JPS62224986A - Led lamp and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
（産業上の利用分野）
本発明は表示用素子あるいは光信号伝達用素子として利
用される発光ダイオードおよびその製造方法に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Object of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a light emitting diode used as a display element or an optical signal transmission element, and a method for manufacturing the same.
（従来の技術）
表示ランプ、情報機器用光源として幅広く利用゛されて
いる発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）には各種の
ものがあるが、砲玉型ＬＥＤは比較的安価なＬＥＤであ
るため主として民生用機器の表示ランプとして多用され
ている。(Prior Art) There are various types of light emitting diodes (hereinafter referred to as LEDs) that are widely used as display lamps and light sources for information equipment, but bullet-shaped LEDs are mainly used because they are relatively inexpensive. It is often used as an indicator lamp in consumer equipment.
この砲玉型ＬＥＤは一対のリードフレームと、その一方
の先端に接合されたＬＥＤチップと、このＬＥＤチップ
と他方のリードフレームの先端とを接続するリード線と
、ＬＥＤチップおよびリード線を封止する透明または半
透明の樹脂からなるものであって、この封止樹脂の外形
が砲玉状に形成されているものである。This bullet-shaped LED includes a pair of lead frames, an LED chip bonded to one end of the lead frame, a lead wire connecting this LED chip to the end of the other lead frame, and a seal between the LED chip and the lead wire. The sealing resin is made of transparent or translucent resin, and the outer shape of the sealing resin is shaped like a cannon ball.
（発明が解決しようとする問題点）
前記砲玉型ＬＥＤは構成が簡単であるため比較的安価に
製造できるが、その製造に際してはＬ ＥＤチップとリ
ード線とを樹脂封止するだめの型取り用母型が必要とな
る。この型取り用母型には通常ポリメチルペンテン樹脂
（例えば、三井石油化学製ＴＰＸ樹脂など）が使用され
ているが、このポリメチルペンテン樹脂からなる母型は
その内部に注入された封止樹脂を硬化させる際の熱によ
って劣化し易いため、ＬＥＤランプを大量生産するには
多数の母型が必要になり、ひいては生産性が低下すると
いう問題点がある。(Problems to be Solved by the Invention) The bullet-shaped LED has a simple structure and can be manufactured at a relatively low cost. A mother mold is required. Polymethylpentene resin (for example, Mitsui Petrochemical's TPX resin, etc.) is usually used for this molding mold, but the mold made of polymethylpentene resin has a sealing resin injected inside it. Since it is easily deteriorated by the heat generated during curing, a large number of molds are required for mass production of LED lamps, resulting in a problem in that productivity is reduced.
また、封止樹脂をパッケージとして使用していることか
ら信頼性にも不安があり、具体的には熱膨張によりＬＥ
Ｄチップと母型のセンターがずれるなどの問題点がある
。In addition, since sealing resin is used as a package, there are concerns about reliability, and specifically, due to thermal expansion, LE
There are problems such as the center of the D chip and the matrix being misaligned.
他方、金属製パッケージ内に収納されたＬＥＤチップの
発光面を透明樹脂で封止したヘッダ型ＬＥＤやセラミッ
ク製パッケージを使用したステム型ＬＥＤは樹脂封止の
ための型取り用母型を必要とせず、信頼性も高いことか
ら主として産業用機器の表示ランプ、光源として多用さ
れている。On the other hand, header-type LEDs in which the light-emitting surface of an LED chip housed in a metal package is sealed with transparent resin, and stem-type LEDs in which ceramic packages are used, require a mold for molding the resin. Due to their high reliability, they are mainly used as indicator lamps and light sources for industrial equipment.
しかし、これらのＬＥＤは金属やセラミックのパッケー
ジを使用していることから製造コストが高くなるという
問題点がある。However, since these LEDs use metal or ceramic packages, there is a problem in that manufacturing costs are high.
