JPS62262420A - 半導体加熱用耐熱管のシ−ル方法 - Google Patents
半導体加熱用耐熱管のシ−ル方法Info
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- JPS62262420A JPS62262420A JP10473086A JP10473086A JPS62262420A JP S62262420 A JPS62262420 A JP S62262420A JP 10473086 A JP10473086 A JP 10473086A JP 10473086 A JP10473086 A JP 10473086A JP S62262420 A JPS62262420 A JP S62262420A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子の製造工程に不可欠な加熱炉と併
用する耐熱性筒体のシール方法に関する。
用する耐熱性筒体のシール方法に関する。
（従来の技術）
最近、半導体製品の生産規模はますます増大の傾向にあ
り、このために生産性の高い製造ラインの確立が求めら
れており、その−環として、半導体ウェーハも大口径化
の方向にある。
り、このために生産性の高い製造ラインの確立が求めら
れており、その−環として、半導体ウェーハも大口径化
の方向にある。
このような傾向により、人手によるハンドリングは困難
となり半導体ウェーハの搬送や装置へのセツティング等
は必然的に自動化が必要となってくる。
となり半導体ウェーハの搬送や装置へのセツティング等
は必然的に自動化が必要となってくる。
一方、超ＬＳＩに代表されるように最近の半導体デバイ
スは高集積化、高性能化の方向を辿っており、これに伴
って製造プロセスは複離多岐にわたっており、製造ライ
ンの清浄度が少滴りに与える影響も大きく、じんあいの
発生源である人体を遠ざける意味からも自動化の意義は
大きい。
スは高集積化、高性能化の方向を辿っており、これに伴
って製造プロセスは複離多岐にわたっており、製造ライ
ンの清浄度が少滴りに与える影響も大きく、じんあいの
発生源である人体を遠ざける意味からも自動化の意義は
大きい。
ところで製造ラインの清浄度が半導体素子の少滴りに影
響を与える度合いが増している昨今では。
響を与える度合いが増している昨今では。
いわゆるソフトランダが開発され実用化の段階に入って
いるほかに、耐熱管ならびに蓋体の洗滌にも工夫が加え
られている。すなわち、耐熱管に嵌合した蓋体をクリー
ンルーム内に位置させその洗滌に当ってはクリーンルー
ム外に配置する加熱炉の開口部から蓋体と一体化した耐
熱管を取出してクリーンルーム内の汚染を防いでいる。
いるほかに、耐熱管ならびに蓋体の洗滌にも工夫が加え
られている。すなわち、耐熱管に嵌合した蓋体をクリー
ンルーム内に位置させその洗滌に当ってはクリーンルー
ム外に配置する加熱炉の開口部から蓋体と一体化した耐
熱管を取出してクリーンルーム内の汚染を防いでいる。
半導体ウェーハの製造工程に不可欠な拡散炉等の加熱設
備ではヒータ等の加熱源を埋設した断熱性管体を準備し
、こ＼に耐熱管を挿入可能とするが、被加熱体である半
導体ウェーハの不純物による汚染を防止するために半導
体表面の安定化物質と化学的成分や性質が近似した材料
である石英ならびにＳｉＣが選択されている。゛ 前記断熱性管体に配置される耐熱管１０は第３図に示す
ようにその端末に同材質からなる蓋体１０を設け、この
両者１０．１１の端末部に形成するテーパ部１２によっ
て両者を一体とすると共にその嵌合部には摺り合せ加工
を施して滑らかにして着脱を助ける手段が採られている
。
備ではヒータ等の加熱源を埋設した断熱性管体を準備し
、こ＼に耐熱管を挿入可能とするが、被加熱体である半
導体ウェーハの不純物による汚染を防止するために半導
体表面の安定化物質と化学的成分や性質が近似した材料
である石英ならびにＳｉＣが選択されている。゛ 前記断熱性管体に配置される耐熱管１０は第３図に示す
ようにその端末に同材質からなる蓋体１０を設け、この
両者１０．１１の端末部に形成するテーパ部１２によっ
て両者を一体とすると共にその嵌合部には摺り合せ加工
を施して滑らかにして着脱を助ける手段が採られている
。
更に、加熱処理に必要な気体は蓋体１０のはゾ中心部に
設けた開孔部１３から排出する構造となっており、把手
１４も設置されている。
設けた開孔部１３から排出する構造となっており、把手
１４も設置されている。
（発明が解決しようとする問題点）
前述のようにクリーンルーム内の清浄度を保持するため
、耐熱管を利用した熱処理工程ではそのシールを確実に
する必要がある。従って耐熱管と蓋体の嵌合部にＯリン
グを適用し更に高温度によるその劣化を防止するためそ
の外周に水冷機構を付設する構造も考えられるが、熱処
理に必要な約１０００℃による昇温に耐えるＯリング材
質は今のところ見当らない。
