JPS62285406A - 複合軟磁性薄膜 - Google Patents
複合軟磁性薄膜Info
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- JPS62285406A JPS62285406A JP12843086A JP12843086A JPS62285406A JP S62285406 A JPS62285406 A JP S62285406A JP 12843086 A JP12843086 A JP 12843086A JP 12843086 A JP12843086 A JP 12843086A JP S62285406 A JPS62285406 A JP S62285406A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野1
この発明は、磁気記録再生装置の磁気ヘッド等に適用可
能な複合軟磁性薄膜に関する。
能な複合軟磁性薄膜に関する。
[従来の技術1
スパッタリング法、あるいは、蒸着法により形成された
軟磁性Fe(鉄)膜、あるいは、軟磁性FexN(窒化
鉄)膜は、飽和磁化が例えば20 KG(キロ〃ウス)
以上と高いので、その磁気特性を利用した種々の分野へ
の適用が考えられている。例えば、セラミック等の基板
にギャップ相当厚みの非磁性膜を介在させて2つの軟磁
性薄膜を形成した構造のいわゆる薄膜ヘッドにおける軟
磁性薄膜としての利用等が図られつつあるが、従来のこ
の種の軟磁性薄膜は、軟磁性Fe膜、または、軟磁性F
exN膜のいずれか一方のみからなる単層溝道であった
。
軟磁性Fe(鉄)膜、あるいは、軟磁性FexN(窒化
鉄)膜は、飽和磁化が例えば20 KG(キロ〃ウス)
以上と高いので、その磁気特性を利用した種々の分野へ
の適用が考えられている。例えば、セラミック等の基板
にギャップ相当厚みの非磁性膜を介在させて2つの軟磁
性薄膜を形成した構造のいわゆる薄膜ヘッドにおける軟
磁性薄膜としての利用等が図られつつあるが、従来のこ
の種の軟磁性薄膜は、軟磁性Fe膜、または、軟磁性F
exN膜のいずれか一方のみからなる単層溝道であった
。
[発明が解決しようとする問題点1
上記軟磁性[’e膜は正の磁歪、軟磁性FexN膜は負
の磁歪を持つ。
の磁歪を持つ。
ところで、n!膜ヘッド等の磁気ヘッドの軟磁性薄膜と
して利用する場合、良好な特性を得るためには、一般に
磁歪を零、または、少し負1こすることが望ましいとさ
れるが、上記従来の単層構造のものでは、使用する材料
によってその磁歪力r定まって、磁歪を適正な値に制御
することができず、このため、磁気ヘッドの特性を向上
させる上での妨げとなっていた。
して利用する場合、良好な特性を得るためには、一般に
磁歪を零、または、少し負1こすることが望ましいとさ
れるが、上記従来の単層構造のものでは、使用する材料
によってその磁歪力r定まって、磁歪を適正な値に制御
することができず、このため、磁気ヘッドの特性を向上
させる上での妨げとなっていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、磁歪の制御
が可能で、磁気ヘッド等に有効を二適用できる複合軟磁
性薄膜を得ることを目的とする。
が可能で、磁気ヘッド等に有効を二適用できる複合軟磁
性薄膜を得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明では上記問題点を解決するために、六ノ(フタリ
ング法、または、蒸着法により軟磁性Fe膜と軟磁性F
exN1!Xとを交互に積層する構造とした。
ング法、または、蒸着法により軟磁性Fe膜と軟磁性F
exN1!Xとを交互に積層する構造とした。
[作用1
正磁歪の軟磁性Fe膜と負磁歪の軟磁性FexN膜とが
交互にMt層されて−するため、軟磁性Fe膜、および
、軟磁性FexN膜の各膜厚、および、両者の膜厚比を
適切に設定することにより、複合軟磁性薄膜全体として
所望の磁歪常数にすること力Cできる。すなわち、磁歪
制御が可能である。
交互にMt層されて−するため、軟磁性Fe膜、および
、軟磁性FexN膜の各膜厚、および、両者の膜厚比を
適切に設定することにより、複合軟磁性薄膜全体として
所望の磁歪常数にすること力Cできる。すなわち、磁歪
制御が可能である。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を図面により説明すると、図に
示すように、基板1にスパッタリング法、または、蒸着
法により軟磁性Feji2a、および、軟磁性FexN
膜2bを交互に積層して、複合軟磁性薄膜2を形成する
。
示すように、基板1にスパッタリング法、または、蒸着
法により軟磁性Feji2a、および、軟磁性FexN
膜2bを交互に積層して、複合軟磁性薄膜2を形成する
。
上記軟磁性Fe膜2a、FexN膜2bの各膜厚、およ
び、両者の膜厚比は任意であり、複合軟磁性薄膜2全体
として所望の磁歪常数となるように適宜設定する。
び、両者の膜厚比は任意であり、複合軟磁性薄膜2全体
として所望の磁歪常数となるように適宜設定する。
薄膜ヘッドに適用する場合、上記基板1は通常ガラス、
セラミンク等である。この場合、例えば、軟磁性Fe膜
2a、軟磁性FexNII!X2bの膜厚は0.01μ
−〜0.5μ畑程度と口重また、全体の膜厚は1μI1
1〜10μ瞳とする。また、通常は軟磁性Fe膜2aの
各層は同一膜厚とし、軟磁性FexN膜2bの各層につ
いて同様に同一膜厚とするが、それぞれについて膜厚を
変えてもよい。
セラミンク等である。この場合、例えば、軟磁性Fe膜
2a、軟磁性FexNII!X2bの膜厚は0.01μ
−〜0.5μ畑程度と口重また、全体の膜厚は1μI1
1〜10μ瞳とする。また、通常は軟磁性Fe膜2aの
各層は同一膜厚とし、軟磁性FexN膜2bの各層につ
いて同様に同一膜厚とするが、それぞれについて膜厚を
変えてもよい。
上記軟磁性FexN膜2bの×は例えば2〜8の値とす
る。
る。
また、軟磁性FexN1i2bの1層中に、Xの値が異
なる複数種類のFexNが混在する組成としてもよい。
なる複数種類のFexNが混在する組成としてもよい。
なお、本発明の複合軟磁性薄膜は、上述した薄膜ヘッド
に限らず、種々の軟磁性薄膜に適用することができる。
に限らず、種々の軟磁性薄膜に適用することができる。
例えば、リング状のフエライトコアのギャップ部に軟磁
性薄膜を形成した、いわゆる、M I G(Metal
I n Gap)型複合リングへ一7ドに適用する
ことができる。この場合、図の基板1は7エライトとな
る。
性薄膜を形成した、いわゆる、M I G(Metal
I n Gap)型複合リングへ一7ドに適用する
ことができる。この場合、図の基板1は7エライトとな
る。
また、リング状の7エライトフ7の代わりに、リング状
のコア自体を軟磁性薄膜の積層により形成した軟磁性薄
膜フッ型の磁気ヘッドにも適用できる。この場合、積層
した複合軟磁性薄膜フ7の厚みは、トラック幅相当の2
0μIo〜30μ−程度とする。
のコア自体を軟磁性薄膜の積層により形成した軟磁性薄
膜フッ型の磁気ヘッドにも適用できる。この場合、積層
した複合軟磁性薄膜フ7の厚みは、トラック幅相当の2
0μIo〜30μ−程度とする。
また、主磁極励磁型の垂直磁気ヘッドにおける軟磁性主
磁極膜として適用することもできる。この場合、積層し
た複合軟磁性薄膜の厚みは0.1〜1μ−程度とする。
磁極膜として適用することもできる。この場合、積層し
た複合軟磁性薄膜の厚みは0.1〜1μ−程度とする。
さらに、本発明は、磁気ヘッドに限定するものでなく、
磁歪制御を必要とする種々の軟磁性膜に適用可能である
。
