JPS62170828A - トランスデユ−サ - Google Patents
トランスデユ−サInfo
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- JPS62170828A JPS62170828A JP1102886A JP1102886A JPS62170828A JP S62170828 A JPS62170828 A JP S62170828A JP 1102886 A JP1102886 A JP 1102886A JP 1102886 A JP1102886 A JP 1102886A JP S62170828 A JPS62170828 A JP S62170828A
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- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
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- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、非直線性の電気的アナログ信号を測定対象
に比例した電気信号に変換するトランスデユーサ、特に
非直線性の温度特性を有する1個の温度センサや非直線
性で互に異なる温度特性を有する複数種類の温度センサ
例えばサーミスタや測温抵抗体あるいは熱電対を個別に
使用して温度テ・ に比例した電気信号を得るトランスジューサに関するも
のである。
に比例した電気信号に変換するトランスデユーサ、特に
非直線性の温度特性を有する1個の温度センサや非直線
性で互に異なる温度特性を有する複数種類の温度センサ
例えばサーミスタや測温抵抗体あるいは熱電対を個別に
使用して温度テ・ に比例した電気信号を得るトランスジューサに関するも
のである。
従来、サーミスタや測温抵抗体を使用して温度測定を行
う場合には温度変化を抵抗変化に変換し、この抵抗値を
電圧値に変換するか、あるいは熱電対を使用して温度測
定を行う場合には温度差を熱起電力に変換し、この熱起
電力を基準の電気信号例えばダ〜コθmAに変換してい
た。しかしながら、これらの温度センサは温度変化に対
して抵抗変化や電圧変化が直線的でないために、測定精
度を上げたり、広い温度範囲で使用したシするには何等
かの直線化機能が必要であった。
う場合には温度変化を抵抗変化に変換し、この抵抗値を
電圧値に変換するか、あるいは熱電対を使用して温度測
定を行う場合には温度差を熱起電力に変換し、この熱起
電力を基準の電気信号例えばダ〜コθmAに変換してい
た。しかしながら、これらの温度センサは温度変化に対
して抵抗変化や電圧変化が直線的でないために、測定精
度を上げたり、広い温度範囲で使用したシするには何等
かの直線化機能が必要であった。
非直線性の温度特性を有する温度センナとして抵抗変化
の最もはなはだしいサーミスタを例にとると、サーミス
タは第グ図に示すような温度−抵抗変化をする。第ケ図
において、横軸は温度T、縦軸は抵抗値Rを示す。第4
図に示すような変化特性のままでは抵抗値から温度を直
読できないので、これを直線化するために第5図に示す
ような信号発生手段を構成することが多い。図中、(1
)はサーミスタで、抵抗(2)と並列接続され、さらに
これが抵抗(3)と直列に接続された上で、回路の電源
とアースの間に接続され、もって信号発生手段(sGM
)を構成する。そしてサーミスタ(1)から測定対象と
しての温度に対応して非直線性の電気的アナログ信号が
アースと端子(1,)の間に出力電圧■としてとり出さ
れるのである。
の最もはなはだしいサーミスタを例にとると、サーミス
タは第グ図に示すような温度−抵抗変化をする。第ケ図
において、横軸は温度T、縦軸は抵抗値Rを示す。第4
図に示すような変化特性のままでは抵抗値から温度を直
読できないので、これを直線化するために第5図に示す
ような信号発生手段を構成することが多い。図中、(1
)はサーミスタで、抵抗(2)と並列接続され、さらに
これが抵抗(3)と直列に接続された上で、回路の電源
とアースの間に接続され、もって信号発生手段(sGM
)を構成する。そしてサーミスタ(1)から測定対象と
しての温度に対応して非直線性の電気的アナログ信号が
アースと端子(1,)の間に出力電圧■としてとり出さ
れるのである。
この出力電圧Vは温度に対して第6図に実線で示すよう
な変化を示す。すなわち、横軸に温度T。
な変化を示す。すなわち、横軸に温度T。
縦軸に出力電圧Vをとれば、温度の上昇Tにつれて出力
電圧Vがはぼ直線的に低下する。ここで並列抵抗(コ)
および直列抵抗(3)を適当に選定すると、このグラフ
を破線で示すようにかなシ直線に近づけることができる
。
