JPS6218976B2 - - Google Patents
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- JPS6218976B2 JPS6218976B2 JP56119550A JP11955081A JPS6218976B2 JP S6218976 B2 JPS6218976 B2 JP S6218976B2 JP 56119550 A JP56119550 A JP 56119550A JP 11955081 A JP11955081 A JP 11955081A JP S6218976 B2 JPS6218976 B2 JP S6218976B2
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- polishing
- crystal
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
- G11B9/07—Heads for reproducing capacitive information
- G11B9/075—Heads for reproducing capacitive information using mechanical contact with record carrier, e.g. by stylus
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
情報信号と対応するピツトが渦巻状あるいは同
心円状に配列されることによつて形成された記録
跡を備えている情報記録媒体円盤(デイスク)に
おける記録跡上に再生素子(ピツクアツプ)の再
生針の摺接面を摺接させ、記録跡中の情報信号を
再生針に設けられた電極部によつて静電容量値の
変化として検出することにより、デイスクに高い
記録密度で記録されている情報信号を再生するよ
うにした、いわゆる静電容量値の変化検出型の情
報記録再生方式は、デイスクにおける記録跡中の
情報信号の読取りが、再生針に設けた電極による
静電容量値の検出によつて行なわれるから、前記
した再生針に設ける電極の厚さ寸法を情報信号と
対応するピツト長さ(記録跡の延びている方向に
おけるピツトの大きさ)寸法に比べて充分に小さ
くして分解能を高めることができ、したがつて、
デイスクの回転数を低くしても情報信号の記録再
生が可能であるという特長を有する他に、多くの
他の利点が得られるために、その実用化研究が推
進されて来て、今や実用化の段階に迄達してい
る。
心円状に配列されることによつて形成された記録
跡を備えている情報記録媒体円盤(デイスク)に
おける記録跡上に再生素子(ピツクアツプ)の再
生針の摺接面を摺接させ、記録跡中の情報信号を
再生針に設けられた電極部によつて静電容量値の
変化として検出することにより、デイスクに高い
記録密度で記録されている情報信号を再生するよ
うにした、いわゆる静電容量値の変化検出型の情
報記録再生方式は、デイスクにおける記録跡中の
情報信号の読取りが、再生針に設けた電極による
静電容量値の検出によつて行なわれるから、前記
した再生針に設ける電極の厚さ寸法を情報信号と
対応するピツト長さ(記録跡の延びている方向に
おけるピツトの大きさ)寸法に比べて充分に小さ
くして分解能を高めることができ、したがつて、
デイスクの回転数を低くしても情報信号の記録再
生が可能であるという特長を有する他に、多くの
他の利点が得られるために、その実用化研究が推
進されて来て、今や実用化の段階に迄達してい
る。
ところで、情報信号が高密度記録されているデ
イスクは、記録跡間隔(トラツクピツチ)が小さ
く、かつ、デイスク面上での記録波長が著るしく
短いものとなされているから、デイスクからの情
報信号の読出しに使用される再生針は、その先端
部の形状寸法が微細なものであり、また、デイス
クは高い回転数で回転しているから、デイスクに
摺接して使用される再生針は、それが摩耗によつ
て使用に耐えなくなる迄の時間(寿命時間)が短
いものとなり易い。
イスクは、記録跡間隔(トラツクピツチ)が小さ
く、かつ、デイスク面上での記録波長が著るしく
短いものとなされているから、デイスクからの情
報信号の読出しに使用される再生針は、その先端
部の形状寸法が微細なものであり、また、デイス
クは高い回転数で回転しているから、デイスクに
摺接して使用される再生針は、それが摩耗によつ
て使用に耐えなくなる迄の時間(寿命時間)が短
いものとなり易い。
しかし、情報信号再生装置にとつて、再生針の
寿命時間が短かいために、ひんぱんに再生針の交
換が必要とされるという事態は決して望ましいも
のではないから、従来から再生針の長寿命化を図
るために種々の研究が行なわれて来ている。
寿命時間が短かいために、ひんぱんに再生針の交
換が必要とされるという事態は決して望ましいも
のではないから、従来から再生針の長寿命化を図
るために種々の研究が行なわれて来ている。
そして、前記した静電容量値の変化検出型再生
針は、それの長寿命化のために、少なくともデイ
スクと摺接する部分の構成材料が高硬度を有する
耐摩耗性材料となされるのであるが、前記の高硬
度を有する耐摩耗性材料としては、一般に、天然
ダイヤモンド、あるいは人造ダイヤモンドなどが
用いられ、それに所要の研削加工が研磨加工を施
こして、例えば第1図に示すような形態を有する
再生針が作られる。
針は、それの長寿命化のために、少なくともデイ
スクと摺接する部分の構成材料が高硬度を有する
耐摩耗性材料となされるのであるが、前記の高硬
度を有する耐摩耗性材料としては、一般に、天然
ダイヤモンド、あるいは人造ダイヤモンドなどが
用いられ、それに所要の研削加工が研磨加工を施
こして、例えば第1図に示すような形態を有する
再生針が作られる。
第1図はダイヤモンドの角柱を素材とし、その
素材に研磨加工を施こして電極形成面3、背面
4,5、導入面6,7などを形成させて得た再生
針1の一例のものの外形々状を示す斜視図であつ
て、この第1図示の再生針1において、電極形成
面3はダイヤモンドの角柱における結晶学的な基
準となる面2に対して角度θ(例えば15゜)だけ
傾斜されており、また、前記した面2と電極形成
面3には導電性薄膜8,8によつて電極部が構成
されている。
素材に研磨加工を施こして電極形成面3、背面
4,5、導入面6,7などを形成させて得た再生
針1の一例のものの外形々状を示す斜視図であつ
て、この第1図示の再生針1において、電極形成
面3はダイヤモンドの角柱における結晶学的な基
準となる面2に対して角度θ(例えば15゜)だけ
傾斜されており、また、前記した面2と電極形成
面3には導電性薄膜8,8によつて電極部が構成
されている。
前記の電極部の輪郭は、電極形成面3に隣接す
るる2つの背面4,5が研磨加工によつて形成さ
れることによつて定められる。なお、第1図にお
いてlは再生針の軸心であり、またl1は面2の中
心線、l2は電極形成面3の中心線であつて、前記
の線l1とl2とのなす角θが、面2と電極形成面3
とがなす前述の角度θである。
るる2つの背面4,5が研磨加工によつて形成さ
れることによつて定められる。なお、第1図にお
いてlは再生針の軸心であり、またl1は面2の中
心線、l2は電極形成面3の中心線であつて、前記
の線l1とl2とのなす角θが、面2と電極形成面3
とがなす前述の角度θである。
第1図に示す再生針1は、それの先端部付近に
おいて軸心lに直交する仮想平面で切つたときに
現われる各稜線3a,4a,6a,7a,5a
(第1図中で破線で示されている)は五角形を形
成し、また、稜線3aの中点と、稜線6aと7a
との交点とを結ぶ直線l3を考えた時に、2つの背
面4と5及び2つの導入面6と7とは、前記した
直線l3に対してそれぞれ結晶学的に略々対称な結
