JPS62282412A - 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線性抵抗体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS62282412A JPS62282412A JP61126085A JP12608586A JPS62282412A JP S62282412 A JPS62282412 A JP S62282412A JP 61126085 A JP61126085 A JP 61126085A JP 12608586 A JP12608586 A JP 12608586A JP S62282412 A JPS62282412 A JP S62282412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- varistor
- voltage
- voltage nonlinear
- resistance unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(III) oxide Inorganic materials O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100481408 Danio rerio tie2 gene Proteins 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100481410 Mus musculus Tek gene Proteins 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は電子機器に用いられるコンデンサとバリスタの
両機能を有する電圧非直線性抵抗体(容量性バリスタ)
磁器組成物に関する。
両機能を有する電圧非直線性抵抗体(容量性バリスタ)
磁器組成物に関する。
従来の技術
電子機器において、機器の内外部より伝播する異常電圧
やノイズ等によってトランジスタや集積回路等の半導体
の破壊や誤動作を防止するため、各種のコンデンサやバ
リスタ等が使用されているが、コンデンサやバリスタの
単品ではこれらノイズ、パルス、・サージ等の吸収、除
去が不完全である。近年登場した電圧非直線性抵抗体す
なわち容を性バリスタは、コンデンサとバリスタの両機
能を有するもので、ノイズ、パルス、サージ等ノ吸収、
除去、又はバイパスとしての機能を単品で行うことがで
きる。
やノイズ等によってトランジスタや集積回路等の半導体
の破壊や誤動作を防止するため、各種のコンデンサやバ
リスタ等が使用されているが、コンデンサやバリスタの
単品ではこれらノイズ、パルス、・サージ等の吸収、除
去が不完全である。近年登場した電圧非直線性抵抗体す
なわち容を性バリスタは、コンデンサとバリスタの両機
能を有するもので、ノイズ、パルス、サージ等ノ吸収、
除去、又はバイパスとしての機能を単品で行うことがで
きる。
発明゛が解決しようとする問題点
しかし、従来のSrTiO3材に半導体化元素(M2O
3,Ta205. CeO2等)ならびに粒界に析出す
る元素(Bi、Cu、Mn等)を添加して作製した容量
性バリスタは、サージ耐量が10〜60Aと小さいため
、信頼性が乏しく、利用範囲も限定されたものであった
。また、電子機器の高性能、多機能化に伴い、小型大容
量でなおかつサージ耐量の大きな、信頼性の高い容量性
バリスタが要求されている。
3,Ta205. CeO2等)ならびに粒界に析出す
る元素(Bi、Cu、Mn等)を添加して作製した容量
性バリスタは、サージ耐量が10〜60Aと小さいため
、信頼性が乏しく、利用範囲も限定されたものであった
。また、電子機器の高性能、多機能化に伴い、小型大容
量でなおかつサージ耐量の大きな、信頼性の高い容量性
バリスタが要求されている。
問題点を解決するための手段
本発明にかかわる磁器組成物は、Sr(、−x)Cax
TiO3(但しXは0≦xo、sの範囲)(以下第1成
分と呼ぶ)100モル部と1、Nb2o51 Ta20
5゜No、 、 Cab□、 La2O5,Nd2O3
,Y2O3,Sm2O3゜Dy20. 、 Gd2O3
及びPr60.、 O内少なくとも1種の金属酸化物
(以下第2成分と呼ぶ) o、o o s〜3.00モ
ル部と、0r20. (以下第3成分と呼ぶ)0、01
〜2.00 モル部と、Bi2O3、Fe2O,l C
o2O3+NiO、ZnO、Li2O、Na2O及びに
20の内少なくとも1種の酸化物(以下第4成分と呼ぶ
) 0.01〜2.00モル部とを含むものである。
TiO3(但しXは0≦xo、sの範囲)(以下第1成
分と呼ぶ)100モル部と1、Nb2o51 Ta20
5゜No、 、 Cab□、 La2O5,Nd2O3
,Y2O3,Sm2O3゜Dy20. 、 Gd2O3
及びPr60.、 O内少なくとも1種の金属酸化物
(以下第2成分と呼ぶ) o、o o s〜3.00モ
ル部と、0r20. (以下第3成分と呼ぶ)0、01
〜2.00 モル部と、Bi2O3、Fe2O,l C
o2O3+NiO、ZnO、Li2O、Na2O及びに
20の内少なくとも1種の酸化物(以下第4成分と呼ぶ
) 0.01〜2.00モル部とを含むものである。
作用
第1成分の内(aはバリスタ電圧の非直線係数及びサー
ジ耐量を向上させるのに効果のおる成分で、第2成分は
Sr(、x)CaTi03を原子価制御の原理により半
導体化させるのに必要な成分で、第3成分は、バリスタ
特性に寄与する成分で、第4成分はサージ耐量、バリス
