JPS62257720A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS62257720A JPS62257720A JP10045186A JP10045186A JPS62257720A JP S62257720 A JPS62257720 A JP S62257720A JP 10045186 A JP10045186 A JP 10045186A JP 10045186 A JP10045186 A JP 10045186A JP S62257720 A JPS62257720 A JP S62257720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- reaction
- gas
- supporter
- reaction gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 11
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 210000001331 nose Anatomy 0.000 abstract 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000009643 growth defect Effects 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 5iC1Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路などの製造に用いられる気相
成長装置に係り、特に内面支持方式のバレル型気相成長
装置に関するものである。
成長装置に係り、特に内面支持方式のバレル型気相成長
装置に関するものである。
気相成長装置は、反応室内に置かれた一般にサセプタと
呼ばれる支持体上に被処理体を載置して支持体と共に被
処理体を数100〜1200℃程度に加熱し、被処理体
の表面に反応ガスを接触させて気相成長層を形成するも
のであるが、反応室の内壁や支持体など反応ガスが接触
する部分の温度が数100℃以上であると、これらの接
触部分にも反応生成物が付着してしまう。以下、この付
着のうち被処理体を載置している部分の支持体表面以外
への付着をすべてウオールデポと呼ぶ。気相成長装置に
は、大別して横型、縦型ならびにバレル型があるが、従
来装置は反応ガスの流れ方から反応ガスが反応室内壁な
ど被処理体全載置している部分の支持体表面以外にも広
く接触してウオールデポを生じていた。なお、反応室内
壁へのウオールデポを防止するため、従来から反応室を
冷壁構造とし、ガスや水などにより反応室壁全冷却して
いるが、内部が高温であるため、反応室内壁に対するウ
オールデポについても完全に押えることはできなかった
。
呼ばれる支持体上に被処理体を載置して支持体と共に被
処理体を数100〜1200℃程度に加熱し、被処理体
の表面に反応ガスを接触させて気相成長層を形成するも
のであるが、反応室の内壁や支持体など反応ガスが接触
する部分の温度が数100℃以上であると、これらの接
触部分にも反応生成物が付着してしまう。以下、この付
着のうち被処理体を載置している部分の支持体表面以外
への付着をすべてウオールデポと呼ぶ。気相成長装置に
は、大別して横型、縦型ならびにバレル型があるが、従
来装置は反応ガスの流れ方から反応ガスが反応室内壁な
ど被処理体全載置している部分の支持体表面以外にも広
く接触してウオールデポを生じていた。なお、反応室内
壁へのウオールデポを防止するため、従来から反応室を
冷壁構造とし、ガスや水などにより反応室壁全冷却して
いるが、内部が高温であるため、反応室内壁に対するウ
オールデポについても完全に押えることはできなかった
。
したり、ま之支持体および被処理体の加熱に反応室外か
らの赤外線(反射を含む)を用いる場合には熱効率を著
しく低下させると共に反応室壁の昇温を誘発したり、さ
らに、ウオールデポした堆積物がはがれて被処理体に付
着し気相成長欠陥を生じさせ几りするなどの問題を生じ
る。そこで、ウオールデポの除去を比較的Hgに行なわ
なければならず、稼動率を低下させる原因となっていた
。
らの赤外線(反射を含む)を用いる場合には熱効率を著
しく低下させると共に反応室壁の昇温を誘発したり、さ
らに、ウオールデポした堆積物がはがれて被処理体に付
