JPS6218976B2

JPS6218976B2 -

Info

Publication number: JPS6218976B2
Application number: JP56119550A
Authority: JP
Inventors: Keishi Segawa; Mikio Naoi; Masaki Murakami
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1981-07-30
Filing date: 1981-07-30
Publication date: 1987-04-25
Also published as: GB2104706A; US4498163A; DE3228538A1; DE3228538C2; JPS5819752A

Description

【発明の詳細な説明】情報信号と対応するピツトが渦巻状あるいは同
心円状に配列されることによつて形成された記録
跡を備えている情報記録媒体円盤（デイスク）に
おける記録跡上に再生素子（ピツクアツプ）の再
生針の摺接面を摺接させ、記録跡中の情報信号を
再生針に設けられた電極部によつて静電容量値の
変化として検出することにより、デイスクに高い
記録密度で記録されている情報信号を再生するよ
うにした、いわゆる静電容量値の変化検出型の情
報記録再生方式は、デイスクにおける記録跡中の
情報信号の読取りが、再生針に設けた電極による
静電容量値の検出によつて行なわれるから、前記
した再生針に設ける電極の厚さ寸法を情報信号と
対応するピツト長さ（記録跡の延びている方向に
おけるピツトの大きさ）寸法に比べて充分に小さ
くして分解能を高めることができ、したがつて、
デイスクの回転数を低くしても情報信号の記録再
生が可能であるという特長を有する他に、多くの
他の利点が得られるために、その実用化研究が推
進されて来て、今や実用化の段階に迄達してい
る。

ところで、情報信号が高密度記録されているデ
イスクは、記録跡間隔（トラツクピツチ）が小さ
く、かつ、デイスク面上での記録波長が著るしく
短いものとなされているから、デイスクからの情
報信号の読出しに使用される再生針は、その先端
部の形状寸法が微細なものであり、また、デイス
クは高い回転数で回転しているから、デイスクに
摺接して使用される再生針は、それが摩耗によつ
て使用に耐えなくなる迄の時間（寿命時間）が短
いものとなり易い。

しかし、情報信号再生装置にとつて、再生針の
寿命時間が短かいために、ひんぱんに再生針の交
換が必要とされるという事態は決して望ましいも
のではないから、従来から再生針の長寿命化を図
るために種々の研究が行なわれて来ている。

そして、前記した静電容量値の変化検出型再生
針は、それの長寿命化のために、少なくともデイ
スクと摺接する部分の構成材料が高硬度を有する
耐摩耗性材料となされるのであるが、前記の高硬
度を有する耐摩耗性材料としては、一般に、天然
ダイヤモンド、あるいは人造ダイヤモンドなどが
用いられ、それに所要の研削加工が研磨加工を施
こして、例えば第１図に示すような形態を有する
再生針が作られる。

第１図はダイヤモンドの角柱を素材とし、その
素材に研磨加工を施こして電極形成面３、背面
４，５、導入面６，７などを形成させて得た再生
針１の一例のものの外形々状を示す斜視図であつ
て、この第１図示の再生針１において、電極形成
面３はダイヤモンドの角柱における結晶学的な基
準となる面２に対して角度θ（例えば15゜）だけ
傾斜されており、また、前記した面２と電極形成
面３には導電性薄膜８，８によつて電極部が構成
されている。

前記の電極部の輪郭は、電極形成面３に隣接す
るる２つの背面４，５が研磨加工によつて形成さ
れることによつて定められる。なお、第１図にお
いてｌは再生針の軸心であり、またl₁は面２の中
心線、l₂は電極形成面３の中心線であつて、前記
の線l₁とl₂とのなす角θが、面２と電極形成面３
とがなす前述の角度θである。