電圧Vがはぼ直線的に低下する。ここで並列抵抗(コ)
および直列抵抗(3)を適当に選定すると、このグラフ
を破線で示すようにかなシ直線に近づけることができる
。
しかしながら測定温度範囲を広くとる場合や高精度の温
度測定を必要とする場合は、上述した直線化ではまだ不
十分であり、実質的に直線に近い特性が必要となる。こ
のためにはりニヤライザと称する直線化回路や装置が必
要である。しかしながら、リニヤライザは精密抵抗や可
変抵抗あるいは演算増幅器を多数使用しているために調
整が繁雑で、しかも高価になると云う問題点があった。
度測定を必要とする場合は、上述した直線化ではまだ不
十分であり、実質的に直線に近い特性が必要となる。こ
のためにはりニヤライザと称する直線化回路や装置が必
要である。しかしながら、リニヤライザは精密抵抗や可
変抵抗あるいは演算増幅器を多数使用しているために調
整が繁雑で、しかも高価になると云う問題点があった。
また、使用されるサーミスタあるいは熱電対はその種類
が多く、しかも種類によって温度特性が異なるので、各
温度特性に合わせて直線化するためのりニヤライザの設
計や製造が必要であり、そのために種類が増えるという
問題点もあった。
が多く、しかも種類によって温度特性が異なるので、各
温度特性に合わせて直線化するためのりニヤライザの設
計や製造が必要であり、そのために種類が増えるという
問題点もあった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、非直線性の電気的アナログ信号を測定対象に
比例した電気信号に変換する際に、特別なりニヤライザ
を必要とせず、調整が簡単で、その上高精度であるにも
か\わらず安価なトランスデユーサを得ることを目的と
する。
たもので、非直線性の電気的アナログ信号を測定対象に
比例した電気信号に変換する際に、特別なりニヤライザ
を必要とせず、調整が簡単で、その上高精度であるにも
か\わらず安価なトランスデユーサを得ることを目的と
する。
この発明の別な発明は、上述した目的に加え、使用する
温度センサの種類が変っても対処できるトランスジュー
サを得ることを目的とする。
温度センサの種類が変っても対処できるトランスジュー
サを得ることを目的とする。
この発明に係るトランスデユーサは、測定対象に対応し
て非直線性の電気的アナログ信号を発生する信号発生手
段と、前記アナログ信号をディジタル信号に変換するア
ナログ/ディジタル変換部と、前記ディジタル信号に対
応しかつ実質的に直線性の特性を呈するデータがあらか
じめ書き込まれているデータ記憶手段と、このデータ記
憶手段へ前記ディジタル信号を印加することによシ前記
データ記憶手段から読み出された所望のデータを、前記
測定対象に比例したアナログ信号に変換する信号変換手
段とを備えたものである。
て非直線性の電気的アナログ信号を発生する信号発生手
段と、前記アナログ信号をディジタル信号に変換するア
ナログ/ディジタル変換部と、前記ディジタル信号に対
応しかつ実質的に直線性の特性を呈するデータがあらか
じめ書き込まれているデータ記憶手段と、このデータ記
憶手段へ前記ディジタル信号を印加することによシ前記
データ記憶手段から読み出された所望のデータを、前記
測定対象に比例したアナログ信号に変換する信号変換手
段とを備えたものである。
この発明の別の発明に係るトランスデユーサは、非直線
性で異なる温度特性を有する温度センサから温度に対応
する電気的アナログ信号を発生する信号発生手段と、前
記アナログ信号をディジタル信号に変換するアナログ/
ディジタル変換部と、前記ディジタル信号に対応しかつ
実質的に直線性の温度特性を呈する温度データおよび前
記温度センサの異なる温度特性に対応する校正データが
あらかじめ書き込まれているデータ記憶手段と、前記校
正データから使用した温度センナに合う温度特性の校正
データを選択するデータ選択信号を発生するデータ設定
部と、前記データ記憶手段へ前記ディジタル信号および
前記データ選択信号を印加することによって前記データ
記憶手段から読み出された所望の温度データを、温度に
比例したアナログ信号に変換する信号変換手段とを備え
たものである。
性で異なる温度特性を有する温度センサから温度に対応
する電気的アナログ信号を発生する信号発生手段と、前
記アナログ信号をディジタル信号に変換するアナログ/
ディジタル変換部と、前記ディジタル信号に対応しかつ
実質的に直線性の温度特性を呈する温度データおよび前
記温度センサの異なる温度特性に対応する校正データが
あらかじめ書き込まれているデータ記憶手段と、前記校
正データから使用した温度センナに合う温度特性の校正
データを選択するデータ選択信号を発生するデータ設定
部と、前記データ記憶手段へ前記ディジタル信号および
前記データ選択信号を印加することによって前記データ
記憶手段から読み出された所望の温度データを、温度に