着し気相成長欠陥を生じさせ几りするなどの問題を生じ
る。そこで、ウオールデポの除去を比較的Hgに行なわ
なければならず、稼動率を低下させる原因となっていた
。
本発明は、前述したような問題点を解決するためになさ
れたもので、反応室と、この反応室内に基 設けられ内側面に被処理体を装着される中空X錐台状の
支持体と、この支持体の外側に位置する加熱源と、支持
体の内側空間に対して設けられた反応ガスの供給手段お
よび排気口と、支持体の外側空間に対して設けられ次パ
ージガスの供給口とからなる気相成長装置にある。
れたもので、反応室と、この反応室内に基 設けられ内側面に被処理体を装着される中空X錐台状の
支持体と、この支持体の外側に位置する加熱源と、支持
体の内側空間に対して設けられた反応ガスの供給手段お
よび排気口と、支持体の外側空間に対して設けられ次パ
ージガスの供給口とからなる気相成長装置にある。
反応ガスは中空逆錐台状の支持体の内側空間に供給され
、加熱源によって支持体を介して加熱されている被処理
体の表面に気相成長層を形成し、排気口から排出される
。反応室内の支持体の外側空間にはパージガスが供給さ
れるため、反応ガスは支持体の外側空間には流入せず、
支持体の内側空間のみを流れる。そこで、反応室内壁お
よび支持体の外側表面へのウオールデポの発生はない。
、加熱源によって支持体を介して加熱されている被処理
体の表面に気相成長層を形成し、排気口から排出される
。反応室内の支持体の外側空間にはパージガスが供給さ
れるため、反応ガスは支持体の外側空間には流入せず、
支持体の内側空間のみを流れる。そこで、反応室内壁お
よび支持体の外側表面へのウオールデポの発生はない。
また、支持体はウオールデポを生じないところの支持体
の外側に位置する加熱源から加熱され、被処理体は支持
体によって裏面から加熱されると共に対向している支持
体の内側面および被処理体からの輻射エネルギによって
表面からも加熱される0〔実施例〕 以下本発明の一実施例を示す第1図および第2図につい
て説明する。第1図において、1はペースプレートで、
その上にシールリング2を介して石英製の反応筒3が設
置されている。反応筒3の上にはシールリング4を介し
てリング5が設置され、シールリング6を介してリング
5の上端をシールプレート7によって閉じるようになっ
ている0シールプレート7は図示しない駆動装置によっ
て昇降および旋回される軸8に取付けられ、前記ペース
プレート1からシールプレート7の各部材によって形成
される反応室9を開閉するようになっている。
の外側に位置する加熱源から加熱され、被処理体は支持
体によって裏面から加熱されると共に対向している支持
体の内側面および被処理体からの輻射エネルギによって
表面からも加熱される0〔実施例〕 以下本発明の一実施例を示す第1図および第2図につい
て説明する。第1図において、1はペースプレートで、
その上にシールリング2を介して石英製の反応筒3が設
置されている。反応筒3の上にはシールリング4を介し
てリング5が設置され、シールリング6を介してリング
5の上端をシールプレート7によって閉じるようになっ
ている0シールプレート7は図示しない駆動装置によっ
て昇降および旋回される軸8に取付けられ、前記ペース
プレート1からシールプレート7の各部材によって形成
される反応室9を開閉するようになっている。
ペースプレート1には、反応筒3と同心上に石英、Si
CまたはSi3N4製の回転台10が設けられている。
CまたはSi3N4製の回転台10が設けられている。
回転台10の第1図において下端には内歯車11が取付
けられ、ガイド12によって案内されつつ図示しない駆
動源によって回転を与えられる歯車13によって回転台
10を回転させるようになっている。この回転台10の
上には、少なくとも内面が多角逆錐面または逆円錐面を
したカーボン、SiC,Si3N4または石英製の中空
逆錐台状の支持体14が載置されている。支持体14の
内側面には、ウェハなどの被処理体16を保持する座ぐ
り15が多数配列されている。前記回転台10の土壁1
03には、第2図に示すように、支持体14の座ぐり1
5の下方でかつ支持体14の下端内側面に沿うように複
数の排気口17が設けられている。また、回転台10に
は隔壁10bが設けられ、前記上壁103との間にバブ
ファ18を形成し、隔壁+obの中心に設けた開口19
に排気管20が相対的に回転自在に係合している。前記
支持体14の上には、支持体14をそのまま上方へ延長
