JPS62260055A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS62260055A JPS62260055A JP10205186A JP10205186A JPS62260055A JP S62260055 A JPS62260055 A JP S62260055A JP 10205186 A JP10205186 A JP 10205186A JP 10205186 A JP10205186 A JP 10205186A JP S62260055 A JPS62260055 A JP S62260055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- electron
- space
- sputtering
- side wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 37
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 25
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 12
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 abstract description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体製造プロセスに使用される薄膜形成用ス
パッタ装置に係り1%に段差被覆特性の良好なスパッタ
成膜を可能とするスパッタ装置に関する。
パッタ装置に係り1%に段差被覆特性の良好なスパッタ
成膜を可能とするスパッタ装置に関する。
半導体製造プロセスにおいて1%に配線膜形成手段とし
て、プレーナマグ茅トロン型スパッタ成膜が主流となっ
ている(特開昭57−126969号公報)。
て、プレーナマグ茅トロン型スパッタ成膜が主流となっ
ている(特開昭57−126969号公報)。
元来、スパッタ成膜では第2図に示すごとく、スパッタ
粒子が概略、余弦則(t、ffjLtL4− Ja=−
iに従ってターゲツト面から飛び出しているので、基板
へ飛翔するスパッタ粒子の入射角度はランダムである。
粒子が概略、余弦則(t、ffjLtL4− Ja=−
iに従ってターゲツト面から飛び出しているので、基板
へ飛翔するスパッタ粒子の入射角度はランダムである。
半導体素子の配線に関し2μmルールまでは、スパッタ
粒子がランダムなことが段差部での被覆特性を満足させ
ていた。
粒子がランダムなことが段差部での被覆特性を満足させ
ていた。
上記従来技術ではメガビットDFLAM級のサブミクロ
ン平方のスルーホールを十分に埋め込むことが困難であ
る。その理由はスルーホール開孔部付近に斜入射するス
パッタ粒子により、スルーホール開孔部を塞ぐように形
成されるオーバーハングA形状が、スルーホール内部へ
の成膜を妨げるためである。この結果、スルーホールを
介した多層配線の接続信頼性が十分でなかった。
ン平方のスルーホールを十分に埋め込むことが困難であ
る。その理由はスルーホール開孔部付近に斜入射するス
パッタ粒子により、スルーホール開孔部を塞ぐように形
成されるオーバーハングA形状が、スルーホール内部へ
の成膜を妨げるためである。この結果、スルーホールを
介した多層配線の接続信頼性が十分でなかった。
本発明の目的は、オーバーハングの形成を抑制すること
で、スルーホール内部への成膜を向上させることにより
、スルーホール段差部被覆特性が良好なスパッタ成膜装
置を提供することにある。
で、スルーホール内部への成膜を向上させることにより
、スルーホール段差部被覆特性が良好なスパッタ成膜装
置を提供することにある。
上記目的は、スパッタ粒子に方向性を持たせるべく、ス
パッタターゲットに溝を設けろことで解決できる。
パッタターゲットに溝を設けろことで解決できる。
より具体的には、底膜対象となるスルーホールの寸法に
応じて溝の深さ1幅、密度を適当に設定することで達成
される。この際、スパッタ粒子への方向性付与の度合に
応じて、■プラズヤ中を運動する電子にとって十分な運
動空間を上記の溝に於て確保すること、■放電の陰極暗
部を形成できる空間を用意することが必要である。
応じて溝の深さ1幅、密度を適当に設定することで達成
される。この際、スパッタ粒子への方向性付与の度合に
応じて、■プラズヤ中を運動する電子にとって十分な運
動空間を上記の溝に於て確保すること、■放電の陰極暗
部を形成できる空間を用意することが必要である。
プレーナマグネトロン型スパッタリングでは。
動作圧力にもよるが、陰極暗部は数關必賛である。
このため溝の深さは数鵡以上深くなければならな℃1゜
また溝の幅は、溝の両側壁面に陰極Iflf部を形成さ
せるため、溝の深さの2倍以上必要であるが。
せるため、溝の深さの2倍以上必要であるが。
鎌述のように、2倍より小さくても安定した放電が生起
