JPS62232137A - Position aligning method - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野］
本発明は位置合せ方法に関し、特にプローバ等の半導体
検査装置に通用して好適な位置合せ方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of the Invention] The present invention relates to an alignment method, and particularly to an alignment method suitable for use in semiconductor inspection devices such as probers.
［従来の技術の説明］
半導体素子や液晶の製造、検査装置におけるマスク（レ
チクル）およびウェハや液晶基板等の位置合せ機能は、
その精度が歩留りに影響し、かつその速度が製造や検査
のスルーブツトに影響すること等のため、これらの製造
や検査において非常に重要な役割を担っている。[Description of conventional technology] The alignment function of masks (reticles), wafers, liquid crystal substrates, etc. in semiconductor device and liquid crystal manufacturing and inspection equipment is
Since its accuracy affects yield, and its speed affects manufacturing and inspection throughput, it plays a very important role in these manufacturing and inspection processes.
本発明はこのような位置合せの方法に関し、以下本発明
の説明は半導体検査装置であるプローバを例にとって進
めて行くものとする。The present invention relates to such an alignment method, and the present invention will be explained below by taking a prober, which is a semiconductor inspection device, as an example.
プローバとは、ウェハプロセスを介してシリコンウェハ
の上に作り込まれた半導体集積回路の電気的特性を、ウ
ェハチップ上の入出力端子（以下、パッドという）にプ
ローブ針を機械的に接触させてテスタとの信号送受を行
ない、そのテスト結果により不良と判定したチップにマ
ーキングを行なう装置である。A prober measures the electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit fabricated on a silicon wafer through a wafer process by mechanically contacting input/output terminals (hereinafter referred to as pads) on a wafer chip with a probe needle. This device sends and receives signals to and from a tester, and marks chips determined to be defective based on the test results.
ウェハ上にはチップが縦横に整然と配列され、各チップ
には同じパターンが作られている。パッドも同じ位置に
ある。ブローμによるテストを行なうには、まずプロー
ブ針の全部がパッドに接触できる位置にプローブカード
を固定する。そして、順次、テストするチップをプロー
ブ針の下に配置させてテストを行なう。このとき、どの
チップをプローブ針の下に持って診ても、全部のプロー
ブ針がパッドに接触する必要がある。このようなテスト
の動作を簡単に行なうためには、ｘｙ軸に沿って動くス
テージに対してウェハに作られたチップが平行に並ぶよ
うにウェハの方向を合わせてウェハを配置する必要があ
る。また、全部のデツプに対してプローブ針を接触する
ためには、チップがウェハ上にどのように配置されてい
るかを知る必要がある。Chips are arrayed vertically and horizontally on the wafer, and each chip has the same pattern. The pads are also in the same position. To perform the blow μ test, first fix the probe card in a position where all of the probe needles can come into contact with the pads. Then, the chips to be tested are sequentially placed under the probe needle and tested. At this time, no matter which tip is held under the probe needle, all probe needles must come into contact with the pad. In order to easily carry out such test operations, it is necessary to align the wafer so that the chips formed on the wafer are aligned parallel to the stage that moves along the x and y axes. Furthermore, in order to bring the probe needle into contact with all the depths, it is necessary to know how the chips are arranged on the wafer.
以下、上記に示すような位置合せの動作をアライメント
と呼ぶこととする。Hereinafter, the positioning operation as shown above will be referred to as alignment.
従来、この種の装置においては、まず最初のウェハを手
動でアライメントし、そのアライメントにおけるデータ
を取って、次からのウェハをそのデータに基づいて自動
でアライメントしていた。Conventionally, in this type of apparatus, the first wafer is manually aligned, the data for that alignment is obtained, and subsequent wafers are automatically aligned based on that data.
この最初のウェハに対する手動アライメントの中にθ合
せの操作がある。θ合せとは、ｘｙ軸に沿って動くステ
ージに対してクエへの各チップが平行に並ぶようにウニ
への方向を合せる操作である。This manual alignment for the first wafer includes a θ alignment operation. The θ alignment is an operation of aligning the direction toward the sea urchin so that each chip toward the que is lined up parallel to the stage that moves along the xy axis.