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであって
、製造コストが安価であるとともに信頼性も高いＬＥＤ
並びにその製造方法の提供を目的とするものである。The present invention has been made in view of these problems, and is an LED that is inexpensive to manufacture and has high reliability.
The object of the present invention is to provide a method for manufacturing the same.
発明の構成
（問題点を解決するための手段）
前記問題点を解決するため、本第−発明は樹脂パッケー
ジと、前記樹脂パッケージに設けられた彫子内に取着さ
れた一対の外部リードと、前記一対の外部リードの一方
にボンディングされたＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチッ
プと他方の外部リードとの間に接続されたリード線と、
前記樹脂パッケージの発光面に塗布形成された封止樹脂
とからなるＬＥＤランプを採用した。Structure of the Invention (Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention includes a resin package, a pair of external leads attached to a carving provided in the resin package. , an LED chip bonded to one of the pair of external leads, and a lead wire connected between the LED chip and the other external lead;
An LED lamp made of a sealing resin coated on the light emitting surface of the resin package was used.
また本第二発明は、＋ａ）少なくとも一対の外部リード
を互いに隣接するように接続してなるリードフレームの
一方の外部リードにＬＥＤチップをボンディングすると
ともに、前記一方の外部リードに隣接する他方のリード
フレームと前記ＬＥＤチップとの間にリード線を接続す
る工程、（ｂｌ 対向する一対の樹脂台の少なくとも
一方の対向面に形成された彫子内に前記外部リードを取
着するとともに、前記対向面同士を接合して樹脂パッケ
ージを形成する工程、
（Ｃ） 前記樹脂パッケージの発光面を樹脂封止する
工程、からなることを特徴とするＬＥＤランプの製造方
法を採用した。Further, the second invention provides +a) an LED chip is bonded to one external lead of a lead frame formed by connecting at least a pair of external leads adjacent to each other, and the other lead adjacent to the one external lead is bonded. A step of connecting a lead wire between a frame and the LED chip, (bl) attaching the external lead within a carving formed on at least one opposing surface of a pair of opposing resin bases, and A method for manufacturing an LED lamp was employed, which comprises the following steps: (C) sealing the light emitting surface of the resin package with resin.
（作用）
本第−発明のＬＥＤランプは樹脂パッケージに設けられ
た彫子内に一対の外部リードが取着されているとともに
この樹脂パッケージ上面に封止樹脂が塗布形成されてい
ることから、構成が簡単であって、しかも信頼性が高い
。(Function) The LED lamp of the present invention has a structure in which a pair of external leads are attached within the engraving provided in the resin package, and a sealing resin is applied and formed on the upper surface of the resin package. is simple and highly reliable.
また本第二発明の製造方法によれば、射出成形された一
対の樹脂台からなるパッケージとリードフレームとを使
用していることから、大量生産が容易であり、かつ封止
樹脂を塗布形成する際に型取り用母型を必要としない。Further, according to the manufacturing method of the second invention, since the package and the lead frame are used, which are made up of a pair of injection molded resin stands, mass production is easy, and the sealing resin is applied and formed. There is no need for a matrix for mold making.
（実施例）
以下、本第−発明を具体化したＬＥＤランプの一実施例
を第１．２図に従って説明する。(Example) Hereinafter, an example of an LED lamp embodying the present invention will be described with reference to Fig. 1.2.