タ電圧の非直線係数を改善するのに効果のある成分であ
る。
ジ耐量を向上させるのに効果のおる成分で、第2成分は
Sr(、x)CaTi03を原子価制御の原理により半
導体化させるのに必要な成分で、第3成分は、バリスタ
特性に寄与する成分で、第4成分はサージ耐量、バリス
タ電圧の非直線係数を改善するのに効果のある成分であ
る。
実施例
以下、実施例をあげて、本発明につき詳細に説明する。
第1成分のXが第1表の第1成分の欄のXの値になるよ
うに、市販の工業用原料5rCO,粉末(純度99%以
上) CaCO5粉末(純度99%以上)及びTie2
粉末(純度99%以上)をそれぞれ秤量配合し、ボール
ミルで20時間混合した。これを乾燥した後、この粉末
を1160’Cの温度で2時間仮焼した。その後ボール
ミルで湿式粉砕した。
うに、市販の工業用原料5rCO,粉末(純度99%以
上) CaCO5粉末(純度99%以上)及びTie2
粉末(純度99%以上)をそれぞれ秤量配合し、ボール
ミルで20時間混合した。これを乾燥した後、この粉末
を1160’Cの温度で2時間仮焼した。その後ボール
ミルで湿式粉砕した。
このようにして得られたSr(、−x)CaxTiO3
粉末(第1成分)100モル部に対して、市販の試薬特
級(純度99.9%以上) Nb O、Ta2051
WOs 。
粉末(第1成分)100モル部に対して、市販の試薬特
級(純度99.9%以上) Nb O、Ta2051
WOs 。
CeO2,La2O3,Nd2O3、Y2O3,Sm2
0. 、 Dy2O3、Gd2o3及びPr60.、の
内少なくとも1種の金属酸化物(第2成分)と、試薬特
級(純IJj99.9%以上)Cr203(第3成分)
とBi2O3、Fe2O3、Co20. 、NiO。
0. 、 Dy2O3、Gd2o3及びPr60.、の
内少なくとも1種の金属酸化物(第2成分)と、試薬特
級(純IJj99.9%以上)Cr203(第3成分)
とBi2O3、Fe2O3、Co20. 、NiO。
ZnO,Li、O、Na2O及びに20(7)内少なく
とも1種の酸化物(第4成分)を第1表に示すように秤
量配合しボールミルで20時時間式混合した。乾燥後、
5重量%のポリビニールアルコール水溶液eバインダと
して10重量%添加混合し、32メツ7ユパルスに造粒
した。この造粒粉末を10ookg/cnlの圧力で円
板形に成形した。
とも1種の酸化物(第4成分)を第1表に示すように秤
量配合しボールミルで20時時間式混合した。乾燥後、
5重量%のポリビニールアルコール水溶液eバインダと
して10重量%添加混合し、32メツ7ユパルスに造粒
した。この造粒粉末を10ookg/cnlの圧力で円
板形に成形した。
これらの成形体を空気中において1000’Cの温度で
加熱処理した後、N2(96容積係)にN2(6容積%
)を加えた還元性雰囲気中で1400℃の温度で4時間
焼成し、直径約68.厚さ約0.7電の半導体磁器を得
た。次に、これを空気中で1150℃の温度で4時間熱
処理した。次にこの磁器の両面にオーミックAgペース
トを塗布し、650’の温度で焼付けて容量性バリスタ
を得た。
加熱処理した後、N2(96容積係)にN2(6容積%
)を加えた還元性雰囲気中で1400℃の温度で4時間
焼成し、直径約68.厚さ約0.7電の半導体磁器を得
た。次に、これを空気中で1150℃の温度で4時間熱
処理した。次にこの磁器の両面にオーミックAgペース
トを塗布し、650’の温度で焼付けて容量性バリスタ
を得た。
次に容量性バリスタの特性評価を行うために、静電容量
C9誘電正接tanδ、バリスタ電圧v、。
C9誘電正接tanδ、バリスタ電圧v、。
非直線係数α及びサージ耐量を測定し、第2表に示す結
果を得た。
果を得た。
尚、Ctanδは通常のブリッジ回路を用い2゜’C、
I KHzで測定した。また、vl はバリスタに1m
Aの電流を流した時の電圧を測定し、αはバリスタに1
mA、10mAの電流を流した時の電圧v+1vjOを
測定し、次式より求めた。
I KHzで測定した。また、vl はバリスタに1m
Aの電流を流した時の電圧を測定し、αはバリスタに1
mA、10mAの電流を流した時の電圧v+1vjOを
測定し、次式より求めた。
a = 1/ (log(V、o/V、))また、サー
ジ耐量は、バリスタに電圧sV、時間2oμSの矩形波
形のサージを加え、その後V。
ジ耐量は、バリスタに電圧sV、時間2oμSの矩形波
形のサージを加え、その後V。
を測定し初期値に対して10%変化した時の最大電流値
を測定した。
を測定した。
また、寿命試験は、次に示す条件で混生負荷寿命試験を
1000時間行い、コンデンサ特性とバリスタ特性を前
述の方法で測定した。
1000時間行い、コンデンサ特性とバリスタ特性を前
述の方法で測定した。
湿雰囲気中負荷寿命試験条件は温度66±2℃。
相対湿度90〜95%の恒温恒湿槽にて直流電圧2ov
連続印加である。
連続印加である。
(以 下金 白)
試料番号1の資料は、第4成分の添加効果を調べるため
の比較試料で、Bi2O3、Fe2O2,Go□03゜
NiO、ZnO、Li2O、Na2O及びに20を添加
することによりバリスタ電圧の非直線係数とサージ耐量
が改善されている事がわかる。試料番号2,13゜33
の資料は、第4成分の成分量が2.00モル部を超え、
サージ耐量が60Å以下、 tanδが3チ以上となり
、寿命試験後のΔV、が1o%以上Δtanδが30%
以上あるので本発明の範囲外とした。
の比較試料で、Bi2O3、Fe2O2,Go□03゜
NiO、ZnO、Li2O、Na2O及びに20を添加
