JPS62279626A - 半導体用基板に対する不純物のド−ピング方法 - Google Patents
半導体用基板に対する不純物のド−ピング方法Info
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- JPS62279626A JPS62279626A JP12317386A JP12317386A JPS62279626A JP S62279626 A JPS62279626 A JP S62279626A JP 12317386 A JP12317386 A JP 12317386A JP 12317386 A JP12317386 A JP 12317386A JP S62279626 A JPS62279626 A JP S62279626A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体基板に対しプラズマにより不純物の
ドーピングを行なう不純物ドーピング方法に関するもの
である。
ドーピングを行なう不純物ドーピング方法に関するもの
である。
半導体の低温プロセスは熱変成や不純物分布の変化、ラ
イフタイムの変化を抑制する上から従来型デバイス製造
の工程でも要望さnていたが、特に最近台頭している3
次元ICの場合に、上層のデバイスを製造する際既に形
成されている下層デバイスに対する悪影響を避けるため
欠くことのできない技術として、半導体デバイス微細化
の傾向とともに一層渇望されている。
イフタイムの変化を抑制する上から従来型デバイス製造
の工程でも要望さnていたが、特に最近台頭している3
次元ICの場合に、上層のデバイスを製造する際既に形
成されている下層デバイスに対する悪影響を避けるため
欠くことのできない技術として、半導体デバイス微細化
の傾向とともに一層渇望されている。
半導体基板に対する不純物の導入は現在熱拡散法に代り
イオン注入法が主流となりつつあるが、特に軽い元素の
ボロンの場合は深く注入さ石、易く浅いP領域を作るこ
とは困難であった。
イオン注入法が主流となりつつあるが、特に軽い元素の
ボロンの場合は深く注入さ石、易く浅いP領域を作るこ
とは困難であった。
しかし、これも10 kev 程度までエネルギーを下
げnは可能であるが、この場合はビーム電流が低下する
ので処理時間が長くなり!:産性が落ちる2問題がある
。また、注入後の不純物の活性化とダメージ回復のため
比較的高温の熱処理が必要となる等基板の深さ方向の微
細化に対して揮々の問題かあった。
げnは可能であるが、この場合はビーム電流が低下する
ので処理時間が長くなり!:産性が落ちる2問題がある
。また、注入後の不純物の活性化とダメージ回復のため
比較的高温の熱処理が必要となる等基板の深さ方向の微
細化に対して揮々の問題かあった。
上記のように、半導体基板に対する不純物の導入は、軽
い元素のボロンの場合浅いP領域を作ることが困難であ
り処理1こ長時間を要しあるいは高温の熱処理を必要と
するなど多量生産に適さない各種の問題があった。
い元素のボロンの場合浅いP領域を作ることが困難であ
り処理1こ長時間を要しあるいは高温の熱処理を必要と
するなど多量生産に適さない各種の問題があった。
この発明はこのような問題点を解決するためになされた
もので不純物の浅い領域を作ることが容易であり比較的
短時間lこ行ねりことができしかも高温の熱処理を必要
としない半導体基板に対する不純物のドテージ上に半導
体用単結晶基&を配置しこのステージおよび対向電極の
間に極性の変化する電圧を印加してプラズマを発生させ
イオン注入により不純物の導入を行なうことを特徴とし
、電圧の極性を反転させることによりエネルギーをもり
た電子を基板に照射しそのエネルギーを基板格子に与え
ることによりボロンの拡散を加速するものである。この
加速電圧を匍上御することにより所望の深さまでの拡4
f!1.を行なう0 〔実施例〕 以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
もので不純物の浅い領域を作ることが容易であり比較的
短時間lこ行ねりことができしかも高温の熱処理を必要
としない半導体基板に対する不純物のドテージ上に半導
体用単結晶基&を配置しこのステージおよび対向電極の
間に極性の変化する電圧を印加してプラズマを発生させ
イオン注入により不純物の導入を行なうことを特徴とし
、電圧の極性を反転させることによりエネルギーをもり
た電子を基板に照射しそのエネルギーを基板格子に与え
ることによりボロンの拡散を加速するものである。この
加速電圧を匍上御することにより所望の深さまでの拡4
f!1.を行なう0 〔実施例〕 以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
この実施例はN型基板にボロンを拡散する場合を示すも
のである。
のである。
第1因において、1は平行平板型のプラズマ発生装置で
あり、2はそのステージであり、3は対向電極、4はヒ
ータを示している。
あり、2はそのステージであり、3は対向電極、4はヒ
ータを示している。
ステー′)2の上lこシリコンのN型単結晶基板5を載