したような形状の石英、5iC1Si3N4またはカー
ボン製の整流体21が取付けられている。
けられ、ガイド12によって案内されつつ図示しない駆
動源によって回転を与えられる歯車13によって回転台
10を回転させるようになっている。この回転台10の
上には、少なくとも内面が多角逆錐面または逆円錐面を
したカーボン、SiC,Si3N4または石英製の中空
逆錐台状の支持体14が載置されている。支持体14の
内側面には、ウェハなどの被処理体16を保持する座ぐ
り15が多数配列されている。前記回転台10の土壁1
03には、第2図に示すように、支持体14の座ぐり1
5の下方でかつ支持体14の下端内側面に沿うように複
数の排気口17が設けられている。また、回転台10に
は隔壁10bが設けられ、前記上壁103との間にバブ
ファ18を形成し、隔壁+obの中心に設けた開口19
に排気管20が相対的に回転自在に係合している。前記
支持体14の上には、支持体14をそのまま上方へ延長
したような形状の石英、5iC1Si3N4またはカー
ボン製の整流体21が取付けられている。
リング5には反応ガスを供給するノズル22が複数本取
付けられている。ノズル22の先端は下向きシて曲けら
れ、反応ガスを整流体21および支持体I4の内側面に
沿って流すようになっている。
付けられている。ノズル22の先端は下向きシて曲けら
れ、反応ガスを整流体21および支持体I4の内側面に
沿って流すようになっている。
ま念書ノズル22は、リング5の内面からの突出量が1
1.12で示すように異なった適宜な値に定められるよ
うになっており、ノズル22がら流下した反応ガスが支
持体14の内側面に当たる箇所の高さ方向の位置を変え
るようになっている。また、各ノズル22は、それぞれ
に対応して設けた図示しない絞り弁により個々に調整で
きるようになっている。さらに前記ノズル22は、リン
グ5の貫通部が回転可能になっており、先端の向きを変
えられるようになっている。
1.12で示すように異なった適宜な値に定められるよ
うになっており、ノズル22がら流下した反応ガスが支
持体14の内側面に当たる箇所の高さ方向の位置を変え
るようになっている。また、各ノズル22は、それぞれ
に対応して設けた図示しない絞り弁により個々に調整で
きるようになっている。さらに前記ノズル22は、リン
グ5の貫通部が回転可能になっており、先端の向きを変
えられるようになっている。
ベースプレート1には、ガイド12と反応筒3との間に
位置するようにパージガスの供給口23が複数個設けら
れ、回転台10、支持体14および整流体21と反応筒
3との間の空間24にパージガス全供給するようになっ
ている。
位置するようにパージガスの供給口23が複数個設けら
れ、回転台10、支持体14および整流体21と反応筒
3との間の空間24にパージガス全供給するようになっ
ている。
反応筒3の外方には、これを攻囲むよう((、ランプ2
5および反射板26からなる加熱源27が設置され、石
英側の反応筒3を通して支持体14さらKは整流体21
を加熱するようになっている。
5および反射板26からなる加熱源27が設置され、石
英側の反応筒3を通して支持体14さらKは整流体21
を加熱するようになっている。
次いで本装置の作用について説明する。軸8によってシ
ールプレート7を上昇および旋回させて、反応室9を開
き、支持体14の内側面に設けられている座ぐり15に
被処理体16をセットし、シールプレート7を閉じる。
ールプレート7を上昇および旋回させて、反応室9を開
き、支持体14の内側面に設けられている座ぐり15に
被処理体16をセットし、シールプレート7を閉じる。
次いで、ノズル22および供給口23からN2ガスを供
給すると共に排気管20により排気して空間24を含む
反応室9内を空気からN2ガス雰囲気に置換した後、ノ
ズル22および供給口23からN2ガスを供給し、歯車
13により回転台10、支持体14および整流体21を
低速で回転させつつ加熱源27により支持体14を加熱
する。支持体14の加熱により、それに装着されている
被処理体16(は裏面から加熱されると共に、支持体1
4の内側面および被処理体160表面から放出された輻
射エネルギが被処理体16の表面に当って、該被処理体
16を表面からも加熱する。この輻射エネルギによる被
処理体16の表面からの加熱は、支持体14の内側空間
内に輻射エネルギの通過を阻害する部材が何も存在しな
いため、効率的に行なわれる。そこで、ノズル22から