第１図に示す再生針１は、それの先端部付近に
おいて軸心ｌに直交する仮想平面で切つたときに
現われる各稜線３ａ，４ａ，６ａ，７ａ，５ａ
（第１図中で破線で示されている）は五角形を形
成し、また、稜線３ａの中点と、稜線６ａと７ａ
との交点とを結ぶ直線l₃を考えた時に、２つの背
面４と５及び２つの導入面６と７とは、前記した
直線l₃に対してそれぞれ結晶学的に略々対称な結
晶面になつている。

さて、周知のように、ダイヤモンドは等軸晶系
に属する結晶体で、天然ダイヤモンドや人造ダイ
ヤモンドの代表的な結晶形態は、６面体、８面
体、12面体である。そして、前記したダイヤモン
ド結晶体において、６面体、８面体、12面体のダ
イヤモンドにおける結晶面は、それぞれ結晶学的
に定まつたものとなつている。

すなわち、例えば６面体のダイヤモンド結晶体
における６つの面は、結晶学的にそれぞれ、（１
００），（０１０），（００１），（１００），（０１
０），（００１）のように個々に表記される結晶面
である。ところで、前記のように個々の結晶面と
して表記される前記６つの結晶面は、結晶の対称
性からそれらの各結晶面を｛１００｝面というよ
うに総称する表記法を用いて表わすと記述に便利
であるから、以下の記載においては前記の表記法
に従つた結晶面の表記もとり入れられている。

また、前記のような結晶面の表記法に従うと、
８面体のダイヤモンド結晶体の結晶面は、｛１１
１｝面のように総称され、また、12面体のダイヤ
モンド結晶体の結晶面は、｛１１０｝面のように
総称されることになる。

第２図は、天然ダイヤモンドにおける代表的な
８面体のダイヤモンド結晶から再生針素材となる
ダイヤモンドの角柱を切り出す際の説明図であつ
て、この第２図において１０は天然ダイヤモンド
の８面体結晶の全体符号、１７は切り出されるダ
イヤモンド角柱の全体符号である。

１１，１２，１３，１４は、ダイヤモンドの８
面体結晶１０の４つの面であり、今、面１１が
（１１１）の結晶面であるとすると、面１２，１
３，１４はそれぞれ（１１１），（１１１），（１１
１）で表記される結晶面となる。なお、８面体の
ダイヤモンド結晶の各結晶面を｛１１１｝で総称
するという表記法については既述したとおりであ
る。

８面体のダイヤモンド結晶１０から、再生針の
素材となされるダイヤモンド角柱を切り出す際の
従来例を示す第２図において、切出されるべき角
柱１７は、ダイヤモンド結晶１０における面１１
と面１２との稜線１６に平行で、かつ、面１１及
び面１２とのなす角が等しいような面１７ａを有
するものとなされており、また、前記の面１７ａ
と面角が90゜の面が次々に形成されることによつ
て得られるが、前記したダイヤモンドの角柱１７
における面１７ａは、結晶学的に（１１０）とな
り、角柱の長手方向の側面は結晶学的に｛１１
０｝面として総称されるものとなり、さらに、角
柱１７における端面２０の結晶面は、結晶学的に
｛１００｝面となつている。

第２図に示すように態様でダイヤモンド結晶体
１０から切出されたダイヤモンドの角柱１７は、
例えば銀ろうなどを用いるなどして第３図に示す
ようにシヤンク１８に固着された後に研磨加工さ
れて、第１図示のように電極形成面３、背面４，
５、導入面６，７などを備えた再生針となされ
る。

第３図において、l₄はダイヤモンドの角柱１７
の軸心であり、面２０は前記の軸心l₄に直交する
面であつて、この面２０は第２図について説明し
たような態様でダイヤモンド角柱１７が切出され
ている場合には既述のように結晶学的に｛１０
０｝面となるが、今、この面２０を仮に（００
１）であるとする。

