JPS62207235A - イソプロペニルエ−テル又はエステル誘導体の製造方法 - Google Patents
イソプロペニルエ−テル又はエステル誘導体の製造方法Info
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- JPS62207235A JPS62207235A JP5006886A JP5006886A JPS62207235A JP S62207235 A JPS62207235 A JP S62207235A JP 5006886 A JP5006886 A JP 5006886A JP 5006886 A JP5006886 A JP 5006886A JP S62207235 A JPS62207235 A JP S62207235A
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Landscapes
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- Pyrane Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、種々の生理活性物質を製造するために用いる
中間体として有用なイソプロペニルエーテル又はエステ
ル誘導体の製造方法に関するものである。
中間体として有用なイソプロペニルエーテル又はエステ
ル誘導体の製造方法に関するものである。
モノフルオロイソプロペニルエーテル及びエステルにつ
いては、これまでにベンジルエーテルの合成例のみが報
告されている。そして、この方法では1.3−ジフルオ
ロ−2−プロパツールを対応するアルコキシドに変化さ
せた後、ベンジルプロミドを用いてエーテル化し、さら
に塩基を用いてフッ化水素を脱離させて目的とするモノ
フルオロイソプロペニルエーテル誘導体を合成していた
。
いては、これまでにベンジルエーテルの合成例のみが報
告されている。そして、この方法では1.3−ジフルオ
ロ−2−プロパツールを対応するアルコキシドに変化さ
せた後、ベンジルプロミドを用いてエーテル化し、さら
に塩基を用いてフッ化水素を脱離させて目的とするモノ
フルオロイソプロペニルエーテル誘導体を合成していた
。
しかしながら、この方法では反応工程が多く煩雑である
うえ、適応範囲もアルキルエーテルに限られるという問
題がある。
うえ、適応範囲もアルキルエーテルに限られるという問
題がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従って、本発明は簡易な手段で、かつ高収率でイソプロ
ペニルエーテル及びエステルを製造する方法を提供する
ことを目的とする。
ペニルエーテル及びエステルを製造する方法を提供する
ことを目的とする。
本発明は、1.3位にハロゲン又はアルキルスルホニル
オキシ基を有するイソプロピルエーテル又はエステルに
第4級アンモニウムフルオリドを作用させると容易にオ
レフィン化とフッ素の導入ができ、上記問題点を有効に
解決できるとの知見に基づいてなされたのである。
オキシ基を有するイソプロピルエーテル又はエステルに
第4級アンモニウムフルオリドを作用させると容易にオ
レフィン化とフッ素の導入ができ、上記問題点を有効に
解決できるとの知見に基づいてなされたのである。
すなわち、本発明は、一般式(I) :H2X
■
(式中、R1は炭化水素基、複素環基又はキル基を示す
)であり、Xはハロゲン又はアルキルスルホニルオキシ
基を示す。) で表わされるイソプロピルエーテル又はエステルl導体
に第4級アンモニウムフルオリドを作用させて、HX
(Xは上記と同じ意味を有する。)を脱離させることを
特徴とする一般式(■)=(式中、R,とXは上記と同
じ意味を有する。)で表わされるインプロペニルエーテ
ル又はエステル誘導体の製造方法、及び該生成物を第4
級アンモニウムフルオリドでフッ素化することを特徴と
する一般式(■): (式中、R,は上記と同じ意味を有する。)で表わされ
るイソプロペニルエーテル又はエステル誘導体の製造方
法を提供する。
)であり、Xはハロゲン又はアルキルスルホニルオキシ
基を示す。) で表わされるイソプロピルエーテル又はエステルl導体
に第4級アンモニウムフルオリドを作用させて、HX
