JPS62185251A - Light irradiating method for optical memory disk - Google Patents
Light irradiating method for optical memory diskInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は光メモリーディスク光照射方法に関する。[Detailed description of the invention] (Technical field) The present invention relates to an optical memory disk light irradiation method.
(従来技術)
光メモリーディスクを用いる、情報の記録・再生システ
ムは良く知られている。(Prior Art) Information recording and reproducing systems using optical memory disks are well known.
第5図は、このようなシステムの、光メモリーディスク
10と、光ピツクアップとを説明図として示している。FIG. 5 shows an optical memory disk 10 and an optical pickup of such a system as an explanatory diagram.
以下、この第5図に即して、光メモリーディスクlOに
対する情報の書込みと読出しにつき簡単に説明し、あわ
せて1本発明により解決しようとする問題点につき説明
する。Hereinafter, with reference to FIG. 5, writing and reading information to and from the optical memory disk 10 will be briefly explained, and one problem to be solved by the present invention will also be explained.
第5図において半導体レーザー12を発光させると、放
射させるレーザー光はレンズ14により平行光束化され
、偏光ビームスプリッタ−16と1/4波長板18を透
過したのち、対物レンズ20に入射し、同レンズ20に
よって、光メモリーディスク10上にスポット状に集束
する。従って、光メモリーディスク10を回転させつつ
、入力信号により、半導体レーザー12の発光をオン−
オフすることによって光メモリーディスク10へ、情報
を書込みを行うことができる。In FIG. 5, when the semiconductor laser 12 is made to emit light, the emitted laser light is collimated by the lens 14, passes through the polarizing beam splitter 16 and the quarter-wave plate 18, and then enters the objective lens 20. The lens 20 focuses the light onto the optical memory disk 10 in the form of a spot. Therefore, while rotating the optical memory disk 10, the semiconductor laser 12 is turned on in response to an input signal.
By turning it off, information can be written to the optical memory disk 10.
光メモリーディスク10の照射された光は、ディスクに
より反射され、対物レンズに入射し174波長板18を
介して偏光ビームスプリッタ−16に入射する。このと
き、光は、1/4波長板18を2度透過することにより
、その偏光方向が当初の方向と直交しており、従って偏
光ビームスプリッタ−16により第5図左方へ反射され
る。この反射光は。The light emitted from the optical memory disk 10 is reflected by the disk, enters the objective lens, passes through the 174-wave plate 18, and enters the polarizing beam splitter 16. At this time, the light passes through the quarter-wave plate 18 twice, so that its polarization direction is perpendicular to the original direction, and is therefore reflected to the left in FIG. 5 by the polarizing beam splitter 16. This reflected light.
光学系22を介して、受光素子24に入射する。光学系
22は、フォーカシング、トラッキングの制御を行うた
めの信号を得るための光学系であり、非点収差方式、ナ
イフェツジ方式等、種々の方式の光学系が用いられる。The light enters the light receiving element 24 via the optical system 22. The optical system 22 is an optical system for obtaining signals for controlling focusing and tracking, and various types of optical systems such as an astigmatism type and a knife type are used.
因みに、非点収差方式の場合は、光学系22は集束レン
ズとシリンドリカルレンズとの組合せであり、受光素子
24は分割受光素子である。Incidentally, in the case of the astigmatism method, the optical system 22 is a combination of a converging lens and a cylindrical lens, and the light receiving element 24 is a divided light receiving element.
フォーカシング用、トラッキング用の信号に応じて、周
知のフォーカシング、トラッキングの制御が行なわれる
。Well-known focusing and tracking control is performed in accordance with focusing and tracking signals.
光メモリーディスク10の記録面に、すでに情報が書き
込まれているときは、上記記録面による反射光の光強度
は、書き込まれている情報に応じて変化するから、この
光強度変化を受光素子24により電気信号化することに
より、情報の読出しが行なわれる。When information has already been written on the recording surface of the optical memory disk 10, the light intensity of the light reflected by the recording surface changes depending on the written information. The information is read by converting it into an electrical signal.
