JPS62269375A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62269375A JPS62269375A JP11400186A JP11400186A JPS62269375A JP S62269375 A JPS62269375 A JP S62269375A JP 11400186 A JP11400186 A JP 11400186A JP 11400186 A JP11400186 A JP 11400186A JP S62269375 A JPS62269375 A JP S62269375A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は複数個の半導体発光素子がモノリシックに形成
された半導体装置に関する。
された半導体装置に関する。
従来、例えば特開昭59−126に開示されているよう
に、半導体レーザまたは発光ダイオード(LED)を複
数個用いて光走査装置を設計する場合、第5図に示すよ
うに発光体からの光の出射方向が一点P。
に、半導体レーザまたは発光ダイオード(LED)を複
数個用いて光走査装置を設計する場合、第5図に示すよ
うに発光体からの光の出射方向が一点P。
で交わるように光源を配置し、複数の走査スポットを良
好な結像状態を保ちながら被走査面(不図示)に対して
走査できるよう工夫されていた。
好な結像状態を保ちながら被走査面(不図示)に対して
走査できるよう工夫されていた。
第5図はその典型的な従来例を示したものであり、光源
と偏向器の間の光学系を偏向走査面と垂直な方向から見
た図である。51a、51bは半導体レーザであり、各
レーザはマウント52の上にその光束発生面がマウント
52の端面と平行になるように配されている。半導体レ
ーザ51a、51bが設けられているマウント52の端
面52a、52bは、各レーザ51a。
と偏向器の間の光学系を偏向走査面と垂直な方向から見
た図である。51a、51bは半導体レーザであり、各
レーザはマウント52の上にその光束発生面がマウント
52の端面と平行になるように配されている。半導体レ
ーザ51a、51bが設けられているマウント52の端
面52a、52bは、各レーザ51a。
51bからの発散光束の中心光線ha、hbが同一の点
Poを通過して来たかの如く設定される。換言すれば、
半導体レーザ(51a、51b)が設けられている位置
で、端面52aと52bに各々法線をたてると、各々の
法線がP。を通過するように、端面52aと52bは設
定されている。更に、偏向走査面と平行な方向から見れ
ば、各々の半導体レーザの中心光線h a +h bの
P。点を通過する位置が、偏向走査面と直交する方向に
わずかに変位するように、マウント32上に設けられる
半導体レーザの位置は設定される。
Poを通過して来たかの如く設定される。換言すれば、
半導体レーザ(51a、51b)が設けられている位置
で、端面52aと52bに各々法線をたてると、各々の
法線がP。を通過するように、端面52aと52bは設
定されている。更に、偏向走査面と平行な方向から見れ
ば、各々の半導体レーザの中心光線h a +h bの
P。点を通過する位置が、偏向走査面と直交する方向に
わずかに変位するように、マウント32上に設けられる
半導体レーザの位置は設定される。
上記P。点と偏向器の偏向反射面53の所定の近傍の点
Pとは、結像レンズ54により光学的共役な関係に保た
れている。
Pとは、結像レンズ54により光学的共役な関係に保た
れている。
このように、複数個の半導体発光素子(例えば半導体レ
ーザ)をそれぞれの光の出射方向が異なるように配置す
るためには、」二記例に示したようにマウント−1−に
位置合せをしてハイブリッドに構成する必要があった。
ーザ)をそれぞれの光の出射方向が異なるように配置す
るためには、」二記例に示したようにマウント−1−に
位置合せをしてハイブリッドに構成する必要があった。
以下便宜」二、複数個の半導体発光素子としてアレーレ
ーザという言葉を使用するが、原理的にはLEDアレー
のような発光体にも当てはまる。
ーザという言葉を使用するが、原理的にはLEDアレー
のような発光体にも当てはまる。
また、モノリシックに形成されたアレーレーザを使用す
る場合には、アレーレーザの前面に何らかの光学系を設
置する必要がある。特開昭58−211735に開示さ
れている例としては、プリズムがアレーレーザの前面に
配置されている。これを第6図に示す。
る場合には、アレーレーザの前面に何らかの光学系を設