晶面になつている。
おいて軸心lに直交する仮想平面で切つたときに
現われる各稜線3a,4a,6a,7a,5a
(第1図中で破線で示されている)は五角形を形
成し、また、稜線3aの中点と、稜線6aと7a
との交点とを結ぶ直線l3を考えた時に、2つの背
面4と5及び2つの導入面6と7とは、前記した
直線l3に対してそれぞれ結晶学的に略々対称な結
晶面になつている。
さて、周知のように、ダイヤモンドは等軸晶系
に属する結晶体で、天然ダイヤモンドや人造ダイ
ヤモンドの代表的な結晶形態は、6面体、8面
体、12面体である。そして、前記したダイヤモン
ド結晶体において、6面体、8面体、12面体のダ
イヤモンドにおける結晶面は、それぞれ結晶学的
に定まつたものとなつている。
に属する結晶体で、天然ダイヤモンドや人造ダイ
ヤモンドの代表的な結晶形態は、6面体、8面
体、12面体である。そして、前記したダイヤモン
ド結晶体において、6面体、8面体、12面体のダ
イヤモンドにおける結晶面は、それぞれ結晶学的
に定まつたものとなつている。
すなわち、例えば6面体のダイヤモンド結晶体
における6つの面は、結晶学的にそれぞれ、(1
00),(010),(001),(100),(01
0),(001)のように個々に表記される結晶面
である。ところで、前記のように個々の結晶面と
して表記される前記6つの結晶面は、結晶の対称
性からそれらの各結晶面を{100}面というよ
うに総称する表記法を用いて表わすと記述に便利
であるから、以下の記載においては前記の表記法
に従つた結晶面の表記もとり入れられている。
における6つの面は、結晶学的にそれぞれ、(1
00),(010),(001),(100),(01
0),(001)のように個々に表記される結晶面
である。ところで、前記のように個々の結晶面と
して表記される前記6つの結晶面は、結晶の対称
性からそれらの各結晶面を{100}面というよ
うに総称する表記法を用いて表わすと記述に便利
であるから、以下の記載においては前記の表記法
に従つた結晶面の表記もとり入れられている。
また、前記のような結晶面の表記法に従うと、
8面体のダイヤモンド結晶体の結晶面は、{11
1}面のように総称され、また、12面体のダイヤ
モンド結晶体の結晶面は、{110}面のように
総称されることになる。
8面体のダイヤモンド結晶体の結晶面は、{11
1}面のように総称され、また、12面体のダイヤ
モンド結晶体の結晶面は、{110}面のように
総称されることになる。
第2図は、天然ダイヤモンドにおける代表的な
8面体のダイヤモンド結晶から再生針素材となる
ダイヤモンドの角柱を切り出す際の説明図であつ
て、この第2図において10は天然ダイヤモンド
の8面体結晶の全体符号、17は切り出されるダ
イヤモンド角柱の全体符号である。
8面体のダイヤモンド結晶から再生針素材となる
ダイヤモンドの角柱を切り出す際の説明図であつ
て、この第2図において10は天然ダイヤモンド
の8面体結晶の全体符号、17は切り出されるダ
イヤモンド角柱の全体符号である。
11,12,13,14は、ダイヤモンドの8
面体結晶10の4つの面であり、今、面11が
(111)の結晶面であるとすると、面12,1
3,14はそれぞれ(111),(111),(11
1)で表記される結晶面となる。なお、8面体の
ダイヤモンド結晶の各結晶面を{111}で総称
するという表記法については既述したとおりであ
る。
面体結晶10の4つの面であり、今、面11が
(111)の結晶面であるとすると、面12,1
3,14はそれぞれ(111),(111),(11
1)で表記される結晶面となる。なお、8面体の
ダイヤモンド結晶の各結晶面を{111}で総称
するという表記法については既述したとおりであ
る。
8面体のダイヤモンド結晶10から、再生針の
素材となされるダイヤモンド角柱を切り出す際の
従来例を示す第2図において、切出されるべき角
柱17は、ダイヤモンド結晶10における面11
と面12との稜線16に平行で、かつ、面11及
び面12とのなす角が等しいような面17aを有
するものとなされており、また、前記の面17a
と面角が90゜の面が次々に形成されることによつ
て得られるが、前記したダイヤモンドの角柱17
における面17aは、結晶学的に(110)とな
り、角柱の長手方向の側面は結晶学的に{11
0}面として総称されるものとなり、さらに、角
柱17における端面20の結晶面は、結晶学的に
{100}面となつている。
素材となされるダイヤモンド角柱を切り出す際の
従来例を示す第2図において、切出されるべき角
柱17は、ダイヤモンド結晶10における面11
と面12との稜線16に平行で、かつ、面11及
び面12とのなす角が等しいような面17aを有
するものとなされており、また、前記の面17a
と面角が90゜の面が次々に形成されることによつ
て得られるが、前記したダイヤモンドの角柱17
における面17aは、結晶学的に(110)とな
り、角柱の長手方向の側面は結晶学的に{11
0}面として総称されるものとなり、さらに、角
柱17における端面20の結晶面は、結晶学的に
{100}面となつている。
第2図に示すように態様でダイヤモンド結晶体
10から切出されたダイヤモンドの角柱17は、
例えば銀ろうなどを用いるなどして第3図に示す
ようにシヤンク18に固着された後に研磨加工さ
れて、第1図示のように電極形成面3、背面4,
5、導入面6,7などを備えた再生針となされ
る。
10から切出されたダイヤモンドの角柱17は、
例えば銀ろうなどを用いるなどして第3図に示す
ようにシヤンク18に固着された後に研磨加工さ
れて、第1図示のように電極形成面3、背面4,
5、導入面6,7などを備えた再生針となされ
る。
第3図において、l4はダイヤモンドの角柱17
の軸心であり、面20は前記の軸心l4に直交する
面であつて、この面20は第2図について説明し
たような態様でダイヤモンド角柱17が切出され
ている場合には既述のように結晶学的に{10
0}面となるが、今、この面20を仮に(00
1)であるとする。
の軸心であり、面20は前記の軸心l4に直交する
面であつて、この面20は第2図について説明し
たような態様でダイヤモンド角柱17が切出され
ている場合には既述のように結晶学的に{10
0}面となるが、今、この面20を仮に(00
1)であるとする。
また、第3図において19は前記した面20に
平行な仮想面であり、この仮想面19はダイヤモ
ンドの角柱17に形成される各研磨面が極座標で
表示できる、ということの説明に用いられるもの
である。第3図に示すダイヤモンドの角柱17に
おいて、21〜24などはそれぞれ研磨面であつ
て、研磨面21は第1図に示す再生針1の導入面
7と対応する面であり、また、研磨面22は第1
図に示す再生針1の電極形成面3と対応する面、
研磨面23は第1図に示す再生針1の背面5と対
応する面、面24はダイヤモンドの角柱17の側
面で既述した{110}面であり、これは第1図
に示す再生針1の面2と対応する面である。
平行な仮想面であり、この仮想面19はダイヤモ
ンドの角柱17に形成される各研磨面が極座標で
表示できる、ということの説明に用いられるもの
である。第3図に示すダイヤモンドの角柱17に
おいて、21〜24などはそれぞれ研磨面であつ
て、研磨面21は第1図に示す再生針1の導入面
7と対応する面であり、また、研磨面22は第1
図に示す再生針1の電極形成面3と対応する面、
研磨面23は第1図に示す再生針1の背面5と対
応する面、面24はダイヤモンドの角柱17の側
面で既述した{110}面であり、これは第1図
に示す再生針1の面2と対応する面である。
ダイヤモンドの角柱17における各研磨面21
〜24を、ダイヤモンド角柱17における面20
と平行な仮想面19に極座標表示してステレオ投
影図を描くには、まず、ダイヤモンドの角柱17
の面20の結晶面(001)を仮想面19上に極
として示し、次に、ダイヤモンドの角柱17の
面21の極座標表示は、ダイヤモンドの角柱17
の面24に平行な方向l5を回転角の基準とし、ダ
イヤモンドの角柱17における面20に対する面
21の傾斜α1,β1を、傾斜α1については仮
想面19上における基準の方向l5r(l5rは前記
した方向l5と平行な方向である)を基準として、
角度α1をとり、また、傾斜β1については極
から角度β1をとつて面21を仮想面19上に点
21rとして表示するのである。
〜24を、ダイヤモンド角柱17における面20
と平行な仮想面19に極座標表示してステレオ投
影図を描くには、まず、ダイヤモンドの角柱17
の面20の結晶面(001)を仮想面19上に極
として示し、次に、ダイヤモンドの角柱17の
面21の極座標表示は、ダイヤモンドの角柱17
の面24に平行な方向l5を回転角の基準とし、ダ
イヤモンドの角柱17における面20に対する面
21の傾斜α1,β1を、傾斜α1については仮
想面19上における基準の方向l5r(l5rは前記
した方向l5と平行な方向である)を基準として、
角度α1をとり、また、傾斜β1については極
から角度β1をとつて面21を仮想面19上に点
21rとして表示するのである。
同様にして、ダイヤモンドの角柱17における
面22は仮想面19上に点22rとして、また、
ダイヤモンド角柱17における面23,24は、
仮想面19上に点23r,24rとしてそれぞれ
示される。
面22は仮想面19上に点22rとして、また、
ダイヤモンド角柱17における面23,24は、
仮想面19上に点23r,24rとしてそれぞれ
示される。
既述のように、ダイヤモンドの角柱17におけ
る面21,22,23,24は、第1図に示す再
生針1における導入面7、電極形成面3、背面
5、面2にそれぞれ対応するものであるが、第1
図に示す再生針1における導入面6、背面4は、
結晶学的に前記した導入面7、背面5に対して対
称なものであるから、再生針1における導入面
6、背面4と対応してダイヤモンドの角柱17に
形成されるべき研磨面は、仮想面19上に描かれ
るステレオ投影図において、l5rに直交するl6r
を対称軸として点21r、及び点23rと対称な
点6r,4rとして表示されるのである。なお、
第3図中のα2,β2は、面22が基準とする面
20に対して示す傾斜を例示し、それが仮想面1
9上にどのように表示されるのかを図示説明する
ためのものである。
る面21,22,23,24は、第1図に示す再
生針1における導入面7、電極形成面3、背面
5、面2にそれぞれ対応するものであるが、第1
図に示す再生針1における導入面6、背面4は、
結晶学的に前記した導入面7、背面5に対して対
称なものであるから、再生針1における導入面
6、背面4と対応してダイヤモンドの角柱17に
形成されるべき研磨面は、仮想面19上に描かれ
るステレオ投影図において、l5rに直交するl6r
を対称軸として点21r、及び点23rと対称な
点6r,4rとして表示されるのである。なお、
第3図中のα2,β2は、面22が基準とする面
20に対して示す傾斜を例示し、それが仮想面1
9上にどのように表示されるのかを図示説明する
ためのものである。
第3図においては、ダイヤモンドの角柱17の
面20を極として、各研磨面についての極座標表
示を行なつたステレオ投影図の描き方を説明した
が、第4図はダイヤモンド結晶の代表的な結晶
面、すなわち、{100},{110},{111}
などを、結晶面(001)を極とし、また、第
1図示の再生針における面2(第3図中の24
面)がステレオ投影図中でl6r線上に表わされる
ようにして、{100}は正方形、{110}は菱
形、{111}は正3角形で表わすという表記法
を用いて、第1図示の再生針1における各面をス
テレオ投影図上に表わした図であつて、この第4
図中において3r,4r,5r,6r,7rで示
す各点は、第1図示の形態を有する従来の再生針
1における電極形成面3、背面4,5、導入面
6,7と対応する点(結晶面)を示している。
面20を極として、各研磨面についての極座標表
示を行なつたステレオ投影図の描き方を説明した
が、第4図はダイヤモンド結晶の代表的な結晶
面、すなわち、{100},{110},{111}
などを、結晶面(001)を極とし、また、第
1図示の再生針における面2(第3図中の24
面)がステレオ投影図中でl6r線上に表わされる
ようにして、{100}は正方形、{110}は菱
形、{111}は正3角形で表わすという表記法
を用いて、第1図示の再生針1における各面をス
テレオ投影図上に表わした図であつて、この第4
図中において3r,4r,5r,6r,7rで示
す各点は、第1図示の形態を有する従来の再生針
1における電極形成面3、背面4,5、導入面
6,7と対応する点(結晶面)を示している。
また、第4図中の矢印(細線矢印)は、各研磨
位置近傍における研磨の容易方向と研磨の容易度
とを示すもので、この矢印はその向きにより研磨
の容易方向を示し、また、その長さが長い程研磨
が容易であることを示している。第4図におい
て、角度αが90゜から270゜の範囲内に示される
部分については、研磨の容易方向と研磨の容易度
とに関する図示が省略されているが、それは既述
もしたとおり、線l6rを対称軸として、再生針1
における背面4と背面5とは結晶学的に対称であ
り、また、導入面6と導入面7とは結晶学的に対
称であるから、再生針1における各面についての
考察は、背面4,5の一方のものと、導入面6,
7の一方のものと、電極形成面3とについて行え
ばよいからである(この点は、第5図に関しても
同じである)。
位置近傍における研磨の容易方向と研磨の容易度
とを示すもので、この矢印はその向きにより研磨
の容易方向を示し、また、その長さが長い程研磨
が容易であることを示している。第4図におい
て、角度αが90゜から270゜の範囲内に示される
部分については、研磨の容易方向と研磨の容易度
とに関する図示が省略されているが、それは既述
もしたとおり、線l6rを対称軸として、再生針1
における背面4と背面5とは結晶学的に対称であ
り、また、導入面6と導入面7とは結晶学的に対
称であるから、再生針1における各面についての
考察は、背面4,5の一方のものと、導入面6,
7の一方のものと、電極形成面3とについて行え
ばよいからである(この点は、第5図に関しても
同じである)。
第4図のステレオ投影図における極が、(00
1)で表現されるような従来の再生針1におい
て、電極形成面3はそれを示すステレオ投影図上
の点3rに着目すると、点3rは研磨容易面上に
あり、かつ、研磨方向も第4図中の太矢印3Kの
方向とすれば良いので、電極形成面3は研磨加工
によつて容易に形成できることは明らかである。
1)で表現されるような従来の再生針1におい
て、電極形成面3はそれを示すステレオ投影図上
の点3rに着目すると、点3rは研磨容易面上に
あり、かつ、研磨方向も第4図中の太矢印3Kの
方向とすれば良いので、電極形成面3は研磨加工
によつて容易に形成できることは明らかである。
次に、再生針1における電極形成面3に所定の
形状寸法の電極部を形成させるために設けられる
背面5,4について説明する。背面5,4は、そ
れによつて電極形成面3に形成される電極部が所
定の形状寸法のものとなされるように研磨加工に
よつて形成されるものであるから、背面5,4を
形成するための研磨加工は、電極形成面3に導電
性薄膜8が溝成されている状態で行なわれるので
あり、背面5,4の形成のための研磨加工に当つ
ては、その研磨加工によつて電極部が所定の形状
寸法のものとなされなければならない。
形状寸法の電極部を形成させるために設けられる
背面5,4について説明する。背面5,4は、そ