以上が、光メモリーディスクシステムにおける情報書込
み、読出しのあらましである。The above is an overview of information writing and reading in an optical memory disk system.
さて、このような光メモリーディスクシステムにおいて
は、上述の如く、情報の書込みにせよ読出しにせよ、照
射レーザー光をディスクの記録面上にスポラ1〜状に集
束せしめる必要がある。そして、情報の書込みの場合、
記録される最小のピッ1−の大きさは、集束光のスポッ
ト径程度であるし。Now, in such an optical memory disk system, as described above, whether writing or reading information, it is necessary to focus the irradiated laser beam onto the recording surface of the disk in the form of a sporater. And when writing information,
The size of the smallest recorded pip is about the same as the spot diameter of the focused light.
情報の読出しの際に検出しろる最小のピットの大きさも
、上記スポット径の程度である。The size of the smallest pit that can be detected when reading information is also about the same as the spot diameter.
一方、光メモリーディスクにおける記録面の面積は有限
であるから、記録密度を高くするには、光メモリーディ
スクにスポット状に照射される光の、スポット径を小さ
くしなければならない。On the other hand, since the area of the recording surface of an optical memory disk is finite, in order to increase the recording density, it is necessary to reduce the spot diameter of the light irradiated onto the optical memory disk in the form of a spot.
ところで、レーザー光束を、対物レンズによりスポット
状に集束せしめる場合、集束部におけるスポラ1−径W
oは、レーザー光の波長λと、対物レンズの開口数NA
とで定まり。By the way, when the laser beam is focused into a spot by an objective lens, the spora 1 at the focusing part - the diameter W
o is the wavelength λ of the laser beam and the numerical aperture NA of the objective lens
Determined by.
Wo=1.22λ/NA (1)で与え
られることが知られている。It is known that Wo=1.22λ/NA (1).
従って、対物レンズを用いる場合にスポット径Woを小
さくするには、(1)式から明らかなように、波長λを
小さくシ、開口数NAを大きくすれば良い。しかしなが
ら、半導体レーザーの発光波長λで現在のところ安定し
て得られるのは780nmであり、現状では、780n
+aがλの実質的な最小値となっている。Therefore, in order to reduce the spot diameter Wo when using an objective lens, as is clear from equation (1), the wavelength λ may be reduced and the numerical aperture NA may be increased. However, the emission wavelength λ of semiconductor lasers that can be stably obtained at present is 780 nm;
+a is the practical minimum value of λ.
一方、開口数NAを大きくすることが必らずしも容易で
はない。すなわち、対物レンズの焦点距離はλ/(NA
)”であられされ、また光メモリーディスクのスキュー
および記録媒体層の厚みのばらつきに対する許容度が、
それぞれλ/(NA)’ 。On the other hand, it is not always easy to increase the numerical aperture NA. That is, the focal length of the objective lens is λ/(NA
)” and the tolerance for optical memory disk skew and recording medium layer thickness variations.
λ/(NA)', respectively.
λ/(NA)’に比例するので、開口数NAが大きくな
ると対物レンズの焦点深度が浅くなり(これはフォーカ
シング制御がむずかしくなることを意味する)、また、
スキューに対する制限や、ディスク製造上の精度条件が
きびしくなる。Since it is proportional to λ/(NA)', as the numerical aperture NA increases, the depth of focus of the objective lens becomes shallower (this means that focusing control becomes more difficult), and
Restrictions on skew and accuracy requirements for disk manufacturing become stricter.
このため現状は、NAとして0.45の近傍の値を選択
し、λ= 780nmについて、スポット径1.2〜1
.6μmを得ている状態である。従って、ディスク上に
おける最小記録ピットの大きさとして1μm以上の大き
さが必要とされる。For this reason, the current situation is to select a value near 0.45 as NA, and for λ = 780 nm, the spot diameter is 1.2 to 1.
.. In this state, a thickness of 6 μm is obtained. Therefore, the minimum recording pit size on the disk is required to be 1 μm or more.