比例したアナログ信号に変換する信号変換手段とを備え
たものである。
この発明において、アナログ/ディジタル変換部のディ
ジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の特性を呈する
データが書き込まれているデータ記憶手段は、前記ディ
ジタル信号で直接アクセスされると、前記データを出力
する。このデータは信号変換手段によって測定対象に比
例したアナログ信号に変換される。
ジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の特性を呈する
データが書き込まれているデータ記憶手段は、前記ディ
ジタル信号で直接アクセスされると、前記データを出力
する。このデータは信号変換手段によって測定対象に比
例したアナログ信号に変換される。
この発明の別な発明において、アナログ/ディジタル変
換部のディジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の特
性を呈する温度データおよび温度センサの異なる温度特
性に対応する校正データが書き込まれているデータ記憶
手段は、前記ディジタル信号およびデータ設定部からの
データ選択信号で直接アクセスされると、所望の温度デ
ータを出力する。このデータは信号変換手段によって測
定対象に比例したアナログ信号に変換される。
換部のディジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の特
性を呈する温度データおよび温度センサの異なる温度特
性に対応する校正データが書き込まれているデータ記憶
手段は、前記ディジタル信号およびデータ設定部からの
データ選択信号で直接アクセスされると、所望の温度デ
ータを出力する。このデータは信号変換手段によって測
定対象に比例したアナログ信号に変換される。
この発明
第1図はこの発明に係るトランスデユーサの一実施例を
示すブロック図である。図において、(1)〜(3)お
よび(8GM)は第3図に示したものと同様である。(
りはアナログ/ディジタル変換部(以下、A/D変換部
と称す。)であシ、信号発生手段(SひM)の出力電圧
である非直線性の電気的アナログ信号が入力されるとこ
れをディジタル信号に変換する。(DMM)はこのディ
ジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の特性を呈する
データがあらかじめ書き込まれているデータ記憶手段で
あり、例えば停電しても記憶データが消失しないROM
ICや実使用時にのみ単なるROMとして使用されるR
AMICで構成されたメモ+7 IC(、t)および(
A)である。各メモリIC(r)、(A)にはそれぞれ
チップセレクト信号C8用端子(ya) 、 (Aa)
および読み出し信号RD用端子(rb) 、 (Ab)
が設けられておシ、これら端子を図示のようにアースし
ておくことによってアクティブ状態にし、もってメモリ
IC(&)および(A)を常時読み出し可能にする。各
メモリIC(、t)、(A)には、更に、それぞれアド
レス端子(tc) 、 (AC)およびデータ端子(t
a)。
示すブロック図である。図において、(1)〜(3)お
よび(8GM)は第3図に示したものと同様である。(
りはアナログ/ディジタル変換部(以下、A/D変換部
と称す。)であシ、信号発生手段(SひM)の出力電圧
である非直線性の電気的アナログ信号が入力されるとこ
れをディジタル信号に変換する。(DMM)はこのディ
ジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の特性を呈する
データがあらかじめ書き込まれているデータ記憶手段で
あり、例えば停電しても記憶データが消失しないROM
ICや実使用時にのみ単なるROMとして使用されるR
AMICで構成されたメモ+7 IC(、t)および(
A)である。各メモリIC(r)、(A)にはそれぞれ
チップセレクト信号C8用端子(ya) 、 (Aa)
および読み出し信号RD用端子(rb) 、 (Ab)
が設けられておシ、これら端子を図示のようにアースし
ておくことによってアクティブ状態にし、もってメモリ
IC(&)および(A)を常時読み出し可能にする。各
メモリIC(、t)、(A)には、更に、それぞれアド
レス端子(tc) 、 (AC)およびデータ端子(t
a)。
(6d)が設けられている。アドレス端子(&c)およ
び(6C)にはA / D変換部(4)のディジタル信
号がアドレス信号として印加され、もってメモリIC(
、t)、(x)のアドレス(図示しない)が直接アクセ
スされる。データ端子(td) 、 (6d)からは後
述する所望のデータが読み出される。
び(6C)にはA / D変換部(4)のディジタル信