し、スパッタ粒子の方向性付与に有益である。
し、スパッタ粒子の方向性付与に有益である。
一方、を子の運動空間については、概略1次式で与えら
れる。プラズマ中での電子の回転半径より十分大きい空
間を必要とする。
れる。プラズマ中での電子の回転半径より十分大きい空
間を必要とする。
ここでCは電子の素電荷(1,6X 10−”(:’
)、雇は電子の質量(9,I X 10−”匂)、Bは
磁束密度の大きさ、Eは電界の大きさである。例えば、
B=1o。
)、雇は電子の質量(9,I X 10−”匂)、Bは
磁束密度の大きさ、Eは電界の大きさである。例えば、
B=1o。
ガウス、E= ioo V/cmと見積ると電子の回転
半径は約cL6mmとなり、即ち少なくとも直径1.2
amの円が余裕をもって入る空間が必要となる。
半径は約cL6mmとなり、即ち少なくとも直径1.2
amの円が余裕をもって入る空間が必要となる。
オーバーハングの形成因子は、第2図に示したスパッタ
粒子の飛び出し角β(基板への入射角度αと同角度)の
大きい粒子が存在することにあり。
粒子の飛び出し角β(基板への入射角度αと同角度)の
大きい粒子が存在することにあり。
この角度−の大きいスパッタ粒子をできるだけ除去する
必要がある。
必要がある。
これを実現する手段として本発明では第4図に示すごと
く平板状のターゲットに、凸形状を設け、凸形状の側壁
面に飛び出し角度−の大きいスパッタ粒子を付着させ、
基板へは飛び出し角度βの小さいスパッタ粒子を選択的
に入射させている。
く平板状のターゲットに、凸形状を設け、凸形状の側壁
面に飛び出し角度−の大きいスパッタ粒子を付着させ、
基板へは飛び出し角度βの小さいスパッタ粒子を選択的
に入射させている。
またターゲットのスパッタ面201側に断面が凹状の溝
を磁束の作るトンネル形状に沿って閉じたループとなる
ように形成することでも達成できる。
を磁束の作るトンネル形状に沿って閉じたループとなる
ように形成することでも達成できる。
本発明の作用を従来例との比較により次に詳述する。
第3図に従来のプレーナマグネトロン方式のプラズマ中
での電子の運動を模式的に示す。図示しないプラズマは
、ターゲツト面上に形成するトンネル状磁場に沿りて発
生する。プラズマ中の電子は磁束に巻き付くようにらせ
ん運動をすると同時に、磁場Bとターゲットに印加した
高負電位による゛磁場Eとの外積ベクトル方向(トンネ
ルに沿だ方向)にドリフトする。トンネル状a場では1
通常、磁束はターゲット上面を弧状に貫くので、磁束に
沿ってらせん運動する電子は、しだいにターゲットに近
づくが、ターゲットが高負電位であることから電子は反
撥されトンネル状磁場の中央部にもどされる。電子はこ
の運動を繰り返えすので。
での電子の運動を模式的に示す。図示しないプラズマは
、ターゲツト面上に形成するトンネル状磁場に沿りて発
生する。プラズマ中の電子は磁束に巻き付くようにらせ
ん運動をすると同時に、磁場Bとターゲットに印加した
高負電位による゛磁場Eとの外積ベクトル方向(トンネ
ルに沿だ方向)にドリフトする。トンネル状a場では1
通常、磁束はターゲット上面を弧状に貫くので、磁束に
沿ってらせん運動する電子は、しだいにターゲットに近
づくが、ターゲットが高負電位であることから電子は反
撥されトンネル状磁場の中央部にもどされる。電子はこ
の運動を繰り返えすので。
全体としての電子の運動はトンネル状磁場に束縛される
ように運動しながら、トンネル状磁場の中をトンネル形
状に沿って移動する。よって、上記a場により電子を束
縛することで、実効的電子の数が増大するので、磁場を
用いない場合に比べ強力な放電を連続的に発生させるこ
とができるとされる。
ように運動しながら、トンネル状磁場の中をトンネル形
状に沿って移動する。よって、上記a場により電子を束
縛することで、実効的電子の数が増大するので、磁場を
用いない場合に比べ強力な放電を連続的に発生させるこ
とができるとされる。
次に本発明のスパッタ粒子に方向性を持たせる原理につ
いて説明する。
いて説明する。
第4図は前記凸形状IQ1により形成される1対以上の
対向する側壁面102と前記ターゲットのスパッタ面2
01とに囲まれる空間における電子の運動の様子とスパ
ッタ粒子への方向性の付与について模式的に示した図で
ある。ターゲット1のスパッタ面201上にはトンネル
状の磁場が発生しており、磁束を横ぎる方向に対向する
側壁面102を配設し、スパッタリングにおいて陰極と
なるターゲット1と凸形状IQ1を同電位にする。上記
空間は。
対向する側壁面102と前記ターゲットのスパッタ面2
01とに囲まれる空間における電子の運動の様子とスパ
ッタ粒子への方向性の付与について模式的に示した図で
ある。ターゲット1のスパッタ面201上にはトンネル
状の磁場が発生しており、磁束を横ぎる方向に対向する
側壁面102を配設し、スパッタリングにおいて陰極と
なるターゲット1と凸形状IQ1を同電位にする。上記
空間は。
磁束のトンネルに沿ってターゲット1の上で閉ループを