れによつて電極形成面3に形成される電極部が所
定の形状寸法のものとなされるように研磨加工に
よつて形成されるものであるから、背面5,4を
形成するための研磨加工は、電極形成面3に導電
性薄膜8が溝成されている状態で行なわれるので
あり、背面5,4の形成のための研磨加工に当つ
ては、その研磨加工によつて電極部が所定の形状
寸法のものとなされなければならない。
ところで、再生針1における背面5は、第4図
示のステレオ投影図中では点5rによつて示され
るが、点5r付近における研磨容易方向は、第4
図中の矢印で示されているように(011)から
(010)へ向う方向である。
示のステレオ投影図中では点5rによつて示され
るが、点5r付近における研磨容易方向は、第4
図中の矢印で示されているように(011)から
(010)へ向う方向である。
したがつて、背面5の形成のための研磨加工
は、本来、その研磨容易方向に沿つて行なわれる
べきものであり、それは第4図示のステレオ投影
図中において、点5rから太矢印5kaで示され
ている方向である。
は、本来、その研磨容易方向に沿つて行なわれる
べきものであり、それは第4図示のステレオ投影
図中において、点5rから太矢印5kaで示され
ている方向である。
前記した研磨容易方向5kaはそれを第1図に
示す再生針1の背面5中に図示すると、第1図中
の太矢印5kaで表わされる。ところが、再生針
1の背面5を形成させるための研磨加工を第1図
中の太矢印5kaの方向で行なうと、研磨加工時
にダイヤモンド遊離砥粒が導電性薄膜8に衝突す
ることにより、電極形成面3に形成されるべき電
極部の稜線に大きな欠けが生じるために、背面5
(背面4も同じ)を研磨容易方向での研磨加工に
よつて形成させることはできない。
示す再生針1の背面5中に図示すると、第1図中
の太矢印5kaで表わされる。ところが、再生針
1の背面5を形成させるための研磨加工を第1図
中の太矢印5kaの方向で行なうと、研磨加工時
にダイヤモンド遊離砥粒が導電性薄膜8に衝突す
ることにより、電極形成面3に形成されるべき電
極部の稜線に大きな欠けが生じるために、背面5
(背面4も同じ)を研磨容易方向での研磨加工に
よつて形成させることはできない。
それで、研磨加工によつて背面5を形成させる
場合には、研磨加工時におけるダイヤモンド砥粒
が電極部の導電性薄膜の稜線に欠けを生じさせる
ことがないような方向で研磨が行なわれることが
必要とされるが、その研磨の方向を第1図示の再
生針における背面5中で示すと、それは図中の太
矢印5kbで示す方向、すなわち、研磨加工時に
砥粒が解放される側に電極形成面3や存在する、
というような研磨方向となる。
場合には、研磨加工時におけるダイヤモンド砥粒
が電極部の導電性薄膜の稜線に欠けを生じさせる
ことがないような方向で研磨が行なわれることが
必要とされるが、その研磨の方向を第1図示の再
生針における背面5中で示すと、それは図中の太
矢印5kbで示す方向、すなわち、研磨加工時に
砥粒が解放される側に電極形成面3や存在する、
というような研磨方向となる。
しかしながら、前記した太矢印5kbは第4図
示のステレオ投影図中の太矢印5kbで示されて
いる方向であり、この方向での研磨は困難であつ
て、研磨能率が低く、所定の背面5を形成させる
のに長時間の研磨加工が必要とされる。この問題
は背面5と結晶学的に対称な面をなす背面4の研
磨加工に当つても同様である。
示のステレオ投影図中の太矢印5kbで示されて
いる方向であり、この方向での研磨は困難であつ
て、研磨能率が低く、所定の背面5を形成させる
のに長時間の研磨加工が必要とされる。この問題
は背面5と結晶学的に対称な面をなす背面4の研
磨加工に当つても同様である。
ところで、ダイヤモンドの研磨加工に当つては
被加工面に熱を発生するが、その発熱量は研磨加
工時間が長い場合には極めて大きくなる。そし
て、再生針においてはダイヤモンドに導電性薄膜
が付着されているが、ダイヤモンドと導電性薄膜
との熱膨張係数は同じでないために、前記した研
磨加工時における発熱によつて、加工時に導電性
薄膜が酸化したり、あるいは剥離したり、材質の
変化が生じたり、また、加工後の内部残留応力の
増大によつて電極部が使用中に剥離し易くなつた
りする他、長時間にわたる研磨加工は砥粒の通過
確率を増大させるために電極部の稜線に砥粒によ
る引掻傷(スクラツチ)を発生させる。
被加工面に熱を発生するが、その発熱量は研磨加
工時間が長い場合には極めて大きくなる。そし
て、再生針においてはダイヤモンドに導電性薄膜
が付着されているが、ダイヤモンドと導電性薄膜
との熱膨張係数は同じでないために、前記した研
磨加工時における発熱によつて、加工時に導電性
薄膜が酸化したり、あるいは剥離したり、材質の
変化が生じたり、また、加工後の内部残留応力の
増大によつて電極部が使用中に剥離し易くなつた
りする他、長時間にわたる研磨加工は砥粒の通過
確率を増大させるために電極部の稜線に砥粒によ
る引掻傷(スクラツチ)を発生させる。
静電容量値の変化検出型再生針において、電極
形成面3に形成されるべき電極部が所定の形状寸
法のものとして構成されることが重要なことはい
うまでもないから、第1図及び第4図を参照して
説明したように、従来の再生針がそれの電極部の
形状寸法を規定するために形成される背面5,4
が研磨加工の難い方向での研磨加工によつて形成
されていたことは、再生針を容易に製作するとい
う点について大きな支障を与えていた。
形成面3に形成されるべき電極部が所定の形状寸
法のものとして構成されることが重要なことはい
うまでもないから、第1図及び第4図を参照して
説明したように、従来の再生針がそれの電極部の
形状寸法を規定するために形成される背面5,4
が研磨加工の難い方向での研磨加工によつて形成
されていたことは、再生針を容易に製作するとい
う点について大きな支障を与えていた。
また、従来の再生針において、それの導入面
7,6は、第4図示のステレオ投影図中で点7
r,6rによりそれぞれ示されるような結晶面と
なるように研磨加工されることによつて形成され
るのであるが、導入面7,6を形成させるための
研磨加工は、加工中に導入面7,6間の稜線部に
欠けが生じることがないような研磨方向でなされ
ることが必要とされる。
7,6は、第4図示のステレオ投影図中で点7
r,6rによりそれぞれ示されるような結晶面と
なるように研磨加工されることによつて形成され
るのであるが、導入面7,6を形成させるための
研磨加工は、加工中に導入面7,6間の稜線部に
欠けが生じることがないような研磨方向でなされ
ることが必要とされる。
ところが、導入面7や導入面6を形成させる際
における研磨容易方向は、導入面6については第
4図中で点7rから(100)へ向う方向であ
り、また、導入面6については第4図中で点6r
から(010)へ向う方向なのであるが、導入面
7,6を形成させる際に、それらの両面6,7の
間の稜線に欠けを生じさせることがないような研
磨方向は、前記した研磨容易方向に対して直交す
る方向(第4図中では点7rについて点7rから
太矢印7kで示してある)であるから、導入面
6,7を形成させるための研磨加工も困難であ
る。
における研磨容易方向は、導入面6については第
4図中で点7rから(100)へ向う方向であ
り、また、導入面6については第4図中で点6r
から(010)へ向う方向なのであるが、導入面
7,6を形成させる際に、それらの両面6,7の
間の稜線に欠けを生じさせることがないような研
磨方向は、前記した研磨容易方向に対して直交す
る方向(第4図中では点7rについて点7rから
太矢印7kで示してある)であるから、導入面
6,7を形成させるための研磨加工も困難であ
る。
さらに、従来の再生針における摺接面は、第4
図で明らかなように(001)近傍にあり、摺接
面とデイスクとの相対運動方向は第4図中の矢印
30方向となされているが、再生針の素材となる
ダイヤモンドの角柱17を第2図に示すダイヤモ
ンド10から切出す場合に、ダイヤモンドの角柱
17としてそれの長手方向の4つの面が正確に
{110}面であるようなものが得られるとは限
らず、通常は{110}面に対して角度誤差をも
つ面となることが多い。
図で明らかなように(001)近傍にあり、摺接
面とデイスクとの相対運動方向は第4図中の矢印
30方向となされているが、再生針の素材となる
ダイヤモンドの角柱17を第2図に示すダイヤモ
ンド10から切出す場合に、ダイヤモンドの角柱
17としてそれの長手方向の4つの面が正確に
{110}面であるようなものが得られるとは限
らず、通常は{110}面に対して角度誤差をも
つ面となることが多い。
ところで、(001)近傍における研磨容易方
向と研磨困難方向とは、角度αの方向について45
゜毎にピークをもつているから、前記した角度誤
差が摺接面の耐摩耗性能に対して大きな影響を与
えることが明らかであり、また、再生針に対する
カンチレバーの取付け角度のずれによつても摺接
面の耐摩耗性が大きく変化するということが問題
となる。
向と研磨困難方向とは、角度αの方向について45
゜毎にピークをもつているから、前記した角度誤
差が摺接面の耐摩耗性能に対して大きな影響を与
えることが明らかであり、また、再生針に対する
カンチレバーの取付け角度のずれによつても摺接
面の耐摩耗性が大きく変化するということが問題
となる。
以上の説明から明らかなように、第4図に示す
ステレオ投影図で表わされるような結晶面が電極
形成面3、背面4,5、導入面6,7、摺接面と
なされているような従来の再生針は、電極部を所
定の形状寸法のものとするために形成される背面
4,5を研磨困難方向での研磨加工によつて加工
しなければならず、また、導入面6,7の形成も
研磨困難方向での加工によつて行なわれ、さら
に、摺接面が結晶方位のずれに対する耐摩耗性能
の変化の大きな結晶面となされていたので、再生
針の製作が困難であるといる大きな問題があり、
また、作られた再生針は寿命時間にばらつきが生
じたものになり易い、という欠点があつた。
ステレオ投影図で表わされるような結晶面が電極
形成面3、背面4,5、導入面6,7、摺接面と
なされているような従来の再生針は、電極部を所
定の形状寸法のものとするために形成される背面
4,5を研磨困難方向での研磨加工によつて加工
しなければならず、また、導入面6,7の形成も
研磨困難方向での加工によつて行なわれ、さら
に、摺接面が結晶方位のずれに対する耐摩耗性能
の変化の大きな結晶面となされていたので、再生
針の製作が困難であるといる大きな問題があり、
また、作られた再生針は寿命時間にばらつきが生
じたものになり易い、という欠点があつた。
本発明は、上記した従来の再生針における欠点
が良好に解消された静電容量値の変化検出型再生
針を提供することを目的としてなされたものであ
り、以下添付図面を参照しながら本発明の再生針
の具体的な内容を詳細に説明する。
が良好に解消された静電容量値の変化検出型再生
針を提供することを目的としてなされたものであ
り、以下添付図面を参照しながら本発明の再生針
の具体的な内容を詳細に説明する。
本発明の静電容量値の変化検出型再生針は、摺
接面が(111)近傍の結晶面となされ、また、
2つの背面が結晶学的に略々対称であつてダイヤ
モンド結晶体の{111}面から{110}面に
向う方向で{111}面と{110}面との間に
あり、かつ、前記の方向と直交する方向で±15゜
の範囲内にある結晶面となされ、さらに、2つの
導入面が結晶学的に略々対称であつて、ダイオモ
ンド結晶体の{110}面から{100}面に向
う方向で{110}面と{100}面との間にあ
り、かつ、前記の方向と直交する方向で±15゜の
範囲内にある結晶面となされるように構成したも
のである。
接面が(111)近傍の結晶面となされ、また、
2つの背面が結晶学的に略々対称であつてダイヤ
モンド結晶体の{111}面から{110}面に
向う方向で{111}面と{110}面との間に
あり、かつ、前記の方向と直交する方向で±15゜
の範囲内にある結晶面となされ、さらに、2つの
導入面が結晶学的に略々対称であつて、ダイオモ
ンド結晶体の{110}面から{100}面に向
う方向で{110}面と{100}面との間にあ
り、かつ、前記の方向と直交する方向で±15゜の
範囲内にある結晶面となされるように構成したも
のである。
この本発明の再生針は、再生針の素材として使
用されるダイヤモンドを、それの基準面(第3図
中の符号20で示される面}が結晶学的に{11
1}面として表わされるものであるようにしてシ
ヤンク18に固着し、電極形成面3、背面4,
5、導入面6,7などを所要のように研磨加工に
よつて形成させることにより、その外形々状が第
1図に示されるようなものとして作られるのであ
る。
用されるダイヤモンドを、それの基準面(第3図
中の符号20で示される面}が結晶学的に{11
1}面として表わされるものであるようにしてシ
ヤンク18に固着し、電極形成面3、背面4,
5、導入面6,7などを所要のように研磨加工に
よつて形成させることにより、その外形々状が第
1図に示されるようなものとして作られるのであ
る。
前記した本発明の再生針は、それの素材として
基準面が{111}面となるような状態で天然ダ
イヤモンドから切出したダイヤモンドの角柱を用
いるようにしてもよいことは勿論であるが、再生
針の素材として、ダイヤモンド結晶の外形面が
{111}面と{100}面とからなる人造ダイ
ヤモンドを、それの{111}面が基準面となさ
れるような姿態をとるようにして金属棒(例えば
チタン棒)の先端に適当な金属ろうで固着したも
のを再生針の素材として用いるようにしてもよい
のであり、この場合には前記した金属棒として、
実願昭56−96287号の明細書に示されているよう
な再生針母体を用いると好結果が得られる。
基準面が{111}面となるような状態で天然ダ
イヤモンドから切出したダイヤモンドの角柱を用
いるようにしてもよいことは勿論であるが、再生
針の素材として、ダイヤモンド結晶の外形面が
{111}面と{100}面とからなる人造ダイ
ヤモンドを、それの{111}面が基準面となさ
れるような姿態をとるようにして金属棒(例えば
チタン棒)の先端に適当な金属ろうで固着したも
のを再生針の素材として用いるようにしてもよい
のであり、この場合には前記した金属棒として、
実願昭56−96287号の明細書に示されているよう
な再生針母体を用いると好結果が得られる。
第5図は、本発明の再生針の一実施態様のもの
の各研磨面及びダイヤモンドの代表的な結晶面を
表わしたステレオ投影図であり、この第5図は、
再生針の素材のダイヤモンド部分の基準面(第3
図において符号20で示される面)の結晶学的な
結晶面を(111)とし、また、第3図中の基準
となる方向l5(110)を含む方向にとり、さら
に前記の方向l5と直交する方向l6を結晶学的に
(001)を含む方向として表わしたステレオ投
影図である。
の各研磨面及びダイヤモンドの代表的な結晶面を
表わしたステレオ投影図であり、この第5図は、
再生針の素材のダイヤモンド部分の基準面(第3
図において符号20で示される面)の結晶学的な
結晶面を(111)とし、また、第3図中の基準
となる方向l5(110)を含む方向にとり、さら
に前記の方向l5と直交する方向l6を結晶学的に
(001)を含む方向として表わしたステレオ投
影図である。
第5図において、極は(111)であり、角度
αは基準線l5rの位置を0゜として円周方向に目
盛られており、また、角度βは極の位置を0゜と
して半径方向に目盛られている。再生針における
電極形成面3、背面4,5、導入面6,7は第5
