JPS62179593A - 芳香族分に富む留分の製造方法 - Google Patents
芳香族分に富む留分の製造方法Info
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- JPS62179593A JPS62179593A JP2009986A JP2009986A JPS62179593A JP S62179593 A JPS62179593 A JP S62179593A JP 2009986 A JP2009986 A JP 2009986A JP 2009986 A JP2009986 A JP 2009986A JP S62179593 A JPS62179593 A JP S62179593A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は芳香族分に冨む留分の製造方法に関し、詳しく
はパラフィン系炭化水素やオレフィン系炭化水素などの
非芳香族系炭化水素を主成分とする率よく製造する方法
に関する。
はパラフィン系炭化水素やオレフィン系炭化水素などの
非芳香族系炭化水素を主成分とする率よく製造する方法
に関する。
〔従来の技術および発明が解決しようとする問題点〕従
来から非芳香族系炭化水素を主成分とする原料炭化水素
から芳香族炭化水素(芳香族分)に冨んだ炭化水素を製
造する方法として、ZSM−5のような結晶性アルミノ
シリケートを用いる様々な方法が提案されているが、い
ずれの方法も芳香族分の選択率が充分とは言えない。例
えば、特開昭53−92717号公報にはガリウムイオ
ンでイオン交換したアルミノケイ酸塩(アルミノシリケ
ート)を用いる方法が開示されているが、このアルミノ
ケイ酸塩の活性が高くないため芳香族分の収率が低いと
いう問題がある。また、乾らによればガロシリケートを
用いる方法を発表しているが(8th Intern、
Congr、 Catal、、Berlin、1984
゜Preprints)、この方法でも芳香族分の選択
率が充分でない。
来から非芳香族系炭化水素を主成分とする原料炭化水素
から芳香族炭化水素(芳香族分)に冨んだ炭化水素を製
造する方法として、ZSM−5のような結晶性アルミノ
シリケートを用いる様々な方法が提案されているが、い
ずれの方法も芳香族分の選択率が充分とは言えない。例
えば、特開昭53−92717号公報にはガリウムイオ
ンでイオン交換したアルミノケイ酸塩(アルミノシリケ
ート)を用いる方法が開示されているが、このアルミノ
ケイ酸塩の活性が高くないため芳香族分の収率が低いと
いう問題がある。また、乾らによればガロシリケートを
用いる方法を発表しているが(8th Intern、
Congr、 Catal、、Berlin、1984
゜Preprints)、この方法でも芳香族分の選択
率が充分でない。
そこで本発明者は、上記従来技術の問題点を解消し、芳
香族分への転化率および選択率の高い方法を開発すべく
鋭意研究を重ねた。
香族分への転化率および選択率の高い方法を開発すべく
鋭意研究を重ねた。
その結果、触媒として特定のガリウム含有結晶性アルミ
ノシリケートを用いることにより、目的を達成しうろこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
ノシリケートを用いることにより、目的を達成しうろこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、パラフィン系炭化水素、オレフィン
系炭化水素、アセチレン系炭化水素、環状パラフィン系
炭化水素および環状オレフィン系炭化水素よりなる群か
ら選ばれた少なくとも一種の炭素数2以上の炭化水素を
主成分とする原料炭化水素を、 一般式 %式% 〔式中、Mは水素、アルカリ金属あるいはアルカリ土類
金属を示し、nはMの原子価を示す。
系炭化水素、アセチレン系炭化水素、環状パラフィン系
炭化水素および環状オレフィン系炭化水素よりなる群か
ら選ばれた少なくとも一種の炭素数2以上の炭化水素を
主成分とする原料炭化水素を、 一般式 %式% 〔式中、Mは水素、アルカリ金属あるいはアルカリ土類
金属を示し、nはMの原子価を示す。
また、a、b、c、dはa > Q + b > O+
C>0 。
C>0 。
d≧0であり、かつa+b≦20.a/b=L OO/
1〜1 / 100 、 c + d = 100
である。mは0≦m≦3 (a+b)である。〕(以下
、「一般式(I)」という。)で表わされるガリウム含
有結晶性アルミノシリケートと接触させることを特徴と
する芳香族分に冨む留分の製造方法を提供するものであ