また、第３図において１９は前記した面２０に
平行な仮想面であり、この仮想面１９はダイヤモ
ンドの角柱１７に形成される各研磨面が極座標で
表示できる、ということの説明に用いられるもの
である。第３図に示すダイヤモンドの角柱１７に
おいて、２１〜２４などはそれぞれ研磨面であつ
て、研磨面２１は第１図に示す再生針１の導入面
７と対応する面であり、また、研磨面２２は第１
図に示す再生針１の電極形成面３と対応する面、
研磨面２３は第１図に示す再生針１の背面５と対
応する面、面２４はダイヤモンドの角柱１７の側
面で既述した｛１１０｝面であり、これは第１図
に示す再生針１の面２と対応する面である。

ダイヤモンドの角柱１７における各研磨面２１
〜２４を、ダイヤモンド角柱１７における面２０
と平行な仮想面１９に極座標表示してステレオ投
影図を描くには、まず、ダイヤモンドの角柱１７
の面２０の結晶面（００１）を仮想面１９上に極
として示し、次に、ダイヤモンドの角柱１７の
面２１の極座標表示は、ダイヤモンドの角柱１７
の面２４に平行な方向l₅を回転角の基準とし、ダ
イヤモンドの角柱１７における面２０に対する面
２１の傾斜α_１，β_１を、傾斜α_１については仮
想面１９上における基準の方向ｌ_5r（ｌ_5rは前記
した方向l₅と平行な方向である）を基準として、
角度α_１をとり、また、傾斜β_１については極
から角度β_１をとつて面２１を仮想面１９上に点
２１ｒとして表示するのである。

同様にして、ダイヤモンドの角柱１７における
面２２は仮想面１９上に点２２ｒとして、また、
ダイヤモンド角柱１７における面２３，２４は、
仮想面１９上に点２３ｒ，２４ｒとしてそれぞれ
示される。

既述のように、ダイヤモンドの角柱１７におけ
る面２１，２２，２３，２４は、第１図に示す再
生針１における導入面７、電極形成面３、背面
５、面２にそれぞれ対応するものであるが、第１
図に示す再生針１における導入面６、背面４は、
結晶学的に前記した導入面７、背面５に対して対
称なものであるから、再生針１における導入面
６、背面４と対応してダイヤモンドの角柱１７に
形成されるべき研磨面は、仮想面１９上に描かれ
るステレオ投影図において、ｌ_5rに直交するｌ_6r
を対称軸として点２１ｒ、及び点２３ｒと対称な
点６ｒ，４ｒとして表示されるのである。なお、
第３図中のα_２，β_２は、面２２が基準とする面
２０に対して示す傾斜を例示し、それが仮想面１
９上にどのように表示されるのかを図示説明する
ためのものである。

第３図においては、ダイヤモンドの角柱１７の
面２０を極として、各研磨面についての極座標表
示を行なつたステレオ投影図の描き方を説明した
が、第４図はダイヤモンド結晶の代表的な結晶
面、すなわち、｛１００｝，｛１１０｝，｛１１１｝
などを、結晶面（００１）を極とし、また、第
１図示の再生針における面２（第３図中の２４
面）がステレオ投影図中でｌ_6r線上に表わされる
ようにして、｛１００｝は正方形、｛１１０｝は菱
形、｛１１１｝は正３角形で表わすという表記法
を用いて、第１図示の再生針１における各面をス
テレオ投影図上に表わした図であつて、この第４
図中において３ｒ，４ｒ，５ｒ，６ｒ，７ｒで示
す各点は、第１図示の形態を有する従来の再生針
１における電極形成面３、背面４，５、導入面
６，７と対応する点（結晶面）を示している。

また、第４図中の矢印（細線矢印）は、各研磨
位置近傍における研磨の容易方向と研磨の容易度
とを示すもので、この矢印はその向きにより研磨
の容易方向を示し、また、その長さが長い程研磨
が容易であることを示している。第４図におい
て、角度αが90゜から270゜の範囲内に示される
部分については、研磨の容易方向と研磨の容易度
とに関する図示が省略されているが、それは既述
もしたとおり、線ｌ_6rを対称軸として、再生針１
における背面４と背面５とは結晶学的に対称であ
り、また、導入面６と導入面７とは結晶学的に対
称であるから、再生針１における各面についての
考察は、背面４，５の一方のものと、導入面６，
７の一方のものと、電極形成面３とについて行え
ばよいからである（この点は、第５図に関しても
同じである）。