形成する。上記空間中の電子は、上記磁束および電界に
関係して、らせん、ドリフトおよび反撥運動を繰り返え
す。電子が上記側壁102またはターゲット1に近ずく
と、側壁面102およびターゲット1は高負電位である
から側壁面102およびターゲット1から反撥され、上
記空間の中央部に押し戻される。この結果上記空間内の
電子は。
形成する。上記空間中の電子は、上記磁束および電界に
関係して、らせん、ドリフトおよび反撥運動を繰り返え
す。電子が上記側壁102またはターゲット1に近ずく
と、側壁面102およびターゲット1は高負電位である
から側壁面102およびターゲット1から反撥され、上
記空間の中央部に押し戻される。この結果上記空間内の
電子は。
磁場B、側壁面102およびターゲート1のスパッタ面
201に束縛され、上記空間中央部をトンネル状磁場に
沿って自由に移動する実効的な電子の数が側壁面102
のない場合に比べて飛躍的に増大することになる。結果
として、上記空間内でさらに強力なプラズマを連続的に
発生させることができる。
201に束縛され、上記空間中央部をトンネル状磁場に
沿って自由に移動する実効的な電子の数が側壁面102
のない場合に比べて飛躍的に増大することになる。結果
として、上記空間内でさらに強力なプラズマを連続的に
発生させることができる。
また凸形状101の上面105とターゲット1のスパッ
タ面201とを比較すると、磁束密度が当該スパッタ面
201の方が大きいので、凸形状101の上面103付
近の空間で運動する電子により励起されるプラズマに比
べ、上記ターゲット1のスパッタ面201付近で励起さ
れるプラズマの方がはるかに強力である。
タ面201とを比較すると、磁束密度が当該スパッタ面
201の方が大きいので、凸形状101の上面103付
近の空間で運動する電子により励起されるプラズマに比
べ、上記ターゲット1のスパッタ面201付近で励起さ
れるプラズマの方がはるかに強力である。
以上の理由により上記ターゲット1のスパッタ面201
からスパッタされるスパッタ粒子の量が。
からスパッタされるスパッタ粒子の量が。
上記凸形状101の上面103や側壁面102からスパ
ッタされるスパッタ粒子の量より圧倒的に多いため、そ
のスパッタ粒子のうち飛び出し角度の大きい粒子を凸形
状101の側壁面102により制限する効果を増大させ
、スパッタ粒子に方向性を付与することを可能としてい
る。
ッタされるスパッタ粒子の量より圧倒的に多いため、そ
のスパッタ粒子のうち飛び出し角度の大きい粒子を凸形
状101の側壁面102により制限する効果を増大させ
、スパッタ粒子に方向性を付与することを可能としてい
る。
本発明の他の作用は、ターゲット1のスパッタ面201
付近での電子の実効的密度が大きいため。
付近での電子の実効的密度が大きいため。
凸形状101が無い場合に比べ、スパッタ時の放電イン
ピーダンスおよび放電電圧を低下させることができると
共に、従来のプレーナマグネトロン方式のスパッタ成膜
で用いる不活性ガス圧力より低圧力で動作させることが
可能である。
ピーダンスおよび放電電圧を低下させることができると
共に、従来のプレーナマグネトロン方式のスパッタ成膜
で用いる不活性ガス圧力より低圧力で動作させることが
可能である。
上記凸形状101により形成される少なくとも1対以上
の対向する側壁面102と前記ターゲット1のスパッタ
面201とに囲まれる空間は、平板状ターゲットのスパ
ッタ面側に前記トンネル状磁場のトンネル形状に沿って
形状した断面が凹状の閉塞状の少なくとも1本以上の溝
で構成することが可能である。
の対向する側壁面102と前記ターゲット1のスパッタ
面201とに囲まれる空間は、平板状ターゲットのスパ
ッタ面側に前記トンネル状磁場のトンネル形状に沿って
形状した断面が凹状の閉塞状の少なくとも1本以上の溝
で構成することが可能である。
次にスパッタ粒子に方向性を付与した場合のスルーホー
ル部の段差被覆特性について説明する。
ル部の段差被覆特性について説明する。
第5図は従来のスパッタ法で成膜したスルーホール部の
段差被覆形状を模式的に示した断面図である。下層配線
8の上面に眉間絶縁膜9を設け、該層間絶縁@9にスル
ーホールを開孔し、該スルーホールを介して前記下層配
線8及び層間絶縁膜9上に上層配線10を形成して、前
記上下両層配線の電気的接続をとるプセスを考える。
段差被覆形状を模式的に示した断面図である。下層配線
8の上面に眉間絶縁膜9を設け、該層間絶縁@9にスル
ーホールを開孔し、該スルーホールを介して前記下層配
線8及び層間絶縁膜9上に上層配線10を形成して、前
記上下両層配線の電気的接続をとるプセスを考える。
この場合スルーホール開孔部で上層配線10はオーバー
ハング11を形成しており、オーバー/’%ング部11
が形成されると、シャドウィング効果により。
ハング11を形成しており、オーバー/’%ング部11
が形成されると、シャドウィング効果により。
スルーホール内部へ入射できるスパッタ粒子は少なくな
り、結果としてスルーホール内の成膜量が減少する。第