置する必要がある。特開昭58−211735に開示さ
れている例としては、プリズムがアレーレーザの前面に
配置されている。これを第6図に示す。
第6図は半導体アレーレーザが5つの発光部を有する場
合のプリズムの断面を示すものである。61は5つの発
光部(61a、61b、61c、61d、61e)を有
する半導体アレーレーザであり、62はプリズムである
。発光部6]aからの光束の中心光線haは傾斜面62
aにより屈折され、あたかもP。を通過して来たかのよ
うに曲げられる。同じく61bからの中心光線hbは傾
斜面62により、61dからの中心光線hdは傾斜面6
2dにより、61eからの中心光線heは傾斜面62e
により、それぞれあたかもP。
合のプリズムの断面を示すものである。61は5つの発
光部(61a、61b、61c、61d、61e)を有
する半導体アレーレーザであり、62はプリズムである
。発光部6]aからの光束の中心光線haは傾斜面62
aにより屈折され、あたかもP。を通過して来たかのよ
うに曲げられる。同じく61bからの中心光線hbは傾
斜面62により、61dからの中心光線hdは傾斜面6
2dにより、61eからの中心光線heは傾斜面62e
により、それぞれあたかもP。
を通過して来たかのように曲げられる。なお61cから
の中心光線heは平面62cを垂直に通過して行き、こ
の中心光線hcの延長線上にP。が存在する。
の中心光線heは平面62cを垂直に通過して行き、こ
の中心光線hcの延長線上にP。が存在する。
このように各発光部に対応して傾斜角を定めた傾斜平面
が設けられ、プリズム62を出射後の各光束の中心光線
は、あたかもP。から出射したかのようにその方向を制
御されている。このP。は前述したように偏向反射面の
近傍の所望の位置P(不図示)と光学系を介して共役に
保たれる。
が設けられ、プリズム62を出射後の各光束の中心光線
は、あたかもP。から出射したかのようにその方向を制
御されている。このP。は前述したように偏向反射面の
近傍の所望の位置P(不図示)と光学系を介して共役に
保たれる。
この場合の問題点はプリズム62の微細加工精度および
方法、プリズム62とアレーレーザ61との位置合せお
よび接合方法などであり、アレーレーザのピッチが小さ
くなる程難しくなる。実際、100μm以下ではほぼ不
可能である。
方法、プリズム62とアレーレーザ61との位置合せお
よび接合方法などであり、アレーレーザのピッチが小さ
くなる程難しくなる。実際、100μm以下ではほぼ不
可能である。
一方、第7図は光学系即ちリレー光学系73で同様の効
果を持たせようとしたもので、アレーレーザ7]a、7
1bから出射した光を平行化して結像させるコリメータ
レンズ72とシリンドリカルレンズ75との間にリレー
光学系73を介在させてポリゴン面74に結像した例で
あり、良好な結像状態で被走査面(不図示)」二に結像
される。
果を持たせようとしたもので、アレーレーザ7]a、7
1bから出射した光を平行化して結像させるコリメータ
レンズ72とシリンドリカルレンズ75との間にリレー
光学系73を介在させてポリゴン面74に結像した例で
あり、良好な結像状態で被走査面(不図示)」二に結像
される。
この場合の問題点は光路長であり、リレー系自体で約2
0cm長(なってしまう。
0cm長(なってしまう。
一方、上記の如き問題点を解決するため、本出願人は特
願昭59−240/118号、特願昭60−424号等
で、複数個の半導体レーザがモノリシックに形成され、
かつ、各々の半導体レーザの出射方向が異なっている半
導体装置を既に提案している。
願昭59−240/118号、特願昭60−424号等
で、複数個の半導体レーザがモノリシックに形成され、
かつ、各々の半導体レーザの出射方向が異なっている半
導体装置を既に提案している。
本発明は、簡単に製造でき、レンズ等と組み合せて光路
長の短い光学系を構成出来る半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とし、更に実際の使用状態に対応して、上
記既提案の装置の性能をより向上させるものである。
長の短い光学系を構成出来る半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とし、更に実際の使用状態に対応して、上
記既提案の装置の性能をより向上させるものである。
本発明による半導体装置は、上記目的を達成する為に、
複数個の半導体発光素子がモノリシックに形成されてい
る半導体装置において、」二連の半導体発光素子のそれ