図中においてそれぞれ3r,4r,5r,6r,
7rの符号で示されている各点で表わされてい
る。
αは基準線l5rの位置を0゜として円周方向に目
盛られており、また、角度βは極の位置を0゜と
して半径方向に目盛られている。再生針における
電極形成面3、背面4,5、導入面6,7は第5
図中においてそれぞれ3r,4r,5r,6r,
7rの符号で示されている各点で表わされてい
る。
第5図中で点3rで示されている電極形成面3
は本来研磨が困難な結晶面ではあるが、l6r軸に
対して35゜〜55゜の範囲では研磨が可能なのであ
り、前記した電極形成面3を形成する際の研磨方
向は、第5図中で太矢印3ka,3kbによつて示
されている。この太矢印3ka,3kbで示されて
いる研磨方向は、(001)の研磨容易方向の影
響によつて生じるのである。
は本来研磨が困難な結晶面ではあるが、l6r軸に
対して35゜〜55゜の範囲では研磨が可能なのであ
り、前記した電極形成面3を形成する際の研磨方
向は、第5図中で太矢印3ka,3kbによつて示
されている。この太矢印3ka,3kbで示されて
いる研磨方向は、(001)の研磨容易方向の影
響によつて生じるのである。
次に、再生針1における電極形成面3に形成さ
れる電極部の形状寸法を規定するために設けられ
る背面4,5は、第5図に示すステレオ投影図中
では点4r,5rによつて示されている。背面
4,5の結晶面は、結晶学的に軸6rに対して対
称であるから、その一方の背面5についてだけ説
明する。
れる電極部の形状寸法を規定するために設けられ
る背面4,5は、第5図に示すステレオ投影図中
では点4r,5rによつて示されている。背面
4,5の結晶面は、結晶学的に軸6rに対して対
称であるから、その一方の背面5についてだけ説
明する。
再生針1における背面5は、第5図示のステレ
オ投影図中の点5rで示される結晶学的な面に形
成されるのであるが、この点5rで示される面
は、(111)と(011)との間に近似的に存
在しており、それの研磨容易方向は(111)か
ら(011)方向に向いているから、背面5を形
成させるための研磨方向としては第5図中の太矢
印5kcで示す方向となる。そして、この第5図
中の太矢印5kcで示される方向は、第1図に示
されている再生針における背面5中に記入されて
いる太矢印5kbと略々一致している。
オ投影図中の点5rで示される結晶学的な面に形
成されるのであるが、この点5rで示される面
は、(111)と(011)との間に近似的に存
在しており、それの研磨容易方向は(111)か
ら(011)方向に向いているから、背面5を形
成させるための研磨方向としては第5図中の太矢
印5kcで示す方向となる。そして、この第5図
中の太矢印5kcで示される方向は、第1図に示
されている再生針における背面5中に記入されて
いる太矢印5kbと略々一致している。
このように、本発明の再生針においては、背面
4,5を研磨加工によつて形成する際における研
磨方向を、電極形成面3上の電極部の稜線部へ研
磨加工時に欠けを生じさせることがない方向、す
なわち、背面4,5の形成のための研磨方向が、
電極形成面3上の電極部側においてダイヤモンド
砥粒が開放されるような方向(背面5の形成時に
おいては第1図中の太矢印5kbで示される方
向)とした時に、その研磨方向が研磨容易方向と
なるために、既述した従来の再生針における重大
な問題点は良好に解決されるのである。
4,5を研磨加工によつて形成する際における研
磨方向を、電極形成面3上の電極部の稜線部へ研
磨加工時に欠けを生じさせることがない方向、す
なわち、背面4,5の形成のための研磨方向が、
電極形成面3上の電極部側においてダイヤモンド
砥粒が開放されるような方向(背面5の形成時に
おいては第1図中の太矢印5kbで示される方
向)とした時に、その研磨方向が研磨容易方向と
なるために、既述した従来の再生針における重大
な問題点は良好に解決されるのである。
また、本発明の再生針は、その導入面6,7に
ついても、それらの面の形成時における研磨方向
が研磨容易方向となるので、この点においても従
来の再生針における問題点は良好に解消される。
すなわち、第5図に示すステレオ投影図におい
て、導入面6,7は点6r,7rとして示されて
いるが、例えば、導入面7と対応する点7rに着
目してみると、この点7rは(101)から(1
00)の間で(100)に近い結晶学的な面を表
わしており、研磨方向としては7kdで示すよう
な太矢印の方向として容易に研磨加工を行なうこ
とができるのである。なお、導入面6は導入面7
と結晶学的に対称な面であるから、導入面6を形
成するための研磨加工も導入面7を形成するため
の研磨加工と同様に容易に行なうことができる。
ついても、それらの面の形成時における研磨方向
が研磨容易方向となるので、この点においても従
来の再生針における問題点は良好に解消される。
すなわち、第5図に示すステレオ投影図におい
て、導入面6,7は点6r,7rとして示されて
いるが、例えば、導入面7と対応する点7rに着
目してみると、この点7rは(101)から(1
00)の間で(100)に近い結晶学的な面を表
わしており、研磨方向としては7kdで示すよう
な太矢印の方向として容易に研磨加工を行なうこ
とができるのである。なお、導入面6は導入面7
と結晶学的に対称な面であるから、導入面6を形
成するための研磨加工も導入面7を形成するため
の研磨加工と同様に容易に行なうことができる。
次に、摺接面は(111)近傍の結晶学的な面
となるが、デイスクとの相対的な運動方向を第5
図中の矢印30aの方向とすると、この方向はダ
イヤモンドにおいて最も耐摩耗性の大きな方向で
あるから、長寿命な再生針が得られることは明ら
かである。また、(111)は研磨容易方向と研
磨困難方向とがα方向に関して60゜毎に現われる
ので、第5図中のα方向に基準となる結晶面がず
れることによつて生じる再生針の耐摩耗性のばら
つきは、既述した従来の再生針における耐摩耗性
のばらつきよりも少ない。
となるが、デイスクとの相対的な運動方向を第5
図中の矢印30aの方向とすると、この方向はダ
イヤモンドにおいて最も耐摩耗性の大きな方向で
あるから、長寿命な再生針が得られることは明ら
かである。また、(111)は研磨容易方向と研
磨困難方向とがα方向に関して60゜毎に現われる
ので、第5図中のα方向に基準となる結晶面がず
れることによつて生じる再生針の耐摩耗性のばら
つきは、既述した従来の再生針における耐摩耗性
のばらつきよりも少ない。
第5図に示すステレオ投影図を参照して説明し
た本発明の再生針の一実施態様のものは、再生針
の外形状が第1図に示されるもの、すなわち、従
来例の再生針と同じく、再生針の先端部付近にお
ける再生針の軸心lと直交する断面の形状が、
略々正方形ともみなされるような五角形状を呈す
る如き五面体であつたが、本発明は各研磨面間の
面角度が第1図示の再生針における各研磨面間の
面角度よりも多少ずれた再生針にも実施できるこ
とはいうまでもない。
た本発明の再生針の一実施態様のものは、再生針
の外形状が第1図に示されるもの、すなわち、従
来例の再生針と同じく、再生針の先端部付近にお
ける再生針の軸心lと直交する断面の形状が、
略々正方形ともみなされるような五角形状を呈す
る如き五面体であつたが、本発明は各研磨面間の
面角度が第1図示の再生針における各研磨面間の
面角度よりも多少ずれた再生針にも実施できるこ
とはいうまでもない。
すなわち、本発明の再生針は、(111)面を
基準(極)とする第5図に示すステレオ投影図に
おいて、背面4は(111)から(101)に向
う方向で、(111)と(101)との間にあ
り、かつ、前記の方向と直交する方向において±
15゜の範囲にある結晶面、すなわち、第5図中の
一点鎖線枠4R内に存在する結晶面となるように