このθ合せは２段階の動作で行なわれる。まず、初めに
粗のθ合せを行なう。粗のθ合せとは、静電容量センサ
等を用いてオリエンテーション・フラット（オリフラ）
を有するウェハのエツジをクエへの周囲のいくつかの適
当な場所で調べ、その外形のデータより適当な式を用い
てウェハの中心とオリフラの方向を計算してアライメン
トしたり、または、直接オリフラを用いて機械的にアラ
イメントする方法である。次に、微のθ合せを次の方法
により行なう。すなわち、θＺ軸に動くチャック上にウ
ェハを乗せてＸ軸方向にステージをスキャンさせ、顕微
鏡等によって人の目で見ながらジョイスティック等を操
作することにより、チャックを回転してウェハのθ合せ
を行なう。This θ adjustment is performed in two steps. First, a rough θ adjustment is performed. Rough θ alignment means orientation flat using a capacitance sensor, etc.
The edge of a wafer with This method uses mechanical alignment. Next, fine θ adjustment is performed by the following method. That is, the wafer is placed on a chuck that moves in the θZ-axis, the stage is scanned in the X-axis direction, and the chuck is rotated to align the wafer in θ by operating a joystick or the like while viewing with the human eye using a microscope or the like. .
ところで、このような方法では顕微鏡等により目視しな
がら操作するため時間もかがりθが非常に合せにくい。By the way, in this method, since the operation is performed while visually observing with a microscope or the like, it takes time and it is very difficult to adjust the angle θ.
さらに、最初に人手で合せたクエへのアライメント精度
によって次からのウェハのアライメント精度が決められ
るため、合せ精度が一定しないという欠点があった。Furthermore, since the alignment accuracy of the next wafer is determined by the alignment accuracy of the first manually aligned wafer, there is a drawback that the alignment accuracy is not constant.
［発明の目的］
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑み、半導体
検査装置等におけるウェハ等の平板状物体の位置合せに
適用して、従来人手で行なっていた最初の位置合せを自
動化し、常に一定の合せ精度を維持して短時間で位置合
せができる位置合せ方法を提供することを目的とする。[Object of the Invention] In view of the above-mentioned problems with the conventional type, the present invention is applied to the alignment of flat objects such as wafers in semiconductor inspection equipment, etc., to automate the initial alignment that was conventionally performed manually. However, it is an object of the present invention to provide an alignment method that can perform alignment in a short time while always maintaining a constant alignment accuracy.
同時に、本発明は、ウェハの伸び等によるチップサイズ
やインデックスサイズの変化に対しても自動的に対処し
て位置合せを可能とすることを目的とする。At the same time, it is an object of the present invention to automatically deal with changes in chip size and index size due to wafer elongation, etc., and to enable alignment.
［実施例の説明］ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。[Explanation of Examples] Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.
第１図は、本発明の一実施例に係る位置合せ方法を適用
したブローμのｘ、ｙステージ周辺部分の外観を示す。FIG. 1 shows the appearance of the peripheral portions of the x and y stages of the blow μ to which the positioning method according to an embodiment of the present invention is applied.
また、第２図は本実施例のブローμのブロック回路構成
を示す。Further, FIG. 2 shows a block circuit configuration of the blow μ of this embodiment.
第１図および第２図において、１はＸステージ、２はＸ
ステージ、３はチャック、４はウェハ、５はＸステージ
１を駆動するＸ軸すニアパルスモータ、６はＸステージ
２を駆動するｙ軸りニアパルスモータ、７はウェハ４ま
での距離を測定してウェハ４のエツジを探すための静電
容量センサ、８はウェハ４上のパターンを写し画像デー
タとして取込むカメラである。また、１１は位置合せ動
作の全体を制御するＣＰＵ、１２は制御プログラム等を
格納しているＲＯＭおよびワークメモリ等に使用するＲ
ＡＭからなるメモリ、１３は静電容堂センサ７の出力を
デジタルデータに変換するアナログ・デジタル変換器（
ＡＤＣ）、１４はカメラ８により取込んだ画像データと
予め記憶していたパターンとを比較し一致度を出力する
画像認識装置、１５はパラレルＩ１０である。１６はＸ
軸すニアパルスモータ５のドライバ、１７はそのコント
ローラ、１Ｂはｙ軸すニアパルスモータ６のドライバ、
１９はそのコントローラ、２０はＣＲＴディスプレイ、
２１はＣＲＴコントローラ、２２はパネルインターフェ
ース、２３はジョイスティック等を有するパネル、２４
はｅＺ軸パルスモータコントローラ、２５はθＺ軸パル
スモータのドライバ、２６はチャック４を回転するθ軸
パルスモータ、２７はＺ軸方向にチャック４を駆動する
Ｚ軸パルスモータ、２８はパスラインである。In Figures 1 and 2, 1 is the X stage, 2 is the
3 is a chuck, 4 is a wafer, 5 is an X-axis near pulse motor that drives X stage 1, 6 is a y-axis near pulse motor that drives X stage 2, and 7 is a motor that measures the distance to wafer 4. A capacitance sensor 8 is used to search for the edge of the wafer 4, and a camera 8 captures the pattern on the wafer 4 as image data. In addition, 11 is a CPU that controls the entire alignment operation, and 12 is a ROM that stores control programs, etc., and an R used for work memory, etc.
13 is an analog-to-digital converter (13) for converting the output of the electrostatic capacitor sensor 7 into digital data;
ADC), 14 is an image recognition device that compares the image data captured by the camera 8 with a pre-stored pattern and outputs the degree of coincidence, and 15 is a parallel I10. 16 is X
A driver for the axis near pulse motor 5, 17 is its controller, 1B is a driver for the y axis near pulse motor 6,
19 is the controller, 20 is the CRT display,
21 is a CRT controller, 22 is a panel interface, 23 is a panel having a joystick, etc., 24
is an eZ-axis pulse motor controller, 25 is a θZ-axis pulse motor driver, 26 is a θ-axis pulse motor that rotates the chuck 4, 27 is a Z-axis pulse motor that drives the chuck 4 in the Z-axis direction, and 28 is a pass line. .
上記構成において、粗のθ合せについて説明する。粗の
θ合せにおいて、ＣＰυ１１は、メそソ（ＲＯＭ）１２
の制御プログラムに従い、ｘ、ｙｉＩＩＩＩＩリニアパ
ルスモータコントローラ１７．１９およびＸ、ｙ軸すニ
アパルスドライバ１８．１８を介してｘ、ｙ軸すニアパ
ルスモータ５．６を動かし、Ｘステージ１およびＸステ
ージ２を制御する。同時に、静電容量センサ７およびＡ
ＤＣ１３によって、静電容量センサ７からウェハ４まで
の距離を測定してウニへのエツジを探す。In the above configuration, rough θ matching will be explained. In the rough θ adjustment, CPυ11 is mesoso(ROM)12
According to the control program of Control 2. At the same time, capacitance sensor 7 and A
The DC 13 measures the distance from the capacitance sensor 7 to the wafer 4 to find an edge to the sea urchin.
第３図は、静電容量センサ７によりウェハ４のエツジを
検出している様子を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing how the edge of the wafer 4 is detected by the capacitance sensor 7.
なお、この例ではウェハ４のエツジをウェハ上面から１
００μ下がった所としている。すなわち、静電容量セン
サ７からウェハ４の上面までの距離を５００μとした場
合静電容量センサ７が６００μを示した所をウェハ４の
エツジとしている。In addition, in this example, the edge of wafer 4 is located one step from the top surface of the wafer.
It is assumed that the temperature has dropped by 00μ. That is, when the distance from the capacitance sensor 7 to the top surface of the wafer 4 is 500 μm, the edge of the wafer 4 is defined as the point where the capacitance sensor 7 indicates 600 μm.
このようにしてウェハのエツジを調べ、調べた場所のｘ
、Ｘステージ１．２の位置をメモリ（ＲＡＭ）１２’に
記憶する。これをウェハ４の周囲のいくつかの適当な場
所で行なう。外周の検知が終了した時点でウェハ４の中
心とオリエンテーションフラットの方向を計算してチャ
ックのθを回転してオリエンテーションフラットの方向
を合せる。In this way, the edge of the wafer is examined, and the x
, the positions of the X stage 1.2 are stored in the memory (RAM) 12'. This is done at several suitable locations around the wafer 4. When the detection of the outer periphery is completed, the center of the wafer 4 and the direction of the orientation flat are calculated, and the chuck is rotated by θ to align the direction of the orientation flat.
次に微のθ合せを行なう。Next, perform a fine θ adjustment.
微のθ合せも粗のθ合せと同様に、第１図に示すステー
ジおよびチャック上で行なう。このときカメラ８および
画像認識装置１４を使用する。この画像認識装置１４は
パターンマツチング方式によるものであり、２５０ Ｘ
２４０画素の画面中から、予め６４Ｘ６４画素のパター
ンを覚え、これを現在映している画像と比べて、最高の
一致度を有する場所のＸＹ座標および一致度を出力する
ものである。ウェハ４には同じパターンを有するチップ
がｘｙ方向に沿って整然と配列されている。そして、チ
ップ内のある位置にあるパターンは別のチップでもチッ
プ内の同じ位置にある。このためウェハ４のθが正しく
合っていてｘ、ｙのステージ１．２の移動方向にスクラ
イブラインの方向が合っていれば、ステージ１．２をイ
ンデックスの整数倍だけＸまたはｙ方向へ移動しても、
カメラ８がウェハ４上のチップが存在する範囲をはずれ
ない限り、この移動の前後においてカメラ８は同じパタ
ーンを映すことになる。The fine θ adjustment is also performed on the stage and chuck shown in FIG. 1 in the same way as the coarse θ adjustment. At this time, a camera 8 and an image recognition device 14 are used. This image recognition device 14 is based on a pattern matching method, and has 250
A 64x64 pixel pattern is memorized in advance from a 240 pixel screen, and this is compared with the currently displayed image to output the XY coordinates and degree of coincidence of the location with the highest degree of coincidence. On the wafer 4, chips having the same pattern are arranged in an orderly manner along the x and y directions. A pattern located at a certain position within a chip is also located at the same position within another chip. Therefore, if the θ of the wafer 4 is correctly aligned and the direction of the scribe line is aligned with the moving direction of the stage 1.2 in x and y, the stage 1.2 can be moved in the x or y direction by an integral multiple of the index. Even though
As long as the camera 8 does not leave the range where the chips on the wafer 4 exist, the camera 8 will image the same pattern before and after this movement.
ここで、インデックスとは、デツプサイズとスクライブ
ラインの幅を足したものである。Here, the index is the sum of the depth size and the width of the scribe line.
次に、第４図の位置合せ原理の説明図および第５図のフ
ローチャートを参照して、第１図および第２図のプロー
バにおける微のθ合せの動作を説明する。Next, the operation of fine θ alignment in the probers of FIGS. 1 and 2 will be described with reference to the explanatory diagram of the alignment principle in FIG. 4 and the flowchart of FIG. 5.
まず最初に、ステップ１０１でｘ５ｙステージ１．２を
移動してウェハ４の右側のパターンを画像認識装置１４
に記憶する。記憶したパターンの位置３１の座標を（ｘ
＋ 、Ｙ、）とする。次に、ステップ１０２でＸ軸方向
３９に沿ってインデックスの数倍（Ｍ倍）の位置であっ
て先程の位置３１からあまり離れていない位置３４にＸ
ステージ１を移動する。そして、ステップ１０３でその
ときカメラ８で映している画像と先に記憶した画像とを
画像認識装置１４で比べて、ｘ、ｙ方向のずれ量（ΔＸ
ｌ＋Δｙ＋）を出す。３５はこのずれベクトルを示す。First, in step 101, the x5y stage 1.2 is moved and the pattern on the right side of the wafer 4 is detected by the image recognition device 14.
to be memorized. The coordinates of position 31 of the memorized pattern are (x
+,Y,). Next, in step 102, the X
Move stage 1. Then, in step 103, the image recognized by the camera 8 and the previously stored image are compared by the image recognition device 14, and the amount of deviation in the x and y directions (ΔX
l+Δy+). 35 indicates this deviation vector.
ここで、もしウェハ４のθ位置が正しく合っているとす
れば、カメラ８は第４図の位置３２で先に記憶した位置
３１における画像と同じ画像を映ずこととなる。Here, if the θ position of the wafer 4 is correct, the camera 8 will not capture the same image at position 32 in FIG. 4 as the previously stored image at position 31.
Ｘステージ１の移動方向３９とウェハ４のＸ軸方向のス
クライブラインとのずれ量０１は、上記のずれ量（八Ｘ
ｌ＋ Δｙ＋）から算出することができ、Ｘ軸方向のイ
ンデックス玉をｉ、で表わすとすれば、
θ、 ｘ ｔａｎ−’ （Δｙ＋ ／ （Ｍ−ＩＸ＋
ΔＸ、））となる、３６はこの算出結果によるウェハ４
のスクライブライン方向を示す。The amount of deviation 01 between the moving direction 39 of the X stage 1 and the scribe line of the wafer 4 in the
l+ Δy+), and if the index ball in the X-axis direction is represented by i, then θ, x tan-' (Δy+ / (M-IX+
ΔX, )), 36 is the wafer 4 based on this calculation result.
Indicates the direction of the scribe line.
次に、ステップ１０４で位置３４よりさらに多くＸステ
ージ１を移動したとき、カメラ８がくるステージの左側
の位置３７の座標（Ｘ２ 、 Ｙ２ ）をこのθ１の値
を用いて計算する。このとき、座標が（ｘ＋ 、Ｙ、）
である位置３１と移動後の座標が（Ｘ２ 、 Ｙ２ ）
となる位置３７との距離がＸ＠力方向インデックス量ｉ
ＸのＮ倍となるように移動するものとすれば、（Ｘ２
、 Ｙ２ ）はＸ、 ＝Ｎ −ｉ、−ｃｏｓθ１＋Ｘ１
Ｙ２＝Ｎ −ｉ、−５ｉｎθ１＋Ｙ１
となる。Next, in step 104, when the X stage 1 is moved further than the position 34, the coordinates (X2, Y2) of the position 37 on the left side of the stage where the camera 8 comes are calculated using this value of θ1. At this time, the coordinates are (x+, Y,)
The position 31 and the coordinates after movement are (X2, Y2)
The distance to position 37 is X@force direction index amount i
If it moves so that it is N times X, then (X2
, Y2) is X, =N −i, −cosθ1+X1
Y2=N-i, -5inθ1+Y1.
ステップ１０５で実際にこの位置３７にｘ、Ｘステージ
１．２を移動し、ステップ１０６でそのときカメラ８に
映っている画像と先に記憶しである画像とを画像認識装
置１４で比べる。３８はこの比較により得たずれｆＬ（
ΔＸ２ｔ Δｙ２）を示すベクトルである。ここで、も
しウェハ４のずれ量として先に算出したθ１が正しい値
であるならば、カメラ８は位置３３において先に記憶し
た位置３１における画像と同じ画像を映すこととなる。In step 105, the x, x stage 1.2 is actually moved to this position 37, and in step 106, the image being captured by the camera 8 at that time and the previously stored image are compared by the image recognition device 14. 38 is the deviation fL(
ΔX2t Δy2). Here, if θ1 previously calculated as the amount of deviation of the wafer 4 is a correct value, the camera 8 will display the same image at the position 33 as the previously stored image at the position 31.
次に、ステップ１０７で上記のずれ量（Δｘ２゜Δｙｚ
）よりＸステージの移動方向３９とウェハ４のスクライ
ブラインとの実際のずれ量をθ２＝ｘｔａｎ−’ （（
Ｙ、−Ｙ、＋Δｙ２）／（ｘ２−ｘ＋＋Δｘ２））と計
算する。そして、ステップ１０８でこのずれ量θ、たけ
チャック３を回転する。これにより、Ｘステージ１の移
動方向３９とウェハ４のスクライブラインの方向が一致
する。Next, in step 107, the above deviation amount (Δx2°Δyz
), the actual amount of deviation between the moving direction 39 of the X stage and the scribe line of the wafer 4 is calculated as θ2=xtan-' ((
Y, -Y, +Δy2)/(x2-x++Δx2)). Then, in step 108, the bamboo chuck 3 is rotated by this amount of deviation θ. As a result, the moving direction 39 of the X stage 1 and the direction of the scribe line of the wafer 4 match.
本実施例においては、画像認識装置によりチップ上のパ
ターンを実際に比較して、ｘ、ｙ方向のずれ量を求めて
いるので、温度によるウェハの伸び等が発生しチップサ
イズやインデックスサイズが変化した場合であっても自
動的にその補正をして位置合せを行なうことが可能とな
る。In this example, since the image recognition device actually compares the patterns on the chip and determines the amount of deviation in the x and y directions, the wafer elongates due to temperature and the chip size and index size change. Even in such a case, it is possible to automatically correct it and perform alignment.
なお、上記の実施例において粗のθ合せは静電容量セン
ナを使用しているが、本発明はこれに限ることなく種々
の態様で実施が可能である。例えば、粗のθ合せにおい
て、静電容量センサの代わりに光センサを用いたり、セ
ンサを使わず機械的にウェハのエツジ（オリフラ）に回
転する物を接触してクエへの方向を合せることもできる
。また、粗のθ合せを画像認識装置を使用して行なうこ
ともできる。これはカメラの倍率を粗のθ合せのときに
は小さくして広い範囲を比べ、その結果画像認識装置の
出力するｘ、ｙ、θのずれ量によってθを合せる方法で
ある。Incidentally, in the above embodiment, a capacitance sensor is used for rough θ adjustment, but the present invention is not limited to this and can be implemented in various embodiments. For example, for rough θ alignment, an optical sensor may be used instead of a capacitance sensor, or a rotating object may be brought into contact with the edge of the wafer (orientation flat) mechanically to align the direction to the wafer without using a sensor. can. Further, rough θ matching can also be performed using an image recognition device. This is a method in which the magnification of the camera is made small for rough θ adjustment, a wide range is compared, and θ is adjusted based on the amount of deviation in x, y, and θ output by the image recognition device.
さらに、微のθ合せについて、θ回転の信頼性の向上の
ためθ回転後の位置確認と再θ回転を必要とする場合が
あるが、このような場合でも本発明は適用が可能である
。Further, for fine θ alignment, it may be necessary to confirm the position after the θ rotation and re-rotate the θ in order to improve the reliability of the θ rotation, but the present invention can be applied even in such cases.
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、半導体クエへ等
その表面上に適当なパターンを有する平板状物体のθ合
せを画像認識装置等により行なっているので、従来人手
で行なっていたθ合せ操作を自動化し、常に一定の合せ
精度で短時間に位置合せを行なうことが可能である。ま
た位置合せの際には実際に物体上のパターンを画像デー
タとして取込み処理しているので、物体の温度変化等に
よるサイズの変化にも自動的に対処して位置合せをする
ことができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the θ alignment of a flat object, such as a semiconductor cube, having an appropriate pattern on its surface is performed using an image recognition device or the like, which is conventionally done manually. It is possible to automate the previously performed θ alignment operation and perform alignment in a short time with constant alignment accuracy. Furthermore, since the pattern on the object is actually captured and processed as image data during alignment, it is possible to automatically deal with changes in the size of the object due to changes in temperature, etc., and perform alignment.
第１図は、本発明の一実施例に係る位置合せ方法を適用
したブローμのｘ、ｙステージ周辺部分の外観図、
第２図は、上記ブローμのブロック回路構成図、
第３図は、ウェハのエツジを検出している様子を示す断
面図、
第４図は、微のθ合せの原理を説明するための図、
第５図は、微のθ合せの動作説明のためのフローヂャー
トである。
１：ｘ軸方向に移動するＸステージ、
２：ｙ軸方向に移動するステージ、
３：θＺ！Ｔ［ｋ方向に動くチャック、４：測定するウ
ェハ、
５：Ｘステージを動かすＸ軸すニアパルスモータ、
６：Ｘステージを動かすｙ軸すニアパルスモータ、
７：クエへとの距離をアナログデータで出力する静電容
量センサ、
８：画像認識装置に画像を出力するカメラ、１１：演算
や制御を行なうＣＰＵ、
１２：ＣＰＵを動かすプログラムやデータを記憶するメ
モリ、
１３：静電容量センサからのアナログデータをデジタル
データに変換するＡＤＣｌ
１４：記憶した画像と現在の画像を比べてずれ量を得る
機能を有する画像認識装置、
１５・ＣＰＵにより画像認識装置を制御するためのイン
ターフェース、
１６、１７．１８．１９ ： ＣＰ Ｕによりリニアパ
ルスモータを駆動するためのコントローラとドライバ、
２０、２１： ＣＰ Ｕの制御により文字等を表示する
ディスプレイとそのコントローラ、
２２．２３７スイツチ、ＬＥＤ、ジョイスティックを有
するパネルとそのインターフェース、２４．２５：ＣＰ
Ｕによりθ軸、Ｚ軸パルスモータを駆動するためのコン
トローラとドライバ、
２６：チャックをθ回転するθ軸パルスモータ、２７：
チャックを上下するＺ軸パルスモータ、２８：ＣＰＵと
メモリ、インターフェース等をつなぐバス。FIG. 1 is an external view of the surrounding area of the x and y stages of the blow μ to which an alignment method according to an embodiment of the present invention is applied. FIG. 2 is a block circuit diagram of the blow μ. FIG. , a cross-sectional view showing how the edge of the wafer is detected, FIG. 4 is a diagram for explaining the principle of fine θ adjustment, and FIG. 5 is a flowchart for explaining the operation of fine θ adjustment. be. 1: X stage that moves in the x-axis direction, 2: Stage that moves in the y-axis direction, 3: θZ! T [Chuck that moves in the k direction, 4: Wafer to be measured, 5: X-axis near pulse motor that moves the X stage, 6: Y-axis near pulse motor that moves the 8: Camera that outputs images to the image recognition device; 11: CPU that performs calculations and control; 12: Memory that stores programs and data that operate the CPU; 13: Capacitance sensor that outputs images. ADCl for converting analog data into digital data 14: Image recognition device having a function of comparing the stored image and the current image to obtain the amount of deviation, 15. Interface for controlling the image recognition device by CPU, 16, 17. 18.19: A controller and a driver for driving a linear pulse motor by a CPU, 20, 21: A display that displays characters etc. under the control of a CPU and its controller, 22.237 A panel having a switch, an LED, and a joystick. Its interface, 24.25:CP
Controller and driver for driving the θ-axis and Z-axis pulse motors by U, 26: θ-axis pulse motor that rotates the chuck by θ, 27:
Z-axis pulse motor that moves the chuck up and down, 28: Bus that connects the CPU, memory, interface, etc.
Claims (1)
に描かれたパターンの一部の画像パターンを記憶し該画
像パターンを該平板状物体の他の部分の画像パターンと
比較することにより該平板状物体のθを自動的に合せる
ことを特徴とする位置合せ方法。 ２、前記位置合せ方法がプローバのθ合せ方法であり、
かつ、前記平板状物体が該プローバにおいてθ合せをし
検査する最初の１枚目のウェハである特許請求の範囲第
１項記載の位置合せ方法。 ３、前記画像パターンの比較は、その比較の結果最高の
一致度を有する前記平板状物体内の位置を検出し、その
位置におけるＸＹ座標および一致度を出力する画像認識
装置により行なう特許請求の範囲第１項または第２項記
載の位置合せ方法。[Claims] 1. Storing an image pattern of a part of a pattern drawn on a flat object in which the same pattern is arranged in an orderly manner vertically and horizontally, and combining the image pattern with the image pattern of other parts of the flat object. A positioning method characterized in that the θ of the flat object is automatically adjusted by comparison. 2. The alignment method is a prober θ alignment method,
2. The alignment method according to claim 1, wherein the flat object is the first wafer to be θ-aligned and inspected by the prober. 3. Comparison of the image patterns is performed by an image recognition device that detects a position within the flat object that has the highest degree of coincidence as a result of the comparison, and outputs the XY coordinates and degree of coincidence at that position. The alignment method according to item 1 or 2.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61072418A JPH0652755B2 (en) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | Alignment method |
| US07/031,134 US4870288A (en) | 1986-04-01 | 1987-03-30 | Alignment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61072418A JPH0652755B2 (en) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | Alignment method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232137A true JPS62232137A (en) | 1987-10-12 |
| JPH0652755B2 JPH0652755B2 (en) | 1994-07-06 |
Family
ID=13488713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61072418A Expired - Fee Related JPH0652755B2 (en) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | Alignment method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652755B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3028307U (en) * | 1996-02-23 | 1996-09-03 | 伸昭 篠田 | Zipper gloves |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5886739A (en) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatically positioning method for wafer |
| JPS5923467A (en) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | Manufacture of sealed type nickel cadmium storage battery anode plate |
| JPS60254743A (en) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | Position detecting method of semiconductor chip |
-
1986
- 1986-04-01 JP JP61072418A patent/JPH0652755B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5886739A (en) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatically positioning method for wafer |
| JPS5923467A (en) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | Manufacture of sealed type nickel cadmium storage battery anode plate |
| JPS60254743A (en) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | Position detecting method of semiconductor chip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0652755B2 (en) | 1994-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |