JPS62185346A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
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- JPS62185346A JPS62185346A JP61026257A JP2625786A JPS62185346A JP S62185346 A JPS62185346 A JP S62185346A JP 61026257 A JP61026257 A JP 61026257A JP 2625786 A JP2625786 A JP 2625786A JP S62185346 A JPS62185346 A JP S62185346A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止形半導体装置、特に集積回路、ト
ランジスター、ダイオード、混成集積回路、コンデンサ
ー、抵抗体等を外的環境から保護するために、全体を樹
脂で封止した樹脂封止形半導体装置に関するものである
。
ランジスター、ダイオード、混成集積回路、コンデンサ
ー、抵抗体等を外的環境から保護するために、全体を樹
脂で封止した樹脂封止形半導体装置に関するものである
。
第2図は従来の樹脂封止形1Gの断面を示し、図におい
て、1はリードフレーム(図示せず)の一部を構成する
複数のリード、2はチップ4とリード1とを電気的に接
続するボンディングワイヤ、3はチップ4を半田等を用
いて固定するためのダイパッド、4はチップ、7は全体
を封止するための封止樹脂で、例えばエポキシ樹脂、シ
リコン樹脂等である。
て、1はリードフレーム(図示せず)の一部を構成する
複数のリード、2はチップ4とリード1とを電気的に接
続するボンディングワイヤ、3はチップ4を半田等を用
いて固定するためのダイパッド、4はチップ、7は全体
を封止するための封止樹脂で、例えばエポキシ樹脂、シ
リコン樹脂等である。
次に従来の樹脂封止形ICの封止方法について説明する
。
。
デツプ4をダイパッド3に半田等を用いて固定し、チッ
プ4とリード1を電気的に接合すべく、ボンディングワ
イヤ2を配線する。その後外的環境から全体を保護する
ためにトランスファ成形法によりエポキシ樹脂を主体と
する封止樹脂7でこれを封止する。
プ4とリード1を電気的に接合すべく、ボンディングワ
イヤ2を配線する。その後外的環境から全体を保護する
ためにトランスファ成形法によりエポキシ樹脂を主体と
する封止樹脂7でこれを封止する。
従来の樹脂封止形半導体装置は、以上のように構成され
ているので、チップ4.ダイパツド3およびボンディン
グワイヤ2(以下チップ4等と称す)が封止樹脂7と直
接接触するために、チップ4等が封止樹脂7の硬化収縮
や上記部品との熱膨張差により機械的応力を受け、ポン
ディングワイヤの断線やチップ等の破壊が生ずるという
問題があった。
ているので、チップ4.ダイパツド3およびボンディン
グワイヤ2(以下チップ4等と称す)が封止樹脂7と直
接接触するために、チップ4等が封止樹脂7の硬化収縮
や上記部品との熱膨張差により機械的応力を受け、ポン
ディングワイヤの断線やチップ等の破壊が生ずるという
問題があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、チップ等との熱膨張差や硬化収縮性のある樹
脂を封止樹脂に用いても、ヒートショックや耐湿性が優
れ、断線や破壊が起こりにくい樹脂封止形半導体装置を
得ることを目的とする。
たもので、チップ等との熱膨張差や硬化収縮性のある樹
脂を封止樹脂に用いても、ヒートショックや耐湿性が優
れ、断線や破壊が起こりにくい樹脂封止形半導体装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る樹脂封止形半導体装置は、熱分解型発泡
剤を混入した熱可塑性樹脂の発泡体をチップ等に塗布し
、体泡体を発泡させ、封止樹脂で全体を封止し、その後
これを熱可塑性樹脂の軟化点温度以上に加熱し、封止樹
脂の内部に空洞を形成したものである。
剤を混入した熱可塑性樹脂の発泡体をチップ等に塗布し
、体泡体を発泡させ、封止樹脂で全体を封止し、その後
これを熱可塑性樹脂の軟化点温度以上に加熱し、封止樹
脂の内部に空洞を形成したものである。
この発明においては、発泡体の付着したチップ等を樹脂
封止した後、発泡体をその軟化点温度以上に加熱するこ
とにより、その体積を収縮させ封止樹脂の内部に空洞を