置してこnを負極とし、その上部5Qrmに設けられた
対向電極3にP型の比抵抗0.050の単結晶で作られ
たものを配設する。ステージ2はヒータ4により200
〜400“Cに加熱しておく。プラズマ発生装置tl中
1コ、H2ヲヘースとするB*Ha 2000 ppm
の希釈ガスを圧力2〜4.5 Torrで封入し、ステ
ージ2と対向′成極3の間に40ト伺OVの直流電圧を
印加し、プラズマ放電を行なう。
置してこnを負極とし、その上部5Qrmに設けられた
対向電極3にP型の比抵抗0.050の単結晶で作られ
たものを配設する。ステージ2はヒータ4により200
〜400“Cに加熱しておく。プラズマ発生装置tl中
1コ、H2ヲヘースとするB*Ha 2000 ppm
の希釈ガスを圧力2〜4.5 Torrで封入し、ステ
ージ2と対向′成極3の間に40ト伺OVの直流電圧を
印加し、プラズマ放電を行なう。
ジ2の側したがってN型単結晶基板5が負となるように
電圧を印加しその後極性を反転し10分間寛子犬射を行
なうサイクルを2回実施した時の拡散層の拡がり抵抗は
第2図に示す通りで拡散深さは01μであった。
電圧を印加しその後極性を反転し10分間寛子犬射を行
なうサイクルを2回実施した時の拡散層の拡がり抵抗は
第2図に示す通りで拡散深さは01μであった。
な2、この極性転換は第3図のように拡散深さ1こよっ
てサイクルと正負電圧の絶体値を適当に選ぶものである
。
てサイクルと正負電圧の絶体値を適当に選ぶものである
。
カくシて、その後のランプアニールでも特性の変化はな
く、不純物(オ充分活性化していることが明らかとなっ
た。またDLTSによるテープレベルの測定に2いても
格子欠かん及び重金属による準位も見らnなかった。
く、不純物(オ充分活性化していることが明らかとなっ
た。またDLTSによるテープレベルの測定に2いても
格子欠かん及び重金属による準位も見らnなかった。
なお、この極性転換に代えて、5QH2の交番電圧を用
いることによっても拡散深さは0.06μと極性転換法
の場合よりも浅いが略同様の結果が得られた。
いることによっても拡散深さは0.06μと極性転換法
の場合よりも浅いが略同様の結果が得られた。
なお、プラズマ中の陰極降下は数十ボルトで、これlこ
よる正イオンの衝撃は低エネルギーであるが衝突断面は
大きいためごく表面に限られるが欠かん中表面粗nが発
生する。
よる正イオンの衝撃は低エネルギーであるが衝突断面は
大きいためごく表面に限られるが欠かん中表面粗nが発
生する。
こちらの欠かんは基板厚子の移動、原子配列の乱れ、原
子空孔や格子間原子の対をも生ずるものと考えらV、る
。
子空孔や格子間原子の対をも生ずるものと考えらV、る
。
次にエネルギーをもったボロンイオンはこの原子空孔と
位置交換を繰返しまた格子間にある原子は格子点1こあ
る原子と玉突きで位置交換してそれぞ几拡散する。
位置交換を繰返しまた格子間にある原子は格子点1こあ
る原子と玉突きで位置交換してそれぞ几拡散する。
このように結晶中に発生した点欠かんが関与したVac
ancy機構とInterstialcy 機構で拡
散するものと推察される。
ancy機構とInterstialcy 機構で拡
散するものと推察される。
しかし、この拡散は入射エネルギーが少ないため基板表
膚下部の構成格子に与えるエネルギーが小さいのと格子
に置き変えられたボロン原子は負のアクセプタイオンと
なっているため外部電界により反撥さn内部への拡散は
難しい。
膚下部の構成格子に与えるエネルギーが小さいのと格子
に置き変えられたボロン原子は負のアクセプタイオンと
なっているため外部電界により反撥さn内部への拡散は
難しい。
そこで、ある程度表面層に高濃度のボロンがドープされ
た時点で印加電圧の極性を反転する。
た時点で印加電圧の極性を反転する。
これによって基板にはエネルギーをもった電子が照射さ
れることになるが、この加速電圧を制御することによっ
て所望の拡散深さまでの基板格子に電子の保有するエネ
ルギーを与え、しかも反転によって基板側が正極となる
ので基板正面1こ局在していたアクセプタイオンのボロ
ンはこの電界のドリフトにより拡散を加速さこることに
なる。
れることになるが、この加速電圧を制御することによっ
て所望の拡散深さまでの基板格子に電子の保有するエネ
ルギーを与え、しかも反転によって基板側が正極となる
ので基板正面1こ局在していたアクセプタイオンのボロ
ンはこの電界のドリフトにより拡散を加速さこることに
なる。
このように原性反転作用により拡散が容易となるため印
加電圧も比較的低くてすむのでマスク材および多層構造
の絶縁膜にかかるストレスも低減できる利点がある。ま
た、この場合電子照射1こよるアニール作用も考えられ
る。
加電圧も比較的低くてすむのでマスク材および多層構造
の絶縁膜にかかるストレスも低減できる利点がある。ま
た、この場合電子照射1こよるアニール作用も考えられ
る。
この猷子線による格子lこ対するエネルギの付与は、基
板物質の電気的および光学的特性などによって変らず、
また干渉効果もないので特定の場所だけにエネルギーを
放出さ几ることもなく平面的に見た場合のドープの均一