る。
1〜1 / 100 、 c + d = 100
である。mは0≦m≦3 (a+b)である。〕(以下
、「一般式(I)」という。)で表わされるガリウム含
有結晶性アルミノシリケートと接触させることを特徴と
する芳香族分に冨む留分の製造方法を提供するものであ
る。
本発明の方法において、上記一般式(1)で表わされる
ガリウム含有結晶性アルミノシリケートは、触媒として
作用するものである。この一般式(1)中、M、n、m
、a、b、c、dは前述のとおりであるが、特に、a/
b=10/1〜1/10が好ましい。またこのガリウム
含有結晶性アルミノシリケートは、その結晶構造につい
ては特に制限はないが、第1表に示すX′線回折パター
ンを有するものが好ましい。
ガリウム含有結晶性アルミノシリケートは、触媒として
作用するものである。この一般式(1)中、M、n、m
、a、b、c、dは前述のとおりであるが、特に、a/
b=10/1〜1/10が好ましい。またこのガリウム
含有結晶性アルミノシリケートは、その結晶構造につい
ては特に制限はないが、第1表に示すX′線回折パター
ンを有するものが好ましい。
第 1 表
第 1 表 (つづき)
このような一般式(1)で表わされるガリウム含有結晶
性アルミノシリケートは、基本的にはSiとAIよりな
る基本蛸骨格のAIの一部がGaに置き換わったもので
あるが、さらにSiの一部がGeで置き換わったもので
もよい。
性アルミノシリケートは、基本的にはSiとAIよりな
る基本蛸骨格のAIの一部がGaに置き換わったもので
あるが、さらにSiの一部がGeで置き換わったもので
もよい。
このガリウム含有結晶性アルミノシリケートを調製する
には、種々の方法があるが、一般には各種ケイ素源、ア
ルミニウム源、ガリウム源および結晶化剤、さらに必要
に応じてゲルマニウム源を水性媒体に加えて、水熱反応
することにより調製することができる。
には、種々の方法があるが、一般には各種ケイ素源、ア
ルミニウム源、ガリウム源および結晶化剤、さらに必要
に応じてゲルマニウム源を水性媒体に加えて、水熱反応
することにより調製することができる。
本発明の方法では、上述の一般式(1)で表わされるガ
リウム含有結晶性アルミノシリケートを触媒として用い
ると共に、芳香族分含量の少ない炭化水素、詳しくはパ
ラフィン系炭化水素、オレフィン系炭化水素、アセチレ
ン系炭化水素、環状パラフィン系炭化水素および環状オ
レフィン系炭化水素よりなる群から選ばれた少な(とも
一種の炭素数2以上の炭化水素を主成分とするものを原
料として用いる。
リウム含有結晶性アルミノシリケートを触媒として用い
ると共に、芳香族分含量の少ない炭化水素、詳しくはパ
ラフィン系炭化水素、オレフィン系炭化水素、アセチレ
ン系炭化水素、環状パラフィン系炭化水素および環状オ
レフィン系炭化水素よりなる群から選ばれた少な(とも
一種の炭素数2以上の炭化水素を主成分とするものを原
料として用いる。
この原料炭化水素は具体的には様々なものがあるが、例
えばプロパン、ブタン−ブチレン留分(BB留分)、エ
チレン、プロピレンあるいはナフサなど芳香族分含量が
15重量%以下のものが好適に用いられる。そのほかパ
ラフィン系炭化水素としては、n〜ペンタン、n−へキ
サン、メチルペンタン、n−へブタン、メチルヘキサン
、ジメチルペンタン、n−オクタン等があげられ、オレ
フィン系炭化水素としてはペンテン、ヘキセン。
えばプロパン、ブタン−ブチレン留分(BB留分)、エ
チレン、プロピレンあるいはナフサなど芳香族分含量が
15重量%以下のものが好適に用いられる。そのほかパ
ラフィン系炭化水素としては、n〜ペンタン、n−へキ
サン、メチルペンタン、n−へブタン、メチルヘキサン
、ジメチルペンタン、n−オクタン等があげられ、オレ
フィン系炭化水素としてはペンテン、ヘキセン。
メチルペンテン、ヘプテン、メチルヘキセン、ジメチル
ペンテン、オクテン等があげられ、アセチレン系炭化水
素としてはヘキシン、ヘプチン、オクチン等があげられ
る。さらに、環状パラフィン系炭化水素としてはメチル
シクロペンクン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、ジメチルシクロヘキサン等があげられ、環状オレフ
ィン系炭化水素としてはメチルシクロペンテン、シクロ
ヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキ
セン等があげられる。
ペンテン、オクテン等があげられ、アセチレン系炭化水
素としてはヘキシン、ヘプチン、オクチン等があげられ