本実施例のＬＥＤランプには直径１０ｆｌの円筒状に射
出成形された白色のポリカーボネート樹脂からなるパッ
ケージ１が採用されている。また、このパッケージ１の
中央部には一対の彫子２が形成され、その形量２内には
一対の外部リード３が取着されている。この外部リード
３はプレス成形された一対のリン青銅からなり、その一
方が十極の、他方が一極の端子を形成しているとともに
、その上端部がパッケージ１の上面から露出し、またそ
の下部がパッケージ１の下面から露出して下方に延びる
ようになっている。なお、このパッケージ１は精密射出
成形用金型を用いて製造されたものであるため寸法精度
が高く、形量２内に外部リード３を取着した際にガタつ
きなどが生じないようになっている。The LED lamp of this embodiment employs a package 1 made of white polycarbonate resin and injection molded into a cylindrical shape with a diameter of 10 fl. Further, a pair of engravings 2 are formed in the center of the package 1, and a pair of external leads 3 are attached within the engravings 2. This external lead 3 is made of a pair of press-molded phosphor bronze, one of which forms a ten-pole terminal and the other one which forms a single-pole terminal, and its upper end is exposed from the top surface of the package 1. The lower part is exposed from the lower surface of the package 1 and extends downward. Note that this package 1 is manufactured using a precision injection mold, so it has high dimensional accuracy and is designed to prevent wobbling when the external lead 3 is attached inside the shape 2. ing.
次に、上記一対の外部リード３の一方の上端部にはＧａ
Ｐ半導体からなる０、 ３ ｍ角のＬ Ｅ Ｄチップ４
が接合されており、さらにこのＬＡＤチップ４と他方の
外部リード３上端部との間にはＡｕリード線５がワイヤ
ポンディングされている。そして両外部リード３間に所
定の電圧が印加されるとＬＥＤチップ４が赤色に発光す
るようになっている。Next, the upper end of one of the pair of external leads 3 is made of Ga.
0.3 m square LED chip 4 made of P semiconductor
Furthermore, an Au lead wire 5 is wire-bonded between this LAD chip 4 and the upper end of the other external lead 3. When a predetermined voltage is applied between both external leads 3, the LED chip 4 emits red light.
なお、このＬＥＤチップ４の外部リード３への接合およ
びＡｕリード線５のワイヤボンディングにはフレーク状
Ａｇを含有するエポキシ樹脂からなる導電性グイポンデ
ィングペーストが使用されている。Incidentally, for bonding the LED chip 4 to the external lead 3 and wire bonding the Au lead wire 5, a conductive bonding paste made of an epoxy resin containing flaky Ag is used.
また、前記パッケージ１の上面周縁部にはテーパ状の反
射面６が形成されているため、Ｌ Ｅ Ｄチップ４が発
光する際にその光カ月二方に反射されるようになってい
る。さらに、このパッケージ１上面はＬＥＤチップ４お
よびリード１５を保護するため、二液型透明エポキシ樹
脂からなる封止樹脂７が塗布形成されている。Further, since a tapered reflective surface 6 is formed on the upper peripheral edge of the package 1, when the LED chip 4 emits light, the light is reflected in two directions. Furthermore, in order to protect the LED chip 4 and leads 15, a sealing resin 7 made of a two-component transparent epoxy resin is coated on the upper surface of the package 1.
次に、以上のような構成からなるＩ、ＥＤクランプ作用
・効果を述べる。Next, the action and effect of the I and ED clamps having the above configuration will be described.
本実施例のＬＥＤランプにはパッケージ１の材料に合成
樹脂が採用されていることから、金属製パッケージを使
用したヘッダ型ＬＥＤやセラミック製パッケージを使用
したステム型ＬＥＤに比較して材料コストが安価である
。また、精密射出成形により得られた合成樹脂製のパッ
ケージ１を採用しているため、ＬＥＤランプとしての信
頼性は砲玉型ＬＥＤランプに比較して高く、上記ヘッダ
型ＬＥＤやステム型ＬＥＤと比較しても遜色がない。Since the LED lamp of this example uses synthetic resin as the material for the package 1, the material cost is lower than that of a header-type LED using a metal package or a stem-type LED using a ceramic package. It is. In addition, since the package 1 is made of synthetic resin obtained by precision injection molding, the reliability of the LED lamp is higher than that of a cannonball-shaped LED lamp, and compared to the header-type LED and stem-type LED mentioned above. There is no difference.