形成したから、千ノブ等は封止樹脂と直接接触せず、樹
脂の硬化応力や熱膨張差による応力を受けない。
封止した後、発泡体をその軟化点温度以上に加熱するこ
とにより、その体積を収縮させ封止樹脂の内部に空洞を
形成したから、千ノブ等は封止樹脂と直接接触せず、樹
脂の硬化応力や熱膨張差による応力を受けない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図(a)〜(C1は本発明の一実施例による樹脂封
止形ICの断面図を示し、図において、■はリードフレ
ーム(図示せず)の一部を構成する複数のリード、2は
チップ4とリード1を電気的に接続する直径が20μm
のポンディングワイヤ、3はチップ4を半田等を用いて
固定するだめのダイパッド、4はチップ、5は熱分解型
発泡剤(例えばジニトロペンタメチレンテトラミン、ア
ゾジカルボンアミド、4・4オキシビスベンゼンスルホ
ニルヒドラジソド、パラトルエンスルフォニルヒドラジ
ッド、パラトルエンスルフォニルアセトンヒドラシーン
、ヒドラゾジカルボンアミド等の発泡剤)、6は加熱す
ると発泡して体積が増加する発泡体で、これは上記発泡
剤5が混入された合成ゴム、天然ゴム、酢酸ビニル、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、HBS、
ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンオキサイド、ナイロン
等の熱可塑性樹脂である。7は全体を封止するエポキシ
樹脂、シリコン樹脂などの封止樹脂、8は発泡体6を加
熱することによりこれが軟化融着し、その体積が収縮し
てできた空洞である。
止形ICの断面図を示し、図において、■はリードフレ
ーム(図示せず)の一部を構成する複数のリード、2は
チップ4とリード1を電気的に接続する直径が20μm
のポンディングワイヤ、3はチップ4を半田等を用いて
固定するだめのダイパッド、4はチップ、5は熱分解型
発泡剤(例えばジニトロペンタメチレンテトラミン、ア
ゾジカルボンアミド、4・4オキシビスベンゼンスルホ
ニルヒドラジソド、パラトルエンスルフォニルヒドラジ
ッド、パラトルエンスルフォニルアセトンヒドラシーン
、ヒドラゾジカルボンアミド等の発泡剤)、6は加熱す
ると発泡して体積が増加する発泡体で、これは上記発泡
剤5が混入された合成ゴム、天然ゴム、酢酸ビニル、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、HBS、
ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンオキサイド、ナイロン
等の熱可塑性樹脂である。7は全体を封止するエポキシ
樹脂、シリコン樹脂などの封止樹脂、8は発泡体6を加
熱することによりこれが軟化融着し、その体積が収縮し
てできた空洞である。
次に封止方法について説明をする。
まず第1図(alに示すようにグイバット3に千ツブ4
を半田等で固定し、次に、チップ4とリード1を電気的
に接合するため、ボンディングワイヤ2を配線する。そ
の後千)14等の一部あるいは全周囲に発泡体6を付着
させ、これを発泡剤5の分解温度以上に加熱して全体を
膨張させる。次に第1図(b)のごどく、封止樹脂7を
用いてトランスファ成形法により全体を封止する。次に
全体を発泡体5の軟化温度以上に加熱して、発泡体5の
溶融収縮によりその体積を縮め、第1図(C)に示すよ
うに封止樹脂7の内部に空洞8を形成する。
を半田等で固定し、次に、チップ4とリード1を電気的
に接合するため、ボンディングワイヤ2を配線する。そ
の後千)14等の一部あるいは全周囲に発泡体6を付着
させ、これを発泡剤5の分解温度以上に加熱して全体を
膨張させる。次に第1図(b)のごどく、封止樹脂7を
用いてトランスファ成形法により全体を封止する。次に
全体を発泡体5の軟化温度以上に加熱して、発泡体5の
溶融収縮によりその体積を縮め、第1図(C)に示すよ
うに封止樹脂7の内部に空洞8を形成する。
このように本実施例では、封止樹脂とチップ等との間に
発泡体を利用して空洞を形成し、封止樹脂とチップとが
直接接触しないようにしたので、樹脂の硬化収縮やチッ
プ等と樹脂との熱膨張差により生ずる応力を低減化する
ことができる。
発泡体を利用して空洞を形成し、封止樹脂とチップとが
直接接触しないようにしたので、樹脂の硬化収縮やチッ
プ等と樹脂との熱膨張差により生ずる応力を低減化する
ことができる。
なお、上記実施例では、発泡体の体積を増加させるため
