JPS62187035A - セラミツクコ−ト積層板の製造方法 - Google Patents

セラミツクコ−ト積層板の製造方法

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JPS62187035A
JPS62187035A JP61028695A JP2869586A JPS62187035A JP S62187035 A JPS62187035 A JP S62187035A JP 61028695 A JP61028695 A JP 61028695A JP 2869586 A JP2869586 A JP 2869586A JP S62187035 A JPS62187035 A JP S62187035A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
copper foil
manufacturing
resin
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP61028695A
Other languages
English (en)
Inventor
寛士 長谷川
光弘 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication of JPS62187035A publication Critical patent/JPS62187035A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal

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  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は熱伝導性、耐熱性にすぐrLるプリント配線板
用の積層板の製造法に関する。
(従来の技術) 従来、プリント配線板としてはフェノール樹脂積層板、
エポキシ樹脂積層板が多く用いらrk。
できた。しかし、最近、電子機器の高性能化。
小型化に伴い、高密度実装化か望まfL、そjLによっ
て生ずる熱の高密度発生をいかに処理するかということ
が問題になってきた。
これに対し、従来の有機質系基板は熱伝導性が悪いため
熱放散性に欠ける。また耐熱性に乏しいなどのために高
密度実装化は困難であった。
そのため、熱伝導性にすぐrした基鈑としてアルミナな
どのセラミック基板、あるいは金A4&を8拐としてそ
の表面t−ie縁被at−で覆ったメタルコア基板など
が注目さnている。また、耐熱性の点からも従来のフェ
ノール樹脂、エポキシ樹脂系基板に代わり、ポリイミド
樹脂あるいはポリエーテルエーテルケトン、ポリナル7
オンなどの耐熱性熱可塑性樹脂を用いた基板の開発も行
われている。
(発明が解決しようとする間踊点) しかし、こrしらの基板についてみると種々の問題点が
ある。すなわち、アルミナ、炭化ケイ素などのセラミッ
ク基板は熱伝導性、耐熱性にすぐnているか、製造工程
かa雑で、加工性が悪い、機械的強度が低い、基板の大
きさに制限があり、大型の基板が得らnないなどの欠点
かある。また、金属板を芯材としたメタルコア基鈑は回
路となる導体部と接しているのは熱伝導率の低い樹脂か
らなる絶縁層であるために金属芯の高熱伝導性を十分に
活かしきγ(ず、熱放散性は十分ではない。また芯材か
金属板であるのでスルーホールの形成が容易ではなく、
非常に権雑な製造工程を必要とする。
さら忙耐熱性樹脂基板は耐熱性は向上しているものの、
樹脂の熱伝導率が低いために熱放散効果は望めない。
本発明はこハらの欠点を改良し、従来の有機質系基板と
同様な製造、加工方法が可能で、しかも熱伝導性、耐熱
性にすぐrした基板を安価に得る製造法を提供するもの
である。
(問題点を解決するための手段) すなわち本発明は、圧延鋼箔の片面に′電気絶縁性のセ
ラミックを両前」してセラミックRjを形成し、そのセ
ラミック層側にプリプレグ’!k IA/1して熱圧成
形して一体化し、鋼箔と有機質基板の間にセラミック層
を設けることを特徴とするものである。
銅箔として圧延鋼箔を用いるのはコストとセラミック溶
射層との密層性のためである。一般にプリント配線板の
回路を形成する之めの銅26には圧延鋼箔と電解銅w3
かある。電専銅箔は、製造時にすて和片面は酸化、PA
面化さnており、さらに樹脂との密層性を向上させるた
めに電層により粗面化処理か施さnる。圧延銅箔は電解
鋼箔に比べるともともとは安価であるが樹脂との@層性
を向上させるためKは融化、粗開化処理か必要である。
本発明で用いるのは酸化、粗面化処理を行っていない生
の圧延鋼箔である。
これは次の理由によるものである。本発明においては銅
箔表面にセラミックを溶射してセラミック#を設けるわ
けであるが、そのときの密着性は酸化処理さnた銅箔よ
ジ純粋な鋼箔の方が良好である。このことがら鋼箔とし
て生の圧延鋼箔を用いるのか密層性も良好でさらにコス
ト的にも有利である。なお、セラミックを溶射するに際
しては一般の溶射で行われるように密層力を高めるため
に銅箔の溶射面にプラスト処理が施される。
セラミックとしてはセラミック基板として最も多く用い
らrしているアルミナが好適であるか。
その他にスピネル、ムライト、ベリリア、炭化ケイ素、
窒化アルミニウムなどの高熱伝導性で電気絶縁性のセラ
ミックを用いることができる。
ざらにプリプレグについて述べると、樹脂としては電気
特性、成形加工性の点からエポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂が好適であるが、その個にフェノール樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂。
メラミン4+1脂、ビニルエステル値(J指などの熱硬
化性樹脂、あるいはポリサル7オン、ポリチーチルエー
テルケトン、yj?IJエーテルサルフオン。
ポリエーテルイミドなどの熱可塑性樹脂を用いることが
できる。また繊維としては一般に用いらnるガラス繊維
の他に、ケプラー繊維1紙、SiCMtm、シリカ繊維
などを用いることができる。
セラミックのm刑法としてはプラズマ両射法、ガス溶射
法、水プラズマm側法などの各all浴法法適用できる
さらにセラミック層を溶射した鋼箔は有機質基板の両面
に用いても1片面に用いてもさしつかえない。
(作用) 本発明の方法により得らrLる積層板を工有機貴基板の
表面に熱伝導性の良好なセラミック層を有するために熱
放散性にすぐrLる。また、1gl路の形成は表面の鋼
箔にレジスト層を形成してエツチング処理を行うことに
より容易に形成することができ、スルーホールの形成も
便米の有慎質、4板と同様の方法で行うことかでさる。
ざらに醸化処理していない銅箔にセラミックを溶射する
ために銅箔とセラミック層の@層性も良好である。’!
7t、 −ffに無機質であるセラミックと有機償であ
るプラスチックは親和性が乏しいため十分なりiaが得
らnないといわjしているが1本発明のようにセラミッ
クの浴刺ノーに1リプレグを載置して熱圧酸形すると、
両側#は粗面であり気孔も存在するために#j11.低
粘度化したiM!4脂がその間隙に浸透して接右面槓が
増大する。そのために十分な密着性力l得らrLる。ま
た、セラミック溶射層の気孔も樹脂により封孔さrLる
という長所もある。
以下、実施例全挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
(実20例) @1図(工銅箔へのセラミック溶射工程の模式図、第2
図をエセラミック#j創銅箔とプリプレグの積層#4成
図である。
表面を酸化、粗面化処理していない圧延@箔(厚さ55
μ)の片rjfJをプラスト処理後、第1図に示す方法
によりプラズマ溶射法によってブラスト処理面にアルミ
ナを約100μの厚さに溶射して1片面にアルミナ層を
設けた銅箔を得た。
この鋼箔とカラスクロス/エポキシ位4月百含浸プリプ
レグ8を第2図の積/*構成に積み重ね。
島田成形してa層at得た。
この積層板はカラス繊維基材エポキシ樹脂の表面にアル
ミナ層を有し−さらにその上に銅糸屑を有するものであ
り、鋼箔とセラミック間。
およびセラミックとエポキシ樹ハ旨山】の密着性を1良
好であり、一般のガラス繊維基材エポキシ樹脂銅張積層
板と同様の方法でエツチングによる回路形成、スルーホ
ールの形成が可能であった。
また1回路に接して熱伝導性のよいアルミナ層があるた
め、熱放散性にすぐrL、  Lかも耐熱性もよく、さ
らに耐アーク性、耐トラツキング性も良好なものであっ
た。
(発明の効果) 本発明によnば高熱伝導性、高耐熱性に優iL九積#板
を容易にしかも安価に製造することかできる。また本発
明によシ得らrLる積層板を工時性的にもすぐnたもの
で1回路形成、スルーホールの形成などの後加工も従来
の有機質基鈑と同様の方法で行うことができ、従来のセ
ラミック基板、メタルコア基板の問題点を解決し得るも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図ヲ:1本発明の実施例の銅箔へのアルミナ溶射の
模式図、第2□□□はアルミナ溶射鋼箔とプリプレグの
積層構成図である。 符号の説明 1  プラズマ溶射ガン 2 セラミック粉末供給口5
 プラズマ炎    4 セラミック#刺層5 圧延銅
箔     6 銅箔送りロール7 銅箔巻取りロール
 8 プリプレグ代理人弁理士 黄 瀬  章:、。 ゛“・\

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、圧延銅箔の片面に電気絶縁性のセラミック溶射層を
    形成し、該銅箔のセラミック溶射層側に所定数のプリプ
    レグを積層熱圧成形することを特徴とする積層板の製造
    方法。 2、セラミック溶射に用いるセラミックがアルミナを主
    成分とするものである特許請求の範囲第1項記載の積層
    板の製造方法。 3、プリプレグの樹脂がエポキシ樹脂またはポリイミド
    樹脂である特許請求の範囲第1項記載の積層板の製造方
    法。 4、プリプレグの繊維がガラス繊維である特許請求の範
    囲第1項記載の積層板の製造方法。
JP61028695A 1986-02-12 1986-02-12 セラミツクコ−ト積層板の製造方法 Pending JPS62187035A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2713984A1 (fr) * 1993-12-22 1995-06-23 Mtu Muenchen Gmbh Pièce en un matériau composite renforcé de fibres, comportant une couche de protection contre l'érosion.
EP0681322A3 (en) * 1988-04-25 1998-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Bonded ceramic metal composite substrates and circuit boards constructed therewith
WO1998007188A1 (de) * 1996-08-08 1998-02-19 Siemens Aktiengesellschaft Waferrahmen

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0681322A3 (en) * 1988-04-25 1998-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Bonded ceramic metal composite substrates and circuit boards constructed therewith
FR2713984A1 (fr) * 1993-12-22 1995-06-23 Mtu Muenchen Gmbh Pièce en un matériau composite renforcé de fibres, comportant une couche de protection contre l'érosion.
WO1998007188A1 (de) * 1996-08-08 1998-02-19 Siemens Aktiengesellschaft Waferrahmen

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