく
すると、製造歩留りを悪くシ、一方、ゆるくすると、品
質が確保できないという不都合を生じている。
本発明は、このような不都合を排除することを目的とし
て、製造ロット内の全体のばらつきを把握し、その製造
ロットの特性値が分布から飛び離れた異常な半導体装置
のみを精度よく取り除くことのできる方法に関するもの
である。
て、製造ロット内の全体のばらつきを把握し、その製造
ロットの特性値が分布から飛び離れた異常な半導体装置
のみを精度よく取り除くことのできる方法に関するもの
である。
問題点を解決するための手段
本発明は、半導体素子を基板支持体に接着し、半導体素
子の各電極と外部導出線とを金属細線で連結した後、前
記外部導出線を通じて、接合順方向定電流電圧値を測定
し、個々の測定値と同一製造ロット内母集団の測定値平
均値との差から、前記側々の測定値の不良を検知する半
導体装置の検宵している。例えば、トランジスタのエミ
ッタ。
子の各電極と外部導出線とを金属細線で連結した後、前
記外部導出線を通じて、接合順方向定電流電圧値を測定
し、個々の測定値と同一製造ロット内母集団の測定値平
均値との差から、前記側々の測定値の不良を検知する半
導体装置の検宵している。例えば、トランジスタのエミ
ッタ。
ベース領域上にアルミニウム蒸着によって電極を形成し
た場合、そのアルミニウム蒸着膜厚が若干異ったり、エ
ミッタ、ベース電極と、金属細線を結合する際、ボンデ
ィング・ウェッジの寸法で決まるボンディング面積が若
干異ったり、また、金属細線のボンディング部の形状が
異なる等である。このような、わずかなばらつきは、大
電流になる程大きな抵抗値を示し、同一条件でエミッタ
、ベース電極間に一定の順方向電流を流しても順方向電
圧（ＶＢＥ）は大きな差となって現われるために、一定
のＶＩＥ規格を設ける場合、ある程度ゆるい規格を設定
しなければならない。
た場合、そのアルミニウム蒸着膜厚が若干異ったり、エ
ミッタ、ベース電極と、金属細線を結合する際、ボンデ
ィング・ウェッジの寸法で決まるボンディング面積が若
干異ったり、また、金属細線のボンディング部の形状が
異なる等である。このような、わずかなばらつきは、大
電流になる程大きな抵抗値を示し、同一条件でエミッタ
、ベース電極間に一定の順方向電流を流しても順方向電
圧（ＶＢＥ）は大きな差となって現われるために、一定
のＶＩＥ規格を設ける場合、ある程度ゆるい規格を設定
しなければならない。
そこで、製造ロット毎のＶＢ［！の分布を少量のサンプ
ル測定で推定し、且つその製造ロットのｖＢＥの平均値
を求め、平均値に対して規格値を設ければ、製造ロット
間のＶＢＨのばらつきは消去され、また、製造工程で生
じた異常ばらつきは極めて精。
ル測定で推定し、且つその製造ロットのｖＢＥの平均値
を求め、平均値に対して規格値を設ければ、製造ロット
間のＶＢＨのばらつきは消去され、また、製造工程で生
じた異常ばらつきは極めて精。
度よく検出することが可能となる。
実施例
図面は、本発明の検査方法をわかり易くするために、実
施例の半導体装置として、大電力型トランジスタによる
定電流（Ｉｇ＝７Ａ＞時のベース。
施例の半導体装置として、大電力型トランジスタによる
定電流（Ｉｇ＝７Ａ＞時のベース。
エミッタ間電圧ＶＢ［！の分布と、検査方法を表わした
図である。
図である。
本発明にかかる検査例で、各々のロットから数個（１０
〜６０）のサンプリングによって、そのロットの分布と
平均値ＡＡ、ＡＢ、ＡＣをデーター処理演算し、その平
均値に対して規格幅（ａｄ）（この例ではａｄ＝ｏ、０
４Ｖ）を付加した規格値ＢＡ、ＢＢ、ＢＣを設定する平
均値の偏差は工程差であり、これは許容限度内で容認さ
れるが個々の測定値がロット毎の規格値をこえるものは
不良品と判定できる。これによって製造上の異常品は、
確実に除去される。
〜６０）のサンプリングによって、そのロットの分布と
平均値ＡＡ、ＡＢ、ＡＣをデーター処理演算し、その平
均値に対して規格幅（ａｄ）（この例ではａｄ＝ｏ、０
４Ｖ）を付加した規格値ＢＡ、ＢＢ、ＢＣを設定する平
均値の偏差は工程差であり、これは許容限度内で容認さ
れるが個々の測定値がロット毎の規格値をこえるものは
不良品と判定できる。これによって製造上の異常品は、
確実に除去される。
発明の効果
以上のように本発明は、製造ロット間の変化と、製造工
程中の作り込みの異常を明確に分け、極めて精度の高い
検査が可能おなり、特に、製品の市場品質上最も重要な
電極と外部導出線の結線状、態を厳密に検査することが
でき増々増大する電子機器の信頼性を格段に向上させる
ことが可能となる。
程中の作り込みの異常を明確に分け、極めて精度の高い
検査が可能おなり、特に、製品の市場品質上最も重要な
電極と外部導出線の結線状、態を厳密に検査することが
でき増々増大する電子機器の信頼性を格段に向上させる
ことが可能となる。
図釈は本発明の半導体装置の検査方法をＶＢＥ特性測定
値の分布によって表わしたものである。
値の分布によって表わしたものである。
Claims (1)
- 半導体素子を基板支持体に接着し、半導体素子の各電極
と外部導出線とを金属細線で連結した後、前記外部導出
線を通じて、接合順方向定電流電圧値を測定し、個々の
測定値と同一製造ロット内母集団の測定値平均値との差
を演算し、その演算値とあらかじめ設定した規格値とに
照らして良否を判定する半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13079086A JPS62286241A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13079086A JPS62286241A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286241A true JPS62286241A (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=15042746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13079086A Pending JPS62286241A (ja) | 1986-06-05 | 1986-06-05 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286241A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6466577A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Nec Yamaguchi Ltd | Apparatus for testing semiconductor device |
| US6810344B1 (en) | 1999-11-11 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor testing method and semiconductor testing apparatus for semiconductor devices, and program for executing semiconductor testing method |
| CN101992679A (zh) * | 2009-08-24 | 2011-03-30 | 上海华普国润汽车有限公司 | 双行星排四轴混合动力传动装置 |
-
1986
- 1986-06-05 JP JP13079086A patent/JPS62286241A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6466577A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Nec Yamaguchi Ltd | Apparatus for testing semiconductor device |
| US6810344B1 (en) | 1999-11-11 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor testing method and semiconductor testing apparatus for semiconductor devices, and program for executing semiconductor testing method |
| CN101992679A (zh) * | 2009-08-24 | 2011-03-30 | 上海华普国润汽车有限公司 | 双行星排四轴混合动力传动装置 |
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