動画デジタルメモリーの場合、20分間の記録に要求さ
れる記録容量は130Gbであるが、もし、最小記録ビ
ットの径を0.5μmとすることができれば、上記20
分間の記録を、ディスク1面にまるまるおさめることが
できる。このように、光メモリーディスクをスポット状
に照射する光のスポット径を小さくすることで、高密度
の記録が可能となるが。In the case of video digital memory, the recording capacity required for 20 minutes of recording is 130 Gb, but if the diameter of the minimum recording bit can be set to 0.5 μm, the above 20
An entire minute of recording can be stored on one side of the disc. In this way, by reducing the spot diameter of the light that illuminates the optical memory disk in a spot-like manner, high-density recording becomes possible.
対物レンズの開口数を大きくすることでこれを実現する
のは上述の如く実際問題として極めて困難である。As mentioned above, it is extremely difficult in practice to achieve this by increasing the numerical aperture of the objective lens.
(目 的)
本発明の目的は、光メモリーディスクにスポット状に照
射されるレーザー光のスポットを、容易に、小径化でき
る、新規な、光メモリーディスク光照射方法の提供にあ
る。(Objective) An object of the present invention is to provide a novel optical memory disk light irradiation method that can easily reduce the diameter of a laser beam spot irradiated onto an optical memory disk.
(構 成) 本発明の方法は、以下の如き特徴を有する。(composition) The method of the present invention has the following characteristics.
すなわち、光メモリーディスクの記録面に照射さるべき
レーザー光は、マスクを介して上記記録面に照射される
6マスクには、スリットもしくはピンホールが形成され
ており、光は、このスリットもしくはピンホールを通っ
て、光メモリーディスクをスポット状に照射する。In other words, the laser light to be irradiated onto the recording surface of the optical memory disk is irradiated onto the recording surface through a mask.The mask has a slit or pinhole formed therein, and the light is irradiated onto the recording surface through the mask. The optical memory disk is irradiated in a spot-like manner through the beam.
マスクに形成されたスリットは、その幅が、照射光の波
長λに対して、2λ以下、好ましくはλ以下に定められ
、長さはディスクにおけるトラック幅に応じて定められ
る。またピンホールの直径は、2λ以下、好ましくはλ
以下に定められる。The width of the slit formed in the mask is determined to be 2λ or less, preferably λ or less, with respect to the wavelength λ of the irradiation light, and the length is determined according to the track width on the disk. The diameter of the pinhole is 2λ or less, preferably λ
Defined below.
さらに、マスクのスリットもしくはピンホールと、光メ
モリーディスクの記録面との間の間隔幅が、2λ以下、
好ましくは、1λ以下に保たれる。Furthermore, the interval width between the slit or pinhole of the mask and the recording surface of the optical memory disk is 2λ or less,
Preferably, it is kept below 1λ.
そして、上記間隔幅は、スリットの幅もしくはピンホー
ルの直径と同程度に保たれる。The above-mentioned interval width is maintained to be approximately the same as the width of the slit or the diameter of the pinhole.
本発明は、発明者らによる。以下の如き実験的な発見に
基礎をおいている。The present invention is due to the inventors. It is based on the following experimental discoveries.
周知の如く、微小なピンホールを通して光を伝播させる
と1通過光はピンホールにより回折する。As is well known, when light is propagated through a minute pinhole, one passing light is diffracted by the pinhole.
ピンホールの直径が波長程度ともなると、回折効果は最
大となり、ピンホールを通過した光は、ピンホールの位
置を発散の中心とする球面波として伝播する。When the diameter of the pinhole becomes about the same as the wavelength, the diffraction effect becomes maximum, and the light that passes through the pinhole propagates as a spherical wave with the center of divergence at the position of the pinhole.