して実施されてよく、また、背面5は(111)
から(011)に向う方向で、(111)と(0
11)との間にあり、かつ、前記の方向と直交す
る方向において±15゜の範囲にある結晶面、すな
わち、第5図中の一点鎖線枠5R内に存在する結
晶面となるようにして実施、されてもよく、さら
に、導入面6は(011)から(010)に向う
方向で(011)と(010)との間にあり、か
つ、前記の方向と直交する方向において±15゜の
範囲内にある結晶面、すなわち、第5図中の一点
鎖線枠6R内に存在する結晶面となるようにして
実施されてもよく、さらにまた、導入面7は(1
01)から(100)に向う方向で(101)と
(100)との間にあり、かつ、前記の方向と直
交する方向において±15゜の範囲内にある結晶
面、すなわち、第5図中の一点鎖線7R内に存在
する結晶面となるようにして実施されてもよいの
である。
基準(極)とする第5図に示すステレオ投影図に
おいて、背面4は(111)から(101)に向
う方向で、(111)と(101)との間にあ
り、かつ、前記の方向と直交する方向において±
15゜の範囲にある結晶面、すなわち、第5図中の
一点鎖線枠4R内に存在する結晶面となるように
して実施されてよく、また、背面5は(111)
から(011)に向う方向で、(111)と(0
11)との間にあり、かつ、前記の方向と直交す
る方向において±15゜の範囲にある結晶面、すな
わち、第5図中の一点鎖線枠5R内に存在する結
晶面となるようにして実施、されてもよく、さら
に、導入面6は(011)から(010)に向う
方向で(011)と(010)との間にあり、か
つ、前記の方向と直交する方向において±15゜の
範囲内にある結晶面、すなわち、第5図中の一点
鎖線枠6R内に存在する結晶面となるようにして
実施されてもよく、さらにまた、導入面7は(1
01)から(100)に向う方向で(101)と
(100)との間にあり、かつ、前記の方向と直
交する方向において±15゜の範囲内にある結晶
面、すなわち、第5図中の一点鎖線7R内に存在
する結晶面となるようにして実施されてもよいの
である。
前述した背面4,5、及び、導入面6,7など
の結晶学的な面を、既述したような結晶面の総称
で表記する表記法を用いて表現すると、少なくと
も摺接面を含む部分がダイヤモンドで構成されて
いる本発明の再生針において、その2つの背面は
ダイヤモンド結晶体の{111}面から{11
0}面に向う方向で、{111}面と{110}
面との間にあり、かつ、前記の方向と直交する方
向で±15゜の範囲内にある結晶面となされ、ま
た、2つの導入面6,7はダイヤモンド結晶体の
{110}面から{100}面に向う方向で{1
10}面と{100}面との間にあり、かつ、前
記の方向と直交する方向で±15゜の範囲内にある
結晶面となされるように構成される、ということ
になる。
の結晶学的な面を、既述したような結晶面の総称
で表記する表記法を用いて表現すると、少なくと
も摺接面を含む部分がダイヤモンドで構成されて
いる本発明の再生針において、その2つの背面は
ダイヤモンド結晶体の{111}面から{11
0}面に向う方向で、{111}面と{110}
面との間にあり、かつ、前記の方向と直交する方
向で±15゜の範囲内にある結晶面となされ、ま
た、2つの導入面6,7はダイヤモンド結晶体の
{110}面から{100}面に向う方向で{1
10}面と{100}面との間にあり、かつ、前
記の方向と直交する方向で±15゜の範囲内にある
結晶面となされるように構成される、ということ
になる。
以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の静電容量値の変化検出型再生針は、
電極形成面3に形成される電極部が所定の形状寸
法のものとして形成されるようにするための2つ
の背面4,5が、研磨容易方向での研磨加工によ
つて形成されるようにそれの結晶学的な結晶面が
定められていることにより、高い研磨能率で短時
間で背面4,5を形成させることができ、また、
それによつて形成される電極部も欠けのない所定
の形状寸法のものとなされ、さらに、2つの導入
面6,7も研磨加工によつて容易に形成できるよ
うな結晶学的な結晶面となされていることにより
再生針を作る際の研磨加工が容易に行なわれ、さ
らにまた、摺接面が{111}面となされている
ことにより耐摩耗性に優れていて、長寿命な再生
針を容易に提供できるのみならず、従来の再生針
よりも耐摩耗性のばらつきの少ない再生針を容易
に提供できるのであつて、本発明によれば既述し
た従来の再生針におけるような諸問題点のない優
れた再生針を容易に提供することができる。
に、本発明の静電容量値の変化検出型再生針は、
電極形成面3に形成される電極部が所定の形状寸
法のものとして形成されるようにするための2つ
の背面4,5が、研磨容易方向での研磨加工によ
つて形成されるようにそれの結晶学的な結晶面が
定められていることにより、高い研磨能率で短時
間で背面4,5を形成させることができ、また、
それによつて形成される電極部も欠けのない所定
の形状寸法のものとなされ、さらに、2つの導入
面6,7も研磨加工によつて容易に形成できるよ
うな結晶学的な結晶面となされていることにより
再生針を作る際の研磨加工が容易に行なわれ、さ
らにまた、摺接面が{111}面となされている
ことにより耐摩耗性に優れていて、長寿命な再生
針を容易に提供できるのみならず、従来の再生針
よりも耐摩耗性のばらつきの少ない再生針を容易
に提供できるのであつて、本発明によれば既述し
た従来の再生針におけるような諸問題点のない優
れた再生針を容易に提供することができる。
第1図は再生針の斜視図、第2図は天然ダイヤ
モンドからダイヤモンドの角柱を切出す場合につ
いての説明用の斜視図、第3図は研磨面とダイヤ
モンドの代表的な結晶面をステレオ投影図で表記
する方法を説明するための斜視図、第4図は従来
の再生針の研磨面を示すステレオ投影図、第5図
は本発明の再生針の研磨面を示すステレオ投影図
である。 1……再生針、3……電極形成面、4,5……
背面、6,7……導入面、10……天然ダイヤモ
ンド、17……ダイヤモンドの角柱、20……基
準面、19……仮想面。
モンドからダイヤモンドの角柱を切出す場合につ
いての説明用の斜視図、第3図は研磨面とダイヤ
モンドの代表的な結晶面をステレオ投影図で表記
する方法を説明するための斜視図、第4図は従来
の再生針の研磨面を示すステレオ投影図、第5図
は本発明の再生針の研磨面を示すステレオ投影図
である。 1……再生針、3……電極形成面、4,5……
背面、6,7……導入面、10……天然ダイヤモ
ンド、17……ダイヤモンドの角柱、20……基
準面、19……仮想面。
Claims (1)
- 1 情報信号と対応するピツトが配列されること
によつて形成された記録跡を有する情報記録媒体
円盤面に摺接する摺接面が、2つの導入面と2つ
の背面及び1つの電極形成面と前記の摺接面との
間で形成される稜線とによつて五角形状の外形を
呈するものとなされているとともに、少なくとも
前記した摺接面を含む部分がダイヤモンドを用い
て構成されており、電極形成面に設けられた電極
部により記録跡中の情報信号が静電容量値の変化
に応じた電気量の変化として検出されるようにな
されている静電容量値の変化検出型再生針であつ
て、前記したダイヤモンドによる構成部分に形成
される摺接面がダイヤモンド結晶体の{111}
面近傍の結晶面となされており、また、摺接面と
電極形成面とで形成される稜線の中点と、摺接面
と2つの導入面とで形成される2本の稜線の交点
とを結ぶ直線を仮定した時に、前記の仮定した直
線に対して2つの背面が結晶学的に略々対称であ
つて、それらの面がダイヤモンド結晶体の{11
1}面から{110}面に向う方向で{111}
面と{110}面との間にあり、かつ、前記の方
向と直交する方向で±15゜の範囲内にある結晶面
になされると共に、前記の仮定した直線に対して
2つの導入面が結晶学的に略々対称であつて、そ
れらの面がダイヤモンド結晶体の{110}面か
ら{100}面に向う方向で{110}面と{1
00}面との間にあり、かつ、前記の方向と直交
する方向で±15゜の範囲内にある結晶面になされ
るように構成された静電容量値の変化検出型再生
針。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56119550A JPS5819752A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 静電容量値の変化検出型再生針 |
US06/403,346 US4498163A (en) | 1981-07-30 | 1982-07-30 | Diamond pickup stylus with good grindability |
DE3228538A DE3228538C2 (de) | 1981-07-30 | 1982-07-30 | Elektrostatische Kapazitäts-Abtastnadel |
GB08222065A GB2104706A (en) | 1981-07-30 | 1982-07-30 | Electrostatic capacitance type pickup stylus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56119550A JPS5819752A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 静電容量値の変化検出型再生針 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5819752A JPS5819752A (ja) | 1983-02-04 |
JPS6218976B2 true JPS6218976B2 (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=14764079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56119550A Granted JPS5819752A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 静電容量値の変化検出型再生針 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4498163A (ja) |
JP (1) | JPS5819752A (ja) |
DE (1) | DE3228538C2 (ja) |
GB (1) | GB2104706A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7572506B2 (en) * | 2004-06-30 | 2009-08-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aqueous primer surfacer compositions |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2060317B2 (de) * | 1970-11-30 | 1973-03-08 | Licentia Patent Verwaltungs GmbH, 6000 Frankfurt | Aus diamant bestehende, zur rillenfuehrung und abtastung oder nur zur rillenfuehrung dienende abtasterkufe |
US3848876A (en) * | 1971-09-30 | 1974-11-19 | Ted Bildplatten | Scanning element |
LU66237A1 (ja) * | 1971-11-19 | 1973-01-23 | ||
US3871664A (en) * | 1973-05-29 | 1975-03-18 | Diamagnetics Inc | Phonograph stylus |
US4273967A (en) * | 1976-11-17 | 1981-06-16 | Victor Company Of Japan, Limited | Stylus for reproducing capacitive videodisc |
NL179765C (nl) * | 1976-11-17 | 1986-11-03 | Victor Company Of Japan | Naald voor het weergeven van informatiesignalen, die op een registratiemedium zijn geregistreerd. |
JPS56137535A (en) * | 1980-03-26 | 1981-10-27 | Victor Co Of Japan Ltd | Playback stylus of static capacitance change detection type playback element |
US4357699A (en) * | 1980-03-26 | 1982-11-02 | Adamant Kogyo Co., Ltd. | Capacitance detection type stylus with diamond body and electrode having the same wear resistance properties |
JPS56137534A (en) * | 1980-03-26 | 1981-10-27 | Victor Co Of Japan Ltd | Playback stylus of static capacitance change detection type playback element |
US4340954A (en) * | 1980-08-04 | 1982-07-20 | Rca Corporation | Stylus tip fabrication from a synthetic diamond stone |
-
1981
- 1981-07-30 JP JP56119550A patent/JPS5819752A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-30 DE DE3228538A patent/DE3228538C2/de not_active Expired
- 1982-07-30 US US06/403,346 patent/US4498163A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-07-30 GB GB08222065A patent/GB2104706A/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2104706A (en) | 1983-03-09 |
US4498163A (en) | 1985-02-05 |
DE3228538A1 (de) | 1983-02-17 |
DE3228538C2 (de) | 1985-12-19 |
JPS5819752A (ja) | 1983-02-04 |
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