供給されるガスや放熱によって裏温度差によるスリツク
の発生がなくなる。
給すると共に排気管20により排気して空間24を含む
反応室9内を空気からN2ガス雰囲気に置換した後、ノ
ズル22および供給口23からN2ガスを供給し、歯車
13により回転台10、支持体14および整流体21を
低速で回転させつつ加熱源27により支持体14を加熱
する。支持体14の加熱により、それに装着されている
被処理体16(は裏面から加熱されると共に、支持体1
4の内側面および被処理体160表面から放出された輻
射エネルギが被処理体16の表面に当って、該被処理体
16を表面からも加熱する。この輻射エネルギによる被
処理体16の表面からの加熱は、支持体14の内側空間
内に輻射エネルギの通過を阻害する部材が何も存在しな
いため、効率的に行なわれる。そこで、ノズル22から
供給されるガスや放熱によって裏温度差によるスリツク
の発生がなくなる。
支持体14および被処理体I6が所定の気相成長温度に
達したところでノズル22から反応ガスを供給する。こ
のとき、供給口23からはパージガスとしてのN2ガス
を供給し続ける。ノズル22から供給された反応ガス(
・;、排気管20.バブファ1gおよび排気口17によ
って支持体14の内側空間から排気しているため、整流
体21ないし支持体14の内側表面に沿って流下し、被
処理体16の表面に気相成長層を形成し、反応生成ガス
および未反応ガスは、排気口17から排気される。
達したところでノズル22から反応ガスを供給する。こ
のとき、供給口23からはパージガスとしてのN2ガス
を供給し続ける。ノズル22から供給された反応ガス(
・;、排気管20.バブファ1gおよび排気口17によ
って支持体14の内側空間から排気しているため、整流
体21ないし支持体14の内側表面に沿って流下し、被
処理体16の表面に気相成長層を形成し、反応生成ガス
および未反応ガスは、排気口17から排気される。
整流体21は、ノズル22から出た反応ガスが被処理体
16に接触するとき、この反応ガスを支持体14の内側
表面の全周にわたってより均一に流す役目を果す。ま之
、整流体21支持体14の長手方向の温度分布を均一に
する役目をも持っている。すなわち、整流体21がない
場合、支持体14の上端は放熱によって温度が低くなる
ため、石英、Si3N4、SiCなどの熱伝達性に劣る
材料によって整流体21を形成して放熱を押えるか、ま
たは整流体21を支持体14と同じカーボン製として整
流体21を加熱源27により覆体的に加熱することによ
り支持体14の上端部の温度低下を押える。なお、整流
体21?支持体14と同じカーボン製とする場合は、両
者を一体的に形成してもよい。
16に接触するとき、この反応ガスを支持体14の内側
表面の全周にわたってより均一に流す役目を果す。ま之
、整流体21支持体14の長手方向の温度分布を均一に
する役目をも持っている。すなわち、整流体21がない
場合、支持体14の上端は放熱によって温度が低くなる
ため、石英、Si3N4、SiCなどの熱伝達性に劣る
材料によって整流体21を形成して放熱を押えるか、ま
たは整流体21を支持体14と同じカーボン製として整
流体21を加熱源27により覆体的に加熱することによ
り支持体14の上端部の温度低下を押える。なお、整流
体21?支持体14と同じカーボン製とする場合は、両
者を一体的に形成してもよい。
また、ノズル22はリング5の内面からの突出量が変え
られており、第1図において左方の突出量が大きなtl
の場合にはノズル22からの新鮮な反応ガスが支持体1
4の内側表面の下部側へ直接接触し、右方の突出量が小
さなt2の場合には上部側へ直接接触するため、支持体
14の長手方向における気相成長層の厚さ分布が均一に
なる。
られており、第1図において左方の突出量が大きなtl
の場合にはノズル22からの新鮮な反応ガスが支持体1
4の内側表面の下部側へ直接接触し、右方の突出量が小
さなt2の場合には上部側へ直接接触するため、支持体
14の長手方向における気相成長層の厚さ分布が均一に
なる。
支持体14の内側表面に沿って流下した反応生成ガスを
含む反応ガスは、支持体14の内側表面の下端に沿って
設けた多数の排気口17からバッフ118を介して排気
されるため、支持体14の内側表面に沿う前記反応ガス
の流れはその下端まで全周にわたってより均一になる。
含む反応ガスは、支持体14の内側表面の下端に沿って
設けた多数の排気口17からバッフ118を介して排気
されるため、支持体14の内側表面に沿う前記反応ガス