る。さらに、環状パラフィン系炭化水素としてはメチル
シクロペンクン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、ジメチルシクロヘキサン等があげられ、環状オレフ
ィン系炭化水素としてはメチルシクロペンテン、シクロ
ヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキ
セン等があげられる。
本発明の方法は、上述の原料炭化水素を前記したガリウ
ム含を結晶性アルミノシリケートと接触させることによ
って進行し、その際の条件等については特に制限はない
。しかし、良好な結果を得るためには、温度200〜8
00℃、好ましくは400〜650℃、圧力0〜30
kg/cm”G、好ましくは0−10 kg/am”G
、重量空間速度(WH5V)0、1〜l 00 hr−
’、好ましくは1.0〜10 hr−’とすべきである
。なお、反応系には不活性ガスを導入して希釈すること
もできる。
ム含を結晶性アルミノシリケートと接触させることによ
って進行し、その際の条件等については特に制限はない
。しかし、良好な結果を得るためには、温度200〜8
00℃、好ましくは400〜650℃、圧力0〜30
kg/cm”G、好ましくは0−10 kg/am”G
、重量空間速度(WH5V)0、1〜l 00 hr−
’、好ましくは1.0〜10 hr−’とすべきである
。なお、反応系には不活性ガスを導入して希釈すること
もできる。
本発明の方法によれば、様々な非芳香族系の炭化水素あ
るいは芳香族分の少ない炭化水素から、高い転化率なら
びに選択率にて芳香族分に冨む留分(炭化水素)が得ら
れ、しかも触媒活性を長時間にわたって高く維持できる
ため、長期間連続運転を行なっても、芳香族分の収率は
非常に高い。
るいは芳香族分の少ない炭化水素から、高い転化率なら
びに選択率にて芳香族分に冨む留分(炭化水素)が得ら
れ、しかも触媒活性を長時間にわたって高く維持できる
ため、長期間連続運転を行なっても、芳香族分の収率は
非常に高い。
従って本発明の方法は、芳香族炭化水素を製造あるいは
使用する石油化学工業や高オクタン価燃料を製造する石
油産業等の分野において幅広くかつ有効に利用される。
使用する石油化学工業や高オクタン価燃料を製造する石
油産業等の分野において幅広くかつ有効に利用される。
次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例1
(1)ガリウム含有結晶性アルミノシリケートの調製
硫酸アルミニウム(All (S 04)3・18H2
0)7.5g、硝酸ガリウム(Ga(NOz):+ ・
6HzO)9.2gおよび臭化テトラプロピルアンモニ
ウム26.3gを水250mlに溶かしてなるA液、お
よび水ガラス(SiO2: 37.6重量%、NazO
:17.5重量%)162gを水300mj2に溶かし
てなるB液、ならびに水122mfに塩化ナトリウム(
NaC1)79 gを加えてなるC液を調製した。
0)7.5g、硝酸ガリウム(Ga(NOz):+ ・
6HzO)9.2gおよび臭化テトラプロピルアンモニ
ウム26.3gを水250mlに溶かしてなるA液、お
よび水ガラス(SiO2: 37.6重量%、NazO
:17.5重量%)162gを水300mj2に溶かし
てなるB液、ならびに水122mfに塩化ナトリウム(
NaC1)79 gを加えてなるC液を調製した。
次いで、上記A液とB液を滴下ロートを用いて同時にC
液中に少量ずつ滴下混合した。滴下終了後、l規定の硫
酸を加えてpHを9.5に調整し、オートクレーブで自
己圧力下(6,5kg/cm” ・G)にて170℃で
2時間反応させた。冷却後、沈澱物を分離し、水で5回
洗浄してから、120’cで乾燥した。続いてこの乾燥
した沈殿物を1規定の硝酸アンモニウム(NH,N03
)′溶液中にti t’llし、24時間攪拌した。そ
の後、新しいl規定の硝酸アンモニウム(NH4NO,
)溶液に交換し、さらに24時間攪拌した。次に、得ら
れた沈澱物を100倍量の蒸留水で水洗いし、濾別し、
120°Cで乾燥し、しかる後に550℃で焼成した。
液中に少量ずつ滴下混合した。滴下終了後、l規定の硫
酸を加えてpHを9.5に調整し、オートクレーブで自
己圧力下(6,5kg/cm” ・G)にて170℃で
2時間反応させた。冷却後、沈澱物を分離し、水で5回
洗浄してから、120’cで乾燥した。続いてこの乾燥
した沈殿物を1規定の硝酸アンモニウム(NH,N03
)′溶液中にti t’llし、24時間攪拌した。そ
の後、新しいl規定の硝酸アンモニウム(NH4NO,
