JPS62242310A - 電圧非直線性素子 - Google Patents
電圧非直線性素子Info
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- JPS62242310A JPS62242310A JP61085317A JP8531786A JPS62242310A JP S62242310 A JPS62242310 A JP S62242310A JP 61085317 A JP61085317 A JP 61085317A JP 8531786 A JP8531786 A JP 8531786A JP S62242310 A JPS62242310 A JP S62242310A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は印加電圧によって抵抗値が変化する電圧非直線
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らにはマトリックス駆動の液晶。
性素子に関するもので、電圧安定化、異常電圧制御、さ
らにはマトリックス駆動の液晶。
ELなとの表示デバイスのスイッチング素子などに利用
されるものである。
されるものである。
従来の技術
従来の電圧非直線性素子は、酸化亜鉛(ZnO)に酸化
ビスマス(Bi2O,) +酸化コバルト(COzOs
)。
ビスマス(Bi2O,) +酸化コバルト(COzOs
)。
酸化マンガy(MnO2) 、酸化アンチモy(Sb2
05 )などの酸化物を添加して1000〜1360℃
で溶結したZnOバリスタなど、種々のものがある。
05 )などの酸化物を添加して1000〜1360℃
で溶結したZnOバリスタなど、種々のものがある。
その中で、ZnOバリスタは電圧非直線指数α、サージ
耐量が大きいことから、最も一般的に使われている(特
公昭46−19472号公報参照)。
耐量が大きいことから、最も一般的に使われている(特
公昭46−19472号公報参照)。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の電圧非直線性素子は、ZnOバリスタ
を初めとして、素子厚みを薄く(数十μm以下)するこ
とに限界があるだめ、バリスタ電圧(バリスタに電流1
mAを流した時の電圧VIm人で表される)を低くする
ことに限界があり、低電圧用ICの保護素子や低い電圧
における電圧安定化素子として使えないものであった。
を初めとして、素子厚みを薄く(数十μm以下)するこ
とに限界があるだめ、バリスタ電圧(バリスタに電流1
mAを流した時の電圧VIm人で表される)を低くする
ことに限界があり、低電圧用ICの保護素子や低い電圧
における電圧安定化素子として使えないものであった。
まだ、上述したように溶成する際に1000℃以上の高
温プロセスを必要とするだめ、ガラス基板上あるいは回
路基板上に電圧非直線性素子を直接形成できないという
問題があった。さらに、従来のものけ並列静電容量が大
きく、例えば液晶などのスイッチング素子としては不適
当なものであるなどの問題点を有していた。
温プロセスを必要とするだめ、ガラス基板上あるいは回
路基板上に電圧非直線性素子を直接形成できないという
問題があった。さらに、従来のものけ並列静電容量が大
きく、例えば液晶などのスイッチング素子としては不適
当なものであるなどの問題点を有していた。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するだめに本発明は、絶縁基板と、上
記絶縁基板上に設けられた一方の電極と、上記一方の電
極上に設けられ、その一方の電極側となる下層側は絶縁
性の結合剤でもって固められ、かつ上層側は導電性ペー
ストよりなる他方の電極テモッテ固められたBi2O3
、Co2O3、MnO2および5b2o5の全てを少な
くとも含んでなる薄い絶縁被膜を施した微粉末状の半導
体物質とから構成されたことを特徴とするものである。
記絶縁基板上に設けられた一方の電極と、上記一方の電
極上に設けられ、その一方の電極側となる下層側は絶縁
性の結合剤でもって固められ、かつ上層側は導電性ペー
ストよりなる他方の電極テモッテ固められたBi2O3
、Co2O3、MnO2および5b2o5の全てを少な