の流れはその下端まで全周にわたってより均一になる。
なお、支持体14の下端に整流体21と同様の整流体を
設けてもよい。
設けてもよい。
他方、支持体14の外方の空間24には、供給口23か
らパージガスを供給しているため、この空間24の内圧
を支持体14の内側空間およびバブファ1gの圧力より
若干高くしておけば、反応ガスが空間24内に流入する
ことはなく、空間24内のパージガスは整流体21の上
端外周から支持体14の内側空間に流入し、反応ガスと
共に排気口17から排気される。そこで、空間24に面
している回転台10.支持体14および整流体21の外
側表面と、反応筒3の内面とには反応生成物が付着する
いわゆるウオールデポは全く生じない。このため、従来
のように反応筒3を強く冷却する必要がない。また、ウ
オールデポを生じないため、反応筒3に対する赤外線な
どの幅対エネルギの透過率は高く保之れ、このため加熱
源27にランプ25を用いるのに適し、さらに支持体1
4から外方へ放出される嘔射エネルギを反射板26で反
射させ加熱効率を高めるのにも有効である。さらにまた
、反応筒3のように比較的低温の部分に生じたウオール
デポは、はがれ易く、これが反応室9内を浮遊して被処
理体16の表面に付着して不良品を生ずる原因となるが
、この装置によれば、このような問題をほとんど皆無に
できる。
らパージガスを供給しているため、この空間24の内圧
を支持体14の内側空間およびバブファ1gの圧力より
若干高くしておけば、反応ガスが空間24内に流入する
ことはなく、空間24内のパージガスは整流体21の上
端外周から支持体14の内側空間に流入し、反応ガスと
共に排気口17から排気される。そこで、空間24に面
している回転台10.支持体14および整流体21の外
側表面と、反応筒3の内面とには反応生成物が付着する
いわゆるウオールデポは全く生じない。このため、従来
のように反応筒3を強く冷却する必要がない。また、ウ
オールデポを生じないため、反応筒3に対する赤外線な
どの幅対エネルギの透過率は高く保之れ、このため加熱
源27にランプ25を用いるのに適し、さらに支持体1
4から外方へ放出される嘔射エネルギを反射板26で反
射させ加熱効率を高めるのにも有効である。さらにまた
、反応筒3のように比較的低温の部分に生じたウオール
デポは、はがれ易く、これが反応室9内を浮遊して被処
理体16の表面に付着して不良品を生ずる原因となるが
、この装置によれば、このような問題をほとんど皆無に
できる。
第3図は、本発明の他の実施例を示すもので、整流体2
1を含む支持体14の内側空間の上端部に位置するよう
にガス流制御体30を設は友ものである。このガス流制
御体30は、整流体21の内側表面との間に反応ガスを
流入させる之めのすき間を置いて該整流体21に略沿っ
て伸びるガス導入部30aと整流体21を含む支持体1
4の内側空間全仕切る天板部30bとからなり、ノズル
22からの反応ガスおよび空間24からのパージガスを
支持体14の内側表面に沿って円滑に導入すると共に、
支持体14の内側空間内に導入された反応ガスが該内側
空間外へ流出しないようにし、シールプレート7の内側
表面に対するウオールデポをも完全に防止するようにし
たものである。なお、このガス流制御体30は、シール
プレート7に着脱自在に取付けられている。
1を含む支持体14の内側空間の上端部に位置するよう
にガス流制御体30を設は友ものである。このガス流制
御体30は、整流体21の内側表面との間に反応ガスを
流入させる之めのすき間を置いて該整流体21に略沿っ
て伸びるガス導入部30aと整流体21を含む支持体1
4の内側空間全仕切る天板部30bとからなり、ノズル
22からの反応ガスおよび空間24からのパージガスを
支持体14の内側表面に沿って円滑に導入すると共に、
支持体14の内側空間内に導入された反応ガスが該内側
空間外へ流出しないようにし、シールプレート7の内側
表面に対するウオールデポをも完全に防止するようにし
たものである。なお、このガス流制御体30は、シール
プレート7に着脱自在に取付けられている。
第4図は、本発明のさらに他の実施例を示すもので、反
応ガスを供給するノズル31を、ベースプレート1およ
び回転台32を貫通して支持体14の内側空間内に上方
に向けて開口させ、該内側空間の上端部にガス反射板3
3を設けたものである。この装置によれば、ノズル31
から噴出された反応ガスは、ガス反射板33に当って外