ぞれに対応し、これら半導体発光素子とモノリシックに
導波路を形成する際、半導体発光素子の活性層に多重量
子井戸構造を持ち、導波路部分の多重量子井戸構造を無
秩序化する事により導波路から射出される時点で、それ
ぞれの光出射方向が異なっている事を特徴とする。
複数個の半導体発光素子がモノリシックに形成されてい
る半導体装置において、」二連の半導体発光素子のそれ
ぞれに対応し、これら半導体発光素子とモノリシックに
導波路を形成する際、半導体発光素子の活性層に多重量
子井戸構造を持ち、導波路部分の多重量子井戸構造を無
秩序化する事により導波路から射出される時点で、それ
ぞれの光出射方向が異なっている事を特徴とする。
なお、以下の記載において用いられる[それぞれのレー
ザからの光の出射方向が異なる」という表現は同一方向
に出射するものが1組もないという意味ではな(、広義
には出射方向の異なるものが1組以上存在するという意
味である。
ザからの光の出射方向が異なる」という表現は同一方向
に出射するものが1組もないという意味ではな(、広義
には出射方向の異なるものが1組以上存在するという意
味である。
多数の半導体レーザを高密度に集積する場合の問題点と
して発振のためのキャリア注入にともなう発熱と温度上
昇によって発光効率が低下し、一定の注入電流によって
、もはや一定の光出力が得られなくなる。
して発振のためのキャリア注入にともなう発熱と温度上
昇によって発光効率が低下し、一定の注入電流によって
、もはや一定の光出力が得られなくなる。
これは半導体レーザを光記録装置の光源として使用する
場合は深刻であり、記録のエラーや記録品位の低下を招
く。
場合は深刻であり、記録のエラーや記録品位の低下を招
く。
更に通常、GaAs/GaAA!As系半導体レーザの
活性層はG a A sもしくはGaAj?As層で、
この活性層部分を先導波路部分として用いる場合、活性
層に平行な面に対して光は広がる為、不純物の拡散等に
より屈折率分布を生じさせて光を閉じ込める様な工夫を
している。しかし、この場合導波路の屈折率差が非常に
小さい為、光は充分に閉じこもらず、導波路内での損失
が大きくなる。この様な導波路を用いると、導波路出射
端面でのpowerが小さくなり、光記録装置の光源部
分として用いる事は出来ない。
活性層はG a A sもしくはGaAj?As層で、
この活性層部分を先導波路部分として用いる場合、活性
層に平行な面に対して光は広がる為、不純物の拡散等に
より屈折率分布を生じさせて光を閉じ込める様な工夫を
している。しかし、この場合導波路の屈折率差が非常に
小さい為、光は充分に閉じこもらず、導波路内での損失
が大きくなる。この様な導波路を用いると、導波路出射
端面でのpowerが小さくなり、光記録装置の光源部
分として用いる事は出来ない。
本発明において提示する具体的な解決法は上記の様な発
光効率の低下を半導体レーザの構造にU S P 3
。
光効率の低下を半導体レーザの構造にU S P 3
。
982.207に開示されている多重量子井戸構造を採
用して発光の温度特性を改善し、光導波路部分の多重量
子井戸構造において、多重量子井戸を無秩序化する事に
より、より大きな屈折率の差を達成するものである。
用して発光の温度特性を改善し、光導波路部分の多重量
子井戸構造において、多重量子井戸を無秩序化する事に
より、より大きな屈折率の差を達成するものである。
即ち、以下の実施例で述べるように」1記構造を採用す
る事により、 (1)発光に要する注入電流が減少し、同程度の光出力
を得る為の発熱量が少なくなり、動作温度が低(なる。
る事により、 (1)発光に要する注入電流が減少し、同程度の光出力
を得る為の発熱量が少なくなり、動作温度が低(なる。
(2)MQW構造では一定温度の変化に対する先の出力
変化が少ない。
変化が少ない。
(3)無秩序化する事により、屈折率差が大きくできる
ので充分な光閉じ込め効果が期待できる。
ので充分な光閉じ込め効果が期待できる。
(1)(2)(3)の複合効果により本発明のように高
密度に集積化された光導波路をもちいた斜め出射アレー
レーザにおいても良好な発光特性が達成された。
密度に集積化された光導波路をもちいた斜め出射アレー
レーザにおいても良好な発光特性が達成された。
多重量子井戸構造は電荷の注入や電界の印加により吸収
特性が変化する事を利用しての光変調器としての用途、
量子効果により実効バンドギャップが変化する事を利用
した短波長レーザ発振双安定光素子等に利用されている
が、本発明の様に発光効率が良いこと、温度特性の良好
