JPS62195512A - 表面粗さ測定方法 - Google Patents

表面粗さ測定方法

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JPS62195512A
JPS62195512A JP3808386A JP3808386A JPS62195512A JP S62195512 A JPS62195512 A JP S62195512A JP 3808386 A JP3808386 A JP 3808386A JP 3808386 A JP3808386 A JP 3808386A JP S62195512 A JPS62195512 A JP S62195512A
Authority
JP
Japan
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light
reflected light
surface roughness
roughness
fiber cable
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Pending
Application number
JP3808386A
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English (en)
Inventor
Koji Yoshida
浩二 吉田
Suguru Motonishi
本西 英
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Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP3808386A priority Critical patent/JPS62195512A/ja
Publication of JPS62195512A publication Critical patent/JPS62195512A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、複写機用感光アルミドラムやビデオディス
クなどのように精密加工された被測定物の表面粗さを光
学的検出に基いて測定するための表面粗さ測定方法に関
する。
(従来の技術とその問題点) 複写機用感光アルミドラムなどにおいては、その表面を
精密加工することによって表面の粗さを所定値以下とす
る必要があり、そのための表面粗さ測定が従来から行な
われている。このような測定のうち、非破壊測定方式と
して代表的なものは光学方式である。この方式では、ま
ず光源からの光を被測定物の表面に照射づ゛るとともに
、この光が被測定物の表面で反射されることによって冑
られる反射光の空間的強度分布を光電変換素子アレイな
どにJ:って検出する。そして、被測定物の表面加工法
ごとにあらかじめ経験的に求めておいた反射光の空間的
強度分布と表面粗さとの関係に基いて、当該被測定物の
表面粗さを推定する。このiff定は、たとえば反m光
の空間的強度分布の形態を指示づるパラメータ(分散、
半値幅等)を抽出し、このパラメータを上記経験的関係
にあてはめることにより行なわれている。
したがって、このような従来方式では、■経験的なデー
タを使用していること、■限られたパラメータのみで粗
さの推定を行なっていることなどに起因して、その推定
精度は二乗平均平方根値(以下、RMSと略称する)と
して005μmが限度である。ところが、現在では上記
感光ドラムなどの表面粗さとしてnlオーダーのy!度
が要求されており、上記のような方式によってはこのよ
うな高精度の粗さ測定を行なうことは困難であるという
問題が存在する。
(発明の目的) この発明は従来技術に43ける上述の問題の克服を意図
しており、高精度で表面粗さの非破壊測定を行<Aうこ
とのできる表面粗さ測定方法を提供することを目的とす
る。
(目的を達成するための手段) ヒ)ホの目的をj構成するため、この発明にかかる表面
粗さ測定方法では、まず、被測定物の表面からの反射光
を受光する受光手段によって、前記反射光の空間的強度
分布を検出する。次に、この空間的強度分布を形成する
各光強度成分から被測定物表面の形状についての各フー
リエ係数を求め、そして、各フーリエ係数の二乗和の平
