JPS62229974A - シヨツトキ−ダイオ−ド及びその製造方法 - Google Patents
シヨツトキ−ダイオ−ド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62229974A JPS62229974A JP7282486A JP7282486A JPS62229974A JP S62229974 A JPS62229974 A JP S62229974A JP 7282486 A JP7282486 A JP 7282486A JP 7282486 A JP7282486 A JP 7282486A JP S62229974 A JPS62229974 A JP S62229974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- schottky diode
- film
- substrate
- positive electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 22
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、ショットキーダイオード及びその製造方法に
関する。
関する。
(従来の技術)
周知の如く、第9図に示す記号を有するショットキーダ
イオードの等価回路は、第10図に示す通りである。こ
こで、1はショットキーメタル(陽電極)、2は陰電極
、3は基板電位を夫々示し、Cはショットキー容量、r
pは寄生抵抗、Cpl、Cplは寄生抵抗である。従来
、前記ショットキーダイオードは、例えば第11図(a
)〜(C)に示すものが知られている。なお、同図はダ
イオードの要部のみを示すもので、4はショットキーメ
タル(陽電極)、5は陰電極を示す。
イオードの等価回路は、第10図に示す通りである。こ
こで、1はショットキーメタル(陽電極)、2は陰電極
、3は基板電位を夫々示し、Cはショットキー容量、r
pは寄生抵抗、Cpl、Cplは寄生抵抗である。従来
、前記ショットキーダイオードは、例えば第11図(a
)〜(C)に示すものが知られている。なお、同図はダ
イオードの要部のみを示すもので、4はショットキーメ
タル(陽電極)、5は陰電極を示す。
同図(a)は、陽電極4と陰電極5を一平面を介して対
向させたもので、構造が簡単で占有面積は小さくて済む
。しかしながら、高速動作した際に影響を与える陽電極
と陰電極の対向端が少ないという問題を有する。従って
、前記寄生抵抗rpが大きくなる。同図(b)は、陽電
極4と陰電極の対向端を多くし、高速動作に対応させた
ものである。同図(c)は、前記寄生抵抗rpを小さく
したものである。
向させたもので、構造が簡単で占有面積は小さくて済む
。しかしながら、高速動作した際に影響を与える陽電極
と陰電極の対向端が少ないという問題を有する。従って
、前記寄生抵抗rpが大きくなる。同図(b)は、陽電
極4と陰電極の対向端を多くし、高速動作に対応させた
ものである。同図(c)は、前記寄生抵抗rpを小さく
したものである。
しかしながら、第11図(a)〜(C)のいずれの場合
も、ショットキー容量Cを大きくし、寄生抵抗rp、寄
生容量Cp1%Cp2を小さくするには一長一短がある
。
も、ショットキー容量Cを大きくし、寄生抵抗rp、寄
生容量Cp1%Cp2を小さくするには一長一短がある
。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、等価回路中
の寄生抵抗を小さくできるとともに、寄生容量をショッ
トキー容量に対して相対的に小さくできるショットキー
ダイオード及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
の寄生抵抗を小さくできるとともに、寄生容量をショッ
トキー容量に対して相対的に小さくできるショットキー
ダイオード及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本願第1の発明は、半導体基板と、この半導体基板上に
設けられた陰電極と、前記基板上で前記陰電極の周囲に
設けられた陽電極とを具備することを特徴とし、寄生抵
抗の低減、寄生容量の低減を図った。
設けられた陰電極と、前記基板上で前記陰電極の周囲に
設けられた陽電極とを具備することを特徴とし、寄生抵
抗の低減、寄生容量の低減を図った。
本願第2の発明は、化合物半導体基板上に高融点金属又