な点、更に無秩序化により、屈折率を大きく変化できる
点に注目して高密度斜出レーザとしてデバイス化した例
はなく、使用形態での適合化を追及する中で本発明に到
達したものである。
特性が変化する事を利用しての光変調器としての用途、
量子効果により実効バンドギャップが変化する事を利用
した短波長レーザ発振双安定光素子等に利用されている
が、本発明の様に発光効率が良いこと、温度特性の良好
な点、更に無秩序化により、屈折率を大きく変化できる
点に注目して高密度斜出レーザとしてデバイス化した例
はなく、使用形態での適合化を追及する中で本発明に到
達したものである。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例で、以下、GaAs。
G a A 12 A sをもちいて製造プロセスを説
明する。
明する。
まず、n型GaAs基板Ill上に順次、バッファ層と
してn型GaAs112を1μm1クラツド層としてn
型A l O,4G a o、a A s l ] 3
を2 p m 、活性層としてノンドープGaAs10
0人、 An!o、2Gao、5As30人を4回(り
返し最後にG ’a A s 100人種層した。
してn型GaAs112を1μm1クラツド層としてn
型A l O,4G a o、a A s l ] 3
を2 p m 、活性層としてノンドープGaAs10
0人、 An!o、2Gao、5As30人を4回(り
返し最後にG ’a A s 100人種層した。
多重量子井戸構造の活領域114を形成した。1次にク
ラッドとしてP型Afo4Gao、aAs115を1.
5μm、キャップ層としてP形GaAs116を0.5
μm分子線エピタキシ法によって形成した。
ラッドとしてP型Afo4Gao、aAs115を1.
5μm、キャップ層としてP形GaAs116を0.5
μm分子線エピタキシ法によって形成した。
続いてプラズマCVD法により窒化シリコン膜120を
形成する。次に第2図に示すようなマスクパターン12
1を上記ウェハー119上に転写し、不純物拡散用マス
クとする。転写されたウェハー119はZnAs213
1と一緒に第3図のアンプル130中に真空封じされ、
約600°C1O分加熱する事により、第4図に示す如
く、MOW構造は不純物により無秩序化されて光導波路
140を形成する無秩序化部分を斜線の141とする。
形成する。次に第2図に示すようなマスクパターン12
1を上記ウェハー119上に転写し、不純物拡散用マス
クとする。転写されたウェハー119はZnAs213
1と一緒に第3図のアンプル130中に真空封じされ、
約600°C1O分加熱する事により、第4図に示す如
く、MOW構造は不純物により無秩序化されて光導波路
140を形成する無秩序化部分を斜線の141とする。
続いて、電流注入域を形成する為、第5図に示す如く窒
化シリコン膜120に幅3μm、長さ500μmの窓1
51を開ける。次に上部電極としてCr、Auオーミッ
ク電極161を形成し、電極として必要な部分以外はエ
ツチングをして第6図の如くになる。第7図にチップ化
した時の斜視図を示す。導波路部とレーザ部を分離する
為の溝171を基板111とバッファ層112の境界付
近までエツチングにより作成する。次にレーザ部の共振
器ミラーのうち、一方は溝171のレーザ部壁面により
得られ、もう一方は溝と反対側の面をヘギカイする事に
より得られる。又導波路の端面は入射面は溝171の壁
面により得られ、もう一方はヘキカイする事により得ら
れる。
化シリコン膜120に幅3μm、長さ500μmの窓1
51を開ける。次に上部電極としてCr、Auオーミッ
ク電極161を形成し、電極として必要な部分以外はエ
ツチングをして第6図の如くになる。第7図にチップ化
した時の斜視図を示す。導波路部とレーザ部を分離する
為の溝171を基板111とバッファ層112の境界付
近までエツチングにより作成する。次にレーザ部の共振
器ミラーのうち、一方は溝171のレーザ部壁面により
得られ、もう一方は溝と反対側の面をヘギカイする事に
より得られる。又導波路の端面は入射面は溝171の壁
面により得られ、もう一方はヘキカイする事により得ら
れる。
尚、172,173,174はそれぞれ光出射方向を示
す。各構成要素の寸法は、電極間隔100μm、キャビ
ティ長300μm、溝171の幅は1〜数1107z。
す。各構成要素の寸法は、電極間隔100μm、キャビ
ティ長300μm、溝171の幅は1〜数1107z。
その深さは3〜5μmで導波路] 75 a −cの長