しかしながら、ピンホールを通った光が球面波となるの
は、ピンホールの位置から数波長もへたたった、所謂フ
ァーフィールドの領域であり、ピンホール直後のニアフ
ィールドと呼ばれる領域では1通過光は平面波としての
性質を示す。However, the light passing through a pinhole becomes a spherical wave in the so-called far-field region, which is several wavelengths away from the pinhole position, and in the near-field region immediately after the pinhole, one-passing light becomes a spherical wave. Shows properties as a plane wave.
すなわち、ピンホールの直径をレーザー光の波長のλに
対し、2λ以下とすると、ピンホール通過直後の2λ程
度のニアフィールド内では、通過レーザー光は、略ピン
ホールの径と同じ光束径をもって進行することが認めら
れた。特に、ピンホールの直径りとニアフィールド長d
とが、 D=dのときは、ピンホール通過後にニアフィ
ールド内での光束径は、実質的にピンホールの直径りと
等しい。特に、Dαd≦λのときは良好である。In other words, if the diameter of the pinhole is 2λ or less relative to the wavelength of the laser beam, in the near field of approximately 2λ immediately after passing through the pinhole, the passing laser beam will proceed with a beam diameter approximately equal to the diameter of the pinhole. It was approved to do so. In particular, the diameter of the pinhole and the near field length d
When D=d, the diameter of the luminous flux in the near field after passing through the pinhole is substantially equal to the diameter of the pinhole. It is particularly good when Dαd≦λ.
従って、光メモリーディスクに照射すべきレーザー光を
、その波長λに対し、2λ以下、好ましくは、λ以下の
直径を有するピンホールを通して光メモリーディスクの
記録面に照射し、かつ、ピンホールと記録面との間の距
離を、2λ以下とし。Therefore, the laser beam to be irradiated onto the optical memory disk is irradiated onto the recording surface of the optical memory disk through a pinhole having a diameter of 2λ or less, preferably λ or less, relative to the wavelength λ, and the pinhole and the recording surface are The distance between the two surfaces is 2λ or less.
スリットの幅もしくはピンホールの直径と同程度に保つ
ことによって、実質的にピンホールと同径のスポット径
で、記録面を光照射できる訳である。By maintaining the width of the slit or the diameter of the pinhole, the recording surface can be irradiated with light with a spot diameter that is substantially the same as the pinhole.
以下、具体的な実施例に即して説明する。なお、繁雑を
避けるため、混同の虞れのないものについては、各実施
例とも、第5図におけると同一の符号を用いる。Hereinafter, description will be given based on specific examples. Incidentally, in order to avoid complexity, the same reference numerals as in FIG. 5 are used in each embodiment for parts that are unlikely to be confused.
第1図にす実施例は、第5図に示す従来例において、対
物レンズ20と、光メモリーディスク10との間に、ピ
ンホールを有するマスク30を配備した例である。The embodiment shown in FIG. 1 is an example in which a mask 30 having pinholes is provided between the objective lens 20 and the optical memory disk 10 in the conventional example shown in FIG.
レーザー光は、対物レンズ20によりマスク30上に、
スポット状に集束する。すなわち第2図に示すように、
対物レンズによる集束光LOは、マスク30上にスポッ
ト状に集束する。そして、光の一部は、ピンホールPH
を通過し、光L1となって光メモリーディスク10の記
録面(ディスクIOの、マスク30に対向する表面)に
スポット状に入射する。このとき照射光の記録面上での
スポット径は、ピンホールPHの直径LAと略等しい。The laser beam is directed onto the mask 30 by the objective lens 20.
Focuses into a spot. That is, as shown in Figure 2,
The focused light LO by the objective lens is focused onto the mask 30 in the form of a spot. And part of the light is a pinhole PH
The light L1 is incident on the recording surface of the optical memory disk 10 (the surface of the disk IO facing the mask 30) in the form of a spot. At this time, the spot diameter of the irradiated light on the recording surface is approximately equal to the diameter LA of the pinhole PH.
もちろん、LAと、LB(ピンホールPHと記録面との
間隔幅)とは互いに略等しくかつ、それぞれ2λ以下で
ある。Of course, LA and LB (the interval width between the pinhole PH and the recording surface) are substantially equal to each other and each is 2λ or less.