)溶液に交換し、さらに24時間攪拌した。次に、得ら
れた沈澱物を100倍量の蒸留水で水洗いし、濾別し、
120°Cで乾燥し、しかる後に550℃で焼成した。
得られた焼成物を分析したところ、S + Oz /
A I t Ox(モル比) = 73 、 Gaz
O*含有量562重量%のガリウム含有結晶性アルミノ
シリケートであることがわかった。またこのもののX線
回折の結果を第1図に示す。
A I t Ox(モル比) = 73 、 Gaz
O*含有量562重量%のガリウム含有結晶性アルミノ
シリケートであることがわかった。またこのもののX線
回折の結果を第1図に示す。
(2)転化反応
上記(1)にて調製したガリウム含有結晶性アルミノシ
リケートを内径7mm、長さ5CI11のガラス管に充
填して触媒とし、これに大気圧下、温度500℃の条件
でn−ヘキサンをWH3V 2hr−’の割合で導入
して転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
リケートを内径7mm、長さ5CI11のガラス管に充
填して触媒とし、これに大気圧下、温度500℃の条件
でn−ヘキサンをWH3V 2hr−’の割合で導入
して転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
比較例1
(1)ガリウム含有ZSM−5の調製
S i Ot / A l z O3(モル比)=73
のプロトン型23M−5ゼオライトに、2.2重量%の
G a ! Ox含量となるように硝酸ガリウム(Ga
(NO*):+)水溶液を真空含浸して、120℃で乾
燥し、さらに550℃で焼成してガリウム含有ZSM−
5を調製した。
のプロトン型23M−5ゼオライトに、2.2重量%の
G a ! Ox含量となるように硝酸ガリウム(Ga
(NO*):+)水溶液を真空含浸して、120℃で乾
燥し、さらに550℃で焼成してガリウム含有ZSM−
5を調製した。
(2)転化反応
上記比較例1 (1)で得られたガリウム含有ZSM
−5を触媒として用いたこと以外は、実施例1 (2)
と同様の条件で転化反応を行なった。
−5を触媒として用いたこと以外は、実施例1 (2)
と同様の条件で転化反応を行なった。
結果を第2表に示す。
比較例2
(1)ガリウム含有ZSM−5の調製
5iOz/AhOz (モル比)=73のプロトン型2
3M−5ゼオライトに、5.5重量%のG a z O
3含量となるように硝酸ガリウム(G a (N O3
) 3)水溶液を真空含浸して、120℃で乾燥し、さ
らに550℃で焼成してガリウム含有ZSM−5を調製
した。
3M−5ゼオライトに、5.5重量%のG a z O
3含量となるように硝酸ガリウム(G a (N O3
) 3)水溶液を真空含浸して、120℃で乾燥し、さ
らに550℃で焼成してガリウム含有ZSM−5を調製
した。
(2)転化反応
上記比較例2(1)で得られたガリウム含有ZSM−5
を触媒として用いたこと以外は、実施例1 (2)と同
様の条件で転化反応を行なった。
を触媒として用いたこと以外は、実施例1 (2)と同
様の条件で転化反応を行なった。
結果を第2表に示す。
比較例3
(1)ガリウム含有ZSM−5の調製
Sing/Alto:+ (モル比)=73のプロトン
型23M−5ゼオライトに、硝酸ガリウム(Ga(No
:+)i)水溶液を95℃においてイオン交換し、水洗
いし、120℃で乾燥し、さらに550°Cで焼成して
ガリウム含有ZSM−5を調製した。
型23M−5ゼオライトに、硝酸ガリウム(Ga(No
:+)i)水溶液を95℃においてイオン交換し、水洗
いし、120℃で乾燥し、さらに550°Cで焼成して
ガリウム含有ZSM−5を調製した。
元素分析の結果、このものには1.1重量%のGa、O
,が担持されていることがわかった。
,が担持されていることがわかった。
(2)転化反応
上記比較例3 (1)で得られたガリウム含有ZSM−
5を触媒として用いたこと以外は、実施例1 (2)と
同様の条件で転化反応を行なった。
5を触媒として用いたこと以外は、実施例1 (2)と
同様の条件で転化反応を行なった。
結果を第2表に示す。
実施例2
実施例1 (2)において、n−ヘキサンに代えてn−
ペンタンを用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様
の条件で転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
ペンタンを用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様