さは数]、007zm、各導波路の巾は数μmで出射方
向の広がり角θは数度である。
さは数]、007zm、各導波路の巾は数μmで出射方
向の広がり角θは数度である。
第7図に示した実施例では、各導波路175 a −c
が予めある角度θを有して直線状に形成されているが、
形成態様は直線に限定されない。すなわち、最終的に同
波路から光が出射される時点において放射状に光が広が
れば良く、例えば第団8図に示すように曲りだ導波路も
可能である。
が予めある角度θを有して直線状に形成されているが、
形成態様は直線に限定されない。すなわち、最終的に同
波路から光が出射される時点において放射状に光が広が
れば良く、例えば第団8図に示すように曲りだ導波路も
可能である。
第8図は本発明の変形例を示し、破線で示した導波路+
85 a −cは、溝171の近傍では直線的である
が、光が出射される端面に近づ(につれて徐々に放射状
に曲っている。
85 a −cは、溝171の近傍では直線的である
が、光が出射される端面に近づ(につれて徐々に放射状
に曲っている。
これらの装置では、電流注入によりアレーレーザを発振
させると3本の平行なレーザビームが得られる。これら
の平行なビームは溝171を通して放射状の導波路17
5a〜Cまたは185a〜C内に入り、それぞれ放射状
のレーザビームとして取り出される。したがって、3本
のビームが1個所から出射されたものとして取扱うこと
ができるため、アレーレーザ光の集束を容易に行なうこ
とができる。
させると3本の平行なレーザビームが得られる。これら
の平行なビームは溝171を通して放射状の導波路17
5a〜Cまたは185a〜C内に入り、それぞれ放射状
のレーザビームとして取り出される。したがって、3本
のビームが1個所から出射されたものとして取扱うこと
ができるため、アレーレーザ光の集束を容易に行なうこ
とができる。
」1記説明では導波路部の形成方法として、不純物の拡
散によって導波路と導波路以外の部分との間に屈折率の
差を持たせたが、この他に、イオン注入を利用すること
も可能である。
散によって導波路と導波路以外の部分との間に屈折率の
差を持たせたが、この他に、イオン注入を利用すること
も可能である。
第7図および第8図に示したようなファブリペロ−共振
器を持つレーザを用いる場合には、共振器を形成するた
めにレーザ光を空気中または屈折率の異なる媒質中(溝
171に相当する)を通過させた後、導波路内へそのレ
ーザ光を導く。そのために、レーザ光の広がりや溝17
1側の導波路端面での光の反射が生じて、導波路内に入
射する光の割合が減少したり、あるいはクロスト−りが
発生することがある。
器を持つレーザを用いる場合には、共振器を形成するた
めにレーザ光を空気中または屈折率の異なる媒質中(溝
171に相当する)を通過させた後、導波路内へそのレ
ーザ光を導く。そのために、レーザ光の広がりや溝17
1側の導波路端面での光の反射が生じて、導波路内に入
射する光の割合が減少したり、あるいはクロスト−りが
発生することがある。
これに対する改善策としては、溝171を屈折率の大き
い物質で充填すればよい。この場合の屈折率の大きさは
、前述した導波路部における導波路175 a −c
、あるいは185 a −c以外の部分の屈折率の大き
さより小さく選定される。
い物質で充填すればよい。この場合の屈折率の大きさは
、前述した導波路部における導波路175 a −c
、あるいは185 a −c以外の部分の屈折率の大き
さより小さく選定される。
第9図(a)、(b)はDBR(Distribute
d BraggReflection )レーザを用い
た例であり、それぞれ断面図、平面図を示す。
d BraggReflection )レーザを用い
た例であり、それぞれ断面図、平面図を示す。
まず、基板191上に順次、クラッド層192.MQW
構造の活性層193.クラッド層194を作成する。
構造の活性層193.クラッド層194を作成する。
次に、プラグ反射(DBR)部並びにDBRおよび導波
路部に対応するクラッド層194を厚さ数百nmまでエ
ツチング除去し、この上に干渉露光により周期数百nm
の回折格子195を作成する。さらに、活性部に対応す
るクラッド層194の上面に電極196a、196b、
196cを形成する。
路部に対応するクラッド層194を厚さ数百nmまでエ
ツチング除去し、この上に干渉露光により周期数百nm
の回折格子195を作成する。さらに、活性部に対応す
るクラッド層194の上面に電極196a、196b、
196cを形成する。
最後に、導波路部において活性層193と平行な面内で