性が得ら几るものである。
板物質の電気的および光学的特性などによって変らず、
また干渉効果もないので特定の場所だけにエネルギーを
放出さ几ることもなく平面的に見た場合のドープの均一
性が得ら几るものである。
また活性化が入射電子のエネルギーにより行なわnるた
め、準安定な固溶限以上の高講度不純物の凍結現象が起
こり再分布もなく表面高濃度が保持さV。
め、準安定な固溶限以上の高講度不純物の凍結現象が起
こり再分布もなく表面高濃度が保持さV。
る。
な”お入射電子のSi原子に対する臨界変位エネルギは
125kevと高いので、この発明の方法の如く低エネ
ルギーの場合(オこnによる格子欠かんは全く発生しな
いと見ろことができる。
125kevと高いので、この発明の方法の如く低エネ
ルギーの場合(オこnによる格子欠かんは全く発生しな
いと見ろことができる。
次ニ一般のプラズマプロセスにもいえることであるが、
器壁、電極などによる重金属汚染の問題である。
器壁、電極などによる重金属汚染の問題である。
特に、この発明の方法のようにプラズマを用いたドーピ
ング方式では、深い不純物準位を形成するpe、Ni
などは格子間機構で拡散するため、ボロン等に比べ拡
散係数は著しく犬きく無視できない問題である。
ング方式では、深い不純物準位を形成するpe、Ni
などは格子間機構で拡散するため、ボロン等に比べ拡
散係数は著しく犬きく無視できない問題である。
例えばSO8(ステンレス スチール)i1f極を用い
た場合、基板にはFe、Or、Niによる0、35 e
I/〜0.55 e vのデープレベル準位が見らn
ライフタイムも減少する。
た場合、基板にはFe、Or、Niによる0、35 e
I/〜0.55 e vのデープレベル準位が見らn
ライフタイムも減少する。
この現象は、SUS陽極、基板陰極の場合にも見られる
か゛、特に極性転換した場合のSO8陰極における金属
飛沫作用が大きく利いている。
か゛、特に極性転換した場合のSO8陰極における金属
飛沫作用が大きく利いている。
このため、この発明の実施例においては汚染防止上対向
%極31こドープしようとする元素と同じ元素を高濃度
に含んだ棺結晶のシリコンTi極を用いることによって
この問題を解決している。
%極31こドープしようとする元素と同じ元素を高濃度
に含んだ棺結晶のシリコンTi極を用いることによって
この問題を解決している。
なお、この発明は上記の実施例に限定されるものではな
く要旨を変更しない範囲において異なる構成をとること
ができる。
く要旨を変更しない範囲において異なる構成をとること
ができる。
以上述べたようにこの発明によれば、不純物の浅い領域
を作ることが容易であり比較的短時間に行なうことがで
きしかも高温の熱処理を必要としない半導体基板に対す
る不純物のドーピング方法を提供することかできる。
を作ることが容易であり比較的短時間に行なうことがで
きしかも高温の熱処理を必要としない半導体基板に対す
る不純物のドーピング方法を提供することかできる。
第1図はこの発明の一実施例の概略的構成図、第2図は
同実施例の表面からの深さlこ対する拡散層の拡がり抵
抗の特性を示す曲線図、第3図は同実施例に2いてステ
ージと対向−極の間が印加する電圧を示す波形図である
。 工・・プラズマ発生装置 2−ステージS・・・対向
電極 4−ヒータ5・・・N型単結晶基板
6・・・直流電源7・・極性転換器 出願人 エム・セテック株式会社 第2図 第3図 手続補正書 1、事件の表示 特願昭61−123173号 2、発明の名称 半導体基板に対する不純物のドーピング方法3、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 エム・セテック株式会社 4、代理人 6、 補正の内容 (1)本願の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 (2)本願明細4!:第3頁末行乃至第4頁第7行の「
この発明の・・・・・・・・加速するものである。」の
部分の記載を下記の通り訂正する。 記 「この発明のドーピング方法は、プラズマ発生装〔撹の
ステージ上1こ半導体用基板を配置しこのステージおよ
び対向電極の間1こ極性の変化する電圧を印加してプラ
ズマを発生させ不純物の導入を行なうことを特徴とし、
電圧の極性を反転させること1こよりエネルギーをもっ
た電子を基板に照射しそのエネルギーを基板格子1こ与
えることにより不純物原子の拡散を促すものである。」
(3)同第6頁第18行の「Interstialcy
Jの部分を「INTBR8TITIALOY J
と訂正する。 2、特許請求の範囲 +1+ プラズマ発生装置のステージ上に半導体用基
板を配置しこのステージおよび対向電極の間1こ極性の
変化する電圧を印加してプラズマを発生させ不純物の導
入を行なうことを特徴とする半導体用基板に対する不純
物のドーピング方法。 (2+ $IL性の変化する電圧はステージ側を負と
して印加した直流電圧を極性転換させて与えるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体