号がアドレス信号として印加され、もってメモリIC(
、t)、(x)のアドレス(図示しない)が直接アクセ
スされる。データ端子(td) 、 (6d)からは後
述する所望のデータが読み出される。
(SCM)は信号変換手段であシ、メモ!JIc(t)
および(A)から読み出された所望のデータを測定対象
例えば温度に比例したアナログ信号に変換するディジタ
ル/アナログ変換部(以下、D / A変換部と称す。
および(A)から読み出された所望のデータを測定対象
例えば温度に比例したアナログ信号に変換するディジタ
ル/アナログ変換部(以下、D / A変換部と称す。
)(7)およびこのD/A変換部(4)からのアナログ
信号を所定の電気信号としての電圧信号あるいは電流信
号に変換する信号変換部<g>から成る。
信号を所定の電気信号としての電圧信号あるいは電流信
号に変換する信号変換部<g>から成る。
今、メモリIC(,5′)および(6)に例えば−キロ
バイトのICを使用すれば、アドレス信号はkO〜に1
0のl/ピント構成になる。従って、A / D変換部
(りのディジタル信号もDO−Dloのl/ピント構成
にすれば良い。もちろん、メモリIC(3)および(6
)の−キロバイトをすべて使用せず、lキロバイトのみ
使用するのであればA / D変換部(りのディジタル
信号はlθビットあれば良い。
バイトのICを使用すれば、アドレス信号はkO〜に1
0のl/ピント構成になる。従って、A / D変換部
(りのディジタル信号もDO−Dloのl/ピント構成
にすれば良い。もちろん、メモリIC(3)および(6
)の−キロバイトをすべて使用せず、lキロバイトのみ
使用するのであればA / D変換部(りのディジタル
信号はlθビットあれば良い。
メモIJ IC(j)および(6)はそのデータ構成が
DO−Dりのgビット構成である。これらのtピントを
BCD信号として使用する場合はBCD信号コ桁分しか
構成できず、従ってメモリICを2個使用すればBCD
3桁もしくはダ桁の構成が可能になる。本例ではメモ
リIC(!r)および(6)の2個を使用して//ビッ
トの2進符号信号を構成した場合を示した。
DO−Dりのgビット構成である。これらのtピントを
BCD信号として使用する場合はBCD信号コ桁分しか
構成できず、従ってメモリICを2個使用すればBCD
3桁もしくはダ桁の構成が可能になる。本例ではメモ
リIC(!r)および(6)の2個を使用して//ビッ
トの2進符号信号を構成した場合を示した。
メモIJ IC(、!t)および(6)は、その記憶内
容として、A / D変換部(lI)のディジタル信号
に対応するアドレスに、このディジタル信号に対応しか
つ実質的に直線性の特性を呈するデータかあらかじめ書
き込まれている。すなわち、例えば第二図のグラフに示
されるように信号発生手段(S GM )の出力電圧(
縦軸)と測定対象としての温度に関するデータとの関係
を測定あるいは計算によシ求め、データは出力電圧ひい
てはA / D変換部(4)のディジタル信号に対応し
てメモ+) XC(S)および(6)にあらかじめ記憶
させておく。第2図では、例えばグラフ上の点、2Oは
0℃のときの点で、このときの出力電圧は2000 m
Vである。また点、2/は30℃の点で、このときの出
力電圧は//QOmVである。この/100mVに相当
するディジタル信号が入力されるとメモリIC(5)お
よび(乙)は点コ/に相当する30℃ではなく点5tA
(一点鎖線で示す実質的な直線上に在る。)に相当する
一t℃のデータを出力する。同様に、3コ00mVに相
当するディジタル信号が入力されるとメモリIC(、t
)および(6)は点、2.2に相当する一30℃ではな
く点!、2Aに相当する一2ECのデータを出力する。
容として、A / D変換部(lI)のディジタル信号
に対応するアドレスに、このディジタル信号に対応しか
つ実質的に直線性の特性を呈するデータかあらかじめ書
き込まれている。すなわち、例えば第二図のグラフに示
されるように信号発生手段(S GM )の出力電圧(
縦軸)と測定対象としての温度に関するデータとの関係
を測定あるいは計算によシ求め、データは出力電圧ひい
てはA / D変換部(4)のディジタル信号に対応し
てメモ+) XC(S)および(6)にあらかじめ記憶
させておく。第2図では、例えばグラフ上の点、2Oは
0℃のときの点で、このときの出力電圧は2000 m
Vである。また点、2/は30℃の点で、このときの出
力電圧は//QOmVである。この/100mVに相当
するディジタル信号が入力されるとメモリIC(5)お
よび(乙)は点コ/に相当する30℃ではなく点5tA
(一点鎖線で示す実質的な直線上に在る。)に相当する
一t℃のデータを出力する。同様に、3コ00mVに相
当するディジタル信号が入力されるとメモリIC(、t
)および(6)は点、2.2に相当する一30℃ではな