導波路197a、197b、197cが形成される。
導波路197a、197b、197cが形成される。
この場合、導波路の形状は直線状でもあるいは放射状で
もよいが、いずれの場合にも光が出射される時点におい
ては、ある角度θを有して光が出射されるように形成さ
れる必要がある。
もよいが、いずれの場合にも光が出射される時点におい
ては、ある角度θを有して光が出射されるように形成さ
れる必要がある。
このようなりBRレレーを用いた場合には、レーザ光が
伝わってい(媒質が、レーザ部と導波路部で変化しない
ため、レーザ光の広がりや導波路端面での光の反射はほ
とんど生じないという利点がある。
伝わってい(媒質が、レーザ部と導波路部で変化しない
ため、レーザ光の広がりや導波路端面での光の反射はほ
とんど生じないという利点がある。
同様な効果は、DFB (Distributed
FeedBack)レーザを用いた場合にも期待できる
。
FeedBack)レーザを用いた場合にも期待できる
。
■ 前記実施例ではレーザ部はGaAs系を用いた利得
導波形の電極ストライプ構造を例にとって述べたが、B
H構造、csp構造電流、光の為の狭すクの吸収層を活
性層近傍に設けた構造等の屈折率導波形のレーザに対し
ても有効である。
導波形の電極ストライプ構造を例にとって述べたが、B
H構造、csp構造電流、光の為の狭すクの吸収層を活
性層近傍に設けた構造等の屈折率導波形のレーザに対し
ても有効である。
■ 前記実施例では光導波路部を形成した後、レーザ部
を作成したか、レーザ部も光導波路部と同様に不純物拡
散による電流、光の狭すクを行なう事で、光導波路、レ
ーザ部を同時に作成する事が出来る。
を作成したか、レーザ部も光導波路部と同様に不純物拡
散による電流、光の狭すクを行なう事で、光導波路、レ
ーザ部を同時に作成する事が出来る。
なお、各レーザからの光出射方向の異なり角θ(度)の
値はアレーの間隔(jl’ m mとする)と用いる光
学系の焦点距離とに依存するが、通常用いられる焦点距
離20 m m程度のものでは1゜≦θ/I!≦50ぐ
らいが適当である。例えば第12図の試作例ではl =
100 μm、P、)=13mm、 θ=1.2度で
良好な結果を得た。
値はアレーの間隔(jl’ m mとする)と用いる光
学系の焦点距離とに依存するが、通常用いられる焦点距
離20 m m程度のものでは1゜≦θ/I!≦50ぐ
らいが適当である。例えば第12図の試作例ではl =
100 μm、P、)=13mm、 θ=1.2度で
良好な結果を得た。
また、光走査の方法を第5図に示されるような偏向反射
面53を用いた系に限定する必要がないのは言うまでも
ない。例えば結像レンズ54の背後に回折格子のような
ものを設置して変更することも可能である。
面53を用いた系に限定する必要がないのは言うまでも
ない。例えば結像レンズ54の背後に回折格子のような
ものを設置して変更することも可能である。
さらに、予め設定された光出射方向の異なり角θは一定
値ずつシフトしているのが一般的であるが、例えばθ1
.θ2.θ3・・・・・・・・・というように必要に応
じて異なった値をとってもよい。そして、このような光
出射方向の異なるアレーレーザは走査光学系を有する装
置にのみ適用されるものでないことは言うまでもない。
値ずつシフトしているのが一般的であるが、例えばθ1
.θ2.θ3・・・・・・・・・というように必要に応
じて異なった値をとってもよい。そして、このような光
出射方向の異なるアレーレーザは走査光学系を有する装
置にのみ適用されるものでないことは言うまでもない。
すなわち、本発明による半導体装置におけるアレーレー
ザは、単一レンズにより異なった発光点からのレーザを
ほぼ同じ方向へ平行化させるような操作に対して極めて
有利である。
ザは、単一レンズにより異なった発光点からのレーザを
ほぼ同じ方向へ平行化させるような操作に対して極めて
有利である。
以上、各実施例あるいは変形例において主としてアレー
レーザを例にとって述べたが、LEDなどの他の半導体
発光素子についても同様の効果が期待される。更に、材
料もGaAs、GaAlAsに限定されるわけではな(
、■−■族化合物半導体のInP。
レーザを例にとって述べたが、LEDなどの他の半導体
発光素子についても同様の効果が期待される。更に、材
料もGaAs、GaAlAsに限定されるわけではな(
、■−■族化合物半導体のInP。
I u G a A s P系やAjNnGaP系等に
も適用できる。
も適用できる。
本発明は以上述べたように、複数個の半導体発光素子を