方へ広がり、整流体21および支持体14の内側表面に
沿って流下する。
応ガスを供給するノズル31を、ベースプレート1およ
び回転台32を貫通して支持体14の内側空間内に上方
に向けて開口させ、該内側空間の上端部にガス反射板3
3を設けたものである。この装置によれば、ノズル31
から噴出された反応ガスは、ガス反射板33に当って外
方へ広がり、整流体21および支持体14の内側表面に
沿って流下する。
第5図および第6図は、他のガス反射板34゜35を示
すものである。
すものである。
前述した実施例は加熱源にランプ25を用いた例を示し
たが、RFコイルでもよく、この場合にはRFコイルを
空間24内に設けてもよい。また、反応ガスは、支持体
14の内側表面に沿って下方から上方へ流し、反応室9
の上部から排気するようにしてもよい等、種々変更し得
る。
たが、RFコイルでもよく、この場合にはRFコイルを
空間24内に設けてもよい。また、反応ガスは、支持体
14の内側表面に沿って下方から上方へ流し、反応室9
の上部から排気するようにしてもよい等、種々変更し得
る。
以上述べたように本発明によれば、ウオールデポの発生
を大巾に押えることができ、装置の保守が容易になると
共に気相成長欠陥を大巾に減少させることができ、しか
も被処理体を均一かつ効果的に加熱することができる。
を大巾に押えることができ、装置の保守が容易になると
共に気相成長欠陥を大巾に減少させることができ、しか
も被処理体を均一かつ効果的に加熱することができる。
第1図は本発明の一実施例を示す概要断面図、第2図は
第1図の■−■線断面図、第3図は本発明の他の実施例
を示す部分概要断面図、第4図は本発明のさらに他の実
施例を示す概要断面図、第5図および第6図はそれぞれ
異なるさらに他の実施例を示す部分概要断面図である。 1・・・ペースプレート、 3・・・反応%N、5・・
・リング、 7・・・シールプレート、9・・・反応室
、 10・・・回転台、14・・・支持体、 16
・・・被処理体、17・・・排気口、 +8・・・バ
ブファ、20・・・排ス管、 21・・・整流体、22
.31・・・ノズル(反応ガス)、23・・・供給口(
パージガス)、、24・・・空間、27・・・加熱源、
30・・・ガス流制御体、33.34.35・・・ガ
ス反射板。
第1図の■−■線断面図、第3図は本発明の他の実施例
を示す部分概要断面図、第4図は本発明のさらに他の実
施例を示す概要断面図、第5図および第6図はそれぞれ
異なるさらに他の実施例を示す部分概要断面図である。 1・・・ペースプレート、 3・・・反応%N、5・・
・リング、 7・・・シールプレート、9・・・反応室
、 10・・・回転台、14・・・支持体、 16
・・・被処理体、17・・・排気口、 +8・・・バ
ブファ、20・・・排ス管、 21・・・整流体、22
.31・・・ノズル(反応ガス)、23・・・供給口(
パージガス)、、24・・・空間、27・・・加熱源、
30・・・ガス流制御体、33.34.35・・・ガ
ス反射板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、反応室と、同反応室内に設けられ内側面に被処理体
を装着される中空逆錐台状の支持体と、同支持体の外側
に位置する該支持体の加熱源と、前記支持体の内側空間
に対して設けられた反応ガスの供給手段および排気口と
、前記支持体の外側空間に対して設けられたパージガス
の供給口とからなる気相成長装置。 2、支持体が支持体の内外の空間を仕切る回転台上に載
置され、パージガスの供給口が外側空間の下部に設けら
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
気相成長装置。 3、反応ガスの排気口が支持体内面の下端に沿って設け
られ、反応ガスの供給手段が反応ガスを支持体内面に沿
って上から下へ流すように構成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第2項記載の気相成長装置。 4、支持体の上部が熱伝導性の劣る材質で形成され、か
つ反応ガスの整流部になっていることを特徴とする特許