、耐熱管を利用した熱処理工程ではそのシールを確実に
する必要がある。従って耐熱管と蓋体の嵌合部にＯリン
グを適用し更に高温度によるその劣化を防止するためそ
の外周に水冷機構を付設する構造も考えられるが、熱処
理に必要な約１０００℃による昇温に耐えるＯリング材
質は今のところ見当らない。
更に、耐熱管と蓋体の嵌合部には摺り合せ加工を施しか
つテーパ部を設けてその着脱を容易にしているのは前述
の通りであるが、材質に石英を使用するとこの摺り合せ
加工は精密にできないためその気密性は充分でない。
つテーパ部を設けてその着脱を容易にしているのは前述
の通りであるが、材質に石英を使用するとこの摺り合せ
加工は精密にできないためその気密性は充分でない。
一方、耐熱管を利用した熱処理工程では塩酸等クリーン
ルーム内に漏洩させたくない材料を使用する頻度が大き
いが、摺り合せ加工部の気密性が充分でないためにどう
しても漏洩する難点は否めない。
ルーム内に漏洩させたくない材料を使用する頻度が大き
いが、摺り合せ加工部の気密性が充分でないためにどう
しても漏洩する難点は否めない。
更に、耐熱管と蓋体の嵌合状態は１対１に対応して良好
な状態にしてもすべてのものに共通した状況を再現する
ことは難がしくクリーンルーム内へのガス漏洩を生じる
欠点がある。
な状態にしてもすべてのものに共通した状況を再現する
ことは難がしくクリーンルーム内へのガス漏洩を生じる
欠点がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る半導体加熱用耐熱管のシール方法では耐熱
管の端末部分に設けるテーパ部に蓋体を嵌合してシール
し、この嵌合部に形成した摺り合せ加工部には蓋体外に
導出する溝を設置し、この溝に耐熱管内で使用する有害
気体を吸引する機構を付設可能とする方法を採用した。
管の端末部分に設けるテーパ部に蓋体を嵌合してシール
し、この嵌合部に形成した摺り合せ加工部には蓋体外に
導出する溝を設置し、この溝に耐熱管内で使用する有害
気体を吸引する機構を付設可能とする方法を採用した。
（作 用）
本発明の一端を封止した半導体加熱用耐熱管のシール方
法は外挿する蓋体との嵌合部にテーパ部を形成すると共
に摺り合せ加工を施し、更にＯリングを設置する溝をこ
の嵌合部に設けその端末を蓋体外に導出する。この溝端
末に気体吸引機構を付設しこれをクリーンルームに設け
られるダクトに接続する。この結果耐熱管に導入され、
しかもクリーンルーム内に漏洩すると有害な塩化水素等
が高温下でこの溝を通じて排出され、クリーンルームの
清浄度を一定に保持しひいては半導体素子の少滴り向上
に資することになる。
法は外挿する蓋体との嵌合部にテーパ部を形成すると共
に摺り合せ加工を施し、更にＯリングを設置する溝をこ
の嵌合部に設けその端末を蓋体外に導出する。この溝端
末に気体吸引機構を付設しこれをクリーンルームに設け
られるダクトに接続する。この結果耐熱管に導入され、
しかもクリーンルーム内に漏洩すると有害な塩化水素等
が高温下でこの溝を通じて排出され、クリーンルームの
清浄度を一定に保持しひいては半導体素子の少滴り向上
に資することになる。
（実施例）
第１図に示すように耐熱管すなわち石英管１は通常１１
００ｎ乃至３００ ｍｍの内径を持ち、その一端を密封
し、外径５ｎｍ〜２０ｎｎの気体導入管が溶着されてお
り、（図示せず）他端にはテーパ部２を設けその外周に
は摺り合せ加工を施した部分３を形成する。
００ｎ乃至３００ ｍｍの内径を持ち、その一端を密封
し、外径５ｎｍ〜２０ｎｎの気体導入管が溶着されてお
り、（図示せず）他端にはテーパ部２を設けその外周に
は摺り合せ加工を施した部分３を形成する。
この石英管のテーパをつけた摺り合せ加工部３には石英
製の蓋体４を嵌め合せ、中央部にはこの石英管１内に導
入する気体の排出口５が設けられており、更に石英管１
の摺り合せ部３に対応する位置に同様な摺り合せ部を形
成する。
製の蓋体４を嵌め合せ、中央部にはこの石英管１内に導
入する気体の排出口５が設けられており、更に石英管１
の摺り合せ部３に対応する位置に同様な摺り合せ部を形
成する。
この店り合せ加工を施した部分３には溝６をその外周に
わたって形成しその一部７を蓋体４の外部に導出する。
わたって形成しその一部７を蓋体４の外部に導出する。
この外周を囲む溝６にはＯリング８を設置して石英管１
との気密性を維持し、蓋体４外に導出する溝６からは導
入気体の流出を図り、このため二＼に気体吸引機構９を
付設しクリーンルームに必ず取付けるダクトに連結する
。この溝６の設置によって石英管１と蓋体４の嵌合部に
施される摺り合せ加工の不充分な気密性を補うことが可
能となる。
との気密性を維持し、蓋体４外に導出する溝６からは導
入気体の流出を図り、このため二＼に気体吸引機構９を
付設しクリーンルームに必ず取付けるダクトに連結する
。この溝６の設置によって石英管１と蓋体４の嵌合部に
施される摺り合せ加工の不充分な気密性を補うことが可