することによりバリスタ電圧の非直線係数とサージ耐量
が改善されている事がわかる。試料番号2,13゜33
の資料は、第4成分の成分量が2.00モル部を超え、
サージ耐量が60Å以下、 tanδが3チ以上となり
、寿命試験後のΔV、が1o%以上Δtanδが30%
以上あるので本発明の範囲外とした。
尚、本発明での実施例では、第4成分として金属酸化物
を使用したが、焼成後に金属酸化物が得られれば本発明
の目的が達成されるので、金属元素、炭酸塩、水酸化物
、硝酸塩、シュウ酸塩を第4成分として用いてもさしつ
かえない。
を使用したが、焼成後に金属酸化物が得られれば本発明
の目的が達成されるので、金属元素、炭酸塩、水酸化物
、硝酸塩、シュウ酸塩を第4成分として用いてもさしつ
かえない。
発明の効果
以上のように本発明の電圧非直線性抵抗体磁気組成物は
、Sr(、−x)CaxTiO3(但しXは0≦x≦0
.6の範囲)が100モル部とNb2O5,Ta205
. WO,。
、Sr(、−x)CaxTiO3(但しXは0≦x≦0
.6の範囲)が100モル部とNb2O5,Ta205
. WO,。
Coo□、 La20. 、 Nd、、03. Y2O
3、5n203. Dy2O3,Gd2O3及びPr6
0.、の内少なくとも1種の金属酸化物を0.005〜
3.00 モ#部と、0r203がo、01〜2.00
モル部とBi2O3、Fan、 、Co20. 、N
iO,ZnO。
3、5n203. Dy2O3,Gd2O3及びPr6
0.、の内少なくとも1種の金属酸化物を0.005〜
3.00 モ#部と、0r203がo、01〜2.00
モル部とBi2O3、Fan、 、Co20. 、N
iO,ZnO。
L工20 、Na2O及びに20の内少くとも1種の酸
化物0.01〜2.00モル部を含むため、信頼性が高
く静電容量が大きくなる。
化物0.01〜2.00モル部を含むため、信頼性が高
く静電容量が大きくなる。
Claims (1)
- Sr_(_1_−_x_)Ca_xTiO_3(但し
xは0≦x≦0.5の範囲)が100モル部と、Nb_
2O_5、Ti_2O_5、WO_3、CeO_2、L
a_2O_3、Nd_2O_3、Y_2O_3、Sm_
2O_3、Dy_2O_3、Gd_2O_3及びRr_
6O_1_1の内少なくとも1種の金属酸化物0.00
5〜3.00モル部と、Cr_2O_3が0.01〜2
.00モル部と、Bi_2O_3、Fe_2O_3、C
o_2O_3、NiO、ZnO、Li_2O、Na_2
O及びK_2Oの内少なくとも1種の酸化物0.01〜
2.00モル部とを含む電圧非直線性抵抗体磁器組成物
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61126085A JPS62282412A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61126085A JPS62282412A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62282412A true JPS62282412A (ja) | 1987-12-08 |
Family
ID=14926233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61126085A Pending JPS62282412A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62282412A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6444003A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Hokuriku Elect Ind | Voltage-dependent nonlinear resistance ceramic composition |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5735303A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-25 | Taiyo Yuden Kk | Voltage vs current characteristic nonlinear semiconductor porcelain composition and method of producing same |
JPS57187906A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Taiyo Yuden Kk | Semiconductor porcelain composition with nonlinear voltage/current characteristic and method of producing same |
JPS6088401A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
JPS60136205A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
