JPS62280850A - 電子写真感光体 - Google Patents
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- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06147—Amines arylamine alkenylarylamine
- G03G5/061473—Amines arylamine alkenylarylamine plural alkenyl groups linked directly to the same aryl group
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真感光体に関し、詳しくは改善された
電子写真特性を与える低分子の有機光導電体を有する電
子写真感光体に関するものである。
電子写真特性を与える低分子の有機光導電体を有する電
子写真感光体に関するものである。
従来、電子写真感光体で用いる光導電材料として、セレ
ン、硫化カドミウム、醸化亜鉛などの無機光導電性材料
が知られている。これらの光導電性材料は、数多くの利
点、例えば暗所で適当な電位に帯電できること、暗所で
電荷の逸散が少ないことあるいは光照射によって速かに
電荷を逸散できるなどの利点をもっている反面、各種の
欠点を有している。例えば、セレン系感光体では、温度
、湿度、ごみ、圧力などの要因で容易に結晶化が進み、
特に雰囲気温度が40℃を越えると結晶化が著しくなり
、帯電性の低下や画像に白い斑点が発生するといり之欠
点がある。硫化カドミウム系感光体は、多湿の環墳下で
安定した感度が得られない点や酸化亜鉛系感光体ではロ
ーズベンガルに代表される増感色素たよる増感効果を必
要としているが、この様な増感色素がコロナ帯電による
帯電劣化や露光光による光退色を生じるため長期に亘っ
て安定した画像を与えることができない欠点を有してい
る。
ン、硫化カドミウム、醸化亜鉛などの無機光導電性材料
が知られている。これらの光導電性材料は、数多くの利
点、例えば暗所で適当な電位に帯電できること、暗所で
電荷の逸散が少ないことあるいは光照射によって速かに
電荷を逸散できるなどの利点をもっている反面、各種の
欠点を有している。例えば、セレン系感光体では、温度
、湿度、ごみ、圧力などの要因で容易に結晶化が進み、
特に雰囲気温度が40℃を越えると結晶化が著しくなり
、帯電性の低下や画像に白い斑点が発生するといり之欠
点がある。硫化カドミウム系感光体は、多湿の環墳下で
安定した感度が得られない点や酸化亜鉛系感光体ではロ
ーズベンガルに代表される増感色素たよる増感効果を必
要としているが、この様な増感色素がコロナ帯電による
帯電劣化や露光光による光退色を生じるため長期に亘っ
て安定した画像を与えることができない欠点を有してい
る。
一方、ポリビニルカルバゾールをはじめとする各種の有
機光導電性ポリマーが提案されて来たが、これらのポリ
マーは、前述の無機系光導電材料に較べ成膜性、軽量性
などの点で優れているにもかかわらず今日までその実用
化が困難であったのは、未だ十分な成膜性が得られてお
らず、また感度、耐久性および環境変化による安定性の
点で無機系光導電材料に較べ劣っているためであづた。
機光導電性ポリマーが提案されて来たが、これらのポリ
マーは、前述の無機系光導電材料に較べ成膜性、軽量性
などの点で優れているにもかかわらず今日までその実用
化が困難であったのは、未だ十分な成膜性が得られてお
らず、また感度、耐久性および環境変化による安定性の
点で無機系光導電材料に較べ劣っているためであづた。
また、米国特許第4150987 号公報などに開示
のヒドラゾン化合物、米国特許第3837851 号公
報などに記載のトリアリールピラゾリン化合物、特開昭
51−94828号公報、%開昭51−94829号公
報などに記載の9−スチリルアントラセン化合物などの
低分子の有機光導電体が提案されている。
のヒドラゾン化合物、米国特許第3837851 号公
報などに記載のトリアリールピラゾリン化合物、特開昭
51−94828号公報、%開昭51−94829号公
報などに記載の9−スチリルアントラセン化合物などの
低分子の有機光導電体が提案されている。
この様な低分子の有機光導電体は、使用する・々イング
ーを適当に選択することによって、有機光導電性ポリマ
ーの分野で問題となっていた成膜性の欠点を解消できる
様になったが、感度の点で十分なものとは言えない。
ーを適当に選択することによって、有機光導電性ポリマ
ーの分野で問題となっていた成膜性の欠点を解消できる
様になったが、感度の点で十分なものとは言えない。
他方、近年感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離
させ念積層構造体が提案されている。この積層構造を感
光層とした電子写真感光体は、可視光に対する感度、電
荷保持力、表面強度などの点で改善できる様になった。
させ念積層構造体が提案されている。この積層構造を感
光層とした電子写真感光体は、可視光に対する感度、電
荷保持力、表面強度などの点で改善できる様になった。
この様な電子写真感光体は、例えば米国特許第3837
851号、同第3871882号公報などに開示されて
いる。
851号、同第3871882号公報などに開示されて
いる。
しかし、この積層構造体においても従来の低分子の有機
光導電体を電荷輸送層に用いた電子写真感光体では、感
度、特性が必らずしも十分でなく、また繰り返し帯電お
よび露光を行なった際には明部電位と暗部電位の変動が
大きく改善すべき点があるO 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は前述の欠点又は不利を解消した電子写真
感光体を提供することKある。
光導電体を電荷輸送層に用いた電子写真感光体では、感
度、特性が必らずしも十分でなく、また繰り返し帯電お
よび露光を行なった際には明部電位と暗部電位の変動が
大きく改善すべき点があるO 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は前述の欠点又は不利を解消した電子写真
感光体を提供することKある。
本発明の別の目的は、新規な有機光導′電体を提供する
ことにある。
ことにある。
本発明の他の目的は、電荷発生層と電荷輸送層に機能分
離した積層型感光層における新規な電荷輸送物質を提供
することにある。
離した積層型感光層における新規な電荷輸送物質を提供
することにある。
本発明のかかる目的は、下記一般式(1)で示される化
合物を含有する層を有する電子写真感光体によって達成
される。
合物を含有する層を有する電子写真感光体によって達成
される。
一般式
ただし、式中Xはペンツ・シンの2.2′−位と閉環構
造を形成するのに必要な残基を示す。具体例と−CT(
=C’H−、−C−、−C−CH2−、−N−N−K
j ル閉環構造が好ましい。
造を形成するのに必要な残基を示す。具体例と−CT(
=C’H−、−C−、−C−CH2−、−N−N−K
j ル閉環構造が好ましい。
また、式中R4〜R4は同じであっても異なっていても
良い、置換又は未置換のメチル、エチル、グロビル、ブ
チル等のアルキル基、ペンノル、フェネチル、ナフチル
メチル等のアラルキル基、フェニル、ジフェニル、ナフ
チル、アントニル、フルオレニル、等の了り−ル基、チ
ェニル、フリル、Rンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリ
ル、ピリジル、キノリル、カルバゾリル等のへテロ環基
を示し、又HR1とR2で、R3とR4とで窒素原子と
共に置換・未置換のベンゾオキサシリル、ベンゾチアゾ
リル、ぎペリゾル、モノホυル、カルベゾリル等5〜6
員環のへテロ環基金形成する残基を示す0 R4−R4の示す基の置換基としては、ヒドロキシル基
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロr/原子、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ基のアルコキシ基
、フェニル、ノフェニル、ナフチル等のアリール基、フ