く点!、2Aに相当する一2ECのデータを出力する。
従って、出力電圧の2 mVきざみまたは5mvきざみ
で各電圧値に対応する値を求めておき、次にこの電圧値
をアドレス信号としたとき、これに対応する値をメモリ
IC(3)および(6)内のアドレスに2進符号で書き
込んでおけば、信号発生手段(S GM )の出力電圧
に対応するデータをメモリIC(&)および(6)から
−進符号で得ることができる。このデータはメモリIC
(5)および(A)のデータ端子(5d)および(6d
)よ多出力される。
で各電圧値に対応する値を求めておき、次にこの電圧値
をアドレス信号としたとき、これに対応する値をメモリ
IC(3)および(6)内のアドレスに2進符号で書き
込んでおけば、信号発生手段(S GM )の出力電圧
に対応するデータをメモリIC(&)および(6)から
−進符号で得ることができる。このデータはメモリIC
(5)および(A)のデータ端子(5d)および(6d
)よ多出力される。
このデータはメモリエC(&) 、 (A)のそれぞれ
データ端子(td) 、 (6d)から各ビット毎に2
進符号でD/A変換部(ワ)の入力端子(7a)へ入力
される。D/A変換部(ワ)は入力された一進符号に対
応して測定対象例えば温度に比例したアナログ信号を出
力端子(7b)に出力する。このアナログ信号は信号変
換部(t)によって所定の電気信号例えば直流θ〜jV
の電圧信号や直流グ〜、20mAの電流信号に変換され
、トランスデユーサ出力として外部へ出力される。
データ端子(td) 、 (6d)から各ビット毎に2
進符号でD/A変換部(ワ)の入力端子(7a)へ入力
される。D/A変換部(ワ)は入力された一進符号に対
応して測定対象例えば温度に比例したアナログ信号を出
力端子(7b)に出力する。このアナログ信号は信号変
換部(t)によって所定の電気信号例えば直流θ〜jV
の電圧信号や直流グ〜、20mAの電流信号に変換され
、トランスデユーサ出力として外部へ出力される。
この発明の別な発明
第3図はこの発明の別な発明に係るトランスデユーサの
一実施例を示すブロック図である。図において、CI’
)と(/A)は非直線性で互に異なる温度特性を有する
温度センサ、つま多種類の違う温度センサとしてのサー
ミスタである。(,2) 、 (31、(4’) 。
一実施例を示すブロック図である。図において、CI’
)と(/A)は非直線性で互に異なる温度特性を有する
温度センサ、つま多種類の違う温度センサとしてのサー
ミスタである。(,2) 、 (31、(4’) 。
(4)、(g)、(SC)M)、(DMM)および(s
CM)は第1図の実施例について詳しく説明したものと
同じである。(jM)および(6M)は、A / D変
換部(lI)のディジタル信号DO−D10 に対応
しかつ実質的に直線性の温度特性を呈する温度データお
よびサーミスタ(1)等の異なる温度特性に対応する校
正データがあらかじめ書き込まれているメモリICであ
シ、メモ’) IC(j−)および(6)と違って入力
側が例えば13ビツト構成になっている。(9)はデー
タ設定部であり、メモリIC(tM)および(6M)に
記憶されている校正データから使用したサーミスタ例え
ば(/A)に合う温度特性の校正データを選択するデー
タ選択信号IOを発生する。A/D変換部(りからのデ
ィジタル信号DO−D10はメモリIC(、tM)およ
び(6M)の下位//ピットのアドレス信号A(7−A
10になシ、かつデータ選択信号lOは上位コビットの
アドレス信号At/−A−/2になる。従って、データ
選択信号IQの2ビツトの組み合わせでq通りのデータ
を選択できる。
CM)は第1図の実施例について詳しく説明したものと
同じである。(jM)および(6M)は、A / D変
換部(lI)のディジタル信号DO−D10 に対応
しかつ実質的に直線性の温度特性を呈する温度データお
よびサーミスタ(1)等の異なる温度特性に対応する校
正データがあらかじめ書き込まれているメモリICであ
シ、メモ’) IC(j−)および(6)と違って入力
側が例えば13ビツト構成になっている。(9)はデー
タ設定部であり、メモリIC(tM)および(6M)に
記憶されている校正データから使用したサーミスタ例え
ば(/A)に合う温度特性の校正データを選択するデー
タ選択信号IOを発生する。A/D変換部(りからのデ
ィジタル信号DO−D10はメモリIC(、tM)およ
び(6M)の下位//ピットのアドレス信号A(7−A
10になシ、かつデータ選択信号lOは上位コビットの
アドレス信号At/−A−/2になる。従って、データ
選択信号IQの2ビツトの組み合わせでq通りのデータ
を選択できる。
上述したように構成されたトランスデユーサにおいて、
ディジタル信号Dθ〜D10およびデータ選択信号IO
をメモ!J IC(tM)および(6M)へ印加すると