能となる。
尚温度上昇に伴う○リングの機能劣化を防ぐために水冷
機溝を蓋体４に付設可能であることは勿論である。又第
２図に示すように石英管１端末にフランジ部１０を設け
る方式も可能である。
機溝を蓋体４に付設可能であることは勿論である。又第
２図に示すように石英管１端末にフランジ部１０を設け
る方式も可能である。
以上のように本発明方法にあっては石英管と蓋体の嵌合
部分に溝を形成することによってその気密性を向上させ
クリーンルーム内への不所望な気体漏洩を防止する。
部分に溝を形成することによってその気密性を向上させ
クリーンルーム内への不所望な気体漏洩を防止する。
第１図及び第２図は本発明方法を実施するのに適用する
装置の一部を示す断面図、第３図は従来方法に使用する
装置の断面図である。
装置の一部を示す断面図、第３図は従来方法に使用する
装置の断面図である。
Claims (1)
- 加熱源を配置する断熱性管体に挿入する一端を封止し
た半導体加熱用耐熱性筒体端末付近に耐熱性蓋体を嵌合
してシールし、この嵌合部に形成する摺り合せ加工部に
前記蓋体外に導出する溝を設置することを特徴とする半
導体加熱用耐熱管のシール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10473086A JPS62262420A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 半導体加熱用耐熱管のシ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10473086A JPS62262420A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 半導体加熱用耐熱管のシ−ル方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62262420A true JPS62262420A (ja) | 1987-11-14 |
Family
ID=14388614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10473086A Pending JPS62262420A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 半導体加熱用耐熱管のシ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62262420A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01158725A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH01161829A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH01170017A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Toshiba Corp | 半導体処理装置 |
| JPH06326047A (ja) * | 1994-05-30 | 1994-11-25 | Kokusai Electric Co Ltd | 拡散装置の反応ガス導入管と反応管との接合部構造 |
| CN105508744A (zh) * | 2016-01-07 | 2016-04-20 | 湖州奥博石英科技有限公司 | 一种斜形磨口石英管结构 |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP10473086A patent/JPS62262420A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01158725A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH01161829A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH01170017A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Toshiba Corp | 半導体処理装置 |
| JPH06326047A (ja) * | 1994-05-30 | 1994-11-25 | Kokusai Electric Co Ltd | 拡散装置の反応ガス導入管と反応管との接合部構造 |
| CN105508744A (zh) * | 2016-01-07 | 2016-04-20 | 湖州奥博石英科技有限公司 | 一种斜形磨口石英管结构 |
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