単一基板上に形成する際半導体発光素子のそれぞれから
の光の出射方向を異ならせるような導波路を設ける際に
活性層にMQW構造を用いる事により、出力のリレキの
如何によらず出力変動を小さくできるばかりでな(、導
波路形成においても、MQW構造を無秩序化する事で容
易に屈折率差を大きくする事が可能となり光閉じ込め効
果の大きい導波路を形成する事ができた。上記の様な簡
単な工夫で、多数の点からのレーザ光の平行化を容易に
し、走査光学系を用いて媒体上に結像、走査するような
光学装置(例えばレーザビームプリンタなど)の光源と
して極めて有効となる効果を有している。
単一基板上に形成する際半導体発光素子のそれぞれから
の光の出射方向を異ならせるような導波路を設ける際に
活性層にMQW構造を用いる事により、出力のリレキの
如何によらず出力変動を小さくできるばかりでな(、導
波路形成においても、MQW構造を無秩序化する事で容
易に屈折率差を大きくする事が可能となり光閉じ込め効
果の大きい導波路を形成する事ができた。上記の様な簡
単な工夫で、多数の点からのレーザ光の平行化を容易に
し、走査光学系を用いて媒体上に結像、走査するような
光学装置(例えばレーザビームプリンタなど)の光源と
して極めて有効となる効果を有している。
第1図〜第9図は本発明の詳細な説明する図、第10図
はレーザがハイブリッドに配置された従来例を示す図、
第11図は出射方向一定のアレーレーザとプリズムを合
体して出射方向を異ならせた従来例を示す図、−第12
図は出射方向一定のアレーレーザを光学系で補正しよう
とした場合の従来例を示す図である。 175 a 、 175 b 、 l 75 c −−
−−−−=−導波路、172.173,174・・・・
・・・・・・・・・・・光出射方向。
はレーザがハイブリッドに配置された従来例を示す図、
第11図は出射方向一定のアレーレーザとプリズムを合
体して出射方向を異ならせた従来例を示す図、−第12
図は出射方向一定のアレーレーザを光学系で補正しよう
とした場合の従来例を示す図である。 175 a 、 175 b 、 l 75 c −−
−−−−=−導波路、172.173,174・・・・
・・・・・・・・・・・光出射方向。
Claims (2)
- (1)複数個の半導体発光素子と導波路をモノリシック
に形成し、導波路を通して出射方向が異なるようにレー
ザ光が放出される半導体装置であって、前記半導体発光
素子の活性層が多重量子井戸構造を持ち、且つ導波路部
分が多重量子井戸構造の無秩序化により形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - (2)前記半導体発光素子と導波路がIII−V族化合物
半導体である特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11400186A JPS62269375A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11400186A JPS62269375A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62269375A true JPS62269375A (ja) | 1987-11-21 |
Family
ID=14626578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11400186A Pending JPS62269375A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62269375A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8731018B2 (en) | 2011-01-27 | 2014-05-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11400186A patent/JPS62269375A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8731018B2 (en) | 2011-01-27 | 2014-05-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser |
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