2図で述べた如く成膜対象基板への入射角度αの大きい
粒子はスルーホール底部には入射できずスルーホール開
孔部付近にだけ入射する。このため、スルーホール開孔
部の成膜速度は大きくなり、スルーホール開孔部のオー
バーハングを形成するに至る。本発明では、前記凸形状
の側壁面により成膜対象基板への入射角度αの大きいス
パッタ粒子をカットしているため、当該オーバーハング
の形成量が小さくなりスルーホール内への成膜量の向上
を計れる。
り、結果としてスルーホール内の成膜量が減少する。第
2図で述べた如く成膜対象基板への入射角度αの大きい
粒子はスルーホール底部には入射できずスルーホール開
孔部付近にだけ入射する。このため、スルーホール開孔
部の成膜速度は大きくなり、スルーホール開孔部のオー
バーハングを形成するに至る。本発明では、前記凸形状
の側壁面により成膜対象基板への入射角度αの大きいス
パッタ粒子をカットしているため、当該オーバーハング
の形成量が小さくなりスルーホール内への成膜量の向上
を計れる。
以下本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の1実施例を示す。ターゲートの中央の
スパッタ面と反対側に第1の磁極体31とその周囲に環
状の第2の磁極体32とを具備したプレーナマグネトロ
ン方式のスパッタ装置において。
スパッタ面と反対側に第1の磁極体31とその周囲に環
状の第2の磁極体32とを具備したプレーナマグネトロ
ン方式のスパッタ装置において。
上記第1及び第2の磁極体の先端に発生させる環状トン
ネル状磁場に沿って凸形状101を環状に複数個配設す
ることにより、前記トンネル状磁場を貫く形で、凸形状
が形成する対向する側壁面と上記ターゲット1のスパッ
タ面201とに囲まれる空間を設けた。凸形状の高さは
10驕1幅は5Rmで凸形状同士の間隔は10闘とした
。この装置を用いてアルゴンガス圧1.5mTOγrで
スパッタを行なった結果、スパッタ電流とスパッタ電圧
の関係は第6図のとおりとなり、およそ300vでの安
定な放電が得られた。スパッタ電流10人、スパッタ電
圧320Vの条件で、ターゲットとおよそ50■の位置
に静止対向配置された直径5インチのシリコンウエノ1
に対する成膜速度は、 600vm/分である。シリコ
ンウェハ上に形成したスルーホールに対してスノ(ツタ
成膜した際の被覆特性をスルーホール断面をもって第7
図に示す。第7図に示すごとく、スルーホール内の最小
膜厚d1と平坦部の膜厚doとの比を被覆率”/eta
とすると、第8図曲線12のとおりとなる。第8図にお
ける横軸は、スルーホールの平面形状、すなわち第7図
のtlを示しており、スルーホールの深さ、すなわち、
第7図のt2の値は全て1μmである。第8図から1ミ
クロン平方、1μm深さのスルーホールに対し、 ”/
doは0.55となり、比較のため示した従来法による
”1eta値(第8図曲線15)、0.12に比べ大幅
に段差被覆率が向上した。
ネル状磁場に沿って凸形状101を環状に複数個配設す
ることにより、前記トンネル状磁場を貫く形で、凸形状
が形成する対向する側壁面と上記ターゲット1のスパッ
タ面201とに囲まれる空間を設けた。凸形状の高さは
10驕1幅は5Rmで凸形状同士の間隔は10闘とした
。この装置を用いてアルゴンガス圧1.5mTOγrで
スパッタを行なった結果、スパッタ電流とスパッタ電圧
の関係は第6図のとおりとなり、およそ300vでの安
定な放電が得られた。スパッタ電流10人、スパッタ電
圧320Vの条件で、ターゲットとおよそ50■の位置
に静止対向配置された直径5インチのシリコンウエノ1
に対する成膜速度は、 600vm/分である。シリコ
ンウェハ上に形成したスルーホールに対してスノ(ツタ
成膜した際の被覆特性をスルーホール断面をもって第7
図に示す。第7図に示すごとく、スルーホール内の最小
膜厚d1と平坦部の膜厚doとの比を被覆率”/eta
とすると、第8図曲線12のとおりとなる。第8図にお
ける横軸は、スルーホールの平面形状、すなわち第7図
のtlを示しており、スルーホールの深さ、すなわち、
第7図のt2の値は全て1μmである。第8図から1ミ
クロン平方、1μm深さのスルーホールに対し、 ”/
doは0.55となり、比較のため示した従来法による
”1eta値(第8図曲線15)、0.12に比べ大幅
に段差被覆率が向上した。
また、従来のスパッタ法では400−500 Vの放電
電圧となるのに対し1本実施例では300v前後と約1
00〜200v低い放電電圧で安定な放電が推持できる
。高集積半導体の製造プロセスでは、スパッタ成膜中に
ウェハに流入する電子やアルゴンガスイオン等による特
性変動を配置する必要があるが1本発明によるスパッタ
成膜では、スパッタ時の放電電圧が低いので、その点で
も有利である。
電圧となるのに対し1本実施例では300v前後と約1
00〜200v低い放電電圧で安定な放電が推持できる
。高集積半導体の製造プロセスでは、スパッタ成膜中に