、使用したサーミスタ(/A)に合う温度特性の所望の
温度データが読み出され、これを上述したように比例し
たアナログ信号に変換した上で、所定の電気信号に変換
して出力する。
ディジタル信号Dθ〜D10およびデータ選択信号IO
をメモ!J IC(tM)および(6M)へ印加すると
、使用したサーミスタ(/A)に合う温度特性の所望の
温度データが読み出され、これを上述したように比例し
たアナログ信号に変換した上で、所定の電気信号に変換
して出力する。
なお、上記実施例では信号発生手段の出力電圧を、2
mVまたはSmvきざみにしたものについて説明したが
、メモリICの容量を大きくして第2図の出力電圧の目
盛をよシ小きざみにし、例えば/ mVきざみにしてこ
れに対応するデータを記憶させかつA/D変換部のディ
ジタル信号のビット数を増やせば、一層高精度のものと
することができ、またD / A変換部もあわせてその
ビット数を増やせば、一層高精度とすることができる。
mVまたはSmvきざみにしたものについて説明したが
、メモリICの容量を大きくして第2図の出力電圧の目
盛をよシ小きざみにし、例えば/ mVきざみにしてこ
れに対応するデータを記憶させかつA/D変換部のディ
ジタル信号のビット数を増やせば、一層高精度のものと
することができ、またD / A変換部もあわせてその
ビット数を増やせば、一層高精度とすることができる。
更に、メモIJ I Cの容量を大きくしてデータ設定
部からのデータ選択信号のビット数を多くすれば、温度
センサの温度特性に対応する種類の数も増やすことがで
きる。また、■ルチプレクサとその駆動回路を入力側に
設ければ、多数の温度センサを接続することもできる。
部からのデータ選択信号のビット数を多くすれば、温度
センサの温度特性に対応する種類の数も増やすことがで
きる。また、■ルチプレクサとその駆動回路を入力側に
設ければ、多数の温度センサを接続することもできる。
更に、本実施例ではサーミスタについて説明したが、測
温抵抗体や熱電対を温度センサとする場合にも応用が可
能である。更に、A / D変換部への入力信号はサー
ミスタや熱電対から得られる信号だけでなく非直線性の
電気信号であtば何でもよい。また、マイクロコンピュ
ータのメモリを利用できる利点がある。また温度表示器
や目標温度設定手段と温度比較手段を付加すれば、温度
調節器や警報器としても利用できるなどこの発明の応用
範囲はきわめて広い。
温抵抗体や熱電対を温度センサとする場合にも応用が可
能である。更に、A / D変換部への入力信号はサー
ミスタや熱電対から得られる信号だけでなく非直線性の
電気信号であtば何でもよい。また、マイクロコンピュ
ータのメモリを利用できる利点がある。また温度表示器
や目標温度設定手段と温度比較手段を付加すれば、温度
調節器や警報器としても利用できるなどこの発明の応用
範囲はきわめて広い。
以上説明したとおシ、この発明は、測定対象に対応して
非直線性の電気的アナログ信号を発生する信号発生手段
と、前記アナログ信号をディジタル信号に変換するアナ
ログ/ディジタル変換部と、前記ディジタル信号に対応
しかつ実質的に直線性の特性を呈するデータがあらかじ
め書き込まれているデータ記憶手段と、このデータ記憶
手段へ前記ディジタル信号を印加することによって前記
データ記憶手段から読み出された所望のデータを、前記
測定対象に比例したアナログ信号に変換する信号変換手
段とを備えているので、特別なIJ ニヤライザを要す
ることなく、広い温度範囲に亘って高精度の直線化され
たアナログ信号を得ることができ、しかも構成が簡単で
極めて安価であると云う効果が得られる。
非直線性の電気的アナログ信号を発生する信号発生手段
と、前記アナログ信号をディジタル信号に変換するアナ
ログ/ディジタル変換部と、前記ディジタル信号に対応
しかつ実質的に直線性の特性を呈するデータがあらかじ
め書き込まれているデータ記憶手段と、このデータ記憶
手段へ前記ディジタル信号を印加することによって前記
データ記憶手段から読み出された所望のデータを、前記
測定対象に比例したアナログ信号に変換する信号変換手
段とを備えているので、特別なIJ ニヤライザを要す
ることなく、広い温度範囲に亘って高精度の直線化され
たアナログ信号を得ることができ、しかも構成が簡単で
極めて安価であると云う効果が得られる。
また、この発明の別な発明は、非直線性で異なる温度特
性を有する温度センサから温度に対応する電気的アナロ
グ信号を発生する信号発生手段と、前記アナログ信号を
ディジタル信号に変換するアナログ/ディジタル変換部
と、前記ディジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の
温度特性を呈する温度データおよび前記温度センサの異
なる温度特性に対応する校正データがあらかじめ書き込
まれているデータ記憶手段と、前記校正データから使用