ェニルオキシ等のアリールオキシ基、アミン基、ジメチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリ
ルアミノ、・シアニンルアミノ、ピロリジノ、ピペリツ
ノ、モノホリノ等の置換アミノ基、ニトロ基、トリフル
オロメチル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基等
のアシル基があげられる。
良い、置換又は未置換のメチル、エチル、グロビル、ブ
チル等のアルキル基、ペンノル、フェネチル、ナフチル
メチル等のアラルキル基、フェニル、ジフェニル、ナフ
チル、アントニル、フルオレニル、等の了り−ル基、チ
ェニル、フリル、Rンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリ
ル、ピリジル、キノリル、カルバゾリル等のへテロ環基
を示し、又HR1とR2で、R3とR4とで窒素原子と
共に置換・未置換のベンゾオキサシリル、ベンゾチアゾ
リル、ぎペリゾル、モノホυル、カルベゾリル等5〜6
員環のへテロ環基金形成する残基を示す0 R4−R4の示す基の置換基としては、ヒドロキシル基
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロr/原子、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ基のアルコキシ基
、フェニル、ノフェニル、ナフチル等のアリール基、フ
ェニルオキシ等のアリールオキシ基、アミン基、ジメチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリ
ルアミノ、・シアニンルアミノ、ピロリジノ、ピペリツ
ノ、モノホリノ等の置換アミノ基、ニトロ基、トリフル
オロメチル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基等
のアシル基があげられる。
以下に一般式(I)で示す化合物についての代表例を挙
げる。
げる。
化合物例
で前記化合物の代表的合成例を示す。
列1
記に示す化合物(a)
Ji’(25,3ynmol ) yfr:無水テトラ
ヒドロフラ)OMに溶かし、氷水冷攪拌下油性水素化ナ
ウム(含t60 % ) 6.061 (151,5m
mol)りくり添加する。添加終了後30分間室温に半
する。その後ヨウ化エチル12.11m1.5mmol
)をゆりくり滴下し、滴下終了後1室温で攪拌し、さら
に8時間瀬流攪了半する。
ヒドロフラ)OMに溶かし、氷水冷攪拌下油性水素化ナ
ウム(含t60 % ) 6.061 (151,5m
mol)りくり添加する。添加終了後30分間室温に半
する。その後ヨウ化エチル12.11m1.5mmol
)をゆりくり滴下し、滴下終了後1室温で攪拌し、さら
に8時間瀬流攪了半する。
41後反応物を氷水約5001Ltにあけ、酢酸−、/
300ゴで抽比し、有機層全水洗し、芒硝乾燥後減圧乾
固し、下記に示す化合物(化合物例&2)5.89Nを
得た。
300ゴで抽比し、有機層全水洗し、芒硝乾燥後減圧乾
固し、下記に示す化合物(化合物例&2)5.89Nを
得た。
収車75.2憾であった。
元素分析
計算値(壬)測定値(チ)
C77,4277,38
H8,398,33
N 9.03 9.00
合成例以外の化合物についても一般的に上記と同様の手
法で合成される。
法で合成される。
本発明にかかる電子写真感光体の好ましい具体例では、
感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写
真感光体の電荷輸送物質に前記一般式(1)で示される
化合物を用いることができる。
感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写
真感光体の電荷輸送物質に前記一般式(1)で示される
化合物を用いることができる。
本発明による電荷輸送層は、前記の一般式(1)で示さ
れる化合物と結着剤とを適当な溶剤に溶解せしめた溶液
を塗布し、乾燥せしめることにより形成させることが好
ましい。ここに用いる結着剤としては、例えばボリアリ
レート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、アク
リル樹脂、アクリロニトリル樹脂、メタクリル樹脂、塩
化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ぼりエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリカー
ゲネート、テリウレタンあるいはこれらの樹脂の繰り返
し単位のうち2つ以上を含む共重合体樹脂例えばスチレ
ンープタノエンコ$リ−r−、スチレン−7りIJロニ
トリルコポリマー、スチレ7−マレイン酸コ?リマーな
どを挙げることができる。
れる化合物と結着剤とを適当な溶剤に溶解せしめた溶液
を塗布し、乾燥せしめることにより形成させることが好
ましい。ここに用いる結着剤としては、例えばボリアリ
レート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、アク
リル樹脂、アクリロニトリル樹脂、メタクリル樹脂、塩
化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ぼりエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリカー
ゲネート、テリウレタンあるいはこれらの樹脂の繰り返
し単位のうち2つ以上を含む共重合体樹脂例えばスチレ
ンープタノエンコ$リ−r−、スチレン−7りIJロニ
トリルコポリマー、スチレ7−マレイン酸コ?リマーな
どを挙げることができる。
また、この様な絶縁性ポリマーの他に、ポリピニルカル
ノ4ゾール、ポリビニルアントラセンやぼりビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーも使用できる。
ノ4ゾール、ポリビニルアントラセンやぼりビニルピレ
ンなどの有機光導電性ポリマーも使用できる。
この結着剤と当該化合物との配合割合は、結着剤100
重量部当り当該化合物を10〜500重量とすることが
好ましい。
重量部当り当該化合物を10〜500重量とすることが
好ましい。
電荷輸送層は、下達の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよく、ま
たその下に積層されていてもよい。しかし、電荷輸送層
は、電荷発生層の上に積層されていることが望ましい。
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよく、ま
たその下に積層されていてもよい。しかし、電荷輸送層
は、電荷発生層の上に積層されていることが望ましい。
この電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があ
るので、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一
般的には、5ミクロン〜30ミクロンであるが、好まし
い範囲は8ミクロン〜20ミクロンである。
るので、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一
般的には、5ミクロン〜30ミクロンであるが、好まし
い範囲は8ミクロン〜20ミクロンである。
この様な電荷輸送層を形成する際に用いる有機溶剤は、
使用する結着剤の種類によって異なり、又は電荷発生層
や下達の下引層を溶解しないものから選択することが好
ましい。具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタ
ノール、イソグロノ9ソールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケ
トン類、N、N−ツメチルホルムアミド、 N、N−ツ
メチルアセトアミドなどのアミド類、ツメチルスルホキ
シドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ノオ
キサン、エチレングリコールモノメチルエーテルなどの
エーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類