さて、この実施例につき、具体的に説明する。Now, this example will be explained in detail.
まず、光メモリーディスク10であるが、石英ガラスを
基板とし、その片面に、記録媒体として、さに蒸着して
形成した。なお、記録媒体は、上にあげたものに限らず
、一般に用いられている材料、例えば、全屈薄膜、有機
染料系、銀塩系、フォトレジスト系、Te系、金属酸化
物系等をあげることができる。First, the optical memory disk 10 was formed by vapor deposition on one side of a quartz glass substrate as a recording medium. Note that the recording medium is not limited to those listed above, and may include commonly used materials such as a total refraction thin film, an organic dye type, a silver salt type, a photoresist type, a Te type, a metal oxide type, etc. be able to.
次に、半導体レーザー12としては、発光波長が780
nmのものを用いた。Next, the semiconductor laser 12 has an emission wavelength of 780 nm.
nm was used.
マスク30は、次の如くして作製したものを用いた。The mask 30 was manufactured as follows.
すなわち、厚さ1.5mmの低膨張ガラスの片面にまず
、クロームの薄膜(厚さ1000人)をスパッタリング
により形成する。次に、この薄膜上にフォトレジストを
塗布し、電子ビームでピンホール形状を露光する。現像
により露光部のフォトレジストを除き、クロー11の薄
膜に対してドライエツチングを行ってピンホールをあげ
る。最後にフォトレジストをとりのぞくと、ピンホール
を有するマスクが出きあがる。もちろん、このマスクは
、クロームの薄膜の側を、記録面に対向させて用いる。That is, first, a thin chrome film (1000 ml thick) was formed on one side of a 1.5 mm thick low expansion glass by sputtering. Next, a photoresist is applied on this thin film, and a pinhole shape is exposed to an electron beam. The photoresist in the exposed area is removed by development, and the thin film of the claw 11 is dry etched to create pinholes. Finally, the photoresist is removed, leaving a mask with pinholes. Of course, this mask is used with the chrome thin film side facing the recording surface.
ピンホールの直径は0.5μmとした。The diameter of the pinhole was 0.5 μm.
さらに、マスク30のピンホールと記録面との間隔を、
0.5μm±0.1μmに保つために、小型ウィンチェ
スタディスクに用いられている空気浮上式のピックアッ
プと同様の方式を用いて、マスク3oを浮上させた。こ
れによりフォーカシング制御は不要となった。トラッキ
ング制御は適当な方式で行う。Furthermore, the distance between the pinhole of the mask 30 and the recording surface is
In order to maintain the distance at 0.5 μm±0.1 μm, the mask 3o was levitated using a method similar to the air levitation type pickup used in small Winchester disks. This eliminates the need for focusing control. Tracking control is performed using an appropriate method.
上記の条件において、記録面上における照射光のスポッ
ト径は、0.5〜0.6μmとなった。Under the above conditions, the spot diameter of the irradiated light on the recording surface was 0.5 to 0.6 μm.
この実施例で、0.5μの径を有するピットを0.5μ
mピッチで記録することができた。この点は、走査型電
子顕微鏡で確認できた。書込み、読出しとも良好に行う
ことができた。In this example, pits with a diameter of 0.5μ are
It was possible to record at m pitch. This point was confirmed using a scanning electron microscope. Both writing and reading could be performed satisfactorily.
なお、記録面に照射される光量は、ピンホールの径と、
マスク上に集束する対物レンズによるスポット径とによ
って定まる。今説明している実施例では、上記スポット
の面積とピンホールの面積比による計算値と同程度、す
なわち、対物レンズにより集束する光量の10〜17%
であった。ピンホールと記録面とが極めて近接してい、
るため、ピンホールから記録面に入射する光が、記録面
で反射されて、再びピンホールを通過するまでにおける
光量損失は少い。Note that the amount of light irradiated onto the recording surface depends on the diameter of the pinhole and
It is determined by the spot diameter focused on the mask by the objective lens. In the example described now, the value is about the same as the calculated value based on the ratio of the area of the spot and the area of the pinhole, that is, 10 to 17% of the amount of light focused by the objective lens.