(Xは上記と同じ意味を有する。)を脱離させることを
特徴とする一般式(■)=(式中、R,とXは上記と同
じ意味を有する。)で表わされるインプロペニルエーテ
ル又はエステル誘導体の製造方法、及び該生成物を第4
級アンモニウムフルオリドでフッ素化することを特徴と
する一般式(■): (式中、R,は上記と同じ意味を有する。)で表わされ
るイソプロペニルエーテル又はエステル誘導体の製造方
法を提供する。
本発明において出発原料として用いる一般式(1)で表
わされるイソプロピルエーテル誘導体、イソプロピルカ
ルバミン酸エステル誘導体は、例えば式(■): ll2X で表わされるハロ炭酸エステルや式(V):で表わされ
るスルホナートから容易に合成される。
わされるイソプロピルエーテル誘導体、イソプロピルカ
ルバミン酸エステル誘導体は、例えば式(■): ll2X で表わされるハロ炭酸エステルや式(V):で表わされ
るスルホナートから容易に合成される。
又、式(1)中、Xがアルキルスルホニルオキシ基であ
る化合物は、Xが−OHである対応する化合物にアルキ
ルスルホニルハライドなどを反応させて容易に合成され
る。
る化合物は、Xが−OHである対応する化合物にアルキ
ルスルホニルハライドなどを反応させて容易に合成され
る。
本発明においては、式(I)で表わされる化合物のうち
、式中のR1としては、炭素数1〜50のアルキル基、
炭素数6〜14の芳香族基、炭素数3〜13の複素環基
が好ましく、特に好ましくは、フェニル基、ベンジル基
、ナフチル基、テトラヒドロピラニル基、α−エトキシ
エチル基が例示される。式中のR2及びR3としては炭
素数1〜50のアルキル基が好ましい。又式中、Xとし
ては塩素及び臭素が好ましく、アルキルスルホニルオキ
シ基のアルキル基としては炭素数1〜7のものが好まし
い。
、式中のR1としては、炭素数1〜50のアルキル基、
炭素数6〜14の芳香族基、炭素数3〜13の複素環基
が好ましく、特に好ましくは、フェニル基、ベンジル基
、ナフチル基、テトラヒドロピラニル基、α−エトキシ
エチル基が例示される。式中のR2及びR3としては炭
素数1〜50のアルキル基が好ましい。又式中、Xとし
ては塩素及び臭素が好ましく、アルキルスルホニルオキ
シ基のアルキル基としては炭素数1〜7のものが好まし
い。
本発明では上記化合物(I)に第4級アンモニウムフル
オリドを作用させて下記の反応を行なうのである。
オリドを作用させて下記の反応を行なうのである。
ここで用いる第4級アンモニウムフルオリドとしては、
下記一般式(■): (式中、R1−R7は、炭素数1〜16のアルキル基、
アルケニル基又は芳香族基を示す。)で表わされる第4
級アンモニウムフルオリドを用いるのが好ましい。上記
式(Vl)において、R4−R1は同一でも異なってい
てもよく、特にR4−R7は炭素数1〜16のアルキル
基が好ましい。
下記一般式(■): (式中、R1−R7は、炭素数1〜16のアルキル基、
アルケニル基又は芳香族基を示す。)で表わされる第4
級アンモニウムフルオリドを用いるのが好ましい。上記
式(Vl)において、R4−R1は同一でも異なってい
てもよく、特にR4−R7は炭素数1〜16のアルキル
基が好ましい。
又、式中芳香族基としてはフェニル基、ベンジル基など
が好ましい。上記第4級アンモニウム塩として、具体的
には、テトラ(n−ブチル)アンモニウムフルオリド(
以下、TBAFという)、テトラエチルアンモニウムフ
ルオリド、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ペン
ジルトリメチルアンモニウムフルオリドが例示される。
が好ましい。上記第4級アンモニウム塩として、具体的
には、テトラ(n−ブチル)アンモニウムフルオリド(
以下、TBAFという)、テトラエチルアンモニウムフ
ルオリド、テトラメチルアンモニウムフルオリド、ペン
ジルトリメチルアンモニウムフルオリドが例示される。
本発明では、上記第4級アンモニウム塩を、カルバミン
酸エステルに対して、1.0〜10当量、好ましくは1
〜5当量の割合で存在させ、−10〜50℃の温度に3
〜48時間加熱して上記の反応を行なうのである。さら
に、上記反応は、テトラヒドロ7ラン(THF)ジエチ
ルエーテル、1゜4−ジオキサンなどの不活性溶媒の下