、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四
塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロダン化
炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リ
グロイン、モノクロルベンゼン、ゾクロル々ンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。
使用する結着剤の種類によって異なり、又は電荷発生層
や下達の下引層を溶解しないものから選択することが好
ましい。具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタ
ノール、イソグロノ9ソールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケ
トン類、N、N−ツメチルホルムアミド、 N、N−ツ
メチルアセトアミドなどのアミド類、ツメチルスルホキ
シドなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ノオ
キサン、エチレングリコールモノメチルエーテルなどの
エーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類
、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四
塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロダン化
炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リ
グロイン、モノクロルベンゼン、ゾクロル々ンゼンなど
の芳香族類などを用いることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、グレードコーティング法
、ローラーコーチインク法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、グレードコーティング法
、ローラーコーチインク法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で5分〜2
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。
本発明の電荷輸送層には、種々の添加剤を含有させるこ
とができる。かかる添加剤としては、ジフェニル、[化
・ゾフェニル、O−ターフェニル、p−ターフェニル、
シブチルフタレート、ジメチルグリコールフタレート、
・ジオクチルフタレート、トリフェニル燐酸、メチルナ
フタリン、ベンゾフェノン、塩素化パラフィン、シラウ
リルチオプロピオネ−)、3.5−ジニトロサリチル酸
、各種フルオロカー?ン類などを挙げることができる。
とができる。かかる添加剤としては、ジフェニル、[化
・ゾフェニル、O−ターフェニル、p−ターフェニル、
シブチルフタレート、ジメチルグリコールフタレート、
・ジオクチルフタレート、トリフェニル燐酸、メチルナ
フタリン、ベンゾフェノン、塩素化パラフィン、シラウ
リルチオプロピオネ−)、3.5−ジニトロサリチル酸
、各種フルオロカー?ン類などを挙げることができる。
本発明で用いる電荷発生層は、セレン、セレン−テルル
、ピリリウム、チオピリリウム、アズレニウム系染料、
フタロシアニン系顔料、アントアントロン顔料、ゾペン
ズビレンキノン顔料、ピラントロン顔料、トリスアゾ顔
料、ノスアゾ顔料、アゾ顔料、インジゴ顔料、キナクリ
ドン系顔料、チアシアニン、非対称キノンアニ/、キノ
シアニンあるいは%開田54−143645号公報に記
載のアモルファスシリコンなどの電荷発生物質から選ば
れた別個の蒸着層あるいは樹脂分散層を用いることがで
きる。
、ピリリウム、チオピリリウム、アズレニウム系染料、
フタロシアニン系顔料、アントアントロン顔料、ゾペン
ズビレンキノン顔料、ピラントロン顔料、トリスアゾ顔
料、ノスアゾ顔料、アゾ顔料、インジゴ顔料、キナクリ
ドン系顔料、チアシアニン、非対称キノンアニ/、キノ
シアニンあるいは%開田54−143645号公報に記
載のアモルファスシリコンなどの電荷発生物質から選ば
れた別個の蒸着層あるいは樹脂分散層を用いることがで
きる。
本発明の電子写真感光体に用いる電荷発生物質は、例え
ば下記に示す無機化合物あるいは有機化合物を挙げるこ
とができる。
ば下記に示す無機化合物あるいは有機化合物を挙げるこ
とができる。
μ
Wご巳S3已 S6
の −g 。
ρ
テ
g 貫 ;S
δ S玄
♂ 3′e
夕 でΦ
、二、
↓= 宇 3 Q^
ヘ ハの
リ さ+5
ロ Q誓
ツ 1−ノし−
一−−−−−−−−−−−−」 の Φ Q− @ ψ
Φ
■電荷発生層は、前述の電荷発生
物質を適当な結着剤に分散させ、これを基体の上に塗工
することによって形成でき、また真空蒸着装置により蒸
着膜を形成することによって得ることができる。電荷発
生層を塗工によって形成する際に用いうる結着剤として
は広範な絶縁性樹脂から選択でき、またツリーN−ビニ
ルカルバゾール、4リピニルアントラセンやポリビニル
ぎレンなどの有機光導電性Iリマーから選択できる7好
ましくは、ポリビニルブチラール、ボリアリレート(ビ
スフェノールAとフタル酸の縮重合体など〕、ポリカー
ブネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビ
ニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリア
ミド、プリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタ
ン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げるこ
とができる。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量
%以下、好ましくは40重量%以下が適している。塗工
の際に用イソプロパツールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケト
ン類、 N、N−ツメチルホルムアミド、 N、N −
・ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスル
ホキシrなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテルな
どのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステ
ル類、クロロホルム、[化メチレン、ジクロルエチレン
、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族)・ロ
ダン化炭化水素類アルいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ノクロルベンゼ
ンなどの芳香族類などを用いることができる。
δ S玄
♂ 3′e
夕 でΦ
、二、
↓= 宇 3 Q^
ヘ ハの
リ さ+5
ロ Q誓
ツ 1−ノし−
一−−−−−−−−−−−−」 の Φ Q− @ ψ
Φ
■電荷発生層は、前述の電荷発生
物質を適当な結着剤に分散させ、これを基体の上に塗工
することによって形成でき、また真空蒸着装置により蒸
着膜を形成することによって得ることができる。電荷発
生層を塗工によって形成する際に用いうる結着剤として
は広範な絶縁性樹脂から選択でき、またツリーN−ビニ
ルカルバゾール、4リピニルアントラセンやポリビニル
ぎレンなどの有機光導電性Iリマーから選択できる7好
ましくは、ポリビニルブチラール、ボリアリレート(ビ
スフェノールAとフタル酸の縮重合体など〕、ポリカー
ブネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビ
ニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリア
ミド、プリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタ
ン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げるこ
とができる。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量
%以下、好ましくは40重量%以下が適している。塗工
の際に用イソプロパツールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケト
ン類、 N、N−ツメチルホルムアミド、 N、N −
・ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスル
ホキシrなどのスルホキシド類、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテルな
どのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステ
ル類、クロロホルム、[化メチレン、ジクロルエチレン
、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族)・ロ
ダン化炭化水素類アルいはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ノクロルベンゼ
ンなどの芳香族類などを用いることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビート9コーテイング法
、マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング
法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法
などのコーティング法を用いて行なうことができる。
、スピンナーコーティング法、ビート9コーテイング法
、マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング
法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法
などのコーティング法を用いて行なうことができる。
きる限り多くの前記有機光導電体を含有し、且つ発生し
た電荷キャリアの飛程を短かくするために、薄膜層、例
えば5ミクロン以下、好ましくは0,01ミクロン〜1
ミクロンの膜厚をもつ薄膜層とすることが好ましい。こ
のことは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収されて
、多くの電荷キャリアを生成すること、さらに発生した
電荷キャリアを再結合や捕獲(トラップ)により失活す
ることなく電荷輸送層だ注入する必要があることに帰因
している。
た電荷キャリアの飛程を短かくするために、薄膜層、例
えば5ミクロン以下、好ましくは0,01ミクロン〜1
ミクロンの膜厚をもつ薄膜層とすることが好ましい。こ
のことは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収されて
、多くの電荷キャリアを生成すること、さらに発生した
電荷キャリアを再結合や捕獲(トラップ)により失活す
ることなく電荷輸送層だ注入する必要があることに帰因
している。
この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、パナノウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
ック(例えば、プリエチレン、ポリプロピレン、−り塩
化ビニル、?リエチレンテレフタレート、アクリル樹脂
、ポリフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えば、カ
ーボンブラック、銀粒子など)を適当なバインダーとと
もにプラスチ、りの上に被覆した基体、導電性粒子をプ
ラスチ、りや紙に含浸した基体や導電性?リマーを有す
るプラスチックなどを用いることができる。
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、パナノウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
ック(例えば、プリエチレン、ポリプロピレン、−り塩
化ビニル、?リエチレンテレフタレート、アクリル樹脂
、ポリフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えば、カ
ーボンブラック、銀粒子など)を適当なバインダーとと
もにプラスチ、りの上に被覆した基体、導電性粒子をプ
ラスチ、りや紙に含浸した基体や導電性?リマーを有す
るプラスチックなどを用いることができる。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コJ IJママ−ポリアミド(ナイロン6、
ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アル
コキンメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチ
ン、酸化アルミニウムなどによって形成できる。
つ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コJ IJママ−ポリアミド(ナイロン6、
ナイロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アル
コキンメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチ
ン、酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜5ミクロン、好まし
くは0.5ミクロン〜3ミクロンが適当である0 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
全使用する場において、当該化合物は正孔輸送性である
ので、電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電
後露光すると露光部では電荷発生層において生成した正
孔が電荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電
コントラストが生じる。現像時には電子輸送物質を用い
た場合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。
くは0.5ミクロン〜3ミクロンが適当である0 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
全使用する場において、当該化合物は正孔輸送性である
ので、電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電
後露光すると露光部では電荷発生層において生成した正
孔が電荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電
コントラストが生じる。現像時には電子輸送物質を用い
た場合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。
本発明の別の具体例では、前述のジスアゾ顔料あるいは
、米国特許第3554745号、同第3567438号
、同第3586500 号公報などに開示のビリリウム
染料、チアピリリウム染料。
、米国特許第3554745号、同第3567438号
、同第3586500 号公報などに開示のビリリウム
染料、チアピリリウム染料。
セレナピリリウム染料、ベンゾビリリウム染料、ベンゾ
チアピリリウム染料、ナフトビリリウム染料、ナフトチ
アピリリウム染料などの光導電性を有する顔料や染料を
増感剤としても用いることができる。
チアピリリウム染料、ナフトビリリウム染料、ナフトチ
アピリリウム染料などの光導電性を有する顔料や染料を
増感剤としても用いることができる。
また、別の具体例では、米国特許第3684502号公
餠りどに開示のピ111JウムΦ料μアルキ11デンゾ
アリ一レン部分を有する電気絶縁重合体との共晶錯体を