の条件で転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
比較例4
実施例1 (2)において、触媒として比較例3(1)
で調製したガリウム含有ZSM−5を用いたこと、およ
びn−ヘキサンの代わりにn−ペンタンを用いたこと以
外は、実施例1 (2)と同様の条件で転化反応を行な
った。結果を第2表に示す。
で調製したガリウム含有ZSM−5を用いたこと、およ
びn−ヘキサンの代わりにn−ペンタンを用いたこと以
外は、実施例1 (2)と同様の条件で転化反応を行な
った。結果を第2表に示す。
実施例3
実施例1 (2)において、n−ヘキサンに代えて#=
フロハ゛ンを用いたこと、および温度を535℃とした
こと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で転化反応
を行なった。結果を第2表に示す。
フロハ゛ンを用いたこと、および温度を535℃とした
こと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で転化反応
を行なった。結果を第2表に示す。
実施例4
(1)ガリウム含有結晶性アルミノシリケートの調製
実施例1 (1)において、硝酸ガリウム(Ga(N
Oz)+ ・6 H2O)を12.6gとしたこと以外
は、実施例1 (1)と同様の操作を行なってSing
/AhO:+ (モル比) = 73 、 Ga202
含有量6.1重量%のガリウム含有結晶性アルミノシリ
ケートを得た。
Oz)+ ・6 H2O)を12.6gとしたこと以外
は、実施例1 (1)と同様の操作を行なってSing
/AhO:+ (モル比) = 73 、 Ga202
含有量6.1重量%のガリウム含有結晶性アルミノシリ
ケートを得た。
(2)転化反応
実施例1 (2)において、上記実施例4(1)で得ら
れたガリウム含有結晶性アルミノシリケートを触媒とし
て用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で
転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
れたガリウム含有結晶性アルミノシリケートを触媒とし
て用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で
転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
実施例5
(1)ガリウム含有結晶性アルミノシリケートの調製
実施例1 (1)において、硝酸ガリウム(Ga(N
0z)z ・6 HzO)を5.3gとしたこと以外は
、実施例1 (1)と同様の操作を行なってS i O
t/ A h O3(モル比) =73 + G a
z O3含を量2.6重量%のガリウム含有結晶性アル
ミノシリケートを得た。
0z)z ・6 HzO)を5.3gとしたこと以外は
、実施例1 (1)と同様の操作を行なってS i O
t/ A h O3(モル比) =73 + G a
z O3含を量2.6重量%のガリウム含有結晶性アル
ミノシリケートを得た。
(2)転化反応
実施例1 (2)において、上記実施例4(1)で得ら
れたガリウム含有結晶性アルミノシリケートを触媒とし
て用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で
転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
れたガリウム含有結晶性アルミノシリケートを触媒とし
て用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で
転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
実施例6
実施例1 (2)において、WH3Vを10hr”とし
たこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で転化反
応を行なった。結果を第2表に示す。
たこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で転化反
応を行なった。結果を第2表に示す。
比較例5
実施例3において、比較例3(1)で調製したガリウム
含有ZSM−5を触媒として用いたこと以外は、実施例
3と同様の条件で転化反応を行なった。結果を第2表に
示す。
含有ZSM−5を触媒として用いたこと以外は、実施例
3と同様の条件で転化反応を行なった。結果を第2表に
