JPS6228621A - カメラの測光回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）技術分野 本発明は、カメラの測光回路に関し、より具体的には、
被写体光を光電流に変換する機能とこの光電流を対数変
換する機能とを兼備えた測光回路に関するものである。

（ｂ）　　従来技術 この種の測光回路において、被写体光を光電流に変換す
る受光ダイオード、フォトトランジスタ等の光電変換素
子は、その内部に等価的に僅かの静電容量が残留してい
る。このために測光回路への電源投入がなされた場合、
その時点から、光電変換素子の残留静電容量を光電流で
放電するまでの時点の間には、同光電変換素子で受けら
れた光に追従しない誤った光電変換出力が生じてしまう
。

このようにして生じる誤った光電変換出力の持続時間は
、光電流値に依存し大きな光電流値の場合には短く、小
さな光電流値の場合には長くなる。言い替えれば、被写
体輝度が高い場合には上記持続時間が短く、被写体輝度
が低い場合には長くなってしまう。

ここで、光電変換素子の残留静電容量Ｃを、例えば２０
０ＰＦとし、充電電圧Ｖを１ｖとし。

光電流Ｉｏを３０ＰＡとすれば、上記容量の充電電荷を
光電流によって放電するに必要な時間Ｔは、次式のよう
になる。

Ｔ＝Ｃ−Ｖ／Ｉ。

従って上側においては、 Ｔ＝（２００Ｘ１０−”　　・１）／（３０Ｘ１０−’
　”　）’＝６．７　Ｃ秒）になる。

従って、このような測光回路を用いて撮影を行なうと低
輝度のとき程大きな露光誤差が生じることになる。

一方、測光回路への電源投入時の過渡的な異常電圧成分
や、ストロボ同調時のトリガーノイズ成分によって上記
光電変換素子の有する残留静電容量に充電が行なわれる
と、この充電電荷を上記光電変換素子で受けた光電流で
放電されるまでの間に同測光回路に異常出力が生じ、規
定の測光範囲に対応した出力電圧範囲を外れてしまい露
光誤差が生じたり、一時的に測光回路の動作が不安定に
なってしまうという問題がある。

（ｃ）　　目的 本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、その目的
とするところは、光電変換素子の有する残留静電容量に
基因して、測光回路に過渡的な異常出力が生じたり、測
光回路の動作が不安定になった場合に速やかに測光回路
を安定状態に戻すことが出来るカメラの測光回路を提供
することにある。

（ｄ）　　構成 上述の目的を達成するために１本発明は、被写体光を受
ける光電変換素子の光電流を対数変換するカメラの測光
回路において、上記測光回路の出力が予め設定された測
光範囲に対応した出力範囲外になったときに判定出力を
送出する比較回路と、この比較回路の判定出力によって
上記光電変換素子にバイアス電流を流すバイアス回路と
、を具備するように構成したことを特徴とするものであ
る。

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。先
ず、本発明の概略を第１図を用いて説明する。

第１図において、測光回路ｌＯには、被写体光を受ける
光電変換素子と、その光電流出力を対数変換する対数変
換回路とを有して構成され、同測光回路ｌＯの出力端か
ら送出される測光出力ｖＯは、図示しない露光制御回路
に供給されると共に、比較回路２０にも供給されるよう
になっている。この比較回路２０は、上記測光回路１０
に予め設定された測光範囲に対応した測光出力Ｖｏの出
力範囲外になったときに判定出力ＳＯを生成するもので
ある。この比較回路２０の出力端は、バイアス回路３ｏ
の制御入力端に接続され、同バイアス回路３ｏの出力端
は。

上記測光回路１０のバイアス制御入力端に接続されてい
る。このバイアス回路３ｏは、測光回路１０の有する光
電変換素子の残留充電電荷を強制的に放電させるための
ものである。

従って、測光回路１０の測光出力Ｖｏに、電源投入時の
異常電圧成分やストロボのトリガーノイズ成分によって
所定の出力範囲外の電圧が生じると、言い換えれば光電
変換素子の有する残留静電容量に異常電圧成分やトリガ
ーノイズ成分が充電されると、このときの測光出力Ｖ。

が比較回路２０で検出され判定出力Ｓｏが生じる。する
と、バイアス回路３０が作動し、開光回路１０の光電変
換素子の充電電荷がバイアス回路３０から送出されるバ
イアス電流によって放電される。これに伴って測光出力
Ｖｏが所定の出力範囲内に入り、判定出力Ｓｏが生じな
くなるので測光回路１０へのバイアス電流の供給が断た
れ、光電変換素子の受けた被写体光に正確に依存した測
光出力Ｖｏが得られるのである。

次に、本発明の第１実施例を第２図および第３図を用い
て具体的に説明する。

第２図において、測光回路１０と比較回路２０のそれぞ
れに基＄電圧Ｖｒを供給するための定電圧源１００が設
けられていて、この定電圧源１００の出力端は、温度補
償用のダイオードＤｉのアノード・カソードと定電流源
工の直列回路を介して接地されている。このダイオード
Ｄ１のカソードは、バッファー回路を形成するオペアン
プＯＰＩの非反転入力端に接続され。

反転入力端と自身の出力端は共通接続されている。この
オペアンプ○Ｐ１の出力端は、対数変換回路を形成する
オペアンプ○Ｐ２の非反転入力端に接続されると共に光
電変換素子の一例である受光ダイオードＤ２のアノード
に接続されている。この受光ダイオードＤ２のカソード
は、オペアンプＯＰ２の反転入力端に接続されると共に
対数圧縮用のダイオードＤ３のカソードに接続されてい
る。同ダイオードＤ３のアノードは、オペアンプＯＰ２
の出力端に接続されると共に、電圧増幅回路を形成する
オペアンプ○Ｐ３の非反転入力端に接続されている。こ
のオペアンプＯＰ３の反転入力端と出力端の間には抵抗
Ｒ１が接続され、同反転入力端と定電圧源１００の出力
端との間にはサーミスタＲＴが接続されている。そして
、上記ダイオードＤ１とＤ３のそれぞれは温度特性が同
一のものが選別されており、サーミスタＲＴは、その温
度特性が上述の温度特性を打ち消すようなものが選ばれ
ている。

上記オペアンプＯＰ３の出力端は、比較回路２０の比較
入力端、即ち、電圧コンパレータを形成するオペアンプ
ＯＰ４の反転入力端に接続され、同オペアンプＯＰ４の
非反転入力端には、上記基準電圧Ｖｒを抵抗Ｒ２，Ｒ３
で分圧した基′＄電圧Ｖ！が供給されるようになってい
る。

この比較回路２０の出力端、即ち、オペアンプＯＰ４の
出力端は、バイアス回路３０の制御入力端に接続され、
抵抗Ｒ４を介してＮＰＮ形のトランジスタＱのベースに
接続されている。

このトランジスタＱのエミッタは接地され、コレクタは
抵抗Ｒ５を介して上述の測光回路ＩＯの有する受光ダイ
オードＤ２のカソードに接続されている。また、基準電
圧ｖ１の設定は、測光出力ｖＯの電圧が所定の測光範囲
の最低輝度値に対応した電圧になっている。

このように構成された本実施例において、電源投入時の
異常電圧成分やストロボのトリガーノイズ成分によって
受光ダイオードＤ２の残留静電容量に充電がなされ、測
光出力ｖＯの電圧が測光範囲の最低輝度値に対応した基
Ｉ９！電圧ｖ１以下になると、比較回路２０の判定出力
Ｓｏ、即ち、オペアンプＯＰ４の出力がＨレベルになる
。すると、トランジスタＱのベース電位が上昇し、同ト
ランジスタＱがオンになる。

トランジスタＱがオンになると、ダイオードＤ３のアノ
ード・カソード→抵抗Ｒ５→トランジスタＱのコレクタ
・エミッタ→接地端の経路にｉなるバイアス電流が流れ
る。このバイアス電流ｉは、オペアンプＯＰ１の出力電
圧と抵抗Ｒ５によって規制される。これと同時に、上記
バイアス電流ｉによって受光ダイオードＤ２の残留静電
容量に充電された電荷が放電され、この結果測光出力Ｖ
ｏの電圧がバイアス電流ｉに基づく値に徐々に上昇する
。

そして、測光出力Ｖｏの電圧が基準電圧Ｖ＋に達すると
比較回路２０の判定出力ＳＯ１即ち、オペアンプＯＰ４
の出力がＬレベルに反転する。

これと同時にトランジスタＱがオフになり、オペアンプ
ＯＰ２の出力端には、受光ダイオードＤ２で受けた光に
正確に依存した対数変換出力が得られ、この出力がオペ
アンプＯＰ３によって増幅され、測光出力ｖＯになる。