増感剤として用いることもできる。この共晶錯体は、例
えば4−〔4−ビス−(2−り00 ! fル)アミノ
フェニルヨー2.6−ノプエニルチアビリリウム・(−
クスレートとポリ(4,4’−イソグロビリデンジフェ
二しンカー、y*−ト)t−ハロダン化炭化水素系溶剤
(例えば、ジクロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素
、1,1−−/クロルエタン、1,2−ジクロルエタン
、1,1.2− トリクロルエタン、クロルベンゼン、
ブロモベンゼン、1.2−ジクロルベンゼン)に溶解し
た後、これに非極性溶剤(例えば、ヘキサン、オクタン
、デカン、2,2.4−)リメチルベンゼン、リグロイ
ンを加えることKよって粒子状共晶錯体として得られる
。この具体例における電子写真感光体には、スチレン−
!タジエンコ?リマー、シリコン樹脂、ビニル樹脂、塩
化ビニリデン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン
−アクリロニトリルコポリマー、ビニルアセテ−)−[
化ビニルコホリマー、ホリビニルプチラール、ポリメチ
ルメタクリレ−ト、テリーN−ブチルメタクリレート、
−ジエステル類、セルロースエステル類などを結着剤と
して含有することができる。
餠りどに開示のピ111JウムΦ料μアルキ11デンゾ
アリ一レン部分を有する電気絶縁重合体との共晶錯体を
増感剤として用いることもできる。この共晶錯体は、例
えば4−〔4−ビス−(2−り00 ! fル)アミノ
フェニルヨー2.6−ノプエニルチアビリリウム・(−
クスレートとポリ(4,4’−イソグロビリデンジフェ
二しンカー、y*−ト)t−ハロダン化炭化水素系溶剤
(例えば、ジクロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素
、1,1−−/クロルエタン、1,2−ジクロルエタン
、1,1.2− トリクロルエタン、クロルベンゼン、
ブロモベンゼン、1.2−ジクロルベンゼン)に溶解し
た後、これに非極性溶剤(例えば、ヘキサン、オクタン
、デカン、2,2.4−)リメチルベンゼン、リグロイ
ンを加えることKよって粒子状共晶錯体として得られる
。この具体例における電子写真感光体には、スチレン−
!タジエンコ?リマー、シリコン樹脂、ビニル樹脂、塩
化ビニリデン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン
−アクリロニトリルコポリマー、ビニルアセテ−)−[
化ビニルコホリマー、ホリビニルプチラール、ポリメチ
ルメタクリレ−ト、テリーN−ブチルメタクリレート、
−ジエステル類、セルロースエステル類などを結着剤と
して含有することができる。
本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に利用する
のみならず、レーザープリンター、CRTプリンター、
電子写真式製版システムなどの電子写真応用分野江も広
く用いることができる。
のみならず、レーザープリンター、CRTプリンター、
電子写真式製版システムなどの電子写真応用分野江も広
く用いることができる。
本発明によれば、高感度の電子写真感光体を与えること
ができ、また繰り返し帯電および露光を行なった時の明
部電位と暗部電位の変動が小さい利点を有している。
ができ、また繰り返し帯電および露光を行なった時の明
部電位と暗部電位の変動が小さい利点を有している。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例1
βWMフタロシアニン(東洋インキ製造(株)裂開品名
Llonol Blue NCB Toner )を水
、エタノールおよび一ンゼン中で順次環流後、濾過して
精製した顔料71;デュポン社製の[商品名:ぼりエス
テルアドヒーシプ49,000(固形分20壬〕」14
、P:)ルエン35I;ジオキサン35JFを混合し、
?−ルミルで6時間分散することによって塗工液をvI
4製した。この塗工液をアルミニウムシート上に乾燥膜
厚が015ミクロンとなる様にマイヤーパーで塗布して
電荷発生層を作成した。
Llonol Blue NCB Toner )を水
、エタノールおよび一ンゼン中で順次環流後、濾過して
精製した顔料71;デュポン社製の[商品名:ぼりエス
テルアドヒーシプ49,000(固形分20壬〕」14
、P:)ルエン35I;ジオキサン35JFを混合し、
?−ルミルで6時間分散することによって塗工液をvI
4製した。この塗工液をアルミニウムシート上に乾燥膜
厚が015ミクロンとなる様にマイヤーパーで塗布して
電荷発生層を作成した。
次に、電荷輸送化合物として前記例示化合物点2を7g
とポリカーゴネート樹脂(今人化成(株〕製の商品名「
・平ンライ)K−1300J )7gとをテトラヒドロ
フラン35.Fとクロロベンゼン35I!の混合溶媒中
に攪拌溶解させて得た溶液を先の電荷発生層の上に、マ
イヤーパーで乾燥膜厚が11ミクロンとなる様に塗工し
て、2層構造からなる感光層をもつ電子写真感光体を作
成した。
とポリカーゴネート樹脂(今人化成(株〕製の商品名「
・平ンライ)K−1300J )7gとをテトラヒドロ
フラン35.Fとクロロベンゼン35I!の混合溶媒中
に攪拌溶解させて得た溶液を先の電荷発生層の上に、マ
イヤーパーで乾燥膜厚が11ミクロンとなる様に塗工し
て、2層構造からなる感光層をもつ電子写真感光体を作
成した。
この様にして作成した電子写真感光体を電機(イ)展静
電複写紙試験装置(川口電気(株)製Model −8
P−428)を用いてスタチック方式で一5kVでコロ
ナ帯電し、暗所で1秒間保持した後、照度5Luxで露
光し帯電特性を調べた。
電複写紙試験装置(川口電気(株)製Model −8
P−428)を用いてスタチック方式で一5kVでコロ
ナ帯電し、暗所で1秒間保持した後、照度5Luxで露
光し帯電特性を調べた。
帯!特性としては、表面電位(VQ)と1秒間暗減衰さ
せた時の電位(Vl)を1/2に減衰するに必要な露光
1i(El/2)を測定した。
せた時の電位(Vl)を1/2に減衰するに必要な露光
1i(El/2)を測定した。
さらく、繰り返し使用した時の明部電位と暗部電位の変
動を測定するために、本実施例で作成し九感光体をPP
C複写機(中ヤノン(株〕製NP−150z)の感光ド
ラム用シリング−に貼り付けて同機で50,000枚複
写を行ない、初期と50,000枚複写後の明部電位(
V、)及び暗部電位(VD)の変動を測定した。
動を測定するために、本実施例で作成し九感光体をPP
C複写機(中ヤノン(株〕製NP−150z)の感光ド
ラム用シリング−に貼り付けて同機で50,000枚複
写を行ない、初期と50,000枚複写後の明部電位(
V、)及び暗部電位(VD)の変動を測定した。
また前記例示化合物点2の代りに下記構造式の化合物を
用いて、全く同様の操作により、比較試料−1を作成、
同様に測定した。
用いて、全く同様の操作により、比較試料−1を作成、
同様に測定した。
その結果を次に示す。
この表の結果から、一般式中Xで平面性が維持され、こ
れにより、電荷輸送層中での電子の受は渡しが容易とな
夛良好な特性を示していることが判る。
れにより、電荷輸送層中での電子の受は渡しが容易とな
夛良好な特性を示していることが判る。
実施例2〜1に
の各実施例においては、前記実施例1で用いた電荷輸送
化合物として例示化合物扁2の代りに例示化合物墓5,
8,12,13,20,22゜25.27,32,34
,39,41,47゜55.59を用い、かつ電荷発生
物質として例示へQの顔料を用いたほかは、実施例1と
同様の方法によって電子写真感光体を作成した。
化合物として例示化合物扁2の代りに例示化合物墓5,
8,12,13,20,22゜25.27,32,34
,39,41,47゜55.59を用い、かつ電荷発生
物質として例示へQの顔料を用いたほかは、実施例1と
同様の方法によって電子写真感光体を作成した。
各感光体の電子写真特性を実施例1と同様の方法によっ
て測定した。その結果を次に示す。
て測定した。その結果を次に示す。
ElAVDVl
実施例 例示化合物 (ムx−sea) (−ミル)
)(−&ルト)2 5 2.1 6
40 6303 8 2.3
635 6254 12 3.0
620 6105 13 2.