した温度センサに合う温度特性の校正データを選択する
データ選択信号を発生するデータ設定部と、前記データ
記憶手段へ前記ディジタル信号および前記データ選択信
号を印加することによって前記データ記憶手段から読み
出された所望の温度データを、温度に比例したアナログ
信号に変換する信号変換手段とを備えているので、上述
の効果に加えて、温度特性の異なる温度センサにも対処
できる効果もある。
性を有する温度センサから温度に対応する電気的アナロ
グ信号を発生する信号発生手段と、前記アナログ信号を
ディジタル信号に変換するアナログ/ディジタル変換部
と、前記ディジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の
温度特性を呈する温度データおよび前記温度センサの異
なる温度特性に対応する校正データがあらかじめ書き込
まれているデータ記憶手段と、前記校正データから使用
した温度センサに合う温度特性の校正データを選択する
データ選択信号を発生するデータ設定部と、前記データ
記憶手段へ前記ディジタル信号および前記データ選択信
号を印加することによって前記データ記憶手段から読み
出された所望の温度データを、温度に比例したアナログ
信号に変換する信号変換手段とを備えているので、上述
の効果に加えて、温度特性の異なる温度センサにも対処
できる効果もある。
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第2図
は第1図に示した実施例の動作を説明するための図、第
3図はこの発明の別な発明の一実施例を示すブロック図
、第q図は一般的なサーミスタの温度−抵抗特性を示す
図、第3図はサーミスタの特性を直線化するための信号
発生手段の一例を示す回路図、第6図は第5図の信号発
生手段の温度−抵抗特性を示す図である。 図において、(1)と(/A)はサーミスタ、(2)は
並列抵抗、(3)は直列抵抗、(弘)はA/D変換部、
(5)および(rM)並びに(6)および(6M)はメ
モリIC1(7)はD / A変換部、(t)は信号変
換部、(S GM )は信号発生手段、(DMM)はデ
ータ記憶手段、(SCM)は信号変換手段である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第6図 手続補正書「自発」 昭和、1す、10月4 日
は第1図に示した実施例の動作を説明するための図、第
3図はこの発明の別な発明の一実施例を示すブロック図
、第q図は一般的なサーミスタの温度−抵抗特性を示す
図、第3図はサーミスタの特性を直線化するための信号
発生手段の一例を示す回路図、第6図は第5図の信号発
生手段の温度−抵抗特性を示す図である。 図において、(1)と(/A)はサーミスタ、(2)は
並列抵抗、(3)は直列抵抗、(弘)はA/D変換部、
(5)および(rM)並びに(6)および(6M)はメ
モリIC1(7)はD / A変換部、(t)は信号変
換部、(S GM )は信号発生手段、(DMM)はデ
ータ記憶手段、(SCM)は信号変換手段である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第6図 手続補正書「自発」 昭和、1す、10月4 日
Claims (8)
- (1)測定対象に対応して非直線性の電気的アナログ信
号を発生する信号発生手段と、前記アナログ信号をディ
ジタル信号に変換するアナログ/ディジタル変換部と、
前記ディジタル信号に対応しかつ実質的に直線性の特性
を呈するデータがあらかじめ書き込まれているデータ記
憶手段と、このデータ記憶手段へ前記ディジタル信号を
印加することによつて前記データ記憶手段から読み出さ
れた所望のデータを、前記測定対象に比例したアナログ
信号に変換する信号変換手段とを備えたことを特徴とす
るトランスデューサ。 - (2)測定対象が温度であり、非直線性の電気的アナロ
グ信号が信号発生手段中に設けた温度センサから取り出
されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のト
ランスデューサ。 - (3)温度センサがサーミスタ、測温抵抗体あるいは熱
電対であることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
のトランスデューサ。 - (4)信号発生手段がサーミスタと、このサーミスタに
それぞれ並列、直列に接続された並列抵抗、直列抵抗と
から成ることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の
トランスデューサ。 - (5)データ記憶手段がROMICから成ることを特徴
とする特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれか記