このように、本実施例の１、ＥＤクランプ安価であると
ともに信軌性も高いという特徴を備えているため、民生
用機器並びに産業用機器の表示用ランプとして極めて有
用なものである。As described above, the first embodiment of the ED clamp has the characteristics of being inexpensive and having high reliability, so it is extremely useful as a display lamp for consumer equipment and industrial equipment.
なお、本第−発明は上記の実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で下記のように具体化
することも可能である。It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be embodied as described below without departing from the gist thereof.
例えば第３図に示すように、射出成形された一対の半円
筒状樹脂台８の接合面に外部リード３を取着するための
彫子２を一体形成したようなパッケージ１を採用しても
よい。また、パッケージ１の材質にはポリブチレンテレ
フタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホ
ン、ポリフェニレンオキシドなど、耐熱性および成形性
の良好な各種の合成樹脂を採用することもできる。For example, as shown in FIG. 3, a package 1 may be adopted in which a carving tool 2 for attaching an external lead 3 is integrally formed on the joint surface of a pair of injection-molded semi-cylindrical resin bases 8. good. Further, the material of the package 1 may be various synthetic resins having good heat resistance and moldability, such as polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polysulfone, and polyphenylene oxide.
外部リード３の材質として、リン青銅以外にも鉄その他
各種の金属を使用することができる。As the material of the external lead 3, other than phosphor bronze, iron and various other metals can be used.
エポキシ樹脂からなる導電性グイボンディングにはフレ
ーク状Ａｇのみならず、粒子状静を含有させてもよい。The conductive rubber bonding made of epoxy resin may contain not only flaky Ag but also particulate silver.
Ｌ Ｅ ＤチップばＧａＡｓ、ＧａＡｓ＋−、Ｐ Ｍ＋
Ｇａ１−Ｘ＾］、 Ａｓなど、各種の半導体を採用する
ことができる。LED chip GaAs, GaAs+-, PM+
Various semiconductors such as Ga1-X^], As, etc. can be used.
さらに、封止樹脂として一液型エボキシ樹脂、可視光線
透過型熱硬化性樹脂あるいはＵＶ硬化型透明樹脂などを
採用してもよい。Furthermore, a one-component epoxy resin, a visible light transmitting thermosetting resin, a UV curing transparent resin, or the like may be used as the sealing resin.
次に、本第二発明を具体化した一実施例を第４〜８図に
従って説明する。Next, an embodiment embodying the second invention will be described with reference to FIGS. 4 to 8.
まず、０．５ ＊＊厚の鉄板をプレス成形して第４図に
示すようなリードフレーム１０を製造した。このリード
フレーム１０には多数の外部リード１１が平行に配列さ
れており、各外部リード１１はその中央部並びに下端部
のフレーム１２を介して互いに接続されている。また、
上記外部リード１１先端部の形状には二種類のものがあ
り、同一形状のものがそれぞれ一つ置きに配列されるよ
うになっている。なお、このリードフレーム１０の表面
はプレス成形後、防錆と導電性の向上を目的としてＡ、
メッキ処理が施された。First, a lead frame 10 as shown in FIG. 4 was manufactured by press-forming a 0.5** thick iron plate. A large number of external leads 11 are arranged in parallel on this lead frame 10, and each external lead 11 is connected to each other via a frame 12 at its center and lower end. Also,
There are two types of shapes of the tips of the external leads 11, and the same shapes are arranged every other time. Note that the surface of this lead frame 10 was coated with A,
Plated.
次いで第５図に示すように、一本の外部リード１１の先
端部上面にＧａＰ半導体からなる０、 ３ ｎ角のＬＥ
Ｄチップ１３をボンディングするとともに、この外部リ
ード１１に対して一つ置きに配列された各外部リード１
１先端部上面にもそれぞれ同一のＬＥＤチップ１３をボ
ンディングした。そしてこのＬＥＤチップ１３と隣接す
る各外部リード１１上端部との間に＾Ｕリード綿１４を
ワイヤボンデイングした。なお、このＬＥＤチップ１３
の外部リード１１への接合にはフレーク状へｇを含有す
る一液型エボキシ樹脂からなる導電性グイボンディング
ペーストが使用された。また、ΔＵリード１１４のワイ
ヤボンディングは超音波と熱による溶着法が採用された
。Next, as shown in FIG. 5, a 0.3 n square LE made of GaP semiconductor is placed on the top surface of the tip of one external lead 11.