くとも含んでなる薄い絶縁被膜を施した微粉末状の半導
体物質とから構成されたことを特徴とするものである。
作用
この構成によれば、低電流域においても電圧非直線指数
αの大きなものが得られ、かつ絶縁性の結合剤の量によ
ってバリスタ電圧を制御することもできることと々るた
め、電極間距離を狭く(数十μm以下)して素子を形成
することができ、低電圧化に適した素子がきわめて容易
に得られることとなる。また、塗布したペイントを低い
温度で硬化させて作ることができるため、回路基板上に
素子を直接形成することができ、znOバリスタなどで
は考えられない幅広い用途が期待できるものである。さ
らに、得られた素子は微粉末状の半導体物質を固めたも
のであるだめ、それぞれの半導体物質の微粉末間は点接
触となり、接触面積が基本的に小さいことから並列静電
容量の小さなものが得られ、液晶などのデバイスのスイ
ッチング素子として最適な素子が提供できることとなる
。
αの大きなものが得られ、かつ絶縁性の結合剤の量によ
ってバリスタ電圧を制御することもできることと々るた
め、電極間距離を狭く(数十μm以下)して素子を形成
することができ、低電圧化に適した素子がきわめて容易
に得られることとなる。また、塗布したペイントを低い
温度で硬化させて作ることができるため、回路基板上に
素子を直接形成することができ、znOバリスタなどで
は考えられない幅広い用途が期待できるものである。さ
らに、得られた素子は微粉末状の半導体物質を固めたも
のであるだめ、それぞれの半導体物質の微粉末間は点接
触となり、接触面積が基本的に小さいことから並列静電
容量の小さなものが得られ、液晶などのデバイスのスイ
ッチング素子として最適な素子が提供できることとなる
。
実施例
以下、本発明を実施例にもとづいて詳細に説明する。
第1図は本発明素子を得るだめの製造工程の一例を示し
ている。まず、粒子径が0.06〜1μmの微粒子状の
酸化亜鉛を700〜1300℃で焼成した後、その焼結
されたZnOを0.5〜60μmの粒子径(平均粒子径
1〜10μm)に粉砕し、そのZnO微粉末にBi2O
3、Co2O3、MnO,、、5b203の総量を0.
05〜10mo1%添加し、60o〜1350℃で10
〜60分間、熱処理し、そのZnO微粉末表面にこれら
酸化物の絶縁被膜を形成した。この時、微粉末状のZn
Oの表面には上記酸化物の絶縁被膜がほぼ数十〜数百へ
の厚さで薄く形成されていることが認められた。次いで
、このようにして作成した酸化物の絶縁被膜が表面につ
いたZnO微粉末群は弱い力で互いに接着しているので
、これを乳鉢あるいはボットミルでほぐし、微粉末状と
しだ。
ている。まず、粒子径が0.06〜1μmの微粒子状の
酸化亜鉛を700〜1300℃で焼成した後、その焼結
されたZnOを0.5〜60μmの粒子径(平均粒子径
1〜10μm)に粉砕し、そのZnO微粉末にBi2O
3、Co2O3、MnO,、、5b203の総量を0.
05〜10mo1%添加し、60o〜1350℃で10
〜60分間、熱処理し、そのZnO微粉末表面にこれら
酸化物の絶縁被膜を形成した。この時、微粉末状のZn
Oの表面には上記酸化物の絶縁被膜がほぼ数十〜数百へ
の厚さで薄く形成されていることが認められた。次いで
、このようにして作成した酸化物の絶縁被膜が表面につ
いたZnO微粉末群は弱い力で互いに接着しているので
、これを乳鉢あるいはボットミルでほぐし、微粉末状と
しだ。
次に、上記のようにして得られた酸化物絶縁被膜が表面
に形成された微粉末状のZnOに、微粉末間の結合を図
る絶縁性の結合剤として低融点ガラス粉末と有機バイン
ダーを添加し、混合した。
に形成された微粉末状のZnOに、微粉末間の結合を図
る絶縁性の結合剤として低融点ガラス粉末と有機バイン
ダーを添加し、混合した。
ここで、結合剤としては低融点ガラス粉未発が微粉末状
のZnOに対して5〜20wt% となるようにした
ものとし、それを有機バインダーと例えば等重量で混合
し、ペイント状としだ。ここで、有機バインダーとして
はエチルセルロースを使用し、その固形分が溶剤(たと
えばターピネオール)に対して10 wt%となるよう
に薄めたものとした。
のZnOに対して5〜20wt% となるようにした
ものとし、それを有機バインダーと例えば等重量で混合
し、ペイント状としだ。ここで、有機バインダーとして
はエチルセルロースを使用し、その固形分が溶剤(たと
えばターピネオール)に対して10 wt%となるよう
に薄めたものとした。
次いで、上記のようにして得られたペイントを第2図に
示すようにITO(インジウム、スズ酸化物)電極1の
設けられたガラス基板2上に例えばスクリーン印刷で塗
布し、300〜550℃で10〜30分間、大気中で熱
処理した。次に、もう一方の電極3をカーボンペースト
をスクリーン印刷することにより形成し、本発明の素子
を得た。
示すようにITO(インジウム、スズ酸化物)電極1の
設けられたガラス基板2上に例えばスクリーン印刷で塗
布し、300〜550℃で10〜30分間、大気中で熱
処理した。次に、もう一方の電極3をカーボンペースト
をスクリーン印刷することにより形成し、本発明の素子
を得た。
第2図は、電圧非直線性素子4の拡大断面図であり、6
はZnO微粉末、6はZnO微粉末5の表面に施された
酸化物絶縁被膜、7は上記ITO電極1側となる下層側
のZnO微粉末6間を機械的に結合している絶縁性結合
剤の低融点ガラスであり、この結合剤としての低融点ガ
ラス7でもって下層側の微粉末5の間は互いに固められ
ている。まだ、上層側のZnO微粉末6の間は上記カー
ボンペーストよりなる電極3で互いに固められている。
はZnO微粉末、6はZnO微粉末5の表面に施された
酸化物絶縁被膜、7は上記ITO電極1側となる下層側
のZnO微粉末6間を機械的に結合している絶縁性結合
剤の低融点ガラスであり、この結合剤としての低融点ガ
ラス7でもって下層側の微粉末5の間は互いに固められ
ている。まだ、上層側のZnO微粉末6の間は上記カー
ボンペーストよりなる電極3で互いに固められている。
次に、上記のようにして作成された電圧非直線性素子の
電圧−電流特性について説明する。まず、第3図は第2
図の構成における電圧−電流特性を従来のZnOバリス
タのそれと比較して示している。
電圧−電流特性について説明する。まず、第3図は第2
図の構成における電圧−電流特性を従来のZnOバリス
タのそれと比較して示している。
本発明の素子は、まず酸化亜鉛を7oo℃で焼成し、こ
れにBi2O3、Co2O3、MnO2、5b203を
それぞれ0.2 mol係、つ壕り総量でo、smol
係添加したものを900”l: 、60分間熱処理した
後、この平均粒子径5〜10μmのZnO微粉末と実計
製薬(株)製の低融点ガラス微粉末(ZnO微粉末に対
して20wt% )に上記有機バインダーを等重量で混
合したものにおいて、素子面積を1[IIIIP、電極
間距離を30μmとした場合における特性を示している
。
れにBi2O3、Co2O3、MnO2、5b203を
それぞれ0.2 mol係、つ壕り総量でo、smol
係添加したものを900”l: 、60分間熱処理した
後、この平均粒子径5〜10μmのZnO微粉末と実計
製薬(株)製の低融点ガラス微粉末(ZnO微粉末に対
して20wt% )に上記有機バインダーを等重量で混
合したものにおいて、素子面積を1[IIIIP、電極
間距離を30μmとした場合における特性を示している
。
さて、電圧非直線性素子の電圧−電流特性は、よく知ら
れているように近似的に次式で示されている。
れているように近似的に次式で示されている。
I=KV“
ここで、■は素子に流れる電流、■は素子の電極間の電
圧、Kは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。
圧、Kは固有抵抗の抵抗値に相当する定数、αは上述し
た電圧非直線特性の指数を示しており、この電圧非直線
指数αは大きい程、電圧非直線性が優れていることにな
る。
第3図の特性に示されるように、特性Bで示される従来
のZnOバリスタは低電流域において電圧非直線指数α
が小さく、10 A以下の電流では良好な電圧非直線性
素子としての機能を発揮し得ない。一方、特性人で示さ
れる本発明の素子では低電流域においても電圧非直線指
数αが大きく、10 A程度の電流域でも十分に電圧
非直線性素子としての機能を発揮することができること
を示している。また、通常、ZnOバリスタにおいては
バリスタ特性を表すのに、例えば素子に1 mAの電流
を流した時の電極間に現れる電圧をバリスタ電圧V1m
Aと呼び、このバリスタ電圧V1mAと上記電圧非直線
指数αとを使用している。本発明の素子では、上述した
ように、低電流域においても電圧非直線指数αが大きく
、バリスタ電圧を第3図に示すように例えばv11i人
で表すことができる。
のZnOバリスタは低電流域において電圧非直線指数α
が小さく、10 A以下の電流では良好な電圧非直線性
素子としての機能を発揮し得ない。一方、特性人で示さ
れる本発明の素子では低電流域においても電圧非直線指
数αが大きく、10 A程度の電流域でも十分に電圧
非直線性素子としての機能を発揮することができること
を示している。また、通常、ZnOバリスタにおいては
バリスタ特性を表すのに、例えば素子に1 mAの電流
を流した時の電極間に現れる電圧をバリスタ電圧V1m
Aと呼び、このバリスタ電圧V1mAと上記電圧非直線
指数αとを使用している。本発明の素子では、上述した
ように、低電流域においても電圧非直線指数αが大きく
、バリスタ電圧を第3図に示すように例えばv11i人
で表すことができる。
このように本発明において、バリスタ電圧を低いものと
することができるのは、まず電圧非直線性素子4の素子
厚を薄くさせることができることと、さらにまた第2図
に示すように結合剤とじての低融点ガラス7でもって下
層側の電圧非直線性素子4が固められると共に上層側の
電圧非直線性素子4がカーボン電極3で固められること
から、実質的にも電極間距離を狭くして素子を形成する
ことができるためである。この時、低融点ガラス7の量
が少ない場合、カーボン電極3が上層側の電圧非直線性
素子4内に浸透する度合が大きくなり、より実質的に電
極間距離を狭くして素子を形成することができるため、
バリスタ電圧を一層低くすることができるものである。
することができるのは、まず電圧非直線性素子4の素子
厚を薄くさせることができることと、さらにまた第2図
に示すように結合剤とじての低融点ガラス7でもって下
層側の電圧非直線性素子4が固められると共に上層側の
電圧非直線性素子4がカーボン電極3で固められること
から、実質的にも電極間距離を狭くして素子を形成する
ことができるためである。この時、低融点ガラス7の量
が少ない場合、カーボン電極3が上層側の電圧非直線性
素子4内に浸透する度合が大きくなり、より実質的に電
極間距離を狭くして素子を形成することができるため、
バリスタ電圧を一層低くすることができるものである。
また、本発明素子において低電流域でも電圧非直線指数
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
い々いが、微粉末状の半導体物質(ZnO)を絶縁性結
合剤の低融点ガラスでもって固めたものであるため、そ
れぞれの半導体物質の間は点接触となり、接触面積が小
さいこと、また結合剤が絶縁性のだめ、漏れ電流が小さ
くなっていることによるものと考えられる。
αが大きい理由は、現在のところ理由は明確とはなって
い々いが、微粉末状の半導体物質(ZnO)を絶縁性結
合剤の低融点ガラスでもって固めたものであるため、そ
れぞれの半導体物質の間は点接触となり、接触面積が小
さいこと、また結合剤が絶縁性のだめ、漏れ電流が小さ
くなっていることによるものと考えられる。
ここで、第3図の特性は上述したように電極間蓄離を3
0μmとした素子についてのものであるが、これはZn
O微粉末の平均粒子径が5〜10μmという比較的大き
な粒子径のためにこれ以上狭くすることができないから
である。すなわち、ZnO微粉末の平均粒子径が0.3
〜3μmのものを使えば、電極間距離が1oμm程度も
しくはそれ以下の素子を作ることができるのであり、そ
の場合においても第3図に示すような良好な特性が得ら
れることを本発明者らは実験により確認した。
0μmとした素子についてのものであるが、これはZn
O微粉末の平均粒子径が5〜10μmという比較的大き
な粒子径のためにこれ以上狭くすることができないから
である。すなわち、ZnO微粉末の平均粒子径が0.3
〜3μmのものを使えば、電極間距離が1oμm程度も
しくはそれ以下の素子を作ることができるのであり、そ
の場合においても第3図に示すような良好な特性が得ら
れることを本発明者らは実験により確認した。
第4図は本発明において、Bi2O3、Go。05.
MnO2。
MnO2。
Sb2O3の総添加量を変えた場合のバリスタ電圧71
11人、電圧非直線指数αおよび並列静電容量Cの変化
する様子を示している。ここで、酸化亜鉛の焼成温度な
ど、その他の条件は第3図の場合の条件と同一とした。
11人、電圧非直線指数αおよび並列静電容量Cの変化
する様子を示している。ここで、酸化亜鉛の焼成温度な
ど、その他の条件は第3図の場合の条件と同一とした。
第4図に示されるように、本発明素子においては並列静
電容量が従来のZnOバリスタが1000〜20000
PFであるのに対して非常に小さいものとなっている。
電容量が従来のZnOバリスタが1000〜20000
PFであるのに対して非常に小さいものとなっている。
この並列静電容量Cが本発明素子において小さい理由は
、上述したように半導体物質間の接触面積が小さいこと
によるものである。
、上述したように半導体物質間の接触面積が小さいこと
によるものである。
また、下記に示す第1表は本発明においてBi2O3、
Co2O3、MnO2、5b205 ノ総添加量と熱処
理温度を変えた場合のバリスタ電圧v1□人、電圧非直
線指数αおよび並列静電容量Cの変化する様子を示しだ
表である。
Co2O3、MnO2、5b205 ノ総添加量と熱処
理温度を変えた場合のバリスタ電圧v1□人、電圧非直
線指数αおよび並列静電容量Cの変化する様子を示しだ
表である。
(以 下 余 白)
上記第1表および第4図より明らかなように、各特性値
は上記酸化物の総添加量と熱処理温度に依存しているこ
とがわかる。ここで、これら酸化物の総添加量は0.0
6〜3 mol %で特に良好な特性を示した。また、
熱処理温度は酸化物の総添加量にもよるが600〜13
50℃の範囲で良好な特性を示した。この熱処理温度が
上記温度範囲以外、例えば600’C未満では十分な絶
縁被膜の形成が困難であることや1350℃を超えた温
度では電圧非直線指数αが必要とする値以下になるなど
の原因で良好な特性が得られ々いのである。
は上記酸化物の総添加量と熱処理温度に依存しているこ
とがわかる。ここで、これら酸化物の総添加量は0.0
6〜3 mol %で特に良好な特性を示した。また、
熱処理温度は酸化物の総添加量にもよるが600〜13
50℃の範囲で良好な特性を示した。この熱処理温度が
上記温度範囲以外、例えば600’C未満では十分な絶
縁被膜の形成が困難であることや1350℃を超えた温
度では電圧非直線指数αが必要とする値以下になるなど
の原因で良好な特性が得られ々いのである。
なお、上記の実施例においては、半導体物質としては、
ZnOを例にとり説明したが、それ以外の半導体物質で
あっても差支えないことはもちろんである。また、同様
に絶縁被膜を構成する材料としては、Bi2O3、Co
2O3、MnO2、5b203だけに限られることはな
く、Bi 、 Go 、 Mn 、 Sbの全てを主成
分として、Al 、 Ti 、 Sr 、 Mg 、
Ni、 Or 、 Si などの金属酸化物まだはこ
れら金属の有機金属酸化で奪単独まだは組合せ1使用す
る員が7き6ものである。
ZnOを例にとり説明したが、それ以外の半導体物質で
あっても差支えないことはもちろんである。また、同様
に絶縁被膜を構成する材料としては、Bi2O3、Co
2O3、MnO2、5b203だけに限られることはな
く、Bi 、 Go 、 Mn 、 Sbの全てを主成
分として、Al 、 Ti 、 Sr 、 Mg 、
Ni、 Or 、 Si などの金属酸化物まだはこ
れら金属の有機金属酸化で奪単独まだは組合せ1使用す
る員が7き6ものである。
さらに、微粉末状の半導体物質を固める結合剤としては
、ガラス粉末と有機バインダーとを組合せた影身外に絶
縁性の有機接着剤でもよく、熱硬化性樹脂、たとえばポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂、フラン樹脂、ユリア樹
脂、メラばン樹脂。
、ガラス粉末と有機バインダーとを組合せた影身外に絶
縁性の有機接着剤でもよく、熱硬化性樹脂、たとえばポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂、フラン樹脂、ユリア樹
脂、メラばン樹脂。
不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂などでも良
いものである。
ポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂などでも良
いものである。
さらにまた、上記実施例では結合剤としてガラス粉末単
独を用いた場合について示したが、ガラス粉末と上記の
絶縁性有機接着剤を併用する形で用いても良いものであ
り、たとえばガラス粉末でZnO微粉末を熱処理し結合
させた後、素子の上部から上記有機接着剤を印刷し、素
子内に充填するなどによって素子形成ができるものであ
る。
独を用いた場合について示したが、ガラス粉末と上記の
絶縁性有機接着剤を併用する形で用いても良いものであ
り、たとえばガラス粉末でZnO微粉末を熱処理し結合
させた後、素子の上部から上記有機接着剤を印刷し、素
子内に充填するなどによって素子形成ができるものであ
る。
また、上記の実施例では素子および電極の形成をスクリ
ーン印刷法により行ったが、それ以外の塗布法、例えば
スプレー、浸漬などの方法で行ってもよいものである。
ーン印刷法により行ったが、それ以外の塗布法、例えば
スプレー、浸漬などの方法で行ってもよいものである。
さらにまた、上記実施例による製造工程では、まず最初
に無機質半導体である微粒子状のZnOを熱処理、粉砕
し、微粉末とした後に、絶縁性の無機質化合物であるB
i2O3、Co2O3、MnO2、5b203を添加し
、その後熱処理を行ったが、これは無機質半導体の微粉
末に直接無機質化合物を添加するようにし、上記無機質
半導体微粒子の焼成、粉砕という処理工程を省略しても
差支えないものである。
に無機質半導体である微粒子状のZnOを熱処理、粉砕
し、微粉末とした後に、絶縁性の無機質化合物であるB
i2O3、Co2O3、MnO2、5b203を添加し
、その後熱処理を行ったが、これは無機質半導体の微粉
末に直接無機質化合物を添加するようにし、上記無機質
半導体微粒子の焼成、粉砕という処理工程を省略しても
差支えないものである。
発明の効果
以上の説明より明らかなように本発明による電圧非直線
性素子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく
、また並列静電容量の小さな素子が得られることから、
消費電流の小さい液晶、ELなどのデバイスのスイッチ
ング素子として最適な素子を提供できるものである。ま
た、電極間距離を狭くして素子を形成することができる
ため、バリスタ電圧の低いものが得られ、しかも絶縁性
有機接着剤量またはガラス粉末量によってバリスタ電圧
を制御することもでき、上記電圧非直線指数αが大きい
ことと相まって従来のZnOバリスタで17、−1 は対応することのできなかった低電圧用ICの保護素子
や低い電圧における電圧安定化素子として使用すること
ができる。さらに、塗布したペイントを低い温度で硬化
させて簡単にして作ることができるため、回路基板上や
ガラス基板上に素子を直接形成することができるもので
ある。このように種々の特徴を有する本発明の電圧非直
線性素子は、今までのZnOバリスタなどでは考えられ
ない幅広い用途が期待できるものであり、その産業性は
犬なるものである。
性素子は、低電流域における電圧非直線指数αが大きく
、また並列静電容量の小さな素子が得られることから、
消費電流の小さい液晶、ELなどのデバイスのスイッチ
ング素子として最適な素子を提供できるものである。ま
た、電極間距離を狭くして素子を形成することができる
ため、バリスタ電圧の低いものが得られ、しかも絶縁性
有機接着剤量またはガラス粉末量によってバリスタ電圧
を制御することもでき、上記電圧非直線指数αが大きい
ことと相まって従来のZnOバリスタで17、−1 は対応することのできなかった低電圧用ICの保護素子
や低い電圧における電圧安定化素子として使用すること
ができる。さらに、塗布したペイントを低い温度で硬化
させて簡単にして作ることができるため、回路基板上や
ガラス基板上に素子を直接形成することができるもので
ある。このように種々の特徴を有する本発明の電圧非直
線性素子は、今までのZnOバリスタなどでは考えられ
ない幅広い用途が期待できるものであり、その産業性は
犬なるものである。
第1図は本発明による電圧非直線性素子の製造工程の一
例を示す図、第2図は本発明による電圧非直線性素子の
一実施例を示す拡大断面図、第3図は本発明による素子
と従来のZnOバリスタの電圧−電流特性を示す図、第
4図は本発明による素子においてBi2O3、Co2O