ウェハに流入する電子やアルゴンガスイオン等による特
性変動を配置する必要があるが1本発明によるスパッタ
成膜では、スパッタ時の放電電圧が低いので、その点で
も有利である。
第9図から第14図は1本発明を具現化する際に用いる
凸形状のターゲツト面への配役方法に関する他の実施例
の平面図を示しており、いずれの場合においても、閉塞
状の凸形状に沿ってトンネル状磁場を発生させている。
凸形状のターゲツト面への配役方法に関する他の実施例
の平面図を示しており、いずれの場合においても、閉塞
状の凸形状に沿ってトンネル状磁場を発生させている。
本発明によれば、′@小ススルーホールの段差被覆特性
の良好な成膜が可能であり、加えて、低アルゴンガス圧
力下で低いスパッタ電圧で放電が推持できるので、微小
スルーホールを介した上下配線の接続信頼性を大幅に向
上でき、しかも、素子への影響が極めて少ない等の効果
がある。さらに本発明は、従来のプレナマグネトロン方
式のスパッタターゲットを加工するのみで実用可能であ
り一従来装置との互換性にも優れており経衝的効果も大
きい。
の良好な成膜が可能であり、加えて、低アルゴンガス圧
力下で低いスパッタ電圧で放電が推持できるので、微小
スルーホールを介した上下配線の接続信頼性を大幅に向
上でき、しかも、素子への影響が極めて少ない等の効果
がある。さらに本発明は、従来のプレナマグネトロン方
式のスパッタターゲットを加工するのみで実用可能であ
り一従来装置との互換性にも優れており経衝的効果も大
きい。
第1図は本発明を応用したスパッタ装置の断面図、第2
図はスパッタ粒子の飛翔の模式図、第3図はプレーナマ
グネトロン型スパッタリングの基本概念図、第4図は本
発明の原理説明図、第5図はスルーホール部の断面形状
を示す図、第6図は本発明を応用したスパッタ成膜時の
放電特性を示す図、第7図は本発明を応用して成膜した
ときのスルーホール部の断面形状を示す図、第8図は段
差被覆率を示す図、第9図から第14図は本発明の別の
実施例を示す平面図である。 1・・・ターゲット22・・・バッキングプレート。 101・・・凸形状、102・・・凸形状側面、103
・・・凸形状上面、201・・・スパッタ面、31・・
・第1の磁極体、52・・・第2の磁極体、4・・・ア
ノード、5・・・成膜対象基板(ウェハ)、8・・・下
層配線、9・・・層間絶縁膜。 拓l凶 s−一========== 第2月 名 60 ズハ゛17ぞす曳(、’I) 尋7121 88 図 !! (、yM′) 璃712I 第10已第、l閃
あ/2凹
図はスパッタ粒子の飛翔の模式図、第3図はプレーナマ
グネトロン型スパッタリングの基本概念図、第4図は本
発明の原理説明図、第5図はスルーホール部の断面形状
を示す図、第6図は本発明を応用したスパッタ成膜時の
放電特性を示す図、第7図は本発明を応用して成膜した
ときのスルーホール部の断面形状を示す図、第8図は段
差被覆率を示す図、第9図から第14図は本発明の別の
実施例を示す平面図である。 1・・・ターゲット22・・・バッキングプレート。 101・・・凸形状、102・・・凸形状側面、103
・・・凸形状上面、201・・・スパッタ面、31・・
・第1の磁極体、52・・・第2の磁極体、4・・・ア
ノード、5・・・成膜対象基板(ウェハ)、8・・・下
層配線、9・・・層間絶縁膜。 拓l凶 s−一========== 第2月 名 60 ズハ゛17ぞす曳(、’I) 尋7121 88 図 !! (、yM′) 璃712I 第10已第、l閃
あ/2凹
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、プレーナマグネトロン型スパッタ成膜装置に用いら
れるスパッタターゲットにおいて、 電子の回転半径及び放電の陰極暗部の厚さで定まる溝を
設けたことを特徴とするスパッタターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10205186A JPS62260055A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10205186A JPS62260055A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62260055A true JPS62260055A (ja) | 1987-11-12 |
Family
ID=14316965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10205186A Pending JPS62260055A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62260055A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0846786A2 (en) * | 1996-12-06 | 1998-06-10 | Applied Materials, Inc. | Modified physoical vapor deposition chamber and method of depositing materials at low pressure |