0 630 6156 20
3.1 640 6257 22
2.8 600 5958 25
2.0 610 6009
27 2.1 620 60510
32 2.1 625 62
011 34 3.0 615
60512 39 2.5 610
60013 41 2.4
635 60014 47 2.8
625 59515 55 2
.7 600 58516 59
2.6 615 600初 期
s o、o o o枚耐久後実施例 V、
(−Nルト)VL(−Nkト) vD(itル))V
L oザルト)2 645 80
630 Zo。
)(−&ルト)2 5 2.1 6
40 6303 8 2.3
635 6254 12 3.0
620 6105 13 2.
0 630 6156 20
3.1 640 6257 22
2.8 600 5958 25
2.0 610 6009
27 2.1 620 60510
32 2.1 625 62
011 34 3.0 615
60512 39 2.5 610
60013 41 2.4
635 60014 47 2.8
625 59515 55 2
.7 600 58516 59
2.6 615 600初 期
s o、o o o枚耐久後実施例 V、
(−Nルト)VL(−Nkト) vD(itル))V
L oザルト)2 645 80
630 Zo。
実施例17
4−(4−ジメチルアミノフェニル”) −2,6−ゾ
フェニルチアピリリウムパークロレー)3JFと前記例
示化合物(A8〕を5yを、jl’ IJエステル(ポ
リエステルアドヒーシブ49000 :デュポン社製)
のトルエフC30)−ノオキサン(5o)溶液IQQI
Ilに混合し、ゾールミルで6時間分散した。
フェニルチアピリリウムパークロレー)3JFと前記例
示化合物(A8〕を5yを、jl’ IJエステル(ポ
リエステルアドヒーシブ49000 :デュポン社製)
のトルエフC30)−ノオキサン(5o)溶液IQQI
Ilに混合し、ゾールミルで6時間分散した。
この分散液を乾燥後の膜厚が15ミクロンとなる様にマ
イヤーバーでアルミニウムシート上VC塗布した。
イヤーバーでアルミニウムシート上VC塗布した。
この様にして作成した感光体の電子写真特性を実施例1
と同様の方法で測定した。この結果を次に示す。
と同様の方法で測定した。この結果を次に示す。
voニー635&ルト
Vl:610デルト
K ’ 2.5tux−esc
1/2 。
初期
VT、 ニー625♂ルト
VL : 95ゴルト
50.000枚耐久後
voニー61Qゴルト
VL ニー120ゴルト
実施例18
アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2F、28係アンモニア水1g、水2221J!7
)をマイヤー・櫂−で塗布乾燥し、膜厚が1ミクロンの
接着層を形成した。
1.2F、28係アンモニア水1g、水2221J!7
)をマイヤー・櫂−で塗布乾燥し、膜厚が1ミクロンの
接着層を形成した。
次に下記構造を有するソスアゾ顔料51と、ブチラール
樹脂〔ブチラール化度63モル憾〕2Iをエタノール9
5ゴに溶かした液と共に分散し念後、接着層上に塗工し
乾燥後の膜厚がO,4ミクロンとなる電荷発生層を形成
した。
樹脂〔ブチラール化度63モル憾〕2Iをエタノール9
5ゴに溶かした液と共に分散し念後、接着層上に塗工し
乾燥後の膜厚がO,4ミクロンとなる電荷発生層を形成
した。
次に、前記例示の化合物(412)t−5,9とポIJ
−4t4’−ジオキシジフェニル−2,2−プロ/’
Pンカー?ネート(粘度平均分子t 30,000 )
511をジクロルメタン150Mに溶かした液を電荷
発生層上に塗布、乾燥し、膜厚が11ミクロ/の電荷輸
送層を形成することによって電子写真感光体を作成した
。
−4t4’−ジオキシジフェニル−2,2−プロ/’
Pンカー?ネート(粘度平均分子t 30,000 )
511をジクロルメタン150Mに溶かした液を電荷
発生層上に塗布、乾燥し、膜厚が11ミクロ/の電荷輸
送層を形成することによって電子写真感光体を作成した
。
この様にして作成した電子写真感光体の電子写真特性を
実施例1と同様の方法で測定した。この結果を次に示す
。
実施例1と同様の方法で測定した。この結果を次に示す
。
Voニー635ゼルト
Vl: −605デルト
g1/2 : 2.2 tuX @II @ C初期
VD ニー645ゲルト
VL ニー75ゲルト
VD ニー610♂ルト
VL ニー105yrルト
実施例19
表面が清浄にされた0、2m厚のモリブデン板(基板)
をグロー放電蒸着槽内の所定位置に固定した。次に槽内
を排気し、約5 X 10 torrの真空度にした
。その後ヒーターの入力電圧を上昇させモリブデン基板
温度を150℃に安定させた。その後水素がスとシラン
がス(水素ガスに対し15容を係)を槽内へ導入しガス
流量と蒸着槽メインパルプを調整して0.5 torr
に安定させた。次に誘導コイルに5MHzの高周波電力
を投入し槽内のコイル内部にグロー放電を発生させ30
Wの入力電力とした。上記条件で基板上にアモルファス
シリコン膜を生長させ膜厚が2μとなるまで同条件を保
った後グロー放電を中止した。その後ヒーター、高周波
電源をオフ状態とし、基板温度が100℃になるのを待
ってから水素ガス、シランガスの流出パルプを閉じ、一
旦槽内を10 torr以下にした後大気圧にもどし
基板を取ジ出した。次いでこのアモルファスシリコン層
の上に電荷輸送化合物として例示化合物洗20を用いる
以外は実施例1と全く同様にして電荷輸送層を形成した
。
をグロー放電蒸着槽内の所定位置に固定した。次に槽内
を排気し、約5 X 10 torrの真空度にした
。その後ヒーターの入力電圧を上昇させモリブデン基板
温度を150℃に安定させた。その後水素がスとシラン
がス(水素ガスに対し15容を係)を槽内へ導入しガス
流量と蒸着槽メインパルプを調整して0.5 torr
に安定させた。次に誘導コイルに5MHzの高周波電力
を投入し槽内のコイル内部にグロー放電を発生させ30
Wの入力電力とした。上記条件で基板上にアモルファス
シリコン膜を生長させ膜厚が2μとなるまで同条件を保
った後グロー放電を中止した。その後ヒーター、高周波
電源をオフ状態とし、基板温度が100℃になるのを待
ってから水素ガス、シランガスの流出パルプを閉じ、一
旦槽内を10 torr以下にした後大気圧にもどし
基板を取ジ出した。次いでこのアモルファスシリコン層