従って、受光ダイオードＤ２で受けた光に正確に依存し
た測光出力が得られることになる。また、このような安
定した測光出力ｖＯが得られるまでの時間は、極めて短
時間（受光ダイオードＤ２の残留静電容量の充ｆ［荷を
強制的に放電させるに充分な時間）であるので測光回路
１０の次段に接続される図示しない露光制御回路の動作
に悪影響を及ぼさず、正確な露光動作を行なわせること
ができる。

次に、本発明の第２実施例を第４図を用いて説明する。

本実施例は、上述の第１実施例における比較回路２０を
ディジタル比較器２１としたもので、このディジタル比
較器２１の比較入力端に、測光回路１０の測光出力Ｖｏ
をＡ／Ｄ変換器１１でディジタル値に変換したディジタ
ル測光出力Ｖ　ｏ　’　　を入力するようにしている。

また、ディジタル比較器２１における基準入力端には上
述の基準電圧■１のディジタル値が供給されるようにな
っている。更に、図示しない露光制御回路への測光出力
の送出は、ディジタル測光出力ＶＯ’　　となっている
。

従って、種々の露光制御をディジタル信号でもって行な
うことができるので信号処理がし易く、回路のＩＣ化を
行ない易いという利点がある。

一方、ディジタル比較器２１の信号処理と露光制御処理
を第５図に示すように、ＭＣＵ　（マイクロコンピュー
タユニット）２２で行なうことができ、この場合には、
ＭＣＵ２２にフィルムＩＳＯ感度値、絞り値等の露光情
報を送出する露光情報送出回路２３の出力に基づいて総
合的な信号処理を行なうことができる。

即ち、第６図に示すフローチャートのように。

測光回路１０に得られる測光出力ｖＯは、Ａ／Ｄ変換器
１１でＡ／Ｄ変換され、ディジタル測光出力Ｖｏ’　　
が得られる。このディジタル測光出力Ｖ　ｏ　’　　は
ＭＣＵ２２に取り込まれ、いったんメモリーに格納され
る。そして、そのメモリー内容が測光範囲に対応する出
力値の規定外であるか否かの判定がなされ、ＹＥＳであ
る場合には、判定出力Ｓｏがバイアス回路３０に送出さ
れ、測光回路１０における光電変換素子にバイアス電流
が流され、同光電変換素子の残留静電容量の充電電荷の
放電がなされ、ディジタル測光出力Ｖ　ｏ　’　　が規
定内に入ったことがＭＣＵ２２によって判断されると判
定出力Ｓｏの送出が停止され所定のタイマー設定時間が
経過した後、ディジタル測光出力Ｖ　ｏ　’　　のデー
タに基づいて、ＭＣＵ２２により各種の制御が行なわれ
る。即ち、第５図に示すように、表示器２４に露光表示
がなされたり、給送装［２５にフィルム給送指令が出さ
れたり、シャッタ２６の開閉指令が出されるのである。

また、上述の各側における比較回路２０は、第７図に示
すように遅延回路４０を有したものを用いるようにして
も良い。即ち、遅延回路４０は、抵抗Ｒ６、コンデンサ
Ｃ１、バッファアンプＧ１で形成され、オペアンプＯＰ
４の出力端は、抵抗Ｒ６とバッファアンプＧ１を介して
バイアス回路３０の入力端、即ち、抵抗Ｒ４を介してト
ランジスタＱのベースに接続され、バッファアンプＧ１
の入力端はコンデンサＣ１を介して接地されている。

従って、電源投入時等で測光出力Ｖｏが基準電圧Ｖ＋以
下になると、オペアンプＯＰ４の出力ａが第８図に示す
ようにＨレベルに反転し抵抗Ｒ６とコンデンサＣ１によ
って決定される遅延時間ｔ１後に判定出力ＳｏがＨレベ
ルに反転する。

すると、上述同様にトランジスタＱがオンになって光電
変換素子の残留静電容量に充電された電荷がバイアス回
路３０によって放電され、測光出力Ｖｏが上昇し、基準
電圧Ｖ＋に達すると、オペアンプＯＰ４の出力ａがＬレ
ベルに反転する。この時点から遅延時間ｔ１後に判定出
力ＳｏがＬレベルに反転し、バイアス回路３０によるバ
イアス電流が断たれる。

