JPS62235794A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
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- JPS62235794A JPS62235794A JP61080478A JP8047886A JPS62235794A JP S62235794 A JPS62235794 A JP S62235794A JP 61080478 A JP61080478 A JP 61080478A JP 8047886 A JP8047886 A JP 8047886A JP S62235794 A JPS62235794 A JP S62235794A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 11
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、位相同期型半導体レーザアレイ装置の構造に
関するものである。
関するものである。
(従来の技術)
半導体レーザを高出力動作させる場合、実用性を考慮す
ると、単体の半導体レーザ素子では現在のところ、最大
出力はF+OmW程度が限界である。
ると、単体の半導体レーザ素子では現在のところ、最大
出力はF+OmW程度が限界である。
そこで、複数個の半導体レーザを同一基板上に並べるこ
とにより高出力化を計る半導体レーザアレイの研究が進
められている。
とにより高出力化を計る半導体レーザアレイの研究が進
められている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、複数本の屈折率導波型半導体レーザを平
行に光学的結合を持たせて並べ、各レーザに均一な利得
を与えても、各々のとなりあった半導体レーザによる光
は、0°位相で同期する状態よりもむしろ位相が反転し
た180°位相モードの方が光の電界分布と利得分布が
良く一致するので発振閾値利得が小さくなるため、定常
状態において、180°位相モードが発振してしまう。
行に光学的結合を持たせて並べ、各レーザに均一な利得
を与えても、各々のとなりあった半導体レーザによる光
は、0°位相で同期する状態よりもむしろ位相が反転し
た180°位相モードの方が光の電界分布と利得分布が
良く一致するので発振閾値利得が小さくなるため、定常
状態において、180°位相モードが発振してしまう。
これを避けるためには、180°位相モードの発振閾値
利得を大きくして180’位相モードの抑制を行なう必
要があり、第4図(a)、 (b)に示すように両へき
開面(30,30)間に分岐結合型の導波路(31,3
1,・・・)を有する構造の半導体レーザアレイが提案
されてる。第4図(a)の場合は、分岐部(31a)が
1本の導波路(31)に2ケ所設けられているが、第4
図(b)の場合は、分岐部(31a)が1本の導波路(
3I)に1ケ所設けられている。この導波路構造におい
ては、2本の導波路を進んできた06位相モードの光は
1本の導波路に進行する際に位相が同相であるため互い
に強め合うが、180°位相モードの光は逆相になるた
め互いに弱められ、放射モードとなって導波路外に放射
していく。゛このことを利用して1800位相モードの
損失を増大させ、その結果、1800位相モードの発振
閾値利得を増大させている。
利得を大きくして180’位相モードの抑制を行なう必
要があり、第4図(a)、 (b)に示すように両へき
開面(30,30)間に分岐結合型の導波路(31,3
1,・・・)を有する構造の半導体レーザアレイが提案
されてる。第4図(a)の場合は、分岐部(31a)が
1本の導波路(31)に2ケ所設けられているが、第4
図(b)の場合は、分岐部(31a)が1本の導波路(
3I)に1ケ所設けられている。この導波路構造におい
ては、2本の導波路を進んできた06位相モードの光は
1本の導波路に進行する際に位相が同相であるため互い
に強め合うが、180°位相モードの光は逆相になるた
め互いに弱められ、放射モードとなって導波路外に放射
していく。゛このことを利用して1800位相モードの
損失を増大させ、その結果、1800位相モードの発振
閾値利得を増大させている。
しかしながら、導波路の本数が増大していくと、0°位
相モードと180°位相モードの中間モードの発振閾値
利得が最も小さくなってしまい、00位相モードによる
発振が出来なくなる。例えば、平行に隣接された複数の
活性導波路によって構成されているレーザアレイにおけ
る(a) 00位相モード、(c)180°位相モード
、(b)中間モードの電界Eの分布及び遠視野像をそれ
ぞれ第5図(a)〜(c)に示す。第5図(a)〜(c
)において、数字(9゜9、・・・)は活性導波路であ
る。
相モードと180°位相モードの中間モードの発振閾値
利得が最も小さくなってしまい、00位相モードによる
発振が出来なくなる。例えば、平行に隣接された複数の
活性導波路によって構成されているレーザアレイにおけ
る(a) 00位相モード、(c)180°位相モード
、(b)中間モードの電界Eの分布及び遠視野像をそれ
ぞれ第5図(a)〜(c)に示す。第5図(a)〜(c
)において、数字(9゜9、・・・)は活性導波路であ
る。
これらの図かられかるように、0°位相同期モード(a
)の遠視野像は垂直方向に出射するレーザ光となり、一
方、他のアレイモード(b)、 (c)の遠視野像はあ
る角度をもった斜方向に出射するレーザ光となる。即ち
、半導体レーザアレイから放射されるレーザ光の遠視野
像は00位相同期状態では単峰性の強度分布を示し、レ
ンズで単一の微小スポットに絞ることができるが、18
00位相同期モード及び各中間モード状態では遠視野像
が複数の双峰性のピークとなりレンズで単一のスポット
に絞ることはできない。
)の遠視野像は垂直方向に出射するレーザ光となり、一
方、他のアレイモード(b)、 (c)の遠視野像はあ
る角度をもった斜方向に出射するレーザ光となる。即ち
、半導体レーザアレイから放射されるレーザ光の遠視野
像は00位相同期状態では単峰性の強度分布を示し、レ
ンズで単一の微小スポットに絞ることができるが、18
00位相同期モード及び各中間モード状態では遠視野像
が複数の双峰性のピークとなりレンズで単一のスポット
に絞ることはできない。
レーザ光を単一のスポットに絞れないと各種光学系との
結合4こ不都合が生じ、光通信、光デイスクシステム等
の光源としての実用性が阻害されることになる。
結合4こ不都合が生じ、光通信、光デイスクシステム等
の光源としての実用性が阻害されることになる。
従って、半導体レーザアレイが00位相同期して発振す
るように、即ち00位相同期モードの発振利得が180
°位相同期モード及び中間モードよりも高くなるように
技術的手段を駆使して通信用光源等としての利用価値を
確保することが、半導体レーザアレイ装置に対して強く
要望されている。
るように、即ち00位相同期モードの発振利得が180
°位相同期モード及び中間モードよりも高くなるように
技術的手段を駆使して通信用光源等としての利用価値を
確保することが、半導体レーザアレイ装置に対して強く
要望されている。
本発明の目的は、平行にならびかっ互いがなめらかに結
合された複数本の屈折率導波型半導体レーザが0°位相
同期して発振し、単峰性の放射パターンで高出力のレー
ザ光を放射する半導体レーザアレイ装置を提供すること
である。
合された複数本の屈折率導波型半導体レーザが0°位相
同期して発振し、単峰性の放射パターンで高出力のレー
ザ光を放射する半導体レーザアレイ装置を提供すること
である。
(問題点を解決するための手段)
本発明に係る半導体レーザアレイ装置は、隣接した複数
の屈折率導波型活性導波路と、この複数の活性導波路に
接して、複数の活性導波路から放射される位相同期した
レーザ光がフーリエ変換されるフーリエ変換領域とを同
一基板上に設け、このフーリエ変換領域に接して、フー
リエ変換された00位相同期モードのレーザ光を選択的
に反射し、上記の複数の活性導波路に再入射させるよう
に構成されたミラー部を設けたことを特徴とする。
の屈折率導波型活性導波路と、この複数の活性導波路に