第４図のステレオ投影図における極が、（００
１）で表現されるような従来の再生針１におい
て、電極形成面３はそれを示すステレオ投影図上
の点３ｒに着目すると、点３ｒは研磨容易面上に
あり、かつ、研磨方向も第４図中の太矢印３Ｋの
方向とすれば良いので、電極形成面３は研磨加工
によつて容易に形成できることは明らかである。

次に、再生針１における電極形成面３に所定の
形状寸法の電極部を形成させるために設けられる
背面５，４について説明する。背面５，４は、そ
れによつて電極形成面３に形成される電極部が所
定の形状寸法のものとなされるように研磨加工に
よつて形成されるものであるから、背面５，４を
形成するための研磨加工は、電極形成面３に導電
性薄膜８が溝成されている状態で行なわれるので
あり、背面５，４の形成のための研磨加工に当つ
ては、その研磨加工によつて電極部が所定の形状
寸法のものとなされなければならない。

ところで、再生針１における背面５は、第４図
示のステレオ投影図中では点５ｒによつて示され
るが、点５ｒ付近における研磨容易方向は、第４
図中の矢印で示されているように（０１１）から
（０１０）へ向う方向である。

したがつて、背面５の形成のための研磨加工
は、本来、その研磨容易方向に沿つて行なわれる
べきものであり、それは第４図示のステレオ投影
図中において、点５ｒから太矢印５kaで示され
ている方向である。

前記した研磨容易方向５kaはそれを第１図に
示す再生針１の背面５中に図示すると、第１図中
の太矢印５kaで表わされる。ところが、再生針
１の背面５を形成させるための研磨加工を第１図
中の太矢印５kaの方向で行なうと、研磨加工時
にダイヤモンド遊離砥粒が導電性薄膜８に衝突す
ることにより、電極形成面３に形成されるべき電
極部の稜線に大きな欠けが生じるために、背面５
（背面４も同じ）を研磨容易方向での研磨加工に
よつて形成させることはできない。

それで、研磨加工によつて背面５を形成させる
場合には、研磨加工時におけるダイヤモンド砥粒
が電極部の導電性薄膜の稜線に欠けを生じさせる
ことがないような方向で研磨が行なわれることが
必要とされるが、その研磨の方向を第１図示の再
生針における背面５中で示すと、それは図中の太
矢印５kbで示す方向、すなわち、研磨加工時に
砥粒が解放される側に電極形成面３や存在する、
というような研磨方向となる。

しかしながら、前記した太矢印５kbは第４図
示のステレオ投影図中の太矢印５kbで示されて
いる方向であり、この方向での研磨は困難であつ
て、研磨能率が低く、所定の背面５を形成させる
のに長時間の研磨加工が必要とされる。この問題
は背面５と結晶学的に対称な面をなす背面４の研
磨加工に当つても同様である。

ところで、ダイヤモンドの研磨加工に当つては
被加工面に熱を発生するが、その発熱量は研磨加
工時間が長い場合には極めて大きくなる。そし
て、再生針においてはダイヤモンドに導電性薄膜
が付着されているが、ダイヤモンドと導電性薄膜
との熱膨張係数は同じでないために、前記した研
磨加工時における発熱によつて、加工時に導電性
薄膜が酸化したり、あるいは剥離したり、材質の
変化が生じたり、また、加工後の内部残留応力の
増大によつて電極部が使用中に剥離し易くなつた
りする他、長時間にわたる研磨加工は砥粒の通過
確率を増大させるために電極部の稜線に砥粒によ
る引掻傷（スクラツチ）を発生させる。