従ってｔ＋＋ｔｚの時間、断続して判定出力ＳｏがＨレ
ベルになるため、この間には、光電変換素子にバイアス
電流が断続して流れ続けるので、測光出力Ｖｏはバイア
ス電流によって決まる値に安定する。

このように本実施例においては、測光出力Ｖｏが安定す
るに充分な時間の間、断続してバイアス電流が流されて
いるので回路の安定性が向上する利点がある。

一方、上述の例における遅延回路４０の代りに、第９図
に示すようなパルス発生回路５０を用いても良い。この
パルス発生回路５０は、オアゲートＧ２、アンドゲート
Ｇ３、抵抗Ｒ７、コンデンサＣ２、インバータＧ４で形
成されオペアンプＯＰ４の出力端は、オアゲートＧ２を
介してアンドゲートＧ３の一方の入力端に接続され、−
右同オアゲートＧ２の出力端は、抵抗Ｒ７とインバータ
Ｇ４の直列回路を介してアンＦ／７’−トＧ３の他方の
入力端に接続されている。

このアンドゲートＧ３の出力端は、バイアス回路３０の
制御入力端、即ち、抵抗Ｒ４を介してトランジスタＱの
ベースに接続されている。また、インバータＧ４の入力
端は、コンデンサＣ２を介して接地されている。

従って、上述同様にして測光出力Ｖｏが基準電圧ｖ１よ
り低下すると、オペアンプＯＰ４の出力すが第１０図に
示すようにＨレベルに反転する。すると、オペアンプＯ
Ｐ４の出力すのＨレベル信号はオアゲートＧ２を通過し
、インバータＧ４のＨレベル出力によって開かれている
アンドゲートＧ３を通過する。

従って、アンドゲートＧ３の出力、即ち判定出力ＳＯが
Ｈレベルに反転し、上述と同様にしてバイアス回路３０
によってバイアス電流が流される。

これと同時にアンドゲートＧ３のＨレベル出力がオアゲ
ートＧ２を介して同アンドゲートＧ３の一方の入力端に
帰還されるので出力すが立下っても判定出力ＳｏのＨレ
ベルが保持される。この時点から、抵抗Ｒ７とコンデン
サｃ２によって決定される遅延時間ｔｓの後にインバー
タＧ４の出力がＬレベルに反転し、アントゲ−）−０３
が閉じら九、アンドゲートＧ３の出力、即ち判定出力Ｓ
ｏがＬレベルに反転し、バイアス回路３０の作動が停止
される。

よって、バイアス電流の印加が上述の例（第７図参照）
より早くなされることになる。

一方、光電変換素子へのバイアス電流の供給は、上述の
例のみならず、第１１図に示すようにしても良い。この
例は、比較回路２ｏにおける判定出力Ｓｏの極性が上述
とは逆にされた場合に適用できるものである。即ち、比
較回路２０を形成するオペアンプ○Ｐ４の非反転入力端
には測光出力ｖＯが供給されるようになっていて、反転
入力端には基準電圧Ｖｒを抵抗Ｒ２゜Ｒ３で分圧した基
準電圧ｖ１が供給されるようになっている。そして、判
定出力ＳＯはダイオードＤ４のカソード・アノードと抵
抗Ｒ８を介してバイアス供給されるようになっている。

従って、測光出力Ｖｏが基準電圧ｖ１より低下すると判
定出力ＳｏがＬレベルに反転し、光電変換素子→抵抗Ｒ
８→ダイオードＤ４のアノード・カソード→オペアンプ
ＯＰ４の経路でバイアス電流が流れる。また、測光出力
ｖＯが基準電圧７１以上の場合には、判定出力ＳＯがＨ
レベルに反転するので上述のバイアス電流は流れないこ
とになる。このためにバイアス回路３０の回路構成を簡
略化することができる。

上述のバイアス回路３０においては、全て、光電変換素
子に直接にバイアス電流を流すものであるが、第１２図
に示すように、判定出力ＳＯが抵抗Ｒ９と発光ダイオー
ドＤ５のアノード・力、ソードを介して供給される際に
、発光ダイオードＤ５に生じる光を光電変換素子に照射
するようにしても良い。この場合には、発光ダイオード
Ｄ５の光によって光電変換素子に大きな光電流が流れ、
上述のバイアス電流を直接に流す方法と比べて同様に測
光回路１０に安定化を図ることができる。

この例においては、測光回路１０のハイインピーダンス
点、例えばオペアンプの入力端に回路接続をしなくても
良いのでリーク電流、ノイズ、実装のし易さ等の点で効
果的である。

また、バイアス回路３０の変形例としては、第１３図に
示すように、判定出力ＳｏのＨレベル信号によって、抵
抗ＲＩＯを介してリレーコイルＲＬに電流が流れ、この
リレーコイルＲＬによって作動するリレー接点ＲＬ’　
がオンになることによってバイアス電流をリレー接点Ｒ
Ｌ’→抵抗Ｒ１１の経路で流すようにしても良い。

この例においては、半導体スイッチのリーク電流の問題
を少なくできる。

次に、本発明の第３実施例を第１４図ないし第１７図を
用いて説明する。本実施例は、上記第２図に示す第１実
施例の一部を変形したものである。

第１４図において、比較回路２０を形成するオペアンプ
ＯＰ４の出力端は、上述同様のパルス発生回路５０を介
してバイアス回路３０の制御入力端即ち、抵抗Ｒ４を介
してトランジスタＱのベースに接続されている。また、
同トランジスタＱのベース・エミッタ間にはコンデンサ
Ｃ３が接続されている。更に、トランジスタＱのエミッ
タは上述のように接地されておらず、受光ダイオードＤ
２のカソードに接続され、コレクタは抵抗Ｒ５を介して
受光ダイオードＤ２のアノードに接続されている。

このように構成された本実施例において、ストロボのト
リガーノイズ成分等によって第１５図に破線で示すよう
に残留静電容量Ｃに図示の極性の充電がなされると比較
回路２０の出力がＨレベルに反転し、トランジスタＱが
オンになる。すると、オペアンプＯＰ２のオフセット電
圧が十の場合には、トランジスタＱのオン抵抗Ｒ９と抵
抗Ｒ５の抵抗値ｒ５とオペアンプＯＰ２のオフセット電
圧ΔｖＯによって決まるバイアス電流ｉと受光ダイオー
ドＤ２の光電流ＩＬが流れる。

上記バイアス電流ｉは次式のようになる。

ｉ＝ΔＶｏ　／　（Ｒｑ　＋　ｒ　ｓ　）従って、Ｉｔ
、＋ｉの電流で残留静電容量Ｃの充電電荷が放電される
ことになる。

このようにして放電がなされ、測光出力Ｖ。

が基準電圧ｖ１を越えると、（即ち時間ｔ４経過すると
）オペアンプＯＰ４の出力がＬレベルに反転するがパル
ス発生回路５０が動作しているので、測光出力ｖＯは、
Ｉ　Ｌ　＋　ｉによって決まる電圧まで上昇する。

オペアンプＯＰ４の出力がＨレベルになってから遅延時
間ｔ５後にトランジスタＱがオフになってバイアス電流
が断たれる。

このとき、トランジスタＱのベース電位は、（オペアン
プＯＰ１の出力電圧）＋（トランジスタＱのＶｕ）から
接地レベルまで変化するためその変動がコンデンサＣ３
を介してオペアンプ○Ｐ２の反転入力端に加わり一時的
にオペアンプＯＰ２の出力電圧を高くするが、オペアン
プＯＰ２の出力からダイオードＤ３のアノード・カソー
ドを流れる電流で残留静電容量Ｃが充電される。以後は
、受光ダイオードＤ２に流れる光電流ＩＬによって決ま
る測光出力ｖＯに応答する。この応答の早さは、ダイオ
ードＤ３の静電容量Ｃ′に充電されている電荷と光電流
ＩＬとＣ′の値によって決まる。

一方、オペアンプＯＰ２のオフセット電圧ΔＶｏが−の
場合には、第１７図に示すように、判定出力ＳｏのＨレ
ベルへの反転によってトランジスタＱが上述同様にオン
となり、トランジスタＱのベース電位が、（オペアンプ
ＯＰＩの出力電圧）＋　（Ｖｕ）まで上がりコンデンサ
Ｃ３を介してオペアンプ○Ｐ２の反転入力端にノイズが
加わりオペアンプＯＰ２の反転入力端に十電荷が充電さ
れるが、トランジスタＱがオンであるために放電される
。ただし、この放電は、接地レベルまでであるのでオペ
アンプ○Ｐ２の出力はＬレベルのままになる。