In addition to bonding the D chip 13, each external lead 1 arranged every other time with respect to this external lead 11 is
The same LED chip 13 was also bonded to the top surface of each tip. Then, U-lead cotton 14 was wire bonded between this LED chip 13 and the upper end of each adjacent external lead 11. In addition, this LED chip 13
For bonding to the external lead 11, a conductive bonding paste made of a one-component epoxy resin containing g in the form of flakes was used. Further, for wire bonding of the ΔU lead 114, a welding method using ultrasonic waves and heat was adopted.
一方、１ショット５個取り用の精密射出成形金型を用い
て第６図に示すようなポリカーボネート樹脂からなる半
円筒状の樹脂台１５を製造した。On the other hand, a semi-cylindrical resin stand 15 made of polycarbonate resin as shown in FIG. 6 was manufactured using a precision injection molding die for molding five pieces per shot.
上記５個の樹脂台１５の各々には、その−側面に上下方
向に延びる一対の平行な形量１６が凹設されており、各
樹脂台１５は成形時のランナー１７を介して互いに接続
されている。Each of the five resin stands 15 has a pair of parallel shapes 16 extending in the vertical direction recessed on the side thereof, and the resin stands 15 are connected to each other via runners 17 during molding. ing.
そこで、第７図に示すように上記５個の樹脂台１５二組
を形量１６凹設面同士が互いに向き合うように設置して
その間にリードフレーム１０を配置した。そして、形量
１６凹設面にエポキシ樹脂系接着剤を塗布した後、第８
図に示すように、形量１６内に各外部リード１１を嵌合
させて接着面同士を接合することによりパッケージ１８
を形成した。なお、このパッケージ１８は精密射出成形
により得られた一対の樹脂台１５を接合したものである
ため、寸法精度が高く、形量１６内に外部リード１１を
嵌合した際にガタつきなどが生じないようになっている
。また、このパッケージ１８内に取着された外部リード
１１はその一方が子種の、他方が一極の端子を形成して
いるとともに、その上端部がパッケージ１８の上面から
露出しているため、パッケージ１８上面が発光面となっ
ている。そして、両外部リード１１間に所定の電圧が印
加されるとＬＥＤチップ１３が赤色に発光するようにな
っている。また、このパッケージ１８の上面周縁部には
テーバ状の反射面１９が形成されているため、ＬＥＤチ
ップ１３が発光するとその光が上方に反射されるように
なっている。Therefore, as shown in FIG. 7, two sets of the five resin stands 15 were installed so that the concave surfaces of the shapes 16 faced each other, and the lead frame 10 was placed between them. After applying epoxy resin adhesive to the concave surface of shape 16,
As shown in the figure, the package 18 is assembled by fitting each external lead 11 into the shape 16 and joining the adhesive surfaces.
was formed. Note that this package 18 is made by joining a pair of resin bases 15 obtained by precision injection molding, so the dimensional accuracy is high, and when the external leads 11 are fitted into the shape 16, there is no wobbling. There is no such thing. Furthermore, one of the external leads 11 attached to the package 18 forms a child terminal, and the other forms a one-pole terminal, and the upper end thereof is exposed from the upper surface of the package 18. The top surface of the package 18 serves as a light emitting surface. When a predetermined voltage is applied between both external leads 11, the LED chip 13 emits red light. Further, since a tapered reflective surface 19 is formed on the upper peripheral edge of the package 18, when the LED chip 13 emits light, the light is reflected upward.