磁歪制御を必要とする種々の軟磁性膜に適用可能である
。
[発明の効果1
以上説明したように本発明によれば、スパッタリング法
、または、蒸着法により軟磁性Fe膜と軟磁性FexN
膜とを交互に積層する構造としたので、軟磁性Fe膜お
よび軟磁性FexN1tjcの各層の膜厚等を適切に設
定することにより、複合軟磁性薄膜全体として磁歪を制
御することが可能になった。これにより、軟磁性Fe膜
、軟磁性FexN膜を利用した磁気ヘッドへの適用が実
際的に可能になり、さらに、その他の種々の用途に適用
して性能向上を図ることが可能となった。
、または、蒸着法により軟磁性Fe膜と軟磁性FexN
膜とを交互に積層する構造としたので、軟磁性Fe膜お
よび軟磁性FexN1tjcの各層の膜厚等を適切に設
定することにより、複合軟磁性薄膜全体として磁歪を制
御することが可能になった。これにより、軟磁性Fe膜
、軟磁性FexN膜を利用した磁気ヘッドへの適用が実
際的に可能になり、さらに、その他の種々の用途に適用
して性能向上を図ることが可能となった。
図は本発明の一実施例を示す複合軟磁性薄膜の断面図で
ある。 1・・・基板、2・・・複合軟磁性Tfi膜、2a−軟
磁性FeF!、2b川軟磁性FexN膜。
ある。 1・・・基板、2・・・複合軟磁性Tfi膜、2a−軟
磁性FeF!、2b川軟磁性FexN膜。
Claims (4)
- (1)スパッタリング法、または、蒸着法により軟磁性
Fe膜と軟磁性Fe_xN膜とを交互に積層したことを
特徴とする複合軟磁性薄膜。 - (2)前記Fe膜、Fe_xN膜間に任意厚みの非磁性
膜を形成したことを特徴とする複合軟磁性薄膜。 - (3)前記Fe_xN膜のxが2、3、4、5、6、7
、8のいずれかであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の複合軟磁性薄膜。 - (4)前記Fe_xN膜の1層中に、xの値が一種類ま
たは異なる複数種類のFe_xNが存在することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の複合軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12843086A JPS62285406A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 複合軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12843086A JPS62285406A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 複合軟磁性薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62285406A true JPS62285406A (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=14984551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12843086A Pending JPS62285406A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | 複合軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62285406A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01245506A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性多層膜およびその製造方法 |
JPH0242702A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
US4904543A (en) * | 1987-04-23 | 1990-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Compositionally modulated, nitrided alloy films and method for making the same |
JPH02249210A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜 |
US5049209A (en) * | 1986-03-12 | 1991-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic nitride film |
JPH0620836A (ja) * | 1991-10-18 | 1994-01-28 | Limes:Kk | 軟磁性多層膜の形成方法 |
WO1996002925A1 (fr) * | 1994-07-18 | 1996-02-01 | Migaku Takahashi | Couche mince magnetique et procede de fabrication |
US6854175B2 (en) * | 2000-10-13 | 2005-02-15 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin film magnetic head |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP12843086A patent/JPS62285406A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5049209A (en) * | 1986-03-12 | 1991-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic nitride film |
US4904543A (en) * | 1987-04-23 | 1990-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Compositionally modulated, nitrided alloy films and method for making the same |
JPH01245506A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性多層膜およびその製造方法 |
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JPH02249210A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜 |
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WO1996002925A1 (fr) * | 1994-07-18 | 1996-02-01 | Migaku Takahashi | Couche mince magnetique et procede de fabrication |
US6854175B2 (en) * | 2000-10-13 | 2005-02-15 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin film magnetic head |
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