で行なうことができ、又、モレキュラーシーブを共存さ
せることが望ましい。
酸エステルに対して、1.0〜10当量、好ましくは1
〜5当量の割合で存在させ、−10〜50℃の温度に3
〜48時間加熱して上記の反応を行なうのである。さら
に、上記反応は、テトラヒドロ7ラン(THF)ジエチ
ルエーテル、1゜4−ジオキサンなどの不活性溶媒の下
で行なうことができ、又、モレキュラーシーブを共存さ
せることが望ましい。
尚、上記反応において、一般式(II)で表わされる化
合物を高収率で得るためには、反応を低温、例えば−1
O〜0℃で行なうのがよい。
合物を高収率で得るためには、反応を低温、例えば−1
O〜0℃で行なうのがよい。
本発明において上記反応を行なうに際し、一般式(I)
にふいてXがアルキルスルホニルオキシ基である化合物
を用いる場合には、Xが−OHである対応する化合物に
アルキルスルホニルハライド特に好ましくは炭素数1〜
7のアルキルスルホニルハライドを第4級アンモニウム
フルオリドとともに作用させることによって、対応する
化合物(■)及び(III)を容易に製造することがで
きる。
にふいてXがアルキルスルホニルオキシ基である化合物
を用いる場合には、Xが−OHである対応する化合物に
アルキルスルホニルハライド特に好ましくは炭素数1〜
7のアルキルスルホニルハライドを第4級アンモニウム
フルオリドとともに作用させることによって、対応する
化合物(■)及び(III)を容易に製造することがで
きる。
本発明によれば、1,3位にハロゲン又はアルキルスル
ホニルオキシ基を有するイソプロピルエーテル又はエス
テル誘導体から簡易な手段でかつ高収率でイソプロペニ
ルエーテル又はエステル誘導体を製造することができる
ので工業的な製法として極めてすぐれたものである。
ホニルオキシ基を有するイソプロピルエーテル又はエス
テル誘導体から簡易な手段でかつ高収率でイソプロペニ
ルエーテル又はエステル誘導体を製造することができる
ので工業的な製法として極めてすぐれたものである。
次に実施例により本発明を説明する。
実施例1
ドライバツク中、30mj!ナス型フラスコにテトラ(
n−ブチル)アンモニウムフルオリド・3水和物531
mg (Thx3)、モレキュ5−シー14 A 1.
0 gを入れ、さらに無水テトラヒドロフラン(THF
)5mlを加えた後、窒素気流下室温で攪拌した。その
後、反応液を0℃に冷却し1.3−ジブロモ−2−プロ
ビルジイソプロピル力ルバメー) 194mg (0,
562mモル)を加え、0℃で2時間攪拌した。次に、
反応液をシリカゲルで濾過し、モレキュラーシーブ4A
を除去し、酢酸エチルで生成物を抽出した。更に、抽出
液の溶媒を減圧下で留去し、残金をシリカゲルカラムク
ロマトにより精製したところ、l−(ブロモメチル)エ
チニルジイソプロピルカルバメート129mg(収$
86.9%)を得た。
n−ブチル)アンモニウムフルオリド・3水和物531
mg (Thx3)、モレキュ5−シー14 A 1.
0 gを入れ、さらに無水テトラヒドロフラン(THF
)5mlを加えた後、窒素気流下室温で攪拌した。その
後、反応液を0℃に冷却し1.3−ジブロモ−2−プロ
ビルジイソプロピル力ルバメー) 194mg (0,
562mモル)を加え、0℃で2時間攪拌した。次に、
反応液をシリカゲルで濾過し、モレキュラーシーブ4A
を除去し、酢酸エチルで生成物を抽出した。更に、抽出
液の溶媒を減圧下で留去し、残金をシリカゲルカラムク
ロマトにより精製したところ、l−(ブロモメチル)エ
チニルジイソプロピルカルバメート129mg(収$
86.9%)を得た。
NMR(C口α、) 61.26 (d、
6H、J=7.20Hz)3、70−4.20 (br
、 2h) 4.10 (S、 2H)4、86
−5.06 (m、 2h)実施例2 ドライバツク中、30m1ナス型フラスコにTBAF−
3水和物460mg (ThX 5 )及びモレキュラ
ーシーブ4 A 1.0 gを入れ、さらに無水THF
5mlを加えた後、窒素気流下室温で攪拌した。その後
、1.3−ジブロモ−2−プロビルジイソプロビル力ル
バメー) 100mg (0,2897mモル)を加え
、50℃で18時間加熱攪拌した。
6H、J=7.20Hz)3、70−4.20 (br
、 2h) 4.10 (S、 2H)4、86
−5.06 (m、 2h)実施例2 ドライバツク中、30m1ナス型フラスコにTBAF−
3水和物460mg (ThX 5 )及びモレキュラ
ーシーブ4 A 1.0 gを入れ、さらに無水THF
5mlを加えた後、窒素気流下室温で攪拌した。その後
、1.3−ジブロモ−2−プロビルジイソプロビル力ル
バメー) 100mg (0,2897mモル)を加え
、50℃で18時間加熱攪拌した。
次に、反応液をシリカゲルで濾過し、モレキュラーシー
ブ4Aを除去し、更に、濾液を水に注いだ後、酢酸エチ
ルで生成物を抽出し、水洗した。得られた酢酸エチル層
を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、濃縮し、残金をシ
リカゲルカラムクロマトにより精製したところ、1−(
フルオロメチル)エチニルジイソプロピル力ルバメー)
30mg(収率50.9%)を得た。
ブ4Aを除去し、更に、濾液を水に注いだ後、酢酸エチ
ルで生成物を抽出し、水洗した。得られた酢酸エチル層
を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、濃縮し、残金をシ
リカゲルカラムクロマトにより精製したところ、1−(
フルオロメチル)エチニルジイソプロピル力ルバメー)
30mg(収率50.9%)を得た。
NMR(CDα、) 51.26 (d、6H、J=7
.20Hz>3.60−4.16(br、 2B) 4
.86(d、 2H。
.20Hz>3.60−4.16(br、 2B) 4
.86(d、 2H。
J=46.80)1z)、5.04(不溶分S、 2)
1)実施例3 ドライバツク中、30mA’ナス型フラスコにTBAF
−3永和物741mg (Thx8.1 )及びモレ
キュラーシーブ4 A 1.4 gを入れ、さらに無水
THF3mlを加えた後、窒素気流下室温で攪拌した。
1)実施例3 ドライバツク中、30mA’ナス型フラスコにTBAF
−3永和物741mg (Thx8.1 )及びモレ
キュラーシーブ4 A 1.4 gを入れ、さらに無水
THF3mlを加えた後、窒素気流下室温で攪拌した。
その後、メタンスルホニルフルオリド113mg (T
hx 4 )と1−(1,3−ジヒドロキシ−2−プロ
ピルオキシ)ナフタレン63mg (0,2886mモ
ル)を加え、4時間加熱、還流した。
hx 4 )と1−(1,3−ジヒドロキシ−2−プロ
ピルオキシ)ナフタレン63mg (0,2886mモ
ル)を加え、4時間加熱、還流した。
次に、室温に冷却し、反応液をシリカゲルで濾過し、モ
レキュラーシーブ4Aを除去した後、ジエチルエーテル
で生成物を抽出し、更に、溶媒を減圧下で留去し、残金
を薄層クロマトで分離精製したところ、1−((1−(
フルオロメチル)エチニル)オキシ)すjフタシン28
mg (収率48.0%)を辱た。
レキュラーシーブ4Aを除去した後、ジエチルエーテル
で生成物を抽出し、更に、溶媒を減圧下で留去し、残金
を薄層クロマトで分離精製したところ、1−((1−(
フルオロメチル)エチニル)オキシ)すjフタシン28
mg (収率48.0%)を辱た。
J=46.801iz) 、7.10−8.07(+a
、 7H) 実施例4 1.3−ジブロモ−2−プロパツールのテトラヒドロピ
ランエーテルにTHF中4Aモレキュラーシーブス存在
下2.5当量のTBAF・3水塩を作用させ50℃で5
時間反応させた後、水処理しPLCにより分離精製した
ところフルオロイソプロペニルエーテルを69%の収率
で得た。又、原料を1,3−ジクロロ−2−プロパツー
ルのテトラヒドロビランエーテルに代えて反応を行なっ
たところ、フルオロイソプロペニルエーテルを46%の
収率で得た。
、 7H) 実施例4 1.3−ジブロモ−2−プロパツールのテトラヒドロピ
ランエーテルにTHF中4Aモレキュラーシーブス存在
下2.5当量のTBAF・3水塩を作用させ50℃で5
時間反応させた後、水処理しPLCにより分離精製した
ところフルオロイソプロペニルエーテルを69%の収率
で得た。又、原料を1,3−ジクロロ−2−プロパツー
ルのテトラヒドロビランエーテルに代えて反応を行なっ
たところ、フルオロイソプロペニルエーテルを46%の
収率で得た。
?
CH,F
NMR(CDα、) 61.20−1.88 (m、6
H)3、44−4.00 (m、 2H) 4、36−4.48 (m、LH) 4、48−4.56 (m、 IH) 4.72 (d、28. J=46.8Hz)5.16
−5.32(n、 IH) 実施例5 原料の種類をいろいろかえて、実施例2と同様の条件で
反応を行なった。結果をまとめて表−1に示す。
H)3、44−4.00 (m、 2H) 4、36−4.48 (m、LH) 4、48−4.56 (m、 IH) 4.72 (d、28. J=46.8Hz)5.16
−5.32(n、 IH) 実施例5 原料の種類をいろいろかえて、実施例2と同様の条件で
反応を行なった。結果をまとめて表−1に示す。
各生成物の同定データを下記に示す。
Nα1の生成物:
N1111([:[)α3):δ1.20(t、 3)
ISJ=7.20Hz)1.42(d、 3H,J=5
.40Hz)3.52(q、 2HS Jニア、20
Hz)4、24−4.40 (m、 2fl)4.68
(d、 2H,J=46.8tlz)5.20(q、
IH,J=5.4011z)Nα2の生成物: NMR(CDCj+) :δ4.16−4.30(m、
HIL4JO−4,40(m、 1)1)、4.77
(d、 2HSJ=46.8Hz>、4.81(3,2
旧、7.36 (brs。
ISJ=7.20Hz)1.42(d、 3H,J=5
.40Hz)3.52(q、 2HS Jニア、20
Hz)4、24−4.40 (m、 2fl)4.68
(d、 2H,J=46.8tlz)5.20(q、
IH,J=5.4011z)Nα2の生成物: NMR(CDCj+) :δ4.16−4.30(m、
HIL4JO−4,40(m、 1)1)、4.77
(d、 2HSJ=46.8Hz>、4.81(3,2
旧、7.36 (brs。
5H)
Nα3の生成物:
NMR(CDαa) :δ1.16(t、6HSJ=7
.201(z)、3、32 (q、 4H1J=7.2
0Hz)、4.8(i(d、 2N、 J=46.80
Hz>、5、04 (m、 2H) Nα4の生成物:
.201(z)、3、32 (q、 4H1J=7.2
0Hz)、4.8(i(d、 2N、 J=46.80
Hz>、5、04 (m、 2H) Nα4の生成物:
Claims (2)
- (1)一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
( I ) (式中、R_1は炭化水素基、複素環基又は▲数式、化
学式、表等があります▼で示される基(R_2及びR_
3はアルキル基を示す)であり、Xは、ハロゲン又はア
ルキルスルホニルオキシ基を示す。) で表わされるイソプロピルエーテル又はエステル誘導体
に第4級アンモニウムフルオリドを作用させて、HX(
Xは上記と同じ意味を有する。)を脱離させることを特
徴とする一般式(II):▲数式、化学式、表等がありま
す▼・・・・・・・・・(II) (式中、R_1とXは上記と同じ意味を有する。)で表
わされるイソプロペニルエーテル又はエステル誘導体の
製造方法。 - (2)一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
( I ) (式中、R_1は炭化水素基、複素環基又は▲数式、化
学式、表等があります▼で示される基(R_2及びR_
3はアルキル基を示す。)であり、Xはハロゲン又はア
ルキルスルホニルオキシ基を示す。) で表わされるイソプロピルエーテル又はエステル誘導体
に第4級アンモニウムフルオリドを作用させて、HX(
Xは上記と同じ意味を有する)を脱離させた後フッ素化
することを特徴とする一般式(III): ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
(II) (式中、R_1は上記と同じ意味を有する。)で表わさ
れるイソプロペニルエーテル又はエステル誘導体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5006886A JPS62207235A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | イソプロペニルエ−テル又はエステル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5006886A JPS62207235A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | イソプロペニルエ−テル又はエステル誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62207235A true JPS62207235A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12848677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5006886A Pending JPS62207235A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | イソプロペニルエ−テル又はエステル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62207235A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011173830A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Nippon Zeon Co Ltd | アルキンの製造方法及び2−ブチンの精製方法 |
JP2013510149A (ja) * | 2009-11-03 | 2013-03-21 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | ビニルエーテル化合物並びにそれらの製造及び使用方法 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP5006886A patent/JPS62207235A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013510149A (ja) * | 2009-11-03 | 2013-03-21 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | ビニルエーテル化合物並びにそれらの製造及び使用方法 |
JP2011173830A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Nippon Zeon Co Ltd | アルキンの製造方法及び2−ブチンの精製方法 |
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