基板jこ対する不純物のドーピング方法。 (3)極性の変化する電圧は交番電比によって与えるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
半導体基板に対する不M物のドーピング方法。 (4)対向′成極)こドープする元素と同じ元素を含む
シリコン電極を用いたことを特徴とする特許請求の疵囲
第1項乃至第3項のいずn 75) Iこ記載の半導体
基板に対する不純物のドーピング方法。
同実施例の表面からの深さlこ対する拡散層の拡がり抵
抗の特性を示す曲線図、第3図は同実施例に2いてステ
ージと対向−極の間が印加する電圧を示す波形図である
。 工・・プラズマ発生装置 2−ステージS・・・対向
電極 4−ヒータ5・・・N型単結晶基板
6・・・直流電源7・・極性転換器 出願人 エム・セテック株式会社 第2図 第3図 手続補正書 1、事件の表示 特願昭61−123173号 2、発明の名称 半導体基板に対する不純物のドーピング方法3、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 エム・セテック株式会社 4、代理人 6、 補正の内容 (1)本願の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 (2)本願明細4!:第3頁末行乃至第4頁第7行の「
この発明の・・・・・・・・加速するものである。」の
部分の記載を下記の通り訂正する。 記 「この発明のドーピング方法は、プラズマ発生装〔撹の
ステージ上1こ半導体用基板を配置しこのステージおよ
び対向電極の間1こ極性の変化する電圧を印加してプラ
ズマを発生させ不純物の導入を行なうことを特徴とし、
電圧の極性を反転させること1こよりエネルギーをもっ
た電子を基板に照射しそのエネルギーを基板格子1こ与
えることにより不純物原子の拡散を促すものである。」
(3)同第6頁第18行の「Interstialcy
Jの部分を「INTBR8TITIALOY J
と訂正する。 2、特許請求の範囲 +1+ プラズマ発生装置のステージ上に半導体用基
板を配置しこのステージおよび対向電極の間1こ極性の
変化する電圧を印加してプラズマを発生させ不純物の導
入を行なうことを特徴とする半導体用基板に対する不純
物のドーピング方法。 (2+ $IL性の変化する電圧はステージ側を負と
して印加した直流電圧を極性転換させて与えるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体
基板jこ対する不純物のドーピング方法。 (3)極性の変化する電圧は交番電比によって与えるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
半導体基板に対する不M物のドーピング方法。 (4)対向′成極)こドープする元素と同じ元素を含む
シリコン電極を用いたことを特徴とする特許請求の疵囲
第1項乃至第3項のいずn 75) Iこ記載の半導体
基板に対する不純物のドーピング方法。
Claims (4)
- (1)プラズマ発生装置のステージ上に半導体用単結晶
基板を配置しこのステージおよび対向電極の間に極性の
変化する電圧を印加してプラズマを発生させイオン注入
により不純物の導入を行なうことを特徴とする半導体用
基板に対する不純物のドーピング方法。 - (2)極性の変化する電圧はステージ側を負として印加
した直流電圧を極性転換させて与えるものであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体基板に対
する不純物のドーピング方法。 - (3)極性の変化する電圧は交番電圧によって与えるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
半導体基板に対する不純物のドーピング方法。 - (4)対向電極にドープする元素と同じ元素を含むシリ
コン電極を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1
項乃至第3項のいずれかに記載の半導体基板に対する不
純物のドーピング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12317386A JPS62279626A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体用基板に対する不純物のド−ピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12317386A JPS62279626A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体用基板に対する不純物のド−ピング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62279626A true JPS62279626A (ja) | 1987-12-04 |
JPH0516656B2 JPH0516656B2 (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=14853991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12317386A Granted JPS62279626A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体用基板に対する不純物のド−ピング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62279626A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0220018A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | M Setetsuku Kk | プラズマ処理装置の電極構造 |
JP2014107278A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-09 | Shi Exaination & Inspection Ltd | 半導体装置の製造方法、基板処理システム、及び基板処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5328378A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-16 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Method of plasma etching |
JPS554937A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Fujitsu Ltd | Dry etching method |
JPS56138921A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Method of formation for impurity introduction layer |
JPS57106120A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS57197824A (en) * | 1981-05-12 | 1982-12-04 | Siemens Ag | Method and device for filling impurity to semiconductor material |
JPS57202726A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP12317386A patent/JPS62279626A/ja active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5328378A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-16 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Method of plasma etching |
JPS554937A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Fujitsu Ltd | Dry etching method |
JPS56138921A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Method of formation for impurity introduction layer |
JPS57106120A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS57197824A (en) * | 1981-05-12 | 1982-12-04 | Siemens Ag | Method and device for filling impurity to semiconductor material |
JPS57202726A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0220018A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | M Setetsuku Kk | プラズマ処理装置の電極構造 |
JP2014107278A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-09 | Shi Exaination & Inspection Ltd | 半導体装置の製造方法、基板処理システム、及び基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0516656B2 (ja) | 1993-03-05 |
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