そして、上述同様に遅延時間ｔ５後にトランジスタＱが
オフされると、トランジスタＱのベース電位が（オペア
ンプ○Ｐ１の出力電圧）＋（Ｖ　ｒＩ＋）から接地レベ
ルまで変化するため、コンデンサＣ３を介してオペアン
プＯＰ２の反転入力端に電圧変動が加わり、オペアンプ
ＯＰ２の反転入力端の電位が下がるのでオペアンプ○Ｐ
２の出力電圧が上昇し、ダイオードＤ３のアノード・カ
ソードを介して残留静電容量Ｃ、コンデンサＣ３への充
電が行なわれる。以後は、上述と同様に光電流ＩＬに正
確に依存した測光出力Ｖｏに安定する。

なお、上述のようにオペアンプ○Ｐ２のオフセット電圧
によってなされる残留静電容量Ｃへの逆充電（放電）を
小さくして安定するに必要な時間を短縮するには、第１
８図に示すようにダイオードＤ３の両端に逆並列となる
ようにダイオードＤ６を追加して設けるようにすれば良
い。

（ｅ）　　効果 このように本発明によれば、電源投入時のノイズやスト
ロボトリガーノイズによって光電変換素子の残留静電容
量に充電がなされ測光出力が異常になった場合に、速や
かに測光出力を安定状態、即ち、光電変換素子の光電流
に正確に依存したものとすることができ、従来の問題を
すべて解消したカメラの測光回路を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の概略を示す回路ブロック図、第２図
は１本発明の第１実施例を示す回路図、第３図は、同実
施例の動作説明用の波形図、第４図は、本発明の第２実
施例を示す回路ブロック図、第５図は、同じく第２実施
例の変形例を示す回路ブロック図、第６図は、第５図に
示す変形例の動作説明用のフローチャート、第７図は、
比較回路の変形例を示す回路図、第８図は、第７図に示
す例の動作説明用の波形図、第９図は、第１実施例の他
の変形例を示す回路図、第１０図は、第９図に示す例の
動作説明用の波形図、第１１図は、第１実施例における
バイアス回路の変形例を示す回路図、第１２図および第
１３図は、同バイアス回路の更に異なる他の変形例をそ
れぞれ示す回路図、第１４図は、本発明の第３実施例を
示す回路図、第１５図は、同実施例の動作説明用の回路
図、第１６図および第１７図は、同実施例の動作説明用
の波形図、第１８図は、オペアンプ回路の変形例を示す
回路図である。 ｌＯ・・・・・・測光回路、 １１・・・・・・Ａ／Ｄ変換器、 ２０・・・・・・比較回路、 ２１・・・・・・ディジタル比較器、 ２２・・・・・・ＭＣＵ、 ３０・・・・・・バイアス回路、 ４ｏ・・・・・・遅延回路、 ５０・・・・・・パルス発生回路、 ＯＰＩ〜○Ｐ４・・・・・・オペアンプ、Ｑ・・・・・
・トランジスタ。 ＤＩ、Ｄ３．Ｄ４．Ｄ６・・・・・・ダイオード、Ｄ２
・・・・・・受光ダイオード、 Ｄ５・・・・・・発光ダイオード、 Ｒ１−Ｒ１１・・・・・・抵抗、 Ｃ１〜Ｃ３・・・・・・コンデンサ、 ■・・・・・・定電流源、 １００・・・・・定電圧源。 特許出願人　株式会社　リ　　コ　　−代理人弁理士真
田修治；　、、、；、１第　　１　　　図 第　　３　　図 ｖＯ 第　　４　　図 第　　　５　　図 第　　６　　図 露光制御 第　　７　　図 ２き 第　　８　　図 第　　９　　図 ７ｎ 第　　１０　　図 第　　１１　　図 第　　１２　　図 η 第　　１３　　図 第　　１５　　図 第　　１６　　図 Ｖ○

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）被写体光を受ける光電変換素子の光電流を対数変
   換するカメラの測光回路において、上記測光回路の出力
   が予め設定された測光範囲に対応した出力範囲外になっ
   たときに判定出力を送出する比較回路と、この比較回路
   の判定出力によって上記光電変換素子にバイアス電流を
   流すバイアス回路と、を具備したことを特徴とするカメ
   ラの測光回路。
2. （２）測光回路の出力が予め設定された測光範囲に対応
   した出力範囲外になってから所定時間の経過の後に判定
   出力を送出する比較回路としたことを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載のカメラの測光回路。
3. （３）比較回路の判定出力によって上記光電変換素子に
   光を照射するバイアス回路としたことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載のカメラの測光回路。