次に、ディスペンサを用いて上記パッケージ１８の発光
面に二液型透明エポキシ樹脂２０をドリップコートした
後、１００〜１１０℃の恒温槽内に数時間放置してこの
エポキシ樹脂２０を硬化させた。Next, a two-component transparent epoxy resin 20 was drip-coated on the light emitting surface of the package 18 using a dispenser, and then left in a constant temperature bath at 100 to 110° C. for several hours to harden the epoxy resin 20.
最後にフレーム■２およびランナー１７を切断して５個
のＬ Ｅ Ｄランプを得た。Finally, the frame 2 and the runner 17 were cut to obtain five LED lamps.
このように、本製造方法は精密射出成形された複数個の
樹脂台１５を対向させ、その間にプレス成形されたリー
ドフレーム１０を取着してパフケージ１８を形成すると
ともに、パッケージ１８の発光面に上方からエポキシ樹
脂２０を滴下するという手段を採用しているため、信頼
性の高いＬＰ。In this way, in this manufacturing method, a plurality of precision injection-molded resin tables 15 are placed facing each other, and a press-molded lead frame 10 is attached therebetween to form the puff cage 18. This LP is highly reliable as it uses a method of dropping the epoxy resin 20 from above.
Ｄランプを安価に大量生産することのできる極めて有用
な製造方法である。This is an extremely useful manufacturing method that allows D lamps to be mass-produced at low cost.
なお、本第二発明は上記の実施例に限定されるものでは
なく、例えば外部リードへのＬＥＤチップのボンディン
グや外部リード間へのリード線のボンディングは樹脂体
の形量内に外部リードを嵌合させてパッケージを形成し
た後に行うことも可能である。Note that the second invention is not limited to the above-described embodiments, and for example, bonding of an LED chip to an external lead or bonding of a lead wire between external leads may be performed by fitting the external lead within the shape of the resin body. It is also possible to perform this after combining to form a package.
また、その要旨を逸脱しない範囲で下記のように具体化
することも可能である。例えば、樹脂台を製造する金型
は１ショット５個取りのものに限定されず、４個以下あ
るいは６個以上のものでもよい。また、樹脂台の形状は
半円筒形に限定されるものではない。さらに、樹脂台の
材質にはポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリス、ルボン、ポリフェニレンオキシ
ドなど、耐熱性および成形性の良好な各種の合成樹脂を
採用することもできる。Moreover, it is also possible to embody it as follows without departing from the gist of the invention. For example, the mold for manufacturing the resin stand is not limited to one that can have five molds per shot, but may be one that can mold four or less molds or six or more molds. Further, the shape of the resin stand is not limited to a semi-cylindrical shape. Furthermore, various synthetic resins with good heat resistance and moldability, such as polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, poly, rubon, and polyphenylene oxide, can be used as the material for the resin base.
リードフレームの材質は鉄以外にもリン青銅その他各種
の金属を使用することができる。また、その形状も本実
施例のものには限定されない。As the material of the lead frame, other than iron, phosphor bronze and various other metals can be used. Further, its shape is not limited to that of this embodiment.
ＬＥＤチップはＧａＡｓ、ＧａＡｓＩ−ＸＰ 、、Ｇａ
、−、ＡＩｘ Ａｓなど、各種の半導体を採用すること
ができる。LED chips are GaAs, GaAsI-XP, Ga
, -, various semiconductors such as AIx As can be employed.
さらに、封止樹脂として一液型エボキシ樹脂、可視光線
透過型熱硬化性樹脂あるいはＵＶ硬化型透明樹脂などを
採用してもよい。Furthermore, a one-component epoxy resin, a visible light transmitting thermosetting resin, a UV curing transparent resin, or the like may be used as the sealing resin.
発明の効果
以上詳述したように、本箱−発明のＬ Ｅ Ｄランプは
比較的Ｗｉ単な構成で、かつ寸法精度も高いため、コス
トが低度であるとともに信頼性も高いという優れた効果
を発揮する発明である。Effects of the Invention As detailed above, the LED lamp of the present invention has a relatively simple structure and has high dimensional accuracy, so it has excellent effects such as low cost and high reliability. This is an invention that demonstrates the following.
また、本第二発明はリードフレームと射出成形されたパ
ッケージとを用いるとともに、樹脂封止をするための型
取り用母型を必要としないことから、寸法精度の高いＬ
ＥＤランプを大量生産することが可能であるという優れ
た効果を発揮し、製造コストが安価で、かつ信頼性の高
いＬＥＤランプの製造方法として有用な発明である。In addition, the second invention uses a lead frame and an injection molded package, and does not require a molding matrix for resin sealing, so the L
This invention exhibits an excellent effect in that it is possible to mass-produce ED lamps, is inexpensive to manufacture, and is useful as a highly reliable method for manufacturing LED lamps.
第１．２図は本箱−発明を具体化した一実施例を示し、
第１図はＬＥＤランプの斜視図、第２図はその縦断面図
である。また、第３図は本箱−発明の別例を示す分解斜
視図である。さらに、第４〜８図は本第二発明を具体化
した一実施例を示し、第４図はリードフレームを示す斜
視図、第５図はその上端部拡大斜視図、第６図は樹脂台
を示す斜視図、第７図は一製造工程を示す斜視図、第８
図はＬＥＤランプの縦断面図である。
１１１８・・パッケージ、２．１６・・形量３．１１
・ ・外部リード、４．１３ ・ ・Ｌ Ｅ Ｄランプ
、８．１５・・樹脂台、１０・・リードフレーム。
】６Figure 1.2 shows a bookcase - an embodiment embodying the invention;
FIG. 1 is a perspective view of the LED lamp, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view thereof. Moreover, FIG. 3 is an exploded perspective view showing another example of the book case of the invention. Furthermore, Figs. 4 to 8 show an embodiment of the second invention, in which Fig. 4 is a perspective view showing a lead frame, Fig. 5 is an enlarged perspective view of its upper end, and Fig. 6 is a resin stand. Fig. 7 is a perspective view showing one manufacturing process; Fig. 8 is a perspective view showing one manufacturing process;
The figure is a longitudinal cross-sectional view of an LED lamp. 1118...Package, 2.16...Shape 3.11
・・External lead, 4.13 ・・LED lamp, 8.15・・Resin stand, 10・・Lead frame. ]6
Claims (1)
）に設けられた彫子（２）内に取着された一対の外部リ
ード（３）と、前記一対の外部リード（３）の一方にボ
ンディングされたＬＥＤチップ（４）と、前記ＬＥＤチ
ップ（４）と他方の外部リード（３）との間に接続され
たリード線（５）と、前記樹脂パッケージ（１）の発光
面に塗布形成された封止樹脂（７）とからなるＬＥＤラ
ンプ。 ２、前記樹脂パッケージ（１）は射出成形された一対の
樹脂台（８）を互いに接合したものである特許請求の範
囲第１項記載のＬＥＤランプ。 ３、前記樹脂パッケージ（１）の発光面の少なくとも一
部にはテーパ状の反射面（６）が形成されている特許請
求の範囲第１項または第２項のいずれか１項に記載のＬ
ＥＤランプ。 ４、（ａ）少なくとも一対の外部リード（１１）を互い
に隣接するように接続してなるリードフレーム（１０）
の一方の外部リード（１１）にＬＥＤチップ（１３）を
ボンディングするとともに、前記一方の外部リード（１
１）に隣接する他方の外部リード（１１）と前記ＬＥＤ
チップ（１３）との間にリード線（１４）を接続する工
程、（ｂ）対向する一対の樹脂台（１５）の少なくとも
一方の対向面に形成された彫子（１６）内に前記外部リ
ード（１１）を取着するとともに、前記対向面同士を接
合して樹脂パッケージ（１８）を形成する工程、 （ｃ）前記樹脂パッケージ（１８）の発光面を樹脂封止
する工程、 からなることを特徴とするＬＥＤランプの製造方法。 ５、前記リードフレーム（１０）はプレス成形された複
数対の外部リード（１１）からなるものである特許請求
の範囲第４項記載のＬＥＤランプの製造方法。 ６、前記樹脂台（１５）はいずれも同一の金型にて射出
形成されたものである特許請求の範囲第４項記載のＬＥ
Ｄランプの製造方法。[Claims] 1. A resin package (1);
), a pair of external leads (3) attached to a chisel (2) provided in the LED chip (4), and an LED chip (4) bonded to one of the pair of external leads (3); 4) and the other external lead (3), and a sealing resin (7) formed by coating on the light emitting surface of the resin package (1). 2. The LED lamp according to claim 1, wherein the resin package (1) is a pair of injection molded resin bases (8) joined together. 3. The L according to claim 1 or 2, wherein at least a part of the light emitting surface of the resin package (1) is formed with a tapered reflective surface (6).
ED lamp. 4. (a) A lead frame (10) formed by connecting at least one pair of external leads (11) so as to be adjacent to each other.
An LED chip (13) is bonded to one external lead (11) of the external lead (11).
1) and the other external lead (11) adjacent to the LED
(b) Connecting the lead wire (14) to the chip (13), (b) connecting the external lead in the engraving (16) formed on at least one opposing surface of the pair of opposing resin bases (15); (11) and joining the opposing surfaces to form a resin package (18); (c) sealing the light emitting surface of the resin package (18) with resin. Characteristic method for manufacturing LED lamps. 5. The method of manufacturing an LED lamp according to claim 4, wherein the lead frame (10) comprises a plurality of pairs of press-molded external leads (11). 6. The LE according to claim 4, wherein the resin base (15) is injection molded using the same mold.
D-lamp manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069555A JPS62224986A (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Led lamp and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069555A JPS62224986A (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Led lamp and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62224986A true JPS62224986A (en) | 1987-10-02 |
Family
ID=13406102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61069555A Pending JPS62224986A (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Led lamp and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62224986A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234478A (en) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting diode |
| US6624491B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-09-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. | Diode housing |
| WO2007138696A1 (en) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Fujikura Ltd. | Light-emitting device mounting substrate, light-emitting device package body, display and illuminating device |
| KR100872140B1 (en) | 2007-12-28 | 2008-12-10 | (주)블루글라스코리아 | Led lamp module |
| JP2010157677A (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-15 | Jess-Link Products Co Ltd | Full-cover light emitting diode light bar and method of manufacturing same |
| KR101089541B1 (en) | 2009-11-09 | 2011-12-05 | 주식회사 케이엔지 | LED light producting method and system |
-
1986
- 1986-03-27 JP JP61069555A patent/JPS62224986A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02234478A (en) * | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting diode |
| US6624491B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-09-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. | Diode housing |
| US6858879B2 (en) | 1998-06-30 | 2005-02-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Diode housing |
| US7138301B2 (en) | 1998-06-30 | 2006-11-21 | Osram Gmbh | Diode housing |
| US7368329B2 (en) | 1998-06-30 | 2008-05-06 | Osram Gmbh | Diode housing |
| US7696590B2 (en) | 1998-06-30 | 2010-04-13 | Osram Gmbh | Diode housing |
| WO2007138696A1 (en) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Fujikura Ltd. | Light-emitting device mounting substrate, light-emitting device package body, display and illuminating device |
| US7977696B2 (en) | 2006-05-31 | 2011-07-12 | Fujikura Ltd. | Light-emitting element mounting substrate, light-emitting element package, display device, and illumination device |
| KR100872140B1 (en) | 2007-12-28 | 2008-12-10 | (주)블루글라스코리아 | Led lamp module |
| JP2010157677A (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-15 | Jess-Link Products Co Ltd | Full-cover light emitting diode light bar and method of manufacturing same |
| KR101089541B1 (en) | 2009-11-09 | 2011-12-05 | 주식회사 케이엔지 | LED light producting method and system |
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