はこの化合物層を形成する工程と、これを環状にパター
ニングして陽電極を形成する工程と、この陽電極をマス
クとして前記基板に不純物を導入し拡散層を自己整合的
に形成する工程と、この拡散層上に陰電極を形成する工
程とを具備することを特徴とし、本願第1の発明と同様
な効果を得るものである。
はこの化合物層を形成する工程と、これを環状にパター
ニングして陽電極を形成する工程と、この陽電極をマス
クとして前記基板に不純物を導入し拡散層を自己整合的
に形成する工程と、この拡散層上に陰電極を形成する工
程とを具備することを特徴とし、本願第1の発明と同様
な効果を得るものである。
(作用)
本発明によれば、中心に陰電極を、かつこの陰電極の周
囲に陽電極を環状に設けることにより、寄生抵抗を小さ
くきるとともに、寄生容量を、ショット$4ν≠;木;
=ホに対して相対的に小さくできる。
囲に陽電極を環状に設けることにより、寄生抵抗を小さ
くきるとともに、寄生容量を、ショット$4ν≠;木;
=ホに対して相対的に小さくできる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を第1図(a)〜(d)及び第
2図〜第5図を参照して説明する。
2図〜第5図を参照して説明する。
(1)まず、比抵抗107Ω・am以上の半絶縁性の(
100)GaAs基板11に、シs ットキー障壁をつ
くるべくNウェル12を形成する。つづいて、全面にタ
ングステン(W)を窒素雰囲気中でスパッタさせ、厚さ
1600〜5000人程度のWN膜13を堆積した(第
1図(a)及び第2図図示)。ここで、第2図は第1図
(a)の平面図である。なお、タングステンの代りにW
Si等を用いてもよい。次いで、前記WN膜13を環状
に加工して陽極部としてのWN膜パターン13aを形成
した後、この加工したWN膜パターン13aを用いて前
記GaAs基板11にn型不純物をイオン注入し、N十
拡散層14を自己整合的に前記Nウェル12より深く形
成した(第1図(b)及び第3図図示)。ここで、第3
図は第1図(b)の平面図である。更に、前記N+拡散
層14上に陰極部としてのAuGe系のオーミックメタ
ル部15を形成した。しかる後、このオーミックメタル
部15上に1層目の第1配線16、を、前記WN膜13
上に1層目の環状の第2配線162を形成した (第1
図(c)及び第4図図示)。ひきつづき、全面に層間絶
縁膜17を形成した後、前記第1配線161上の層間絶
縁膜17を選択的に開口してコンタクトホール18を形
成した。この後、このコンタクトホール18に前記第1
の配線161と接続する2層目の第3配線19を形成し
て外に取出し、ショットキーダイオードを製造した(第
1図(d)及び第5図図示)。
100)GaAs基板11に、シs ットキー障壁をつ
くるべくNウェル12を形成する。つづいて、全面にタ
ングステン(W)を窒素雰囲気中でスパッタさせ、厚さ
1600〜5000人程度のWN膜13を堆積した(第
1図(a)及び第2図図示)。ここで、第2図は第1図
(a)の平面図である。なお、タングステンの代りにW
Si等を用いてもよい。次いで、前記WN膜13を環状
に加工して陽極部としてのWN膜パターン13aを形成
した後、この加工したWN膜パターン13aを用いて前
記GaAs基板11にn型不純物をイオン注入し、N十
拡散層14を自己整合的に前記Nウェル12より深く形
成した(第1図(b)及び第3図図示)。ここで、第3
図は第1図(b)の平面図である。更に、前記N+拡散
層14上に陰極部としてのAuGe系のオーミックメタ
ル部15を形成した。しかる後、このオーミックメタル
部15上に1層目の第1配線16、を、前記WN膜13
上に1層目の環状の第2配線162を形成した (第1
図(c)及び第4図図示)。ひきつづき、全面に層間絶
縁膜17を形成した後、前記第1配線161上の層間絶
縁膜17を選択的に開口してコンタクトホール18を形
成した。この後、このコンタクトホール18に前記第1
の配線161と接続する2層目の第3配線19を形成し
て外に取出し、ショットキーダイオードを製造した(第
1図(d)及び第5図図示)。
ここで、第5図は、第1図(d)の平面図である。
なお、前記第3配線は他の素子と接続され、ショットキ
ーダイオードとして使用される。
ーダイオードとして使用される。
本発明によれば、GaAs基板11上に環状のWN膜パ
ターン(陽電極)13aを形成した後、これをマスクと
して用いて前記基板11t:N+拡散層14を形成し、
しかる後この拡散°層14上には陰電極15を形成する
。従って、以下に示す効果を有する。
ターン(陽電極)13aを形成した後、これをマスクと
して用いて前記基板11t:N+拡散層14を形成し、
しかる後この拡散°層14上には陰電極15を形成する
。従って、以下に示す効果を有する。
■第10図に示す等価回路中の寄生抵抗rpを小さくで
きる。
きる。
■寄生容ff1cpl、cp2をショットキー容量に対
して相対的に小さくすることができる。
して相対的に小さくすることができる。
■環状のWNIl!パターン13a上に第2配線162
を形成するため、WN膜パターン13aの比抵抗を下げ
、ショットキー抵抗を小さくできる。
を形成するため、WN膜パターン13aの比抵抗を下げ
、ショットキー抵抗を小さくできる。
上記実施例に係るショットキーダイオードは、第1図(
d)及び第5図に示す如く、GaAs基板11の表面に
N十拡散層14を設け、この拡散層14上に陰電極15
を設け、この陰電極15の周囲にWN膜パターン13a
を設け、このパターン1上には第2配線162を設け、
前記陽電極15上からは第1配線161を介して2層目
の第3配線19を取出した構造となっている。従って、
本発明によるショットキーダイオードによれば、前述と
同様な効果を有する。
d)及び第5図に示す如く、GaAs基板11の表面に
N十拡散層14を設け、この拡散層14上に陰電極15
を設け、この陰電極15の周囲にWN膜パターン13a
を設け、このパターン1上には第2配線162を設け、
前記陽電極15上からは第1配線161を介して2層目
の第3配線19を取出した構造となっている。従って、
本発明によるショットキーダイオードによれば、前述と
同様な効果を有する。
なお、上記I実施例では、陰電極の形状として第6図に
示す如く正方形の場合について述べたが、これに限らな
い。例えば、第7図に示す如く円のもの、あるいは陰電
極が複数あって陽電極がメツシュ状になるもの、あるい
は第12図に示す形状のもの等でもよい。第12図の場
合、陽電極と陰電極の対向端を一層ふやすことができる
。
示す如く正方形の場合について述べたが、これに限らな
い。例えば、第7図に示す如く円のもの、あるいは陰電
極が複数あって陽電極がメツシュ状になるもの、あるい
は第12図に示す形状のもの等でもよい。第12図の場
合、陽電極と陰電極の対向端を一層ふやすことができる
。
[発明の効果]
以上詳述した如く本発明によれば、等価回路中の寄生抵
抗を小さくできるとともに、寄生容量をショトキ−容量
に対して相対的に小さくできる高速動作に適したショッ
トキーダイオード及びその製造方法を提供できる。
抗を小さくできるとともに、寄生容量をショトキ−容量
に対して相対的に小さくできる高速動作に適したショッ
トキーダイオード及びその製造方法を提供できる。
第1図(a)〜(d)は本発明の一実施例に係るショッ
トキーダイオードの製造方法を工程順に示す断面図、第
2図は第1図(a)の平面図、第3図は第1図(b)の
平面図、第4図は第1図(c)の平面図、第5図は第1
図(d)の平面図、第6図〜第り図は夫々本発明の詳細
な説明図、第9図はショットキーダイオードの記号を示
す図、第10図はこのダイオードの等価回路図、第11
図(a)〜(C)は夫々従来のショットキーダイオード
の要部の説明図、第12図は本発明のその他のショット
キーダイオードの平面図である。 11・・・GaAs基板、12・・・Nウェル、13・
・・WN膜、13 a−WN膜パターン、14 ・N十
拡散層、15オ一ミツクメタル部、tal、tEi2.
17・・・配線。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ol 第4図 第5図 第6図 第7図 第11図 第12図
トキーダイオードの製造方法を工程順に示す断面図、第
2図は第1図(a)の平面図、第3図は第1図(b)の
平面図、第4図は第1図(c)の平面図、第5図は第1
図(d)の平面図、第6図〜第り図は夫々本発明の詳細
な説明図、第9図はショットキーダイオードの記号を示
す図、第10図はこのダイオードの等価回路図、第11
図(a)〜(C)は夫々従来のショットキーダイオード
の要部の説明図、第12図は本発明のその他のショット
キーダイオードの平面図である。 11・・・GaAs基板、12・・・Nウェル、13・
・・WN膜、13 a−WN膜パターン、14 ・N十
拡散層、15オ一ミツクメタル部、tal、tEi2.
17・・・配線。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ol 第4図 第5図 第6図 第7図 第11図 第12図
Claims (5)
- (1)半導体基板と、この半導体基板上に設けられた陰
電極と、前記基板上で前記陰電極の周囲に設けられた陽
電極とを具備することをすることを特徴とするショトキ
ーダイオード。 - (2)前記半導体基板が表面に拡散層を有したGaAs
基板であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のショットキーダイオード。 - (3)前記陽電極がメッシュ状に形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のショットキーダ
イオード。 - (4)前記陽電極の上に1層目の配線を積み増し、かつ
前記陰電極の取出しに2層目の配線を用いたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のショットキーダイオ
ード。 - (5)化合物半導体基板上に高融点金属又はこの化合物
層を形成する工程と、この層を環状にパターニングして
陽電極を形成する工程と、この陽電極をマスクとして前
記基板の不純物を導入し拡散層を自己整合的に形成する
工程と、この拡散層上に陰電極を形成する工程とを具備
することを特徴とするショットキーダイオードの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7282486A JPS62229974A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | シヨツトキ−ダイオ−ド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7282486A JPS62229974A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | シヨツトキ−ダイオ−ド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62229974A true JPS62229974A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13500547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7282486A Pending JPS62229974A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | シヨツトキ−ダイオ−ド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62229974A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006505955A (ja) * | 2002-11-06 | 2006-02-16 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | チップスケールのショットキーデバイス |
JP2006147951A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた集積回路 |
JP2006156457A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ショットキーバリアダイオード及びダイオードアレイ |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7282486A patent/JPS62229974A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006505955A (ja) * | 2002-11-06 | 2006-02-16 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | チップスケールのショットキーデバイス |
US8921969B2 (en) | 2002-11-06 | 2014-12-30 | Siliconix Technology C. V. | Chip-scale Schottky device |
JP2006147951A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた集積回路 |
JP4637553B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2011-02-23 | パナソニック株式会社 | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた集積回路 |
JP2006156457A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ショットキーバリアダイオード及びダイオードアレイ |
JP4567426B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2010-10-20 | パナソニック株式会社 | ショットキーバリアダイオード及びダイオードアレイ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4491860A (en) | TiW2 N Fusible links in semiconductor integrated circuits | |
US9196560B2 (en) | Semiconductor device having a locally reinforced metallization structure and method for manufacturing thereof | |
JPH07183302A (ja) | 金属層の形成及びボンディング方法 | |
KR920003438B1 (ko) | 샌드위치된 산화 실리콘층과 질화 실리콘층을 갖는 프로그램 가능 접속패드 | |
JPH0799738B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP0057135A2 (en) | Low resistance Schottky diode on polysilicon/metal-silicide | |
JPH05304262A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4089419B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS62229974A (ja) | シヨツトキ−ダイオ−ド及びその製造方法 | |
JPS59218773A (ja) | バイポ−ラトランジスタ構造体 | |
US6229181B1 (en) | Semiconductor device and method of forming a semiconductor structure to provide electrostatic discharge protection | |
US4035907A (en) | Integrated circuit having guard ring Schottky barrier diode and method | |
US3659156A (en) | Semiconductor device | |
JPS5825274A (ja) | シヨツトキバリア半導体装置とその製造方法 | |
KR100205018B1 (ko) | 이종접합 트랜지스터의 베이스층을 이용한 커패시터의제조방법 | |
US3313012A (en) | Method for making a pnpn device by diffusing | |
US5140383A (en) | Method for fabricating a buried Schottky logic array and apparatus produced thereby | |
JP2668528B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US5111267A (en) | Semiconductor device having a multilayer electrode structure and method for fabricating the same | |
KR100537321B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2018056214A (ja) | ダイオード素子およびその製造方法 | |
EP0226293B1 (en) | Method for producing a buried contact schottky logic array, and device produced thereby | |
JPS59205752A (ja) | シヨツトキ−バリアダイオ−ドを含む半導体集積回路 | |
GB1594067A (en) | Semiconductor devices and their manufacture | |
JPH0855999A (ja) | 半導体装置 |