接して、複数の活性導波路から放射される位相同期した
レーザ光がフーリエ変換されるフーリエ変換領域とを同
一基板上に設け、このフーリエ変換領域に接して、フー
リエ変換された00位相同期モードのレーザ光を選択的
に反射し、上記の複数の活性導波路に再入射させるよう
に構成されたミラー部を設けたことを特徴とする。
(作 用)
本発明の半導体レーザアレイ装置においては、隣接した
複数の屈折率導波路型の活性導波路を有し、この複数の
活性導波路から放射される位相同期したレーザ光が変換
導波路領域でフーリエ変換され、さらにフーリエ変換さ
れた0°位相モードのレーザ光が選択的にミラー部で反
射されることによって、レーザ光をθ°位相で同期発振
させる。
複数の屈折率導波路型の活性導波路を有し、この複数の
活性導波路から放射される位相同期したレーザ光が変換
導波路領域でフーリエ変換され、さらにフーリエ変換さ
れた0°位相モードのレーザ光が選択的にミラー部で反
射されることによって、レーザ光をθ°位相で同期発振
させる。
(実施例)
以下、本発明の1実施例を、第2図に示すような平坦な
活性層を有するGaAs−GaAaAs系半導体レーザ
アレイを用いて説明する。
活性層を有するGaAs−GaAaAs系半導体レーザ
アレイを用いて説明する。
n−GaAs基板(+)上に、エピタキシャル法により
、n−Al2XGa1−XAsクラッド層(2)、p−
またはn A f2yG at −yA s活性層(
3)、p−AQXG al −。
、n−Al2XGa1−XAsクラッド層(2)、p−
またはn A f2yG at −yA s活性層(
3)、p−AQXG al −。
Asクラッド層(4)、p−GaAsキャップ層(5)
を順次成長させ、ダブルへテロ構造を得る。ただし上記
のクラッド層(2)、(4)においてx>yである。次
に通常のホトリソグラフィ技術、及び化学エツチング法
あるいはドライエツチング法を用・いて、隣接する複数
の屈折率導波路(9)を形成するため、導波路間のp型
キャップ層(5)及びp型クラッド層(4)の一部を除
去する。エッチングで除去した後のp型りラッド層厚と
活性層厚で屈折率導波路の屈折率差が決定されるが、通
常位相同期アレイでは、5 X 10−’〜3 X 1
0−’となるように設定する。
を順次成長させ、ダブルへテロ構造を得る。ただし上記
のクラッド層(2)、(4)においてx>yである。次
に通常のホトリソグラフィ技術、及び化学エツチング法
あるいはドライエツチング法を用・いて、隣接する複数
の屈折率導波路(9)を形成するため、導波路間のp型
キャップ層(5)及びp型クラッド層(4)の一部を除
去する。エッチングで除去した後のp型りラッド層厚と
活性層厚で屈折率導波路の屈折率差が決定されるが、通
常位相同期アレイでは、5 X 10−’〜3 X 1
0−’となるように設定する。
次にp型キャップ層(5)及び上記のエツチング部にプ
ラズマCVD法でS i3N、膜(6)を全面に形成し
た後、ホトリソグラフィ技術で導波路部(9)の5ia
N4膜(6)を除去した後、n型抵抗性電極(7)を形
成する。また、n型基板側にn型抵抗性電極(8)を形
成する。最後に共振器長が200〜400μlとなるよ
うに前記導波路(a)と直角にへき開する。
ラズマCVD法でS i3N、膜(6)を全面に形成し
た後、ホトリソグラフィ技術で導波路部(9)の5ia
N4膜(6)を除去した後、n型抵抗性電極(7)を形
成する。また、n型基板側にn型抵抗性電極(8)を形
成する。最後に共振器長が200〜400μlとなるよ
うに前記導波路(a)と直角にへき開する。
以上のプロセスにより、複数の平行な分岐結合型の屈折
率導波路(9,9,・・・)よりなる屈折率導波路部(
16)とこれに接するフーリエ変換部(17)が形成さ
れる。フーリエ変換部(17)では、活性導波路(19
)から放射される位相同期したレーザ光がフーリエ変換
される。
率導波路(9,9,・・・)よりなる屈折率導波路部(
16)とこれに接するフーリエ変換部(17)が形成さ
れる。フーリエ変換部(17)では、活性導波路(19
)から放射される位相同期したレーザ光がフーリエ変換
される。
次に両へき開面にA12ffios膜あるいはアモルフ
ァスSi膜を電子ビーム蒸着法で被覆して、レーザ面ミ
ラーを形成する。この時単層のA Q 203膜あるい
は多層のAILO3膜とアモルファスSi膜で構成され
る反射膜における各層の厚さを適当に変えることによっ
て反射膜の反射率を約2%〜95%まで任意に設定する
ことができる。本実施例ではλ/4厚(λ:発振波長)
のAQtO3膜とλ/2厚のA(bos膜を用いていて
、それぞれの反射率を約2%と約32%としている。す
なわち、まず、第1図に示すように複数の隣接する屈折
率導波路(9)側のへき開面(11)にλ/2厚のA(
h03膜よりなるミラー(12)を電子ビーム蒸着法で
形成する。
ァスSi膜を電子ビーム蒸着法で被覆して、レーザ面ミ
ラーを形成する。この時単層のA Q 203膜あるい
は多層のAILO3膜とアモルファスSi膜で構成され
る反射膜における各層の厚さを適当に変えることによっ
て反射膜の反射率を約2%〜95%まで任意に設定する
ことができる。本実施例ではλ/4厚(λ:発振波長)
のAQtO3膜とλ/2厚のA(bos膜を用いていて
、それぞれの反射率を約2%と約32%としている。す
なわち、まず、第1図に示すように複数の隣接する屈折
率導波路(9)側のへき開面(11)にλ/2厚のA(
h03膜よりなるミラー(12)を電子ビーム蒸着法で
形成する。
次に、その対面するべき開面(13)には、まずλ/4
厚のAQ、03膜(14)を形成し、次に周知のホトリ
ソグラフィ技術によってA Q t O3膜(14)が
形成されたへき開面上の導波路部の周辺部にレジスト膜
を形成した後、再度λ/4厚のA12aOs膜(15)
を被覆する。次にレジスト膜を除去する。
厚のAQ、03膜(14)を形成し、次に周知のホトリ
ソグラフィ技術によってA Q t O3膜(14)が
形成されたへき開面上の導波路部の周辺部にレジスト膜
を形成した後、再度λ/4厚のA12aOs膜(15)
を被覆する。次にレジスト膜を除去する。
これによって、第1図に示すように、導波路の中央部の
へき開面(13a)上にはλ/2厚のA (l t O
3膜(反射率:32%)(14と15)、そして周辺部
のへき開面(13b)上にはλ/4厚のAl2zOs膜
(反射率:2%X14)よりなる共振器ミラー18が形
成されることになる。
へき開面(13a)上にはλ/2厚のA (l t O
3膜(反射率:32%)(14と15)、そして周辺部
のへき開面(13b)上にはλ/4厚のAl2zOs膜
(反射率:2%X14)よりなる共振器ミラー18が形
成されることになる。
ここではλ/4膜厚(反射率;2%)とλ/2膜厚(反
射率γ32%)のAQtO3膜を用いたが、前に記した
ようにAct’3膜とアモルファス−8t膜の多層膜を
用いても可能である。また、導波路に対面するへき開面
(13)側の高反射率部分の反射率は95%程度の高反
射率の方が効果的であることはいうまでもない。
射率γ32%)のAQtO3膜を用いたが、前に記した
ようにAct’3膜とアモルファス−8t膜の多層膜を
用いても可能である。また、導波路に対面するへき開面
(13)側の高反射率部分の反射率は95%程度の高反
射率の方が効果的であることはいうまでもない。
このようにへき開面(13)上に反射率の異なる誘電膜
を形成することにより、へき開面(13)上の反射率が
複数の活性導波路に対面する中央部で高く、その周辺部
で低くなる。従って、共振器ミラーによる損失は、θ°
位相同期モードでは第5図(a)に示したように複数の
活性導波路からまつすぐ垂直方向にレーザ光が照射され
るために共振器ミラーによる損失は少なく、一方他のア
レイモードにおいては複数の活性導波路から両側に斜め
8一 方向にレーザ光が照射されるために損失は大きくなる。
を形成することにより、へき開面(13)上の反射率が
複数の活性導波路に対面する中央部で高く、その周辺部
で低くなる。従って、共振器ミラーによる損失は、θ°
位相同期モードでは第5図(a)に示したように複数の
活性導波路からまつすぐ垂直方向にレーザ光が照射され
るために共振器ミラーによる損失は少なく、一方他のア
レイモードにおいては複数の活性導波路から両側に斜め
8一 方向にレーザ光が照射されるために損失は大きくなる。
この結果、0膜位相同期モードの全体として損失は他の
アレイモードに比べて少なく、発振閾値利得も小さくな
るため、第5図(a)で示すように、0膜位相で同期し
たレーザ光を安定して出力することができる。
アレイモードに比べて少なく、発振閾値利得も小さくな
るため、第5図(a)で示すように、0膜位相で同期し
たレーザ光を安定して出力することができる。
この時、複数の活性導波路が分岐結合部を有しない通常
の平行型の導波路では各導波路間はエバネッセント波を
利用して光学的に結合している必要がある。一方、分岐
結合部を有する複数の活性導波路の場合はエバネッセン
ト波を利用して光学的に結合している方が安定な0膜位
相同期モードが得られるが、各活性導波路が均一にでき
ていれば、エバネッセント波を利用した光学的結合は必
ずしも必要でない。
の平行型の導波路では各導波路間はエバネッセント波を
利用して光学的に結合している必要がある。一方、分岐
結合部を有する複数の活性導波路の場合はエバネッセン
ト波を利用して光学的に結合している方が安定な0膜位
相同期モードが得られるが、各活性導波路が均一にでき
ていれば、エバネッセント波を利用した光学的結合は必
ずしも必要でない。
第1図に示す位相同期レーザ素子で、屈折率導波路部(
16)の幅Wが4μ肩、中間領域幅Ws力月μm、屈折
率導波路部(16)の長さ乙が250μM1フーリエ変
換部(17)の長さQ、が5θμ11屈折率導波路(9
)側のへき開面(11)の反射率が32%、フーリエ変
換部(17)側のへき開面(I3)の中央部の反射率が
32%、周辺部の反射率が2%に設定した場合、発振閾
値電流は130〜160mA、光出力+00mWまで0
0位相同期モードで発振し、他の位相同期モードの発振
を抑制することができた。
16)の幅Wが4μ肩、中間領域幅Ws力月μm、屈折
率導波路部(16)の長さ乙が250μM1フーリエ変
換部(17)の長さQ、が5θμ11屈折率導波路(9
)側のへき開面(11)の反射率が32%、フーリエ変
換部(17)側のへき開面(I3)の中央部の反射率が
32%、周辺部の反射率が2%に設定した場合、発振閾
値電流は130〜160mA、光出力+00mWまで0
0位相同期モードで発振し、他の位相同期モードの発振
を抑制することができた。
なお、本発明の半導体レーザアレイの複数の活性導波路
部は、上述した種類の屈折率導波路構造に限らず、埋め
込み構造型、基板吸収型等の屈折率型導波路に適用でき
ることはいうまでもない。
部は、上述した種類の屈折率導波路構造に限らず、埋め
込み構造型、基板吸収型等の屈折率型導波路に適用でき
ることはいうまでもない。
さらに、GaAρAs−GaAs系に限らず、InP−
rnGaAsP系、 その他の材料を用いた半導体レー
ザアレイ素子に適用することができる。
rnGaAsP系、 その他の材料を用いた半導体レー
ザアレイ素子に適用することができる。
その他の構成方法として、第1図に示す半導体アレイ装
置において、フーリエ変換部(17)側のへき開面(1
3)の導波路(9)に対向する部分に均一な反射率を有
する共振器面を形成することによっても06位相モード
のレーザ光を選択的に複数の活性導波路に再入射できる
ことは、第5図の各モードの遠視野像に示すように00
位相モード以外はレーザ光の出射方向が斜方向となって
いることから明らかである。
置において、フーリエ変換部(17)側のへき開面(1
3)の導波路(9)に対向する部分に均一な反射率を有
する共振器面を形成することによっても06位相モード
のレーザ光を選択的に複数の活性導波路に再入射できる
ことは、第5図の各モードの遠視野像に示すように00
位相モード以外はレーザ光の出射方向が斜方向となって
いることから明らかである。
さらに、第3図に示すように、複数の隣接した平行な屈
折率型活性導波路(29)側のへき開面(21)に対面
するフーリエ変換部(27)側のへき開面(23)の中