載のトランスデューサ。 - (6)データ記憶手段が実使用時にのみ単なるROMと
して使用されるRAMICから成ることを特徴とする特
許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれか記載のトラ
ンスデューサ。 - (7)信号変換手段が、所望のデータを測定対象に比例
したアナログ信号に変換するディジタル/アナログ変換
部と、前記アナログ信号を所定の電気信号としての電圧
信号あるいは電流信号に変換する信号変換部とから成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第6項の
いずれか記載のトランスデューサ。 - (8)非直線性で異なる温度特性を有する温度センサか
ら温度に対応する電気的アナログ信号を発生する信号発
生手段と、前記アナログ信号をディジタル信号に変換す
るアナログ/ディジタル変換部と、前記ディジタル信号
に対応しかつ実質的に直線性の温度特性を呈する温度デ
ータおよび前記温度センサの異なる温度特性に対応する
校正データがあらかじめ書き込まれているデータ記憶手
段と、前記校正データから使用した温度センサに合う温
度特性の校正データを選択するデータ選択信号を発生す
るデータ設定部と、前記データ記憶手段へ前記ディジタ
ル信号および前記データ選択信号を印加することによつ
て前記データ記憶手段から読み出された所望の温度デー
タを、温度に比例したアナログ信号に変換する信号変換
手段とを備えたことを特徴とするトランスデューサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1102886A JPS62170828A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | トランスデユ−サ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1102886A JPS62170828A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | トランスデユ−サ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62170828A true JPS62170828A (ja) | 1987-07-27 |
Family
ID=11766633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1102886A Pending JPS62170828A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | トランスデユ−サ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62170828A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7977638B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-07-12 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Long-term stable optical sensor arrangement, especially a hydrogen sensor, and combined gas sensor arrangement |
US9829041B2 (en) | 2013-05-28 | 2017-11-28 | Ntn Corporation | Rolling bearing |
-
1986
- 1986-01-23 JP JP1102886A patent/JPS62170828A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7977638B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-07-12 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Long-term stable optical sensor arrangement, especially a hydrogen sensor, and combined gas sensor arrangement |
US9829041B2 (en) | 2013-05-28 | 2017-11-28 | Ntn Corporation | Rolling bearing |
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