示す。
比較例6
(1)ガリウム含有ZSM−5の調製
Sing/AhO:+ Cモル比)=40のプロトン型
23M−5ゼオライトに、2重量%のG a z O:
1含量となるように硝酸ガリウム(G a (N O3
) z)水溶液を真空含浸して、120℃で乾燥し、さ
らに550℃で焼成してガリウム含有ZSM−5を調製
した。
23M−5ゼオライトに、2重量%のG a z O:
1含量となるように硝酸ガリウム(G a (N O3
) z)水溶液を真空含浸して、120℃で乾燥し、さ
らに550℃で焼成してガリウム含有ZSM−5を調製
した。
(2)転化反応
上記比較例6 (1)で得られたガリウム含有ZSM−
5を触媒として用いたこと以外は、実施例3と同様の条
件で転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
5を触媒として用いたこと以外は、実施例3と同様の条
件で転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
比較例7
(1)ガロシリケートの調製
実施例1 (1)において、硫酸アルミニウム(Ah
(Son)s・18HzO)を用いなかったこと以外は
、実施例1 (1)と同様の操作を行な゛って5iOz
/GazO:+ (モル比)=55のガロシリケートを
得た。
(Son)s・18HzO)を用いなかったこと以外は
、実施例1 (1)と同様の操作を行な゛って5iOz
/GazO:+ (モル比)=55のガロシリケートを
得た。
(2)転化反応
上記比較例7(1)で得られたガロシリケートを触媒と
して用いたこと以外は、実施例3と同様の条件で転化反
応を行なった。結果を第2表に示す。
して用いたこと以外は、実施例3と同様の条件で転化反
応を行なった。結果を第2表に示す。
比較例8
上記比較例7 (1)で調製したガロシリケートを触媒
としたこと以外は、実施例6と同様の条件で転化反応を
行なった。結果を第2表に示す。
としたこと以外は、実施例6と同様の条件で転化反応を
行なった。結果を第2表に示す。
比較例9
(1)ガリウム含有結晶性アルミノシリケートの調製
実施例1 (1)において、硝酸ガリウム(Ga(No
:+)z46HzO)を1.3gとしたこと以外は、実
施例1 (1)と同様の操作を行なって5iOz/Al
2O3(モル比) =70 + G az O3含有量
0.8重量%のガリウム含有結晶性アルミノシリケート
を得た。
:+)z46HzO)を1.3gとしたこと以外は、実
施例1 (1)と同様の操作を行なって5iOz/Al
2O3(モル比) =70 + G az O3含有量
0.8重量%のガリウム含有結晶性アルミノシリケート
を得た。
(2)転化反応
実施例1 (2)において、上記比較例9(1)で得ら
れたガリウム含有結晶性アルミノシリケートを触媒とし
て用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で
転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
れたガリウム含有結晶性アルミノシリケートを触媒とし
て用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件で
転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
比較例10
実施例3において、5ioz/A1zO3Cモ)Lt比
)=73のプロトン型23M−5ゼオライトを触媒とし
て用いたこと以外は、実施例3と同様の条件で転化反応
を行なった。結果を第2表に示す。
)=73のプロトン型23M−5ゼオライトを触媒とし
て用いたこと以外は、実施例3と同様の条件で転化反応
を行なった。結果を第2表に示す。
比較例11
実施例3において、比較例3 (1)で得られたガリウ
ム含有ZSM5を触媒として用いたこと以外は、実施例
3と同様の条件で転化反応を行なった。結果を第2表に
示す。
ム含有ZSM5を触媒として用いたこと以外は、実施例
3と同様の条件で転化反応を行なった。結果を第2表に
示す。
比較例12
実施例1 (2)において、S i Oz/ A h
O3(モル比)=73のプロトン型ZSM−5を触媒と
して用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件
で転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
O3(モル比)=73のプロトン型ZSM−5を触媒と
して用いたこと以外は、実施例1 (2)と同様の条件
で転化反応を行なった。結果を第2表に示す。
第1図は実施例1 (1)で得られたガリウム含有結晶
性アルミノシリケートのX線回折パターンを示す。図中
θはブラッグ角を示す。
性アルミノシリケートのX線回折パターンを示す。図中
θはブラッグ角を示す。
Claims (1)
- (1)パラフィン系炭化水素、オレフィン系炭化水素、
アセチレン系炭化水素、環状パラフィン系炭化水素およ
び環状オレフィン系炭化水素よりなる群から選ばれた少
なくとも一種の炭素数2以上の炭化水素を主成分とする
原料炭化水素を、一般式 aGa_2O_3・bAl_2O_3・cSiO_2・
dGeO_2・mM_2_/_nO〔式中、Mは水素、
アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を示し、nはM
の原子価を示す。 また、a、b、c、dはa>0、b>0、c>0、d≧
0であり、かつa+b≦20、a/b=100/1〜1
/100、c+d=100である。mは0≦m≦3(a
+b)である。〕 で表わされるガリウム含有結晶性アルミノシリケートと
接触させることを特徴とする芳香族分に富む留分の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009986A JPS62179593A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 芳香族分に富む留分の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009986A JPS62179593A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 芳香族分に富む留分の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62179593A true JPS62179593A (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=12017669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009986A Pending JPS62179593A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | 芳香族分に富む留分の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62179593A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5238675A (en) * | 1990-04-09 | 1993-08-24 | Unilever Patent Holdings B.V. | Gallium zeolites |
JP2009233600A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Nippon Oil Corp | 触媒組成物及び芳香族炭化水素の製造方法 |
JP2017119267A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-07-06 | 東ソー株式会社 | 芳香族化合物製造触媒及び芳香族化合物の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-03 JP JP2009986A patent/JPS62179593A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5238675A (en) * | 1990-04-09 | 1993-08-24 | Unilever Patent Holdings B.V. | Gallium zeolites |
JP2009233600A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Nippon Oil Corp | 触媒組成物及び芳香族炭化水素の製造方法 |
JP2017119267A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-07-06 | 東ソー株式会社 | 芳香族化合物製造触媒及び芳香族化合物の製造方法 |
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