静電容量値の変化検出型再生針において、電極
形成面３に形成されるべき電極部が所定の形状寸
法のものとして構成されることが重要なことはい
うまでもないから、第１図及び第４図を参照して
説明したように、従来の再生針がそれの電極部の
形状寸法を規定するために形成される背面５，４
が研磨加工の難い方向での研磨加工によつて形成
されていたことは、再生針を容易に製作するとい
う点について大きな支障を与えていた。

また、従来の再生針において、それの導入面
７，６は、第４図示のステレオ投影図中で点７
ｒ，６ｒによりそれぞれ示されるような結晶面と
なるように研磨加工されることによつて形成され
るのであるが、導入面７，６を形成させるための
研磨加工は、加工中に導入面７，６間の稜線部に
欠けが生じることがないような研磨方向でなされ
ることが必要とされる。

ところが、導入面７や導入面６を形成させる際
における研磨容易方向は、導入面６については第
４図中で点７ｒから（１００）へ向う方向であ
り、また、導入面６については第４図中で点６ｒ
から（０１０）へ向う方向なのであるが、導入面
７，６を形成させる際に、それらの両面６，７の
間の稜線に欠けを生じさせることがないような研
磨方向は、前記した研磨容易方向に対して直交す
る方向（第４図中では点７ｒについて点７ｒから
太矢印７ｋで示してある）であるから、導入面
６，７を形成させるための研磨加工も困難であ
る。

さらに、従来の再生針における摺接面は、第４
図で明らかなように（００１）近傍にあり、摺接
面とデイスクとの相対運動方向は第４図中の矢印
３０方向となされているが、再生針の素材となる
ダイヤモンドの角柱１７を第２図に示すダイヤモ
ンド１０から切出す場合に、ダイヤモンドの角柱
１７としてそれの長手方向の４つの面が正確に
｛１１０｝面であるようなものが得られるとは限
らず、通常は｛１１０｝面に対して角度誤差をも
つ面となることが多い。

ところで、（００１）近傍における研磨容易方
向と研磨困難方向とは、角度αの方向について45
゜毎にピークをもつているから、前記した角度誤
差が摺接面の耐摩耗性能に対して大きな影響を与
えることが明らかであり、また、再生針に対する
カンチレバーの取付け角度のずれによつても摺接
面の耐摩耗性が大きく変化するということが問題
となる。

以上の説明から明らかなように、第４図に示す
ステレオ投影図で表わされるような結晶面が電極
形成面３、背面４，５、導入面６，７、摺接面と
なされているような従来の再生針は、電極部を所
定の形状寸法のものとするために形成される背面
４，５を研磨困難方向での研磨加工によつて加工
しなければならず、また、導入面６，７の形成も
研磨困難方向での加工によつて行なわれ、さら
に、摺接面が結晶方位のずれに対する耐摩耗性能
の変化の大きな結晶面となされていたので、再生
針の製作が困難であるといる大きな問題があり、
また、作られた再生針は寿命時間にばらつきが生
じたものになり易い、という欠点があつた。

本発明は、上記した従来の再生針における欠点
が良好に解消された静電容量値の変化検出型再生
針を提供することを目的としてなされたものであ
り、以下添付図面を参照しながら本発明の再生針
の具体的な内容を詳細に説明する。

本発明の静電容量値の変化検出型再生針は、摺
接面が（１１１）近傍の結晶面となされ、また、
２つの背面が結晶学的に略々対称であつてダイヤ
モンド結晶体の｛１１１｝面から｛１１０｝面に
向う方向で｛１１１｝面と｛１１０｝面との間に
あり、かつ、前記の方向と直交する方向で±15゜
の範囲内にある結晶面となされ、さらに、２つの
導入面が結晶学的に略々対称であつて、ダイオモ
ンド結晶体の｛１１０｝面から｛１００｝面に向
う方向で｛１１０｝面と｛１００｝面との間にあ
り、かつ、前記の方向と直交する方向で±15゜の
範囲内にある結晶面となされるように構成したも
のである。