方根に応じた量を求めることによって上記表面の粗さを
測定する。
これは、後述するように、反射光の空間的強度分布を形
成する各光強度成分が、被測定物の表面形状のフーリエ
係数に対応していることと、表面粗さのRMSが各フー
リエ係数の二乗和の平方根に応じた社によって表現され
ることとに着目して得られる構成である。
(実施例) A、実l匙立上入ヱ11 第1図はこの発明の一実施例に用いられる装置の概略平
面構成図である。同図において、被測定物としてのアル
ミドラム1は、その軸方向が図のX方向に平行に配置さ
れており、モータM1によってα方向に回転するように
なっている。また、この上−タM1が取付けられた移動
台2は、モータM2と送りネジ3とによって、固定台4
上で上記X方向に移動可能となっている。
−・方、このX方向に対して所定角度θ(たとえば45
°)傾いた方向には、レーザ光源5(たとえば出力6m
W、  632.8nmのl−18−NQレーザ)が設
【ノられており、このレーザ光源5からのレーザビーム
しは上記角度θを入射角として、アルミドラム1の表面
に照射される。したがって、 ルミドラム1の上記α方
向の回転とX方向の並進とを行ないつつレーザビームL
を照射することによって、このアルミドラム1の全表面
がレーザビームLによって順次走査されることになる。
アルミドラム1に照射されたレーザビーム[は、このア
ルミドラム1の表面で反射されて反射光Rとなる。この
反射光Rは、入射レーザビームLと対称的に反射角0で
反射される正反射光R6と、この正反射光Roとは胃な
る各方向に散乱されろ散乱光R′とによって形成されて
いる。ただし、アルミドラム1の表面は精密加工されて
いるためにその粗さはわずかであり、したがって、正反
射光R8の強度は散乱光R′の強度に比べて著しく大き
い。
このようにして得られた反射光Rは、正反射光Roの進
行方向に直角な面内に受光端〈受光面)6を有する光フ
ァイバケーブル7で受光される。
この光ファイバケーブル7のうち、上記受光端6側の端
部は、移動台8に固定されており、この移動台8は、図
のYh向に伸びる固定台9上に設けられたモータM3と
送りねじ10とによって上記Y方向に移動する。このY
方向は正反射光R6の進行方向と直角な方向であるが、
一般には、反射光Rを受光可能な範囲で直角方向からず
れてもよい。このため、光ファイバケーブル7の受光端
8は上記移!lI機構によってY方向に移動しつつ、反
射光Rの各方向成分を順次受光することが可能となって
いる。
このような受光によって惇られた検出光は光ファイバケ
ーブル7中を伝送されて、この光ファイバケーブル7の
他の端面11から導出される。この端面11は光電変換
器12内に開口しており、この端面11から導出された
検出光は、光電変換器12に内蔵された光電子増倍管1
3に与えられて光検出電流I、となり、光検出回路14
に与えられる。この光検出回路14は、上記光電子増倍
管13に印加電圧(−V、、)を供給するとともに、入
力された光検出電流!、を光検出電圧E0に変換する機
能を有し、上記光電子増倍管13等とともに光検出装f
f120を形成している。そして、この実施例では、光
検出装置20として広いグイナミックレンジを確保する
ことができる新規な装置を使用してJ3す、その内部構
成は後に詳述する。
光検出回路14からの光検出電圧E。はA/Dコンバー
ター5によってA/D変換された後、当該受光位置にお
ける反射光Rの強度を反映した検出信号Eとなってマイ
クロコンピュータMCに入力される。このマイクロコン
ビコータMCは、各受光位nについての検出信号Eに基
いて後述する演つ処理を行ない、それによってアルミド
ラム1の表面粗さのRMSを表現する信号Rを求め「m
S て、これに応じた測定出力を出力する。
また、このマイクロコンビコータMCは、上述した各モ
ータM、M2.M3に駆動指令を与え、さらに、これら
のモータM  、M  、M3の回転角を検知するエン
コーダE  、E  、E  (図示せず)からの1ン
コ一ド信号を受入れることによって、アルミドラム1と
光ファイバケーブル7の受光端6とのそれぞれの送りυ
制御を行なう機能をも有する。レーザ光源5の出力発生
/f’F止もこのマイクロコンピュータMCによって制
御される。
、−を例の全体的動作 次に、第1図の装置の全体的動作を、第2図に示した7