3、MnO2、5b205ノ総添加量を変えた場合の電
圧非直線指数α、バリスタ電圧v1/i人および並列静
電容量Cの変化する様子を示す図である。 18、。 1・・・・・・ITO電極、2・・・・・・ガラス基板
、3・・・・・・カーボン電極、4・・・・・・電圧非
直線性素子、5・・・・・・ZnO微粉末、6・・・・
・・添加物による酸化物絶縁被膜、7・・・・・・低融
点ガラス(結合剤)。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第3
図 一力 電圧(V)
例を示す図、第2図は本発明による電圧非直線性素子の
一実施例を示す拡大断面図、第3図は本発明による素子
と従来のZnOバリスタの電圧−電流特性を示す図、第
4図は本発明による素子においてBi2O3、Co2O
3、MnO2、5b205ノ総添加量を変えた場合の電
圧非直線指数α、バリスタ電圧v1/i人および並列静
電容量Cの変化する様子を示す図である。 18、。 1・・・・・・ITO電極、2・・・・・・ガラス基板
、3・・・・・・カーボン電極、4・・・・・・電圧非
直線性素子、5・・・・・・ZnO微粉末、6・・・・
・・添加物による酸化物絶縁被膜、7・・・・・・低融
点ガラス(結合剤)。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第3
図 一力 電圧(V)
Claims (1)
- 絶縁基板と、上記絶縁基板上に設けられた一方の電極
と、上記一方の電極上に設けられ、その一方の電極側と
なる下層側は絶縁性の結合剤でもって固められ、かつ上
層側は導電性ペーストよりなる他方の電極でもって固め
られたBi_2O_3、Co_2O_3、MnO_2お
よびSb_2O_3の全てを少なくとも含んでなる薄い
絶縁被膜を施した微粉末状の半導体物質とから構成され
たことを特徴とする電圧非直線性素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61085317A JPS62242310A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 電圧非直線性素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61085317A JPS62242310A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 電圧非直線性素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62242310A true JPS62242310A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13855231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61085317A Pending JPS62242310A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 電圧非直線性素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62242310A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5685071A (en) * | 1995-06-05 | 1997-11-11 | Hughes Electronics | Method of constructing a sealed chip-on-board electronic module |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP61085317A patent/JPS62242310A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5685071A (en) * | 1995-06-05 | 1997-11-11 | Hughes Electronics | Method of constructing a sealed chip-on-board electronic module |
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