央部(25)を凸面鏡の形状に形成し、その上にミラー
面(24)を形成して上記中央部(25)にレーザ光に
対して凹面鏡をなすミラー面を形成し、08位相モード
のレーザ光を有効に選択的に再入射することによっても
可能である。
折率型活性導波路(29)側のへき開面(21)に対面
するフーリエ変換部(27)側のへき開面(23)の中
央部(25)を凸面鏡の形状に形成し、その上にミラー
面(24)を形成して上記中央部(25)にレーザ光に
対して凹面鏡をなすミラー面を形成し、08位相モード
のレーザ光を有効に選択的に再入射することによっても
可能である。
フーリエ変換部(17,27)の導波路(17a。
27a)への電流注入は、この部分がレーザ光に対して
十分低損失であれば不用である。その場合は、複数の活
性導波路(16)、 (26)と異なった材料でフーリ
エ変換部(17,27)を構成してもなんら問題はない
。
十分低損失であれば不用である。その場合は、複数の活
性導波路(16)、 (26)と異なった材料でフーリ
エ変換部(17,27)を構成してもなんら問題はない
。
(発明の効果)
この発明は複数の活性導波路から出射するレーザ光をフ
ーリエ変換する導波路とフーリエ変換された00位相同
期モードのレーザ光を選択的に反−11= 射する反射鏡を用いて上記の複数の活性導波路に再入射
させることとし、0°位相同期モードの発振閾値利得を
他の高次のアレイモードにおける利得よりも小さくした
ので、0°位相で同期したレーザ光を安定して放射する
ことができる。これによりレンズ等により微少面積の単
一スポットに絞ることができ、解像度のすぐれた各種の
レーザ光応用機器の実現が可能となる。
ーリエ変換する導波路とフーリエ変換された00位相同
期モードのレーザ光を選択的に反−11= 射する反射鏡を用いて上記の複数の活性導波路に再入射
させることとし、0°位相同期モードの発振閾値利得を
他の高次のアレイモードにおける利得よりも小さくした
ので、0°位相で同期したレーザ光を安定して放射する
ことができる。これによりレンズ等により微少面積の単
一スポットに絞ることができ、解像度のすぐれた各種の
レーザ光応用機器の実現が可能となる。
第1図は、本発明の実施例の半導体レーザアレイ装置の
平面図である。 第2図は、本発明の実施例の半導体レーザアレイ装置の
斜視図である。 第3図は、本発明の変形実施例の平面図である。 第4図(a)、 (b)は、それぞれ従来の半導体レー
ザアレイ装置の上面図と、その端面での屈折率を示す図
である。 第5図(a) 、 (b) 、 (c)は、それぞれ、
0°位相モード、中間モード、180°位相モードでの
遠視野像と近視野像のグラフである。 −12〜 ■・・・基板、 2・・・第1クラッド層、
3・・・活性層、 4・・・第2クラッド層、
5・・・キャップ層、 6・・・絶縁膜、7・・・
第2電極、 8・・・第1電極、9・・・屈折率導
波路、 1’l、13.23・・・へき開面、 12.14,15.24・・・へき開面被覆膜、16.
26・・屈折率導波路部、 17.27・・・フーリエ変換部、 1B・・・ミラー部。 特許出願人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青白 葆ほか2名#!
啼^
−0Q 第51!1 (a)O@位湘モーV
平面図である。 第2図は、本発明の実施例の半導体レーザアレイ装置の
斜視図である。 第3図は、本発明の変形実施例の平面図である。 第4図(a)、 (b)は、それぞれ従来の半導体レー
ザアレイ装置の上面図と、その端面での屈折率を示す図
である。 第5図(a) 、 (b) 、 (c)は、それぞれ、
0°位相モード、中間モード、180°位相モードでの
遠視野像と近視野像のグラフである。 −12〜 ■・・・基板、 2・・・第1クラッド層、
3・・・活性層、 4・・・第2クラッド層、
5・・・キャップ層、 6・・・絶縁膜、7・・・
第2電極、 8・・・第1電極、9・・・屈折率導
波路、 1’l、13.23・・・へき開面、 12.14,15.24・・・へき開面被覆膜、16.
26・・屈折率導波路部、 17.27・・・フーリエ変換部、 1B・・・ミラー部。 特許出願人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青白 葆ほか2名#!
啼^
−0Q 第51!1 (a)O@位湘モーV
Claims (1)
- (1)隣接した複数の屈折率導波型活性導波路と、この
複数の活性導波路に接して、複数の活性導波路から放射
される位相同期したレーザ光がフーリエ変換されるフー
リエ変換領域とを同一基板上に設け、このフーリエ変換
領域に接して、フーリエ変換された0°位相同期モード
のレーザ光を選択的に反射し、上記の複数の活性導波路
に再入射させるように構成されたミラー部を設けたこと
を特徴とする半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61080478A JPS62235794A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
GB8708183A GB2190543B (en) | 1986-04-07 | 1987-04-06 | A semiconductor laser array device |
DE19873711615 DE3711615A1 (de) | 1986-04-07 | 1987-04-07 | Halbleiter-laseranordnung |
US07/035,477 US4811351A (en) | 1986-04-07 | 1987-04-07 | Semiconductor laser array device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61080478A JPS62235794A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62235794A true JPS62235794A (ja) | 1987-10-15 |
JPH055389B2 JPH055389B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=13719379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61080478A Granted JPS62235794A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4811351A (ja) |
JP (1) | JPS62235794A (ja) |
DE (1) | DE3711615A1 (ja) |
GB (1) | GB2190543B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6205163B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Single-transverse-mode 1×N multi-mode interferometer type semiconductor laser device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE68915763T2 (de) * | 1989-09-07 | 1994-12-08 | Ibm | Verfahren zur Spiegelpassivierung bei Halbleiterlaserdioden. |
JP3263949B2 (ja) * | 1991-02-25 | 2002-03-11 | 日本電気株式会社 | 光集積回路の製造方法 |
US5321714A (en) * | 1992-12-14 | 1994-06-14 | Xerox Corporation | Reflection suppression in semiconductor diode optical switching arrays |
GB9301052D0 (en) * | 1993-01-20 | 1993-03-10 | Marconi Gec Ltd | Optical devices |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3790902A (en) * | 1972-09-05 | 1974-02-05 | Bell Telephone Labor Inc | Fundamental transverse mode operation in solid state lasers |
US4100508A (en) * | 1977-02-22 | 1978-07-11 | Rca Corporation | Semiconductor laser having fundamental lateral mode selectivity |
US4255717A (en) * | 1978-10-30 | 1981-03-10 | Xerox Corporation | Monolithic multi-emitting laser device |
JPS61102087A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
US4742526A (en) * | 1985-01-12 | 1988-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
JPS6235689A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
US4722089A (en) * | 1985-12-16 | 1988-01-26 | Lytel, Incorporated | Phase locked diode laser array |
GB2191631B (en) * | 1986-06-09 | 1990-01-31 | Stc Plc | Laser array |
US4719634A (en) * | 1986-10-27 | 1988-01-12 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Semiconductor laser array with fault tolerant coupling |
-
1986
- 1986-04-07 JP JP61080478A patent/JPS62235794A/ja active Granted
-
1987
- 1987-04-06 GB GB8708183A patent/GB2190543B/en not_active Expired
- 1987-04-07 DE DE19873711615 patent/DE3711615A1/de not_active Withdrawn
- 1987-04-07 US US07/035,477 patent/US4811351A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6205163B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Single-transverse-mode 1×N multi-mode interferometer type semiconductor laser device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2190543A (en) | 1987-11-18 |
US4811351A (en) | 1989-03-07 |
GB2190543B (en) | 1989-12-06 |
DE3711615A1 (de) | 1987-10-15 |
GB8708183D0 (en) | 1987-05-13 |
JPH055389B2 (ja) | 1993-01-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |