JPS62226551A - 質量分析装置 - Google Patents

質量分析装置

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JPS62226551A
JPS62226551A JP61069202A JP6920286A JPS62226551A JP S62226551 A JPS62226551 A JP S62226551A JP 61069202 A JP61069202 A JP 61069202A JP 6920286 A JP6920286 A JP 6920286A JP S62226551 A JPS62226551 A JP S62226551A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
electrodes
focusing lens
optical axis
irradiated
Prior art date
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Pending
Application number
JP61069202A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Ohata
覚 大畠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61069202A priority Critical patent/JPS62226551A/ja
Publication of JPS62226551A publication Critical patent/JPS62226551A/ja
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、固体の試料に対する賀恐分析に利用される質
量分析装置に係わり、特に前記試料に1次イオンビーム
を照射する1次イオンビーム光学系の改良に関する。
(従来の技術) 従来のこの種の質重分析装置としては、イオン銃により
Arイオン等の1次イオンビームを発射し、この1次イ
オンビームを集束レンズ、ビーム制限アパーチャなどか
らなるイオンビーム光学系を介して試料に照射し、これ
により試料から発生する2次イオンを検出して質層分析
する2次イオン質量分析装置が一般的である。この装置
においては、1次イオンビームを試料に効率良く照射さ
せる必要があり、そのためには集束レンズの光軸とビー
ム制限アパーチャにおける光軸とが一致し、かつ集束レ
ンズの焦点がこの一致した光軸上に位置することが望ま
しい。しかし、構造設計の寸法公差および組立て公差等
により上記光軸のズレは避けられなかった。
そこで、従来は試料に到達するイオンビーム1に基いて
光軸合ゼしていたが、イオンビーム光学系にビームを偏
向する電極等が介在した場合、軸合せ調整は極めて熟練
を要し、大変な労力および時間を費やすものであった。
また、一旦光軸がずれてしまうと再調整が困難なため、
不安定な状態が長時間続くおそれがあった。このような
点を考慮して、ビーム偏向電極の電界をシールドするシ
ールド板に流れ込む電流を調節することにより効−率向
上をはかる手段が提案されているが、この場合において
も光軸合せ調整は大変困難であり、充分な効率向上をは
かり得るものではなかった。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、このような事情に基いてなされたものであり
、簡単かつ短時間のm整で1次イオンビームを効率良く
試料に照射させることができ、高精度な質量分析が可能
な質量分析装置を提供することを目的とする。
[発明の構成コ (問題点を解決するための手段) 本発明は、上記問題点を解決し目的を達成するために、
集束レンズとビーム制限アパーチャとの間に等分割され
た電極を介在し、これら等分割されたN極にそれぞれ照
射されるイオンビーム量と前記試料に到達するイオンビ
ーム量とに基いて前記集束レンズの光軸とビーム制限ア
パーチャにおける光軸とが一致するように、かつ前記集
束レンズの焦点が前記一致した光軸上に位置するように
イオンビーム光学系を調節するようにしたものである。
(作用) このような手段を講じたことにより、等分割された電極
にそれぞれ照射されるイオンビーム量が等しくなるよう
に調節することにより光軸合せが行なわれ、この状態で
さらに試料に到達するイオンビーム量が最大となるよう
に調節することにより集束レンズの焦点を光軸上に位置
させる。
(実施例) 第1図は本発明の一実施例の構成を示す模式図である。
同図において101.1Arイオンなどの1次イオンビ
ームを発射するイオン銃であって、フィラメント(カソ
ード)11.中間電極12゜アノード13およびイオン
ビームの引出し方向を決める引出し電極14から構成さ
れている。20は上記イオン@10から発射されるイオ
ンビームを集束する集束レンズであって、この集束レン
ズ20にて集束されたイオンビームは、一対のX方向偏
向型ti31a、31bと一対のY方向偏向筒1i32
a、32bとからなる偏向機構30によって偏向される
ものとなっている。40はビームモニタ電極であって、
4等分に分割された電極41〜44からなり、その中心
にはイオンビームが通過するのに十分な開口部45が形
成されている。
なお、上記等分割電極41〜44の配置状態は、前記イ
オン銃10における7ノード13と引出し電極14とに
設けられた軸合せ用方向調整ネジ(不図示)の調整方向
に一致している。50はビーム制限アパーチャであり、
試料60にイオンビームを導く開口部51が形成されて
いる。そして、この開口部51の近傍には前記ビームモ
ニタ電極40の開口部45を通過したイオンビームの光
軸が開口部51の中心軸上を通過するように上記イオン
ビームを偏向する一対のビーム偏向電極52a、52b
と、これらビーム偏向電極52a。
52bの電界をシールドするシールド板53とが設けら
れている。
一方、前記ビームモニタ電極40の各等分割電極41〜
44には、第2図(a)に示す如く電流計71〜74が
それぞれ接続されており、各電極41〜44にイオンビ
ームが照射された際にイオンビーム量に比例して流れ込
む電流量を検出するものとなっている。また、第2図(
b)に示す如く、前記試料60に対してもイオンビーム
の照射により生じる電流層を検出するための電流計75
が設けられている。
このように構成された本実施例においては、イオン銃1
0から1次イオンビームが発射されると、上記1次イオ
ンビームは集束レンズ20にて集束され、偏向機構30
によって偏向された後、ビームモニタ電極40およびビ
ーム制限アパーチャ50のそれぞれの開口部45.51
を通過して試料60に到達する。そうすると、試料60
から2次イオンが発生するので、図示しない質屋分析手
段により2次イオンの質量分析を実施する。
ここで、上記1次イオンビームを試料60に対し効率良
く照射させるために、イオンビーム系の調整、すなわち
集束レンズの光軸とビーム制限アパーチャにおける光軸
の軸合せ調整と集束レンズの焦点位置調整とが必要とな
る。これらの調整は次のようにして行なわれる。ビーム
モニタ電極40の各等分割電極41〜44にイオンビー
ムが照射されると、この照射mに比例して各電極41〜
44に電流がそれぞれ流れ込み、このときの電流値は各
々の電流計71〜74によって検出される。今、電流計
71の指示値が最大であり、以下、指示値が74>72
>73であったとすると、集束レンズ20を通過したイ
オンビームの光軸は電極41側にずれていることがわか
る。したがって、各電流計71〜74の指示値をモニタ
しながらアノード13と引出し電極14とに設けられた
調整ネジによって光軸を電極43方向にずらすことによ
り、各電流計71〜74の指示値が等しくなった時点で
集束レンズ20にて集束されたイオンビームの光軸がビ
ームモニタ電極40の光軸に、ひいてはビーム制限アパ
ーチャ50の光軸に一致したことになる。
一方、光軸が一致した状態で集束レンズ20の焦点がこ
の一致した光軸上に位置すると、試料60に対するイオ
ンビーム照tJJmが上昇する。そこで、試料60に設
けられた電流計75の指示値をモニタし、この指示値が
最大となるように集束レンズ20と偏向機構30とを調
整する。
かくして、本実施例によれば、集束レンズ2゜の光軸と
ビーム制限アパーチャの光軸との調整および集束レンズ
の焦点位置調整を、ビームモニタ電極40の各等分割電
極41〜44に流れ込む電流lおよび試料60に到達す
るイオンビームjに比例して変化する電流量をモニタし
ながら行なうことができる。したがって、確実にかつ短
時間で行なうことができる。また、ビームモニタ電極4
0の各光分割電極41〜44の配置を光軸調整方向と一
致させているので、誰もが簡単に調整できる。したがっ
て、最適なビーム照射状態を長時間にわたって安定に維
持することが可能となる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではない。
例えば、前記実施例ではビームモニタ電極40の各等分
割電極41〜44および試料60に電流計71〜75を
設けた場合を示したが、第3図に示す如く、各等分割電
極41〜44および試料60にそれぞれ電流検出器81
〜85を設け、これら各電流検出器81〜85の検出出
力をモニタ制御部86に導入し、このモニタ制御部86
により上記各検出出力をモニタ装置87にアナログ的あ
るいはディジタル的に表示させるようにしてもよい。ま
た、前記実施例では、ビームモニタ電極40の各等分割
電極41〜44の配置状態をアノード13と引出し電極
14との軸合せ用方向調整ネジと一致させることにより
調整の簡略化をはかる場合を示したが、上記等分割電極
41〜44を偏向機構30の各一対電極31a、31b
および32a、32bの向きと一致あるいは45°ずら
すことによってもビーム調整は比較的容易となる。また
、この場合、偏向機構30の各一対電極31a、31b
および32a、32bに印加する電位を、各等分割電極
41〜44に接続された電流計71〜74をモニタする
ことにより容易に設定できる。また、前記実施例ではビ
ームモニタ電極40を4分割した場合を示したが、3等
分割あるいは5等分割以上としても同様な効果を奏する
このほか本発明の要旨を逸脱しない範囲で擾々変形実施
可能であるのは勿論である。
[発明の効果] 以上詳述したように、本発明によれば、集束レンズとビ
ーム制限アパーチャとの間に等分割された電極を介在し
、これら等分割された電極にそれぞれ照射されるイオン
ビーム量と前記試料に到達するイオンビーム量とに基い
て前記集束レンズの光軸とビーム制限アパーチャにおけ
る光軸とが一致するように、かつ前記集束レンズの焦点
が前記一致した光軸上に位置するようにイオンビーム光
学系を調整するようにしたので、簡単かつ翔時間の調整
で1次イオンビームを効率良く試料に照射させることが
でき、高精度な質量分析が可能な′Rffi分析装置を
提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構成を示す模式図、第2図
(a)(b)は同実施例における調整手段を説明するた
めの図、第3図は本発明における調整手段の変形例を示
す系統図である。 10・・・イオン銃、11・・・フィラメント、12・
・・中間電極、13・・・アノード、14・・・引出し
電極、20・・・集束レンズ、30・・・偏向機構、4
0・・・ビームモニタ電橋、41〜44・・・等分割電
極、50・・・ビーム制限アパーチャ、52・・・ビー
ム偏向電極、53・・・シールド板、60・・・試料、
71〜75・・・電流計、81〜85・・・電流検出器
、86・・・モニタ制01]¥i置、87・・・モニタ
装置。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. イオン銃から発射される1次イオンビームを集束レンズ
    、ビーム制限アパーチャ等からなるイオンビーム光学系
    を通して試料に照射することにより前記試料の質量分析
    を行なう質量分析装置において、前記集束レンズとビー
    ム制限アパーチャとの間に等分割された電極を介在し、
    これら等分割された電極にそれぞれ照射されるイオンビ
    ーム量と前記試料に到達するイオンビーム量とに基いて
    前記集束レンズの光軸とビーム制限アパーチャにおける
    光軸とが一致するように、かつ前記集束レンズの焦点が
    前記一致した光軸上に位置するように前記イオンビーム
    光学系を調整するようにしたことを特徴とする質量分析
    装置。
JP61069202A 1986-03-27 1986-03-27 質量分析装置 Pending JPS62226551A (ja)

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JP61069202A JPS62226551A (ja) 1986-03-27 1986-03-27 質量分析装置

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ID=13395903

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02248854A (ja) * 1989-03-23 1990-10-04 Seiko Instr Inc 誘導結合プラズマ質量分析装置
GB2345574A (en) * 1999-01-05 2000-07-12 Applied Materials Inc Apparatus and method for monitoring and tuning an ion beam in an ion implantation apparatus
US7247854B2 (en) * 2001-06-29 2007-07-24 Panalytical Bv Limiting device for electromagnetic radiation, notably in an analysis device

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