この本発明の再生針は、再生針の素材として使
用されるダイヤモンドを、それの基準面（第３図
中の符号２０で示される面｝が結晶学的に｛１１
１｝面として表わされるものであるようにしてシ
ヤンク１８に固着し、電極形成面３、背面４，
５、導入面６，７などを所要のように研磨加工に
よつて形成させることにより、その外形々状が第
１図に示されるようなものとして作られるのであ
る。

前記した本発明の再生針は、それの素材として
基準面が｛１１１｝面となるような状態で天然ダ
イヤモンドから切出したダイヤモンドの角柱を用
いるようにしてもよいことは勿論であるが、再生
針の素材として、ダイヤモンド結晶の外形面が
｛１１１｝面と｛１００｝面とからなる人造ダイ
ヤモンドを、それの｛１１１｝面が基準面となさ
れるような姿態をとるようにして金属棒（例えば
チタン棒）の先端に適当な金属ろうで固着したも
のを再生針の素材として用いるようにしてもよい
のであり、この場合には前記した金属棒として、
実願昭56−96287号の明細書に示されているよう
な再生針母体を用いると好結果が得られる。

第５図は、本発明の再生針の一実施態様のもの
の各研磨面及びダイヤモンドの代表的な結晶面を
表わしたステレオ投影図であり、この第５図は、
再生針の素材のダイヤモンド部分の基準面（第３
図において符号２０で示される面）の結晶学的な
結晶面を（１１１）とし、また、第３図中の基準
となる方向l₅（１１０）を含む方向にとり、さら
に前記の方向l₅と直交する方向l₆を結晶学的に
（００１）を含む方向として表わしたステレオ投
影図である。

第５図において、極は（１１１）であり、角度
αは基準線ｌ_5rの位置を０゜として円周方向に目
盛られており、また、角度βは極の位置を０゜と
して半径方向に目盛られている。再生針における
電極形成面３、背面４，５、導入面６，７は第５
図中においてそれぞれ３ｒ，４ｒ，５ｒ，６ｒ，
７ｒの符号で示されている各点で表わされてい
る。

第５図中で点３ｒで示されている電極形成面３
は本来研磨が困難な結晶面ではあるが、ｌ_6r軸に
対して35゜〜55゜の範囲では研磨が可能なのであ
り、前記した電極形成面３を形成する際の研磨方
向は、第５図中で太矢印３ka，３kbによつて示
されている。この太矢印３ka，３kbで示されて
いる研磨方向は、（００１）の研磨容易方向の影
響によつて生じるのである。

次に、再生針１における電極形成面３に形成さ
れる電極部の形状寸法を規定するために設けられ
る背面４，５は、第５図に示すステレオ投影図中
では点４ｒ，５ｒによつて示されている。背面
４，５の結晶面は、結晶学的に軸６ｒに対して対
称であるから、その一方の背面５についてだけ説
明する。

再生針１における背面５は、第５図示のステレ
オ投影図中の点５ｒで示される結晶学的な面に形
成されるのであるが、この点５ｒで示される面
は、（１１１）と（０１１）との間に近似的に存
在しており、それの研磨容易方向は（１１１）か
ら（０１１）方向に向いているから、背面５を形
成させるための研磨方向としては第５図中の太矢
印５kcで示す方向となる。そして、この第５図
中の太矢印５kcで示される方向は、第１図に示
されている再生針における背面５中に記入されて
いる太矢印５kbと略々一致している。