US8470145B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-06-25 | Ulvac, Inc. | Cathode unit and sputtering apparatus provided with the same |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP10205186A patent/JPS62260055A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0846786A2 (en) * | 1996-12-06 | 1998-06-10 | Applied Materials, Inc. | Modified physoical vapor deposition chamber and method of depositing materials at low pressure |
EP0846786A3 (en) * | 1996-12-06 | 2001-11-07 | Applied Materials, Inc. | Modified physoical vapor deposition chamber and method of depositing materials at low pressure |
US8470145B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-06-25 | Ulvac, Inc. | Cathode unit and sputtering apparatus provided with the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4724060A (en) | Sputtering apparatus with film forming directivity | |
JP4021601B2 (ja) | スパッタ装置および成膜方法 | |
US6255220B1 (en) | Method and apparatus for plasma control | |
JP2015529744A (ja) | 角度選択エッチングにより支援される膜蒸着 | |
JPH0585634B2 (ja) | ||
JP2934711B2 (ja) | スパッタ装置 | |
JPS63310965A (ja) | スパッタリング装置 | |
US5910220A (en) | Apparatus and method for selective area deposition of thin films on electrically biased substrates | |
JP2904263B2 (ja) | スパッタ装置 | |
JPS62260055A (ja) | スパツタリングタ−ゲツト | |
JP2001271163A (ja) | 磁気中性線放電スパッタ装置 | |
US5536381A (en) | Sputtering device | |
US8123918B2 (en) | Method and a system for operating a physical vapor deposition process | |
JP3810452B2 (ja) | マグネトロンスパッタ成膜装置 | |
US6323493B1 (en) | Increased ion beam throughput with reduced beam divergence in a dipole magnet | |
JPS63153266A (ja) | スパツタ装置 | |
JPS6233764A (ja) | スパツタリング装置 | |
JPH0867981A (ja) | スパッタ装置 | |
KR101488148B1 (ko) | 정전척 제조를 위한 마스크 및 이를 이용한 정전척의 제조방법 | |
US11952656B2 (en) | PVD system and collimator | |
JPH08293470A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JPH03240953A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
JPS6229133A (ja) | スパツタ方法およびその装置 | |
JPS61117276A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
JPH0463268A (ja) | スパッタリング装置 |