の上に電荷輸送化合物として例示化合物洗20を用いる
以外は実施例1と全く同様にして電荷輸送層を形成した
。
こうして得られた感光体を帯電露光実験装置に設置しく
’16kVでコロナ帯電し直ちに光倫を照射1゜九。光
偉はタングステンラング光源を用い透過型のテストチャ
ートを通して照射された。その後直ちに■荷電性の現像
剤(トナーとキャリヤーを含む)を感光体表面にカスケ
ードすることによって感光体表面に良好なトナー画像を
得た。
’16kVでコロナ帯電し直ちに光倫を照射1゜九。光
偉はタングステンラング光源を用い透過型のテストチャ
ートを通して照射された。その後直ちに■荷電性の現像
剤(トナーとキャリヤーを含む)を感光体表面にカスケ
ードすることによって感光体表面に良好なトナー画像を
得た。
実施例20
4−(4−ツメチルアミノフェニル) −2,6−ジフ
ェニルチアピリリウムバークロレート3gとポリ(4,
4’−イソグロビリデンジフェニレンカーゲネート)3
Iをジクロルメタン200−に十分に溶解した後、トル
エン100dを加え、共晶錯体を沈殿させた。この沈殿
物を戸別した後、ジクロルメタンを加えて再溶解し、次
いでこの溶液にn−ヘキサン100dを加えて共晶錯体
の沈殿物金得た。
ェニルチアピリリウムバークロレート3gとポリ(4,
4’−イソグロビリデンジフェニレンカーゲネート)3
Iをジクロルメタン200−に十分に溶解した後、トル
エン100dを加え、共晶錯体を沈殿させた。この沈殿
物を戸別した後、ジクロルメタンを加えて再溶解し、次
いでこの溶液にn−ヘキサン100dを加えて共晶錯体
の沈殿物金得た。
この共晶錯体5It−ポリビニルブチラール21を含有
するメタノール溶液95ゴ【加え、6時間ゲールミルで
分散した。この分散液をカゼイン層を有するアルミ板の
上に乾燥後の膜厚がO,4ミクロンとなる様にマイヤー
バーで塗布して電荷発生層を形成した。
するメタノール溶液95ゴ【加え、6時間ゲールミルで
分散した。この分散液をカゼイン層を有するアルミ板の
上に乾燥後の膜厚がO,4ミクロンとなる様にマイヤー
バーで塗布して電荷発生層を形成した。
次いで、この電荷発生層の上に例示化合物腐62を用い
る以外は実施例1と全く同様にして電荷輸送層の被覆層
を形成した。
る以外は実施例1と全く同様にして電荷輸送層の被覆層
を形成した。
こうして作成し九感光体の電子写真特性を実施例1と同
様の方法によって測定した。この結果を次に示す。
様の方法によって測定した。この結果を次に示す。
V、ニー635ゲルト
vl ニー605&ルト
J/2 : 3.I Lux4sec初 期
VD ニー645♂ルト
V、ニー100デルト
VD ニー610.3Pルト
■t、ニー125+Pルト
実施例21
実施例20で用いた共晶錯体と同様のもの51と前記例
示の化合物(ム70)5.!i’i、ffリエステル(
ぼりエステルアドヒージプ49000 :デュポン社製
)のテトラヒドロフラン液150dに加えて、十分に混
合攪拌した。この液をアルミニウムシート上にマイヤー
パーにより乾燥後の膜厚が15μとなる様に塗布した。
示の化合物(ム70)5.!i’i、ffリエステル(
ぼりエステルアドヒージプ49000 :デュポン社製
)のテトラヒドロフラン液150dに加えて、十分に混
合攪拌した。この液をアルミニウムシート上にマイヤー
パーにより乾燥後の膜厚が15μとなる様に塗布した。
この感光体の電子写真特性を実施例1と同様の方法で測
定した。この結果を次に示す。
定した。この結果を次に示す。
V、: −650デルト
Vl ニー630ゴルト
E ” 3.2tux@5ee
1A。
初 期
V、ニー635デルト
VL ニー110.Nルト
V、ニー605ボルト
VL ニー135yNルト
実施例22
アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水溶
液(カゼイン11.2g、28%アンモニア水IF、水
22.2ゴ)を浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して
塗工i 1.0 、!iI/m”の下引層を形成した。
液(カゼイン11.2g、28%アンモニア水IF、水
22.2ゴ)を浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して
塗工i 1.0 、!iI/m”の下引層を形成した。
次に例示&89の電荷発生物質1重量部、ブチラール樹
脂(エスレックBM−2:覆水化学(株)製)1重量部
とイソプロピルアルコール30重量部をゲールミル分散
機で4時間分散した。この分散液を先に形成し九下引層
の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して電荷発生
層を形成した。この時の膜厚は0.3ミクロンであった
。
脂(エスレックBM−2:覆水化学(株)製)1重量部
とイソプロピルアルコール30重量部をゲールミル分散
機で4時間分散した。この分散液を先に形成し九下引層
の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して電荷発生
層を形成した。この時の膜厚は0.3ミクロンであった
。
次に、前記例示の本発明化合物颯32.1重量部、ポリ
スルホン樹脂(P1700 :ユニオンカーバイド11
)、1重量部とモノクロルベンゼン6重量部を混合し、
攪拌機で攪拌溶解した。この液を電荷発生層の上に浸漬
コーティング法で塗工し、乾燥して電荷輸送層を形成し
た。この時の膜厚け、12ミクロンであった。
スルホン樹脂(P1700 :ユニオンカーバイド11
)、1重量部とモノクロルベンゼン6重量部を混合し、
攪拌機で攪拌溶解した。この液を電荷発生層の上に浸漬
コーティング法で塗工し、乾燥して電荷輸送層を形成し
た。この時の膜厚け、12ミクロンであった。
こうして調製した感光体に一5kvのコロナ放電を行な
った。この時の表面電位を測定した(初期電位Vo )
。さらに、この感光体を5秒間暗所で放置した後の表面
電位を測定した。感度は、暗減衰した後の電位V、を1
/2に減音するに必要hvL光量(E1/2マイクロ・
ジュール/譚2〕を測定することKよって評価した。こ
の際、光源としてガリウム/アルミニウム/ヒ素の三元
系半導体レーザー(出カニ 5 mW ;発振波長78
0nm)を用いた。これらの結果は、次のとお)であっ
た。