請求の範囲第2または3項記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10045186A JPS62257720A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10045186A JPS62257720A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 気相成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62257720A true JPS62257720A (ja) | 1987-11-10 |
Family
ID=14274276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10045186A Pending JPS62257720A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62257720A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0566966U (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-03 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP10045186A patent/JPS62257720A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0566966U (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-03 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI836110B (zh) | 溫度控制總成、及控制氣相反應器之溫度控制總成的溫度之方法 | |
JP3252960B2 (ja) | 原子層エピタキシー工程のための半導体薄膜蒸着装置 | |
JP4232330B2 (ja) | 励起ガス形成装置、処理装置及び処理方法 | |
US5888304A (en) | Heater with shadow ring and purge above wafer surface | |
EP1061155B1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
US20070028838A1 (en) | Gas manifold valve cluster | |
JP2004529272A (ja) | 可動シャッタを有するリアクタ | |
TWI598460B (zh) | Chemical vapor deposition apparatus and its cleaning method | |
TWI823465B (zh) | 蓮蓬頭及包括其的基板處理裝置 | |
TW200527511A (en) | Chemical vapor deposition apparatus and film deposition method | |
KR20090131384A (ko) | 가스분사조립체 및 이를 이용한 박막증착장치 | |
US6194030B1 (en) | Chemical vapor deposition velocity control apparatus | |
JPS62257720A (ja) | 気相成長装置 | |
JP3738494B2 (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
JPH07273101A (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
JPS59159980A (ja) | 気相成長装置 | |
KR100407508B1 (ko) | 비회전형 박막 형성 장치 | |
JPH04350169A (ja) | 成膜処理装置 | |
JPS60257129A (ja) | 膜形成装置 | |
KR920006896B1 (ko) | 내화금속박막 증착용 반도체 장치의 반응기 | |
JPS61279120A (ja) | 気相成長装置 | |
JPH04350170A (ja) | 成膜処理装置 | |
KR20240040386A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JPH11340142A (ja) | 枚葉式エピタキシャル成長装置及びその成長方法 | |
JPS5967622A (ja) | 気相成長装置 |