にこれに混入する発泡剤として加熱分解形のものを用い
、分解に伴うガスを利用し、熱可塑性樹脂を膨張させた
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、発泡剤と
して有機溶剤、例えばキシレン、トルエン、ベンゼン、
メチルアルコール、エチルンアルコール等をを合成ゴム
に膨潤させたものを用い、有機溶剤の沸点以上の温度で
加熱することにより、発泡体の体積を増加させるように
してもよい。
にこれに混入する発泡剤として加熱分解形のものを用い
、分解に伴うガスを利用し、熱可塑性樹脂を膨張させた
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、発泡剤と
して有機溶剤、例えばキシレン、トルエン、ベンゼン、
メチルアルコール、エチルンアルコール等をを合成ゴム
に膨潤させたものを用い、有機溶剤の沸点以上の温度で
加熱することにより、発泡体の体積を増加させるように
してもよい。
以上のように、この発明によれば、加熱分解形の発泡剤
を混入した熱可塑性樹脂の発泡体をチップ等に塗布し、
発泡剤を発泡させた後、全体を樹脂で封止し再び熱可塑
性樹脂の軟化点以上に加熱することにより、封止樹脂の
内部に空洞を形成したので、チップ等が封止樹脂の硬化
応力や熱膨張差による応力を受けない信頼性の高い樹脂
封止形半導体装置を得ることができる。
を混入した熱可塑性樹脂の発泡体をチップ等に塗布し、
発泡剤を発泡させた後、全体を樹脂で封止し再び熱可塑
性樹脂の軟化点以上に加熱することにより、封止樹脂の
内部に空洞を形成したので、チップ等が封止樹脂の硬化
応力や熱膨張差による応力を受けない信頼性の高い樹脂
封止形半導体装置を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例による樹脂封止形ICの断面
図、第2図は従来の樹脂封止形ICの断面図である。 図において、1はリード、2はボンディングワイヤ、3
はダイパット、4はチップ、5は発泡剤、6は発泡体、
7は封止樹脂、8は空洞である。 代理人 早 瀬 憲 − 第1 図 6 王−f
図、第2図は従来の樹脂封止形ICの断面図である。 図において、1はリード、2はボンディングワイヤ、3
はダイパット、4はチップ、5は発泡剤、6は発泡体、
7は封止樹脂、8は空洞である。 代理人 早 瀬 憲 − 第1 図 6 王−f
Claims (2)
- (1)樹脂封止形半導体装置において、 ダイパット上に固定されボンディングワイヤを配線され
たチップの一部あるいは全周囲に、熱分解形発泡剤を混
入した熱可塑性樹脂を付着させ、該樹脂を加熱により発
泡させ、 その後熱硬化性樹脂で全体を封止し、 これを熱可塑性樹脂の軟化点以上に加熱して熱可塑性樹
脂を熔融収縮することにより上記熱硬化性樹脂の内部に
空洞を形成してなることを特徴とする樹脂封止形半導体
装置。 - (2)上記熱分解形発泡剤は4・4′オキシビスベンゼ
ルホニルヒドラジッドであり、上記熱可塑性樹脂はポリ
プロピレンであり、上記熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹脂
封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61026257A JPS62185346A (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61026257A JPS62185346A (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62185346A true JPS62185346A (ja) | 1987-08-13 |
Family
ID=12188204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61026257A Pending JPS62185346A (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62185346A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1986
- 1986-02-08 JP JP61026257A patent/JPS62185346A/ja active Pending
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