った。この時の表面電位を測定した(初期電位Vo )
。さらに、この感光体を5秒間暗所で放置した後の表面
電位を測定した。感度は、暗減衰した後の電位V、を1
/2に減音するに必要hvL光量(E1/2マイクロ・
ジュール/譚2〕を測定することKよって評価した。こ
の際、光源としてガリウム/アルミニウム/ヒ素の三元
系半導体レーザー(出カニ 5 mW ;発振波長78
0nm)を用いた。これらの結果は、次のとお)であっ
た。
v、 : −705デルト
電位保持率: 95係
E172 : 1.25マイクロツユ−に7cm
”次に同上の半導体レーデ−を備えた反転現像方式の電
子写真方式プリンターであるレーザービームプリンター
(キャノンgLBP−CX)に上記感光体をLBP −
CXの感光体に置き換えてセットし、実際の画像形成テ
ストを行った。条件は以下の通りである。
”次に同上の半導体レーデ−を備えた反転現像方式の電
子写真方式プリンターであるレーザービームプリンター
(キャノンgLBP−CX)に上記感光体をLBP −
CXの感光体に置き換えてセットし、実際の画像形成テ
ストを行った。条件は以下の通りである。
一次帯電後の表面電位;−700V、像露光後の表面電
位ニー150V(露光!25μJ/cm” )、転写電
位;+700V、現像剤槙性;負極性、プロセススピー
ド; 50 arc/ see 、 現像条件(現像ハ
イアス); 450V、像露光スキャ/方式;イメー
ジスキャン、−次帯電前露光;50Lux・ICの赤色
全面露光画像形成はレーザービームを文字信号及び画像
信号に従ってラインスキャンして行ったが、文字1画像
共に良好なプリントが得られた。
位ニー150V(露光!25μJ/cm” )、転写電
位;+700V、現像剤槙性;負極性、プロセススピー
ド; 50 arc/ see 、 現像条件(現像ハ
イアス); 450V、像露光スキャ/方式;イメー
ジスキャン、−次帯電前露光;50Lux・ICの赤色
全面露光画像形成はレーザービームを文字信号及び画像
信号に従ってラインスキャンして行ったが、文字1画像
共に良好なプリントが得られた。
以上から明らかな如く、本発明によれば感光層に特定の
低分子有機化合物を含有させることにより、感度特性に
優れ且つ繰り返し帯電露光使用後の明部電位と暗部電位
の変動が改善された従来にない優れた電子写真感光体を
提供することができる。
低分子有機化合物を含有させることにより、感度特性に
優れ且つ繰り返し帯電露光使用後の明部電位と暗部電位
の変動が改善された従来にない優れた電子写真感光体を
提供することができる。
Claims (3)
- (1)一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Xはベンジジン骨格の2,2′−位と閉環構造
を形成する残基を示し、R_1、R_2、R_3、R_
4は置換又は未置換のアルキル基、アラルキル基、アリ
ール基、ヘテロ環基又はR_1とR_2、R_3とR_
4で窒素原子と共に5〜6員環を形成する残基を示す。 但し、R_1、R_2、R_3、R_4は各々同じであ
っても異っていてもよい。) で示される化合物を含有する層を有することを特徴とす
る電子写真感光体。 - (2)一般式( I )中のXが−O−、−S−、▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼、−CH_2−CH_2−、−CH=CH−
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼、−N=N−である特許請求の範囲第1項記載の電子
写真感光体。 - (3)上記層が電荷発生層と電荷輸送層とよりなる機能
分離型であり、該電荷輸送層に上記一般式( I )で示
される化合物を含有せる特許請求の範囲第1項及び第2
項記載の電子写真感光体。
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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JP2501198B2 JP2501198B2 (ja) | 1996-05-29 |
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-
1986
- 1986-05-30 JP JP61126855A patent/JP2501198B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US9478754B2 (en) | 2004-04-02 | 2016-10-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Phenylcarbazole-based compounds and fluorene-based compounds and organic light emitting device and flat panel display device comprising the same |
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US11950501B2 (en) | 2004-04-02 | 2024-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Phenylcarbazole-based compounds and fluorene-based compounds and organic light emitting device and flat panel display device comprising the same |
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US8900728B2 (en) | 2004-10-19 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbazole derivative, and light emitting element and light emitting device using the carbazole derivative |
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