Met. The pinhole and recording surface are very close together,
Therefore, there is little loss in the amount of light that enters the recording surface from the pinhole until it is reflected by the recording surface and passes through the pinhole again.
第3図に、別の実施例を示す。FIG. 3 shows another embodiment.
この実施例では、半導体レーザー12から放射されるレ
ーザー光は、レンズ等の光学系を介することなく、直接
、マスク30に照射され、ピンホールを通った光が、光
メモリーディスク10の記録面にスポット状に照射され
る。In this embodiment, the laser light emitted from the semiconductor laser 12 is directly irradiated onto the mask 30 without passing through an optical system such as a lens, and the light that passes through the pinhole is directed onto the recording surface of the optical memory disk 10. Irradiated in the form of a spot.
半導体レーザーから放射される光は、発散性の光束であ
るから、半導体レーザーとマスクとの距離が大きくなる
ほど、マスクのピンホールへおくり込まれる光量が小さ
くなる。従って、第3図の方式で、本発明を実施すると
きは、光量の損失を小さくおさえるために、半導体レー
ザーの光源部とマスクとを出来る限り近接させる必要が
ある。Since the light emitted from the semiconductor laser is a diverging light beam, the larger the distance between the semiconductor laser and the mask, the smaller the amount of light that enters the pinhole of the mask. Therefore, when implementing the present invention using the method shown in FIG. 3, it is necessary to place the light source of the semiconductor laser and the mask as close as possible in order to keep the loss of light amount small.
従って、このような実施の態様においては、ピンホール
を有するマスクを蒸着等によって、半導体レーザーの出
射鏡面に直接設けてもよい。あるいは、マスクと同様の
効果を有する導波路をレーザーの放射前面に設けること
も考えられる。Therefore, in such an embodiment, a mask having pinholes may be provided directly on the emission mirror surface of the semiconductor laser by vapor deposition or the like. Alternatively, it is also conceivable to provide a waveguide having the same effect as a mask in front of the laser emission.
第3図に示す実施の態様の場合、信号検出は。In the embodiment shown in FIG. 3, the signal detection is.
マスクの位置で、ピンホールの周囲に受光素子を設ける
ことによって行ってもよいが、このようにするほかに、
記録面からの反射光を光源である半導体レーザーに戻し
、自己結合効果を利用して記録面からの信号を検出する
ことができる。自己結合効果を利用する信号検出方式は
従来から5coop方式として知られている(特公昭5
7−58735号公報、特公昭59−27974号公報
)。This can be done by providing a light receiving element around the pinhole at the mask position, but in addition to this,
The reflected light from the recording surface is returned to the semiconductor laser, which is the light source, and the signal from the recording surface can be detected using the self-coupling effect. The signal detection method that utilizes the self-coupling effect has been known as the 5coop method (Tokukō 5
7-58735, Japanese Patent Publication No. 59-27974).
しかし、例えば、第5図に示す従来の光ピツクアップの
場合、経路の光損失のため、記録面に入射するのは、半
導体レーザーからの光のlO%程度であり、信号変化分
としては、その10〜30%が反射する。経路の損失が
90%であるから、半導体レーザーに戻るのは1発光量
の0.1〜0.3%であり。However, in the case of the conventional optical pickup shown in FIG. 5, for example, only about 10% of the light from the semiconductor laser is incident on the recording surface due to optical loss in the path, and the signal change is 10-30% is reflected. Since the path loss is 90%, only 0.1 to 0.3% of the amount of one light emission is returned to the semiconductor laser.
この程度の戻り光では、5coop方式による信号検出
は必ずしも容易ではない。With this level of returned light, signal detection using the 5-coop method is not necessarily easy.