0−ヂャートを参照しつつ説明する。まず、アルミドラ
ム1をモータM2によって図のX方向に移動させ、この
アルミドラム1の検査部の=92(たとえば第1図示の
Pl)にレーザビームLが入射するような位置関係とな
るように初期化する。また、モータM3によって光ファ
イバケーブル7の受光端6をY方向の一端(たとえば図
示(7)Fl)に移動させて初期化する。
そして、レーザ光源5からレーザビームLの照射を開始
させ、モータM3によって光ファイバケーブルの受光端
6をY方向に移動させつつ、受光端6に受光した光を所
望の時間間隔でサンプリングして検出光として取込み、
受光位置と対応させてメモリ(図示せず)中に格納する
。この動作は受光端6が順次Y方向に移動して他端F2
に至るまで繰返し行なわれる。したがって、受光端6が
F からF2まで移動した時点では、アルミドラム1の
被検査表面のうちレーザビームLが照射されている部分
くレーザビームLのスポットの大きさと同一の大きさの
領wL)からの反射光Rの空間的強度分布が検出される
次に、このようにして得られたデータに基いてRの演算
(第2図のステップS)が行41−ねれlll5 るが、この演算については後に詳しく説明する。
そして、このようにして得られたR  が所定のams しきい1ill R、、、と比較・弁別され、R≧R1
11なats らぽアルミドラム1の表面が要求される下滑度を満して
いないものとして、加工不十分を指示する信号を発生し
、ルーチンを終わる。
一方、Rrm、〈RlHならば、レーザビームLが照射
されている領域は要求されている平滑度を有しているこ
とになるため、モータM1によってアルミドラム1を所
定微小角度だけ回転させ、また1−タM2によってX方
向に所定微小ff1lllだけ並進さけて次の検査領域
に移り、同様の動作を繰返す。この回転・並進動作とデ
ータ取込みvJ作との時間的関係としては次のような種
々の関係を適宜採用可能である。
■ アルミドラム1を所定微小角度ずつ回転させ、36
0°回転した段階で所定微小距離だ【ノ並進させる。
■ 回転と並進とを同時に行なう。
■ 第2図のようにひとつの点(領域)についてのデー
タ取込みを行ない終ったごとに歩道的に回転・並進を行
なうのではな(、回転・並進をゆっくりと連続的に行な
いつつデータ取込みを比較的高速で行なう。
また、光ファイバケーブル7の受光端6のY方向の移動
も、第2図のように毎回F1の位置まで戻してからF2
に向って移動させつつデータを取込むことも可能であり
、最初はF1→F2でデータを取込み、次はF →「1
の方向に移動させつつデータを取込むというように、移
動方向を交互に代えてデータ取込み時間の総呂1を減少
さけることも可能である。
このような繰返しを行ない、レーザビームしの照射点が
アルミドラム1の他端に至り、かつその間にR≧RTH
となっている領域がなければこms の測定は完了し、製品合格とする。
c、 rでMSp支腹ユ亙9 次に、取込まれた反射光空間強度分子fiデータから、
アルミドラム1の表面の空間的粗さを表現するRMS粗
さを演算して求める処理の原理を説明づる。そのために
、まず、アルミドラム1からの反射光のうち、空間周波
数ωを持った凹凸成分からの光強度成分U(ω)が、ア
ルミドラム1の表面形状f(×)に対して、 のようなフーリエ変換となっていることに着目する。た
だし、この(1)式において、 X=第1図のX方向の位置変数、 [−9,−1]=アルミドラム1上の空間的測定範囲、 λ−レーザビームLの波長、 である。また、空間的測定範囲[−g、+9]は、この
実施例ではレーザビームLのスポット(〒の大きさに対
応する。
なお、レーザビーム[−の波長λに比べてf(x)が小
さいときには、(1)式の′#!i積分関数:exp[
i畠 f(X)] ル と近似することができる。
一方、表面形状f(x)をフーリエ係数によって表現す
れば f(x)=Σ A  5in(2πnxz!+ξ。)が
、n ・・・(3) となる。ただし、A はフーリエ係数、ξ。は位相成分
である。したがって、(3)式により、RMとなる。
このため、第1図の装置によって求められた反射光Rの
空間的強度分布に含まれる各光強度データU(ω)に基
いてフーリエ係数Anを求めれば、(4)式によってR
MS粗さRを求めることがmS できろ。なお、第1図の装置では、受光位13(受光端
6のY方向位rfI)と対応させて各光強度データ(」
(ω)を取込んでいるため、この受光位置とωとの対応
関係を知ることが必要になるが、これは光の回折の理論
から容易に導くことができ、その結果は次のようになる
、=為、aすL 九  l。
ただし、この式において、yは正反射光(鏡面反射光)
Roの受光位置を基準とした場合の第1図のY方向の受
光位置偏位であり、ノ。は、アルミドラム1の測定面(
レーザビームLの照射点)から受光端6のY方向移lJ
1軒路までの距I!1lI(垂線の足の長さ)である。
さらに、φはアルミドラム1の表面の法線を基準どして
測ったレーゾビ−1\Lのアルミドラム1への入)1角
であり、第1図の0−ニー とはφ−θの関係にある。また、既述したように、λは
レーffピ〜ムLの波長である。
ところで、(」(ω)とΔ。との関係は理論的に求める
ことも可能ではあるが、この実施例では、実際の装置の
特性をより正確に反映させるために、あらかじめ実験的
に求めておいた対応関係を用いて、U(ω)からA、を
求めるようにする。第3図はこのような対応関係を第1
図の装置について実験的に求めて得たグラフであって、
U(ω)を検出して1qられる検出信号E(第1図)を
、正反射光R8を検出して得られる検出信号E8で規格
化して求められる光強度の相対(1m(」′(ω)から
、フーリエ係数A。を求めるためのものである。
ここで、検出信号Eが光強度U(ω)に比例しておらず
、はぼ対数関係となっているのは、光検出′SIt置2
0として新規な装置を使用しているからである。そこで
、以下では、この光検出装置20の構成と動作特性につ
いて説明する。
B、  負用1置20の構成と動作特性第4図は、光検
出装′f120の内部構成を示す回路図である。同図に
おいて、この装置は上述した光電子増倍管13と検出回
路14とを備えている。
この装置において、第1図の光ファイバケーブル7から
の被検出光ρが光電子増倍管13に入力されると、この
光電子増f8 ?! 13からは、被検出光1の光1i
S (光強度)に応じた光検出電流I、が出力される。
この光検出電流■、は、検出回路14内の電流/電圧変
換器21によって光検出電圧E0に変換され、端子22
から第1図のA/Dコンバータ15へと出力される。
一方、この光検出電圧E は、抵抗R,R2の直列回路
にも印加され、これらの抵抗R1゜R2によって分圧さ
れてスイッチSWに与えられる。このスイッチSWがオ
ート(A)側に接続されているときには、この電圧が制
御電圧l二cとして高圧電に!23に与えられる。この
高圧電源23は、光電子増倍管13への印加電圧(−V
Hlを供給するためのものであって、制御電圧E。が増
加すると印加電圧の大きさvI+が減少するような特性
を右するように構成されている。
このため、被検出光1の光量が増加して光検出電圧E。
が大きくなると、制i電圧E。は増大し、それによって
印加電圧(−V、、)の絶対値が減少する。その結果、
この光検出装はの感度は低下する。逆に、被検出光pの
光量が減少すると、上記と反対の動作によって印加電圧
(−V、、)の絶対値は上昇し、感度もそれにつれて上
昇する。
すなわち、この装Uでは、光検出電圧Eoの大ぎさに応
じて印加電圧(−V、)を変化さ往るような回路が形成
されており、それによって、被検出光pの光量に応じて
感度を自動的に変化させている。これによって光量が大
きな領域での光検出電圧E。の変化mが圧縮され、後に
詳述するようにこの装置のダイナミックレンジが広がる
わけである。
一方、この装置では、スイッチSWをマニュアル(M)
側に切換えることによって、任意の感度を下動で選択で
きるようにも構成されている。つまり、マニュアル側で
1よ、接地レベルと定電圧(−Vo。>との間を抵抗R
3と可変抵抗VR1とで分圧し、この分圧レベルを制御
電圧E。として高圧電源23に与えるように構成されて
いる。そして、この可変抵抗VR1を調整することによ
ってυl1il雷圧「。を変化させる。それによって光
電子増倍管13への印加電圧(−V、、)を所望の値に
設定し、光検出感度を所望の感度に調整する。
そこで、以下では、上記オート(A)が選択されている
際のダイナミックレンジを定量的に評価する。まず、光
電子増倍管13の入射光示をQとし、?B流/雷圧変換
器21のゲインをGとする。
すると、上記光検出電圧F。は、次の(5)式のように
pける。
Eo=GQVtl           ”’(5)た
だし、kは光電子増倍管13における印加電圧の絶対航
VHと光検出電圧I、との間の関係を示す特性ff1(
定数)であって、一般に6〜8の値をとる。
一方、抵抗R,R2による分圧比を r=R2/ (R1+R2)      ・(6)とす
ると、高圧電源23に与えられる制御電圧E、は、 E  =rEo            ・・・(7)
と書ける。また、高圧電源23として、その1111 
tll電圧ECと出力電圧■11との間に次の(8)式
で示される関係を有するものを用いる。
−V、=V−tE。        −・・(8)ただ
し、■、tは定数であって、V=−1100゜t=−7
00程度のものが商業的に入手可能である。
上記(5)、 (7)、 (81式によって、入射光量
Qと光検出電圧E。どの間には、次の(9)式で示され
る関係が存在することになる。
k   ・・・(9) E  = G Q (t r E o  V )ここで
、この装置によって検出可能な光量範囲と出力電圧範囲
とを、それぞれ、 Q1≦Q≦Q2          ・・・(10)E
ol”O≦EO2・・・(11) とする。ただし、EolはQlに対応する光検出電圧値
であり、Eo2はQ2に対応する光検出値電圧値である
。そして、Qlと02との間にはQ2−10 Ql  
       ・・・(12)なる関係が存在するもの
とする。したがって、このmを求めれば、この装置のダ
イナミックレンジがわかることになる。
そこでまず、(9)式にQ=Q、Q2の2つの場合の1
直を代入すると、次の(13)、 (14)式が1ワら
れる。
E  =G10  Q  (trEo2−V)k・・・
(14) したがって、EO2とE。1との比をCとすれば、ここ
で、QがQlから02へと10 倍になったときに、E
oがm倍に変化するという条件、換言すれば、 E  =mEo、           −(IG)で
あって、(Q、E)と(Q、Eo、2>との2つの端点
の間に対数関係が存在するための条件を求める。
この条件は、(15)式においてc=mとすることによ
って得られ、その結果は次の(17)式となる。
この(18)式が、分圧比rとダイナミックレンジ20
m[dB]との関係を規定する式であり、E。2−3 
[V] 、V=−1100,t=−64317)値を有
する5A胃について、(18)式からrとmとの関係を
計算して図示したものが第5図である。この第5図から
れかるように、分圧比rを大きくどろことによって、こ
の装置のダイナミックレンジは署しく増大する。したが
って、第4図の抵抗R1、R2の比を(18)式によっ
て求めることにより、所望の大ぎさを持つダイナミック
レンジ(たとえば140[dB]以上)を確保すること
ができる。
第6図の曲線Cはr=0.5、m=7の場合における、
この実施例の入出力特性曲線であり、(Q  、 E 
 )、  (Q  、 Eo2)の2点間で対数関係が
成立するという条件を課したことによって、Q ≦Q≦
02の区間内は、はぼ対数関係L Gに沿った特性曲線
となっている。
また、第7図には、高圧電源23として第8図の特性曲
線を有するものを使用し、さらに、光電子増倍管1とし
てはに=7.2の値を右するらのを、また、電流/電圧
変換器21としては、G=3X104のゲインをもつ乙
のを使用した場合に、「゛を0.3. 0.4および0
.5に変化させたときの特性曲線が示されている。この
図からもわかるように、rを大きくするほどダイナミッ
クレンジは増大する。
ところで、通常の場合は、電流/電圧変換器21の出力
レンジ(上記の例ではO〜3 [V] )は固定されて
いるのであるから、rをあまり大きくして入射光ff1
Qのダイナミックレンジを必要以上に大きくすると、入
射光ff1Qが大きな領域での検出精度が低下してしま
う。このため、光測定の目的に応じた適正なダイナミッ
クレンジを与えるようにrを調整可能とすることが好ま
しい。そのためには、たとえば第4図の抵抗R2を可変
抵抗VR2に置換し、この可変抵抗VR2を調整するこ
とによってダイナミックレンジを可変とするように構成
すればよい。この場合には、可変抵抗VR2の指示目盛
として、(18)式によって計算されたダイブミックレ
ンジの値を表示しておけばより効果的である。
なお、第4図のスイッチSWをマニュアル(M)側に切
換えたときには、既に述べたように可変数D’t V 
R1で感度を変化させることができるが、この場合にも
指示目盛を設けておくことができる。
第9図は、上記回路を第1図の装置に使用した場合の検
出結果を、従来の装置での検出結果と対比して示す図で
ある。この第9図(a)〜(d)において、横軸は反射
光の反射方向く受光位置)に基いて決定されるアルミド
ラム1の表面の凹凸の空間周波数ωと、それに対応する
凹凸周期dとを示しており、縦軸は既述した規格化光強
度値U′(ω)を示している。
これらのうち、第9図(a)は従来の低感度検出装置に
よる検出結末であり、ピーク位置等は把握できるが、反
mパターンの微細p13Hはとらえられていない。また
第9図(b)は従来の高感度光検出装置にJ:る検出結
果であり、この場合には、ピーク付近の検出が困難であ
る。このため、従来の光検出装置を利用する場合には、
これら2種類を01用することが必要となる。
一方、第9図(c)、(d)は第4図の装置による検出
結末であり、このうち、第9図(d)はアルミドラt\
1の表面に周11△のうねりが存在する場合に対応して
いる。これらかられかるように、この光検出装置20で
は高レベルを付近を圧縮した形で検出が行なわれるため
(この第9図(c)、 (d)の縦軸U(ω)は上述し
た条件によって対数スケールとなっていることに注意。
)、低レベル付近からのピークまでの広いレンジの高精
度光検出が可能となっていることがわかる。
E、RMSの粗さ演算処理における 水里以上の事項を
前提として、RMS粗さを求める処理(第2図のステッ
プS)の具体的プロセスを、第10図に示したフローチ
ャートを参照しつつ説明する。まず、第2図のステップ
S以前の処理によって検出光が取込まれ、反射光の空間
的強度分布の各成分U(ω)に応じた検出信号Eがマイ
クロコンビコータMCに与えられると、このマイクロコ
ンピュータMCは、第3図の対応関係を表現する演算処
理または、この対応関係をあらかじめストアしておいた
ルックアップテーブル方式のメモリによって各△。を求
める。もつとも、実際にはn=1.2.・・・ ooに
ついてA。が求まるわけではなく、光学系のアラインメ
ントや受光系の精度によって定まる最大11n  が存
在し、、 n −111ax 2、・・・、n  までの範囲で△。が求まるわけでa
+aX あるが、一般にnが大さべなるほどΔ。は小さくなるた
め、実際上はこれで十分である。
次に、6八。に基いて(4)式を計算し、各フーリエ係
数Δ。の二乗和の平方根に比例した値としてRを求める
。もつとも、この実施例では、mS 第2図に示したにうに、しきい値R111で弁別するこ
とによって当該アルミドラム1の表面平滑度判定を行な
うのであるから、Rそのものの値をags それに応じたしきい値(たとえばR1,)で弁別してし
よい。
F、実施例の効果と づ 第11図は、上記実施例の装置によって求めたR  ど
、触針式粗さシ1によって測定したRMSmS 粗さとの関係を示すグラフである。このグラフかられか
るように、この装置によって求められたRrisは、触
針式粗さ計による測定値(実際のRMS粗さにほぼ一致
している。)に対して0.005μmの範囲で良く一致
していることがわかる。したがっC1この実施例では高
精度の非破壊測定が行なわれることになる。
ところで、上記実施例では、光ファイバケーブル7を使
用して走査を行ないつつ反射光Rの空間的強度分布を検
出している。周知のように光ファイバケーブルはその良
さを任意にとることができるほか、軽量で柔軟性を有し
ているため、このようにすることによって走査も容易と
なり、光検出′@装20ヤマイクロコンピュータMCな
どの配置の自由度も高めることができる。しかしながら
、この発明は、光ファイバケーブルの使用を必須とする
ものではなく、受光素子を移動させて走査したり、CO
Dなどの1次元alt素子アレイによって反射光の強度
分布を検出する場合も含んでいる。
受光手段中に含まれる光検出回路として上記の構成を用
いれば、ダイナミックレンジが広がるために単一の光検
出系のみでこの発明を構成することができるという利点
があるが、低感度と高感度との2種類の光検出系を併用
して反射光の強度分布を求めることを禁するものではな
い。
さらに、上記実/I!例では1次元方向でのRMS粗さ
を求めたが、上記の例を変形することによって2次元的
なRMS粗さを求めることも可能である。上記実施例の
ように、光源としてレーザ光源を使用すれば、光源、被
検査体そして受光手段の間の間隔を十分に大きくとるこ
とができるため、オンライン計測に特に適したものとな
る。もつとム、オフライン計測にもこの発明は適用でき
る。
まIζ、反射光の強度分布データを完全に取り終ってか
らRを求めてしよいし、データの取込ats みと並行してRを求めて行ってもよい。
lll5 (発明の効!l!り 以上説明したように、この発明によれば、反射光の?間
約強度分布から求められた表面形状のフーリー王係数に
丼いて表面粗さのRMSに応じた伍を求めているため、
高精度で表面粗さの非破壊測定を(jなうことができる
方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に用いられる装置の概略平
面構成図、 第2図は実施例における全体的動作を示す〕[」−チャ
ート、 第3図は検出された反射光の光強度と被検査体表面の形
状のフーリエ係数との関係を示すグラフ。 第4図は実施例に使用される光検出装置2oの回路図、 第5図ないし第7図は光検出装置2oの特性を示すグラ
フ、 第8図は高圧電源23の特性例を示すグラフ、第9図は
光検出袋′Fi20を用いて反射光の空間的強度分布を
検出した際の検出値を従来の光検出装置との対比によっ
て示す図、 第10図は実施例におけるRMSIIさの演算処理を示
すフローチャート、 第11図は実施例によるRMS粗さの測定値を触針式粗
さ計による測定値と比較して示すグラフである。 1・・・アルミドラム(被検査体)、 5・・・レーザ光源、 7・・・光ファイバケーブル、
20・・・光検出装置、L・・・レーザビーム、R・・
・反射光

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源からの光を被測定物の表面に照射し、前記表
    面からの反射光を検出して前記表面の粗さを測定する表
    面粗さ測定方法であって、 前記反射光を受光する受光手段によって前記反射光の空
    間的強度分布を検出し、 前記空間的強度分布を形成する各光強度成分から前記表
    面の形状についての各フーリエ係数を求め、 前記各フーリエ係数の二乗和の平方根に応じた量を求め
    ることによって、前記表面の粗さを測定することを特徴
    とする表面粗さ測定方法。
  2. (2)前記受光手段として、前記反射光を受光して伝送
    する光ファイバケーブルと、前記光ファイバケーブルの
    受光端を前記反射光の進行方向とクロスする面内で移動
    させる移動機構と、前記光ファイバケーブルによって伝
    送された前記反射光を検出する光検出装置とを備える手
    段を使用し、前記光検出装置として、前記光ファイバケ
    ーブルによって伝送されてきた前記反射光を光電変換す
    る光電子増倍管と、前記光電子増倍間による光検出出力
    の大きさに応じて前記光電子増倍管への印加電圧を変化
    させる回路とを有する装置を使用した、特許請求の範囲
    第1項記載の表面粗さ測定方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007333745A (ja) * 2007-07-30 2007-12-27 Hitachi High-Technologies Corp パターン形状評価方法、評価装置、及び半導体装置の製造方法
CN103292747A (zh) * 2013-05-20 2013-09-11 北京大学 一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置
US10054434B2 (en) 2013-04-26 2018-08-21 General Electric Company Surface roughness measurement device

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