このように、本発明の再生針においては、背面
４，５を研磨加工によつて形成する際における研
磨方向を、電極形成面３上の電極部の稜線部へ研
磨加工時に欠けを生じさせることがない方向、す
なわち、背面４，５の形成のための研磨方向が、
電極形成面３上の電極部側においてダイヤモンド
砥粒が開放されるような方向（背面５の形成時に
おいては第１図中の太矢印５kbで示される方
向）とした時に、その研磨方向が研磨容易方向と
なるために、既述した従来の再生針における重大
な問題点は良好に解決されるのである。

また、本発明の再生針は、その導入面６，７に
ついても、それらの面の形成時における研磨方向
が研磨容易方向となるので、この点においても従
来の再生針における問題点は良好に解消される。
すなわち、第５図に示すステレオ投影図におい
て、導入面６，７は点６ｒ，７ｒとして示されて
いるが、例えば、導入面７と対応する点７ｒに着
目してみると、この点７ｒは（１０１）から（１
００）の間で（１００）に近い結晶学的な面を表
わしており、研磨方向としては７kdで示すよう
な太矢印の方向として容易に研磨加工を行なうこ
とができるのである。なお、導入面６は導入面７
と結晶学的に対称な面であるから、導入面６を形
成するための研磨加工も導入面７を形成するため
の研磨加工と同様に容易に行なうことができる。

次に、摺接面は（１１１）近傍の結晶学的な面
となるが、デイスクとの相対的な運動方向を第５
図中の矢印３０ａの方向とすると、この方向はダ
イヤモンドにおいて最も耐摩耗性の大きな方向で
あるから、長寿命な再生針が得られることは明ら
かである。また、（１１１）は研磨容易方向と研
磨困難方向とがα方向に関して60゜毎に現われる
ので、第５図中のα方向に基準となる結晶面がず
れることによつて生じる再生針の耐摩耗性のばら
つきは、既述した従来の再生針における耐摩耗性
のばらつきよりも少ない。

第５図に示すステレオ投影図を参照して説明し
た本発明の再生針の一実施態様のものは、再生針
の外形状が第１図に示されるもの、すなわち、従
来例の再生針と同じく、再生針の先端部付近にお
ける再生針の軸心ｌと直交する断面の形状が、
略々正方形ともみなされるような五角形状を呈す
る如き五面体であつたが、本発明は各研磨面間の
面角度が第１図示の再生針における各研磨面間の
面角度よりも多少ずれた再生針にも実施できるこ
とはいうまでもない。

すなわち、本発明の再生針は、（１１１）面を
基準（極）とする第５図に示すステレオ投影図に
おいて、背面４は（１１１）から（１０１）に向
う方向で、（１１１）と（１０１）との間にあ
り、かつ、前記の方向と直交する方向において±
15゜の範囲にある結晶面、すなわち、第５図中の
一点鎖線枠４Ｒ内に存在する結晶面となるように
して実施されてよく、また、背面５は（１１１）
から（０１１）に向う方向で、（１１１）と（０
１１）との間にあり、かつ、前記の方向と直交す
る方向において±15゜の範囲にある結晶面、すな
わち、第５図中の一点鎖線枠５Ｒ内に存在する結
晶面となるようにして実施、されてもよく、さら
に、導入面６は（０１１）から（０１０）に向う
方向で（０１１）と（０１０）との間にあり、か
つ、前記の方向と直交する方向において±15゜の
範囲内にある結晶面、すなわち、第５図中の一点
鎖線枠６Ｒ内に存在する結晶面となるようにして
実施されてもよく、さらにまた、導入面７は（１
０１）から（１００）に向う方向で（１０１）と
（１００）との間にあり、かつ、前記の方向と直
交する方向において±15゜の範囲内にある結晶
面、すなわち、第５図中の一点鎖線７Ｒ内に存在
する結晶面となるようにして実施されてもよいの
である。

前述した背面４，５、及び、導入面６，７など
の結晶学的な面を、既述したような結晶面の総称
で表記する表記法を用いて表現すると、少なくと
も摺接面を含む部分がダイヤモンドで構成されて
いる本発明の再生針において、その２つの背面は
ダイヤモンド結晶体の｛１１１｝面から｛１１
０｝面に向う方向で、｛１１１｝面と｛１１０｝
面との間にあり、かつ、前記の方向と直交する方
向で±15゜の範囲内にある結晶面となされ、ま
た、２つの導入面６，７はダイヤモンド結晶体の
｛１１０｝面から｛１００｝面に向う方向で｛１
１０｝面と｛１００｝面との間にあり、かつ、前
記の方向と直交する方向で±15゜の範囲内にある
結晶面となされるように構成される、ということ
になる。

以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の静電容量値の変化検出型再生針は、
電極形成面３に形成される電極部が所定の形状寸
法のものとして形成されるようにするための２つ
の背面４，５が、研磨容易方向での研磨加工によ
つて形成されるようにそれの結晶学的な結晶面が
定められていることにより、高い研磨能率で短時
間で背面４，５を形成させることができ、また、
それによつて形成される電極部も欠けのない所定
の形状寸法のものとなされ、さらに、２つの導入
面６，７も研磨加工によつて容易に形成できるよ
うな結晶学的な結晶面となされていることにより
再生針を作る際の研磨加工が容易に行なわれ、さ
らにまた、摺接面が｛１１１｝面となされている
ことにより耐摩耗性に優れていて、長寿命な再生
針を容易に提供できるのみならず、従来の再生針
よりも耐摩耗性のばらつきの少ない再生針を容易
に提供できるのであつて、本発明によれば既述し
た従来の再生針におけるような諸問題点のない優
れた再生針を容易に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は再生針の斜視図、第２図は天然ダイヤ
モンドからダイヤモンドの角柱を切出す場合につ
いての説明用の斜視図、第３図は研磨面とダイヤ
モンドの代表的な結晶面をステレオ投影図で表記
する方法を説明するための斜視図、第４図は従来
の再生針の研磨面を示すステレオ投影図、第５図
は本発明の再生針の研磨面を示すステレオ投影図
である。１……再生針、３……電極形成面、４，５……
背面、６，７……導入面、１０……天然ダイヤモ
ンド、１７……ダイヤモンドの角柱、２０……基
準面、１９……仮想面。

Claims

【特許請求の範囲】

１情報信号と対応するピツトが配列されること
によつて形成された記録跡を有する情報記録媒体
円盤面に摺接する摺接面が、２つの導入面と２つ
の背面及び１つの電極形成面と前記の摺接面との
間で形成される稜線とによつて五角形状の外形を
呈するものとなされているとともに、少なくとも
前記した摺接面を含む部分がダイヤモンドを用い
て構成されており、電極形成面に設けられた電極
部により記録跡中の情報信号が静電容量値の変化
に応じた電気量の変化として検出されるようにな
されている静電容量値の変化検出型再生針であつ
て、前記したダイヤモンドによる構成部分に形成
される摺接面がダイヤモンド結晶体の｛１１１｝
面近傍の結晶面となされており、また、摺接面と
電極形成面とで形成される稜線の中点と、摺接面
と２つの導入面とで形成される２本の稜線の交点
とを結ぶ直線を仮定した時に、前記の仮定した直
線に対して２つの背面が結晶学的に略々対称であ
つて、それらの面がダイヤモンド結晶体の｛１１
１｝面から｛１１０｝面に向う方向で｛１１１｝
面と｛１１０｝面との間にあり、かつ、前記の方
向と直交する方向で±15゜の範囲内にある結晶面
になされると共に、前記の仮定した直線に対して
２つの導入面が結晶学的に略々対称であつて、そ
れらの面がダイヤモンド結晶体の｛１１０｝面か
ら｛１００｝面に向う方向で｛１１０｝面と｛１
００｝面との間にあり、かつ、前記の方向と直交
する方向で±15゜の範囲内にある結晶面になされ
るように構成された静電容量値の変化検出型再生
針。