しかし、本発明を第3図の方式で実施すると、ピンホー
ルを通って記録面に達する光は、数%ないし数10%で
あるが、記録面で反射して半導体レーザーへ戻る光には
殆ど光量損がない。従って、5coop方式による信号
検出は極めて容易である。However, when the present invention is implemented using the method shown in FIG. 3, only a few percent to several tens of percent of the light passes through the pinhole and reaches the recording surface, but almost no light is reflected by the recording surface and returns to the semiconductor laser. No loss of light intensity. Therefore, signal detection using the 5coop method is extremely easy.
勿論、光量損の少い経路を構成すれば、第1図の実施例
方式でも、5coop方式による信号検出が可能である
。Of course, if a path with less light loss is constructed, signal detection using the 5-coop method is possible even with the method of the embodiment shown in FIG.
以上の実施例では、ピンホールを有するマスクを使用す
る場合について説明した。In the above embodiments, a case was explained in which a mask having pinholes was used.
しかし、マスクとして、ピンホールのかわりに第4図に
示す如きスリンl−S Lを有するものをスリット長手
方向が、ディスク半径方向を向くようにして用いてもよ
い。However, instead of the pinhole, a mask having slits L-SL as shown in FIG. 4 may be used with the longitudinal direction of the slits facing in the radial direction of the disk.
この場合、スリットの幅LA1は、光波長λに対し2λ
以下、好ましくはλ以下であり、長さ、LA2は、トラ
ック幅より若干水さい大きさにする。すなわちトラッキ
ングの際に、照射位置が多少ずれても、照射光が、隣接
トラックを照射しない程度の大きさに定めるのである。In this case, the width LA1 of the slit is 2λ for the light wavelength λ.
Hereinafter, it is preferably λ or less, and the length LA2 is made slightly larger than the track width. In other words, the size of the irradiation light is determined to such an extent that even if the irradiation position shifts slightly during tracking, the irradiation light will not irradiate adjacent tracks.
スリットSLの長さLA2を、トラック幅に応じて定め
るとは。The length LA2 of the slit SL is determined according to the track width.
このことを意味する。It means this.
また、上の説明では1反射型の光メモリーディスクの場
合について説明したが、透過型のディスクに対しても勿
論本発明を適用可能である。Furthermore, although the above description has been made regarding the case of a single-reflection type optical memory disk, the present invention can of course be applied to a transmission type disk as well.
また、情報の書込み、読出しを問わず本発明を適用でき
ることは勿論である。Furthermore, it goes without saying that the present invention can be applied to both writing and reading of information.
(発明の効果)
以上、本発明によれば、新規な光メモリーディスク光照
射方法を提供できる。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, a novel optical memory disk light irradiation method can be provided.
この方法は、上記の如く、構成されているので、以下の
如き効果を有する。Since this method is configured as described above, it has the following effects.
すなわち、第1に、記録面を照射するスポット径を小さ
くできるため、情報記録の高密度化が可能となる。第2
に、対物レンズによる集束スボッ1へ径由体を小さくす
る必要がないので、対物レンズ等、光学系の設計条件が
ゆるやかになる。さらに光源からの光を、直接マスクに
照射しピンホールないしスリットで絞り込んで、記録面
に照射することもできるので、照射光学系の大幅な簡略
1ヒが可能となるし、5coop方式の信号検出の場合
、その容易化が可能となる。That is, firstly, since the diameter of the spot that illuminates the recording surface can be made smaller, it is possible to increase the density of information recording. Second
Furthermore, since there is no need to reduce the size of the radial body to the focusing slot 1 by the objective lens, the design conditions for the optical system such as the objective lens can be relaxed. Furthermore, the light from the light source can be directly irradiated onto the mask, narrowed down by a pinhole or slit, and then irradiated onto the recording surface, making it possible to significantly simplify the irradiation optical system and detect signals using the 5-coop method. In this case, this can be facilitated.
第1図は、本発明の1実施例を説明図的に示す図、第2
図は、本発明を説明するための図、第3図は、本発明の
別実施例を説明するための図、第4図は、マスクにおけ
るスリットを説明するための図、第5図は、従来技術と
その問題点を説明するための図である。
10・・・・光メモリーディスク、12・・・・半導体
レーザー、30・・・・マスク、PH・・・・ピンホー
ル、SL・・・・スリット、LA・・・・ピンホールの
直径。
最4 【
一可IX、 LA4
手続補正書
昭和61年10月17 日
昭和61年特許願第28479号
2、発明の名称
光メモリーディスク光照射方法
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
名 称 (674)株式会社リコー(ほか1名)
4、代 理 人
7、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄
6、補正の内容
(1)明細書第3頁第1行の「情報を」を「情報の」と
補正する。
(2)同第4頁第3行中の「光強度」を「光強度変化」
と補正する。
(3)同第9頁第3行中のrD=Jを削除する。
(4)同第15頁第9行末尾の「長さ、」を「長さ」と
補正する。FIG. 1 is a diagram schematically showing one embodiment of the present invention, and FIG.
3 is a diagram for explaining another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram for explaining a slit in a mask. FIG. 5 is a diagram for explaining the present invention. FIG. 2 is a diagram for explaining a conventional technique and its problems. 10...Optical memory disk, 12...Semiconductor laser, 30...Mask, PH...Pinhole, SL...Slit, LA...Diameter of pinhole. No. 4 [Ichika IX, LA4 Procedural Amendment October 17, 1988 Patent Application No. 28479 of 1988 2, Name of invention Optical memory disk light irradiation method 3, Person making the amendment Relationship to the case Name of patent applicant Name (674) Ricoh Co., Ltd. (and 1 other person) 4. Agent 7. Column 6 of “Detailed Description of the Invention” of the specification to be amended. Contents of the amendment (1) Line 1 of page 3 of the specification. Correct "information" to "information". (2) "Light intensity" in the 3rd line of page 4 of the same page is changed to "light intensity change"
and correct it. (3) Delete rD=J in the third line of page 9. (4) Correct "length" at the end of line 9 on page 15 to "length."
Claims (1)
モリーディスクに書込まれた情報を読出すために、光メ
モリーディスクをスポット状に光照射する方法であって
、 照射光の波長をλとするとき、2λ以下の幅と、トラッ
ク幅に応じて定まる長さとを有するスリットもしくは、
2λ以下の直径を有するピンホールを有するマスクを用
い、 上記マスクのスリットもしくはピンホールを通して光メ
モリーディスクを光照射し、上記スリットもしくはピン
ホールと、光メモリーディスクの記録面との間隔を、2
λ以下で上記スリットの幅もしくはピンホールの直径と
同程度の大きさに保つことを特徴とする、光メモリーデ
ィスク光照射方法。[Claims] A method of irradiating an optical memory disk with light in a spot in order to write information on the optical memory disk or read information written on the optical memory disk, the method comprising: When the wavelength is λ, a slit having a width of 2λ or less and a length determined according to the track width, or
Using a mask having a pinhole with a diameter of 2λ or less, the optical memory disk is irradiated with light through the slit or pinhole of the mask, and the distance between the slit or pinhole and the recording surface of the optical memory disk is set to 2λ.
A method for irradiating light on an optical memory disk, characterized in that the width is kept at a value equal to or less than λ and approximately the same as the width of the slit or the diameter of the pinhole.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2847986A JPS62185251A (en) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | Light irradiating method for optical memory disk |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2847986A JPS62185251A (en) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | Light irradiating method for optical memory disk |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62185251A true JPS62185251A (en) | 1987-08-13 |
Family
ID=12249787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2847986A Pending JPS62185251A (en) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | Light irradiating method for optical memory disk |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62185251A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5121378A (en) * | 1988-06-14 | 1992-06-09 | Nec Corporation | Optical head apparatus for focussing a minute light beam spot on a recording medium |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP2847986A patent/JPS62185251A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5121378A (en) * | 1988-06-14 | 1992-06-09 | Nec Corporation | Optical head apparatus for focussing a minute light beam spot on a recording medium |
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