JPS6153160A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-17 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61126085A patent/JPS62282412A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5735303A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-25 | Taiyo Yuden Kk | Voltage vs current characteristic nonlinear semiconductor porcelain composition and method of producing same |
JPS57187906A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Taiyo Yuden Kk | Semiconductor porcelain composition with nonlinear voltage/current characteristic and method of producing same |
JPS6088401A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
JPS60136205A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
JPS6153160A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-17 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6444003A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Hokuriku Elect Ind | Voltage-dependent nonlinear resistance ceramic composition |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0153412B1 (en) | Voltage-dependent, non-linear resistor porcelain composition | |
JPH11297510A (ja) | 積層型バリスタ | |
JPH0223005B2 (ja) | ||
JPS6088401A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
JPS60107804A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
EP0137044B1 (en) | Composition of porcelain for voltage-dependent, non-linear resistor | |
JPS60107803A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
JPS62282412A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
JPH04568B2 (ja) | ||
JPS62282413A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁気組成物 | |
JPH03109261A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
JP3598177B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器 | |
JPS609102A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
KR20000009936A (ko) | 저 전압용 디스크 및 칩형 세라믹 바리스터 제조방법 | |
JPS62252904A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物及びその製造方法 | |
JPS62252903A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物及びその製造方法 | |
JPS625611A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
JPS6146003A (ja) | 複合機能素子 | |
JPH038760A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
JP2967439B2 (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 | |
JPS6348802A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
JP3036128B2 (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 | |
JPH